CN114417555A - 变压器建模方法、装置、计算机设备和存储介质 - Google Patents

变压器建模方法、装置、计算机设备和存储介质 Download PDF

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CN114417555A CN202111523683.5A CN202111523683A CN114417555A CN 114417555 A CN114417555 A CN 114417555A CN 202111523683 A CN202111523683 A CN 202111523683A CN 114417555 A CN114417555 A CN 114417555A
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肖黎
方大川
张繁
严亮
高德民
黄楷敏
张晶焯
池方仁
沈洪
陈硕
陈龙
汪鹏
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Abstract

本申请涉及一种变压器建模方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取变压器的铭牌参数，所述铭牌参数包括短路电压参数；根据所述短路电压参数计算得到漏抗值，所述漏抗值包括高‑中绕组漏抗、高‑低绕组漏抗以及中‑低绕组漏抗；将所述漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中；采用优化算法对静态Jiles‑Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台对所述初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型。采用本方法能够识别出影响该变压器磁滞特性的模型参数，可以更准确地描述变压器的磁滞特性，因此建立的变压器模型更准确，对分析变压器直流偏磁及其对电网造成的危害具有重要意义。

Description

变压器建模方法、装置、计算机设备和存储介质
技术领域
本申请涉及变压器建模技术领域，特别是涉及一种变压器建模方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
背景技术
随着我国轨道交通事业的发展迅速，地铁杂散电流的泄露问题日益严重。杂散电流通过接地变压器流入电网，带来一系列严重危害。杂散电流流经变压器后，变压器会出现直流偏磁现象，最终导致变压器温度升高、噪声振动明显加剧等，甚至可能造成保护误动，直流偏磁现象已经严重威胁到变压器甚至电力系统的安全稳定运行。因此研究变压器直流偏磁现象，研究其对电网造成的危害具有重要意义。
然而建立准确的变压器模型是研究上述问题的关键。目前来说，对于变压器建模的仿真平台多数是基于MATLAB/SIMULINK，由于变压器的型号及其参数众多，很多变压器建模方法采用人为输入参数的形式，这可能会导致最终的建模结果并不能很好的反应变压器在直流偏磁下的真实特性。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种变压器建模方法、装置、计算机设备和存储介质。
第一方面，本申请提供一种变压器建模方法，所述方法包括：
获取变压器的铭牌参数，所述铭牌参数包括短路电压参数；
根据所述短路电压参数计算得到漏抗值，所述漏抗值包括高-中绕组漏抗值、高-低绕组漏抗值以及中-低绕组漏抗值；
将所述漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中；
采用优化算法对静态Jiles-Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台对所述初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型；其中，所述静态Jiles-Atherton模型是PSCAD/EMTDC软件平台基于所述漏抗值、所述铭牌参数以及设置参数建立的，所述模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，所述初始变压器模型包括静态Jiles-Atherton模型。
在其中一个实施例中，所述设置参数包括变压器模式、铜耗、涡流损耗、饱和启用参数、磁滞模型、饱和电流的注入绕组、空心电抗、剩余磁通、理论通量密度、励磁电流以及铭牌参数；
其中，变压器模式设置为理想变压器，铜耗为设置为0，涡流损耗设置为0，饱和启用参数设置为启用铁芯饱和，磁滞模型设置为Jiles-Atherton磁滞模型，饱和电流的注入绕组设置为电压等级最高的绕组，空心电抗设置为2倍的高-中绕组漏抗、剩余磁通设置为0、理论磁通量密度设置为1.75T、励磁电流设置为变压器的空载电流。
在其中一个实施例中，所述变压器的铭牌参数包括频率、容量、电压等级大小、绕组连接方式以及空载电流。
在其中一个实施例中，还包括：
将所述铭牌参数输入至所述PSCAD/EMTDC软件平台，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台获得所述铭牌参数。
在其中一个实施例中，所述获取变压器的铭牌参数包括：
读取铭牌参数文件；
对所述铭牌参数文件进行自动识别以获得所述变压器的铭牌参数。
在其中一个实施例中，所述根据所述短路电压参数计算得到漏抗值包括：
根据表达式
Figure BDA0003409027200000031
计算得到漏抗值，式中，Uk为短路电压参数，Xk为计算得出的绕组漏抗。
第二方面，本申请提供一种变压器建模装置，所述装置包括：
获取模块，用于获取变压器的铭牌参数，所述铭牌参数包括短路电压参数；
计算模块，用于根据所述短路电压参数计算得到漏抗值，所述漏抗值包括高-中绕组漏抗值、高-低绕组漏抗值以及中-低绕组漏抗值；
填充模块，用于将所述漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中；
识别模块，用于采用优化算法对静态Jiles-Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台对所述初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型；其中，所述静态Jiles-Atherton模型是PSCAD/EMTDC软件平台基于所述漏抗值、所述铭牌参数以及设置参数建立的，所述模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，所述初始变压器模型包括所述静态Jiles-Atherton模型。
第三方面，本申请提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的方法的步骤。
第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
第五方面，本申请提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
上述变压器建模方法、装置、计算机设备和存储介质，利用优化算法可以识别出影响该变压器磁滞特性的模型参数，模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，可以使最终建立的变压器模型中磁滞特性的描述更准确，对分析变压器直流偏磁及其对电网造成的危害具有重要意义。
附图说明
图1为一个实施例中变压器建模方法的应用环境图；
图2为一个实施例中变压器建模方法的流程示意图；
图3为一个实施例中获取变压器铭牌参数的流程示意图；
图4为一个实施例中变压器建模装置的结构框图；
图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请提供的变压器建模方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。具体地，计算机设备102可以是终端，也可以是服务器。其中，终端可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑和便携式可穿戴设备，服务器可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种变压器建模方法，以该方法应用于一台计算机设备(其中，该计算机设备中装有PSCAD/EMTDC软件和辅助软件)为例进行说明，包括以下步骤：
步骤202，获取变压器的铭牌参数，铭牌参数包括短路电压参数。
其中，变压器的铭牌参数用于反映变压器的基础属性，通常在变压器的铭牌上进行标示，例如短路电压参数、额定容量、额定电压、额定电流、空载损耗、空载电流、负载损耗、阻抗电压等。
在一个实施例中，辅助软件可以通过用户输入或自动识别的方式获取到变压器的铭牌参数，包含短路电压参数。变压器可以是容易受到杂散电流入侵的变压器，如三相三绕组变压器。
步骤204，根据短路电压参数计算得到漏抗值，漏抗值包括高中绕组漏抗值、高低绕组漏抗值以及中低绕组漏抗值。
其中，漏抗是由漏磁通引起的，它是变压器保护及状态监测中最关键的参数之一，是绕组状态的一个重要参数。在变压器中，不按铁芯所规定的磁路流动的一切其他磁通，都为漏磁通，漏磁通不起能量转换、传递的作用，只与产生它的绕组交链，即只穿过产生它的绕组，因此经常用漏抗描述漏磁通。
在一个实施例中，辅助软件在获取到变压器的短路电压参数后，会根据不同绕组之间的漏抗和短路电压参数的关系计算不同绕组之间的漏抗。具体地，绕组漏抗和短路电压参数的关系可以表达为：
Figure BDA0003409027200000051
其中，Uk为短路电压参数，Xk为计算得出的绕组漏抗值。在一个实施例中，对三相三绕组经典变压器进行仿真建模，辅助软件利用绕组漏抗和短路电压参数的关系计算出该变压器的高中绕组漏抗值X1、高低绕组漏抗值X2以及中低绕组漏抗值X3。
步骤206，将所述漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中。
其中，PSCAD/EMTDC软件是一种电磁暂态仿真软件，可以提供一个完备的图形环境供使用者灵活地建立电路模型、仿真，在仿真的同时可以改变控制参数，可以直观地看到各种测量结果和参数曲线。它采用时域分析求解完整的电力系统及微分方程(包括电磁和机电两个系统)，结果非常精确。此外PSCAD/EMTDC软件允许用户自定义的方式全新定义一个模块，本申请中的辅助软件可以是基于PSCAD/EMTDC软件的一个自定义模块。
在一个实施例中，辅助软件将计算出的3个漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件的对应模块中，用于描述所仿真的变压器不同绕组的漏磁通。
步骤208，采用第一优化算法对静态Jiles-Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台对所述初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型；其中，所述静态Jiles-Atherton模型是PSCAD/EMTDC软件平台基于所述漏抗值、所述铭牌参数以及设置参数建立的，所述模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，所述初始变压器模型包括静态Jiles-Atherton模型。
其中，静态Jiles-Atherton模型是一种计算精度较高的磁滞模型，具有清晰的物理意义，能够精确地描述磁感应强度和磁场强度的非线性关系，在描述磁滞特性方面应用广泛。
在一个实施例中，PSCAD/EMTDC软件根据获取的高-中绕组漏抗、高-低绕组漏抗以及中-低绕组漏抗、铭牌参数以及设置参数建立直流偏磁条件下变压器铁芯磁滞的静态Jiles-Atherton模型，再利用该静态Jiles-Atherton模型建立三相三绕组变压器的非线性电感，得到该三相三绕组变压器的初始变压器模型。辅助软件利用优化算法(如蛙跳算法或遗传算法的其中一种)来识别静态Jiles-Atherton模型中影响该变压器磁滞特性的模型参数：无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，将识别出的模型参数所描述的磁滞回线与原始变压器模型中的磁滞回线做对比，并以最小误差为目标来优化这些参数，将优化后的模型参数输入至初始变压器模型中，从而PSCAD/EMTDC软件得到并输出最终得变压器模型。
上述方法中，辅助软件识别变压器铭牌参数取代了传统仿真过程中手动输入变压器铭牌参数，实现了一定程度的自动化，提高了建立变压器模型的效率。此外，通过利用优化算法可以识别出影响该变压器磁滞特性的模型参数并对模型参数进行优化，可以使最终建立的变压器模型中磁滞特性的描述更准确，对分析变压器直流偏磁及其对电网造成的危害具有重要意义。
在一个实施例中，设置参数包括变压器模式(Ideal Transformer Model)、铜耗(Copper losses)、涡流损耗(Eddy current losses)、饱和启用参数(SaturationEnabled)、磁滞模型(Hysteresis)、饱和电流的注入绕组(Place Saturation onwinding)、空心电抗(Air core reactance)、剩余磁通(Remanent Flux)、理论通量密度(Nominal Flux Density)、励磁电流以及铭牌参数。其中，变压器模式设置为理想变压器，铜耗为设置为0，涡流损耗设置为0，饱和启用参数设置为启用铁芯饱和，磁滞模型设置为Jiles-Atherton磁滞模型，饱和电流的注入绕组设置为电压等级最高的绕组，空心电抗设置为2倍的高-中绕组漏抗、剩余磁通设置为0、理论磁通量密度设置为1.75T、励磁电流设置为变压器的空载电流。
在一个实施例中，考虑到变压器的磁滞特性，变压器参数设置中使用默认参数的话，仿真结果与实际差别较大，因此在建立变压器模型的过程中需要设置变压器的设置参数。在建立变压器模型时，一般都选用理想变压器模型，因此铜耗和涡流损耗均设置为0，因为在建模时考虑到变压器的饱和磁滞特性，因此饱和启用参数设置为启用铁心饱和；本建模方法时基于Jiles-Atherton模型，因此磁滞模型设置为Jiles-Atherton磁滞模型。饱和电流注入的绕组选择带你呀等级最高的绕组。在多次仿真验证中发现，将空心电抗设置为2倍的高-中绕组漏抗后变压器的磁滞特性会更准确，因此将空心电抗设置为2倍的高-中绕组漏抗。
在本实施例中，根据变压器的磁滞特性来确定设置参数，能准确地描述该变压器的磁滞特性，因此建立的变压器模型更准确，更有利于对所建立模型的分析。
在一个实施例中，变压器的铭牌参数还包括频率、容量、电压等级大小、绕组连接方式以及空载电流。
在一个实施例中，将铭牌参数输入至PSCAD/EMTDC软件平台，以使PSCAD/EMTDC软件平台获得所述铭牌参数。
在一个实施例中，变压器的铭牌参数可以由用户手动输入至PSCAD/EMTDC软件平台的对应模块，PSCAD/EMTDC软件根据该变压器的铭牌参数、获取的高-中绕组漏抗、高-低绕组漏抗以及中-低绕组漏抗以及设置参数建立静态Jiles-Atherton模型。
在一个实施例中，如图3所示，获取变压器的铭牌参数包括：
步骤302，读取铭牌参数文件。
其中，铭牌参数文件是保存变压器铭牌参数的文件，文件形式包含但不限于图片、表格等。
在一个实施例中，变压器的铭牌参数文件以表格的形式上传保存至计算机设备102中，在开始建立变压器模型后，辅助软件会读取该文件。
步骤304，对该铭牌参数文件进行自动识别以获得变压器的铭牌参数。
在一个实施例中，辅助软件读取到变压器铭牌参数文件后会自动识别并读取出该铭牌参数文件中的变压器铭牌参数。
在一个实施例中，根据短路电压参数计算得到漏抗值包括：根据表达式
Figure BDA0003409027200000081
计算得到漏抗值，式中，Uk为短路电压参数，Xk为计算得出的绕组漏抗。
在一个实施例中，辅助软件通过读取变压器铭牌参数文件识别到该变压器的短路电压参数，并根据短路电压参数与绕组间漏抗的关系计算出高-中绕组漏抗值、高-低绕组漏抗值以及中-低绕组漏抗值。
应该理解的是，虽然图2-3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2-3中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图4所示，提供了一种变压器建模装置，包括：获取模块402、计算模块404、填充模块406和识别模块408，其中：
获取模块402用于获取变压器的铭牌参数，铭牌参数包括短路电压参数。计算模块404用于根据短路电压参数计算得到漏抗值，漏抗值包括高-中绕组漏抗、高-低绕组漏抗以及中-低绕组漏抗。填充模块406用于将漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中。识别模块408用于采用优化算法对静态Jiles-Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使PSCAD/EMTDC软件平台对初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型；其中，静态Jiles-Atherton模型是PSCAD/EMTDC软件平台基于漏抗值、铭牌参数以及设置参数建立的，模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，初始变压器模型所述静态Jiles-Atherton模型。
在一个实施例中，识别模块408建立静态Jiles-Atherton模型时的设置参数包括变压器模式(Ideal Transformer Model)、铜耗(Copper losses)、涡流损耗(Eddy currentlosses)、饱和启用参数(Saturation Enabled)、磁滞模型(Hysteresis)、饱和电流的注入绕组(Place Saturation on winding)、空心电抗(Air core reactance)、剩余磁通(Remanent Flux)、理论通量密度(Nominal Flux Density)、励磁电流以及铭牌参数。其中，变压器模式设置为理想变压器，铜耗为设置为0，涡流损耗设置为0，饱和启用参数设置为启用铁芯饱和，磁滞模型设置为Jiles-Atherton磁滞模型，饱和电流的注入绕组设置为电压等级最高的绕组，空心电抗设置为2倍的高-中绕组漏抗、剩余磁通设置为0、理论磁通量密度设置为1.75T、励磁电流设置为变压器的空载电流。
在一个实施例中，获取模块402获取的变压器铭牌参数还包括频率、容量、电压等级大小、绕组连接方式以及空载电流。
在一个实施例中，获取模块402获取变压器的铭牌参数包括：读取铭牌参数文件、对所述铭牌参数文件进行自动识别以获得所述变压器的铭牌参数。
在一个实施例中，计算模块404根据短路电压参数计算得到漏抗值包括；获取所述短路电压参数、根据表达式
Figure BDA0003409027200000101
计算得到漏抗值，式中，Uk为短路电压参数，Xk为计算得出的绕组漏抗。
关于变压器建模装置的具体限定可以参见上文中对于变压器建模方法的限定，在此不再赘述。上述变压器建模装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，也可以是服务器，其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储变压器的铭牌参数文件。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现变压器建模方法。
本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种变压器建模方法，其特征在于，所述方法包括：
获取变压器的铭牌参数，所述铭牌参数包括短路电压参数；
根据所述短路电压参数计算得到漏抗值，所述漏抗值包括高-中绕组漏抗值、高-低绕组漏抗值以及中-低绕组漏抗值；
将所述漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中；
采用优化算法对静态Jiles-Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台对所述初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型；其中，所述静态Jiles-Atherton模型是PSCAD/EMTDC软件平台基于所述漏抗值、所述铭牌参数以及设置参数建立的，所述模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，所述初始变压器模型包括静态Jiles-Atherton模型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置参数包括变压器模式、铜耗、涡流损耗、饱和启用参数、磁滞模型、饱和电流的注入绕组、空心电抗、剩余磁通、理论通量密度、励磁电流以及铭牌参数；
其中，变压器模式设置为理想变压器，铜耗为设置为0，涡流损耗设置为0，饱和启用参数设置为启用铁芯饱和，磁滞模型设置为Jiles-Atherton磁滞模型，饱和电流的注入绕组设置为电压等级最高的绕组，空心电抗设置为2倍的高-中绕组漏抗、剩余磁通设置为0、理论磁通量密度设置为1.75T、励磁电流设置为变压器的空载电流。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述变压器的铭牌参数还包括频率、容量、电压等级大小、绕组连接方式以及空载电流。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述铭牌参数输入至所述PSCAD/EMTDC软件平台，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台获得所述铭牌参数。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取变压器的铭牌参数包括：
读取铭牌参数文件；
对所述铭牌参数文件进行自动识别以获得所述变压器的铭牌参数。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述短路电压参数计算得到漏抗值包括：
根据表达式
Figure FDA0003409027190000021
计算得到漏抗值，式中，Uk为短路电压参数，Xk为计算得出的绕组漏抗。
7.一种变压器建模装置，其特征在于，所述装置包括：
获取模块，用于获取变压器的铭牌参数，所述铭牌参数包括短路电压参数；
计算模块，用于根据所述短路电压参数计算得到漏抗值，所述漏抗值包括高-中绕组漏抗、高-低绕组漏抗以及中-低绕组漏抗；
填充模块，用于将所述漏抗值输入至PSCAD/EMTDC软件平台的相应模块中；
识别模块，用于采用优化算法对静态Jiles-Atherton模型进行参数识别，获得模型参数，并将模型参数输入到初始变压器模型中，以使所述PSCAD/EMTDC软件平台对所述初始变压器模型进行更新并输出最终变压器模型；其中，所述静态Jiles-Atherton模型是PSCAD/EMTDC软件平台基于所述漏抗值、所述铭牌参数以及设置参数建立的，所述模型参数包括无磁滞磁化强度、描述磁滞曲线的形状参数、可逆系数、修正系数、不可逆系数、磁畴关联程度系数，所述初始变压器模型包括所述静态Jiles-Atherton模型。
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113569383A (zh) * 2021-06-28 2021-10-29 南方电网科学研究院有限责任公司 单相四柱变压器的仿真模型创建方法、系统、介质及设备

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