CN114414875A - 检测电路及检测设备 - Google Patents

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CN114414875A
CN114414875A CN202111500501.2A CN202111500501A CN114414875A CN 114414875 A CN114414875 A CN 114414875A CN 202111500501 A CN202111500501 A CN 202111500501A CN 114414875 A CN114414875 A CN 114414875A
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resistor
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赖文焯
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Shenzhen Lianzhou International Technology Co Ltd
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Shenzhen Lianzhou International Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种检测电路及检测设备,其中,检测电路包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过光耦隔离电路与驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路与驱动电路连接,用于响应控制电路的控制信号使控制电路通过驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路还与反馈电路连接,以使控制电路通过光耦隔离电路与反馈电路生成的反馈信息,确定工作电路的负载接入状态;驱动电路还与工作电路连接;反馈电路与工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态通过光耦隔离电路生成反馈信息,以实现控制电路具有驱动双向开关的功能的同时,具有获取双向开关的工作状态的功能的技术效果。

Description

检测电路及检测设备
技术领域
本申请属于检测技术领域,尤其涉及一种检测电路及检测设备。
背景技术
现有技术中,一般的双向开关隔离驱动方式,隔离器件一般是光耦、信号变压器等,驱动信号经过隔离器件后再传递至双向开关输入端,隔离器件实现了驱动信号传输的同时,能有效提高控制器的电磁兼容、防浪涌、防静电等性能。但是,无论是光耦还是信号变压器,隔离器件信号一般只能单向传输,即控制器只能通过隔离器件控制双向开关,却无法获取双向开关的工作状态。
发明内容
本申请实施例提供一种与现有技术不同的实现方案,以解决控制器无法在实现驱动双向开关的功能的同时,具有获取双向开关的工作状态的功能的技术问题。
第一方面,本申请提供一种检测电路,包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过光耦隔离电路与所驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路与驱动电路连接,用于响应控制电路的控制信号使控制电路通过驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路还与反馈电路连接,以使控制电路通过光耦隔离电路与反馈电路生成的反馈信息,确定工作电路的负载接入状态;驱动电路还与工作电路连接;反馈电路与工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态通过光耦隔离电路生成所述反馈信息,即反馈相应的信号电平至控制电路。
第二方面,本申请Lai693704提供一种检测设备,包括检测电路,检测电路包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过光耦隔离电路与所述驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路与驱动电路连接,用于响应控制电路的控制信号使控制电路通过驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路还与反馈电路连接,以使控制电路通过光耦隔离电路与反馈电路生成的反馈信息,确定工作电路的负载接入状态;驱动电路还与工作电路连接;反馈电路与工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态,通过光耦隔离电路生成所述反馈信息。
本申请提供的检测电路包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过光耦隔离电路与所述驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路与驱动电路连接,用于响应控制电路的控制信号使控制电路通过驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路还与反馈电路连接,以使控制电路通过光耦隔离电路与反馈电路生成的反馈信息,确定工作电路的负载接入状态;驱动电路还与工作电路连接;反馈电路与工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态,通过光耦隔离电路生成所述反馈信息,即反馈相应的信号电平至控制电路,以实现控制电路具有驱动双向开关的功能的同时,具有获取双向开关的工作状态的功能的技术效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1为本申请一实施例提供的检测电路的结构示意图;
图2为本申请另一实施例提供的检测电路的结构示意图;
图3为本申请另一实施例提供的检测电路的结构示意图;
图4为本申请另一实施例提供的检测电路的结构示意图;
图5为本申请另一实施例提供的检测电路的结构示意图;
图6为本申请另一实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例,实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例的说明书、权利要求书及附图中的术语“第一”和“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请实施例的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图,对本申请的实施例进行描述。
图1为本申请实施例提供的一种检测电路的示意图,包括:控制电路11、光耦隔离电路12、驱动电路13,以及反馈电路14;其中:
控制电路11,与光耦隔离电路12连接,用于通过光耦隔离电路12与所驱动电路13驱动工作电路10工作;
光耦隔离电路12与驱动电路13的连接,用于响应控制电路11的控制信号使控制电路11通过驱动电路13驱动工作电路10工作;光耦隔离电路12还与反馈电路14连接,以使控制电路11通过光耦隔离电路12与反馈电路14生成的反馈信息,确定工作电路10的负载接入状态;
驱动电路13还与工作电路10连接;
反馈电路14与工作电路10连接,用于响应工作电路10的负载接入状态,通过光耦隔离电路12生成所述反馈信息,即反馈相应的信号电平至所述控制电路11。
具体地,可进一步参见图2所示,反馈电路14可包括阻抗检测电路142与阻抗变换电路141,阻抗检测电路142与光耦隔离电路12以及阻抗变换电路141连接,阻抗变换电路141与工作电路10连接,阻抗变换电路141用于根据与工作电路10连接的连接端的信号电平,导通阻抗检测电路142与光耦隔离电路12间的连接,使得控制电路11通过光耦隔离电路12与阻抗检测电路142生成的反馈信息,确定工作电路10的负载接入状态。
进一步地,参见图3所示,驱动电路13包括第一二极管D1、第一电容C1,以及第一电阻R1,具体地,第一二极管D1的一端(如阳极)与工作电路10的第一端连接,另一端(如阴极)与光耦隔离电路12以及第一电容C1的一端连接,第一电容C1的另一端与工作电路10的第二端连接,第一电阻R1的一端与光耦隔离电路12连接,另一端与工作电路10的第三端与第四端连接。
进一步地,所述工作电路10包括负载接入电路与开关组,负载接入电路用于接入负载,开关组可包括:第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第二二极管D2与第三二极管D3,其中:
所述第一NMOS管Q1的漏极与所述负载接入电路以及所述反馈电路14连接,所述第一NMOS管Q1的栅极与所述第一电阻R1的另一端连接,所述第一NMOS管Q1的源极与第二NMOS管Q2的源极,以及第一电容C1的另一端连接,所述第二NMOS管Q2的栅极与所述第一电阻R1的另一端连接,所述第二NMOS管Q2的漏极与所述反馈电路14连接;
所述第二二极管D2的一端(如阳极)连接所述第一NMOS管Q1的源极,另一端(如阴极)连接所述第一NMOS管Q1的漏极;
所述第三二极管D3的一端(如阳极)连接所述第二NMOS管Q2的源极,另一端(如阴极)连接所述第二NMOS管Q2的漏极。
所述负载接入电路的一端连接交流电源的一端,另一端连接第一NMOS管Q1的漏极,所述第二NMOS管Q2的漏极连接交流电源的另一端。
具体地,工作电路10的第一端与第五端分别连接交流电源的两端,工作电路10的第一端至第五端的连接情况具体可参见图3所示,另外,交流电的两端可分别为图3中的R端与C端,负载包括灯和/或继电器。
进一步地,参见图4所示,前述检测电路还包括保护电路15,保护电路15与第一电阻R1的另一端以及工作电路10连接,用于限制工作电路10中的电流。
进一步地,保护电路15包括第二电阻R2、第三电阻R3、第一三极管Q1’,以及第二三极管Q2’,其中:第二电阻R2的一端连接工作电路10中的第一NMOS管Q1的源极,以及第一三极管Q1’的基极,第二电阻R2的另一端连接第一三极管Q1’的发射极,以及第三电阻R3的一端,第三电阻R3的另一端与第二NMOS管的源极以及第二三极管Q2’的基极连接,第一三级管Q1’的发射极与第二三极管Q2’的发射极,以及第二电阻R2的另一端连接,第一三极管Q1’的集电极与第二三极管Q2’的集电极都与第一电阻R1的另一端连接;所述第三电阻的一端还与所述第一电容的另一端连接。
需要说明的是,结合图3与图4所示,当检测电路包括保护电路15时,第一NMOS管Q1与第二NMOS管Q2将不再直接连接,保护电路15可接入工作电路10中的第一NMOS管Q1的源极与第二NMOS管Q2的源极之间,如工作电路中的第二端与第六端之间,具体地,保护电路15中的第二电阻R2的一端连接工作电路10的第二端(即第一NMOS管Q1的源极),以及保护电路15中的第三电阻R3的另一端连接工作电路10中的第六端(即第二NMOS管Q2的源极)。且第一电容C1的另一端改为与第二电阻R2的另一端连接。其中,当检测电路不包括保护电路15时,工作电路10中的第二端与第六端连接。
进一步地,控制电路11包括:第一MCU,第一MCU与光耦隔离电路12连接,用于根据与光耦隔离电路12的连接端的信号电平确定工作电路10的负载接入状态。
进一步地,结合图2与图5所示,检测电路还包括:
脉冲宽度调制波发生器1421,阻抗检测电路142包括响应电路1422,脉冲宽度调制波发生器1421用于为阻抗变换电路141中的目标电容两端提供初始稳定电压,当工作电路10中有负载接入时,初始稳定电压降低,阻抗变换电路141基于降低后的电压,导通阻抗检测电路142。其中,目标电容可以为第三电容C3。其中,脉冲宽度调制波发生器1421可以通过第二MCU实现。具体地,电压的改变经过信号变压器T反馈到初级绕组,阻抗变换电路141基于初级绕组电压变化,导通阻抗检测电路142。其中,第一MCU与第二MCU可以为同一个MCU,也可以不为同一个MCU,对此,本申请不做限定。
进一步地,负载接入电路的一端与第一二极管D1的阳极连接,以及第一电阻R1的另一端与第一NMOS管Q1的栅极连接。
进一步地,参见图5所示,阻抗变换电路141包括:第四二极管D4、第二电容C2、第四电阻R4、第三NMOS管Q3、第五电阻R5、第三电容C3、第五二极管D5、第六电阻R6、变压器T、第四电容C4、第七电阻R7,以及第六二极管D6;其中,第四二极管D4的一端(如阳极)与第一NMOS管Q1的漏极连接,另一端(如阴极)与第四电阻R4的一端,以及第二电容C2的一端连接,第二电容C2的另一端与第二NMOS管Q2的漏极连接(即与C端连接);第四电阻R4的另一端,与第三NMOS管Q3的栅极连接,第三NMOS管Q3的漏极与第五电阻R5的一端连接,第五电阻R5的另一端与第三电容C3的一端,以及第五二极管D5的一端(如阴极)连接,第三NMOS管Q3的源极与第三电容C3的另一端,以及交流电源的C端连接,第五二极管D5的另一端(如阳极)与第六电阻R6的一端以及变压器的次级同名端,以及第六电阻R6的一端连接,变压器的次级的另一端与第六电阻R6的另一端以及第三电容C3的另一端连接。
进一步地,变压器的初级同名端与第四电容C4的一端以及第七电阻R7的一端连接,第七电阻R7的另一端,与第四电容C4的另一端,以及第六二极管D6的一端(如阴极)连接,第六二极管D6的另一端(如阳极)与变压器的初级另一端连接;其中,第四电容C4的一端还连接第一电源端VCC1。
进一步地,前述脉冲宽度调制波发生器1421还可以与响应电路1422共同包含于阻抗检测电路142,可选地,阻抗检测电路142也可以仅包括响应电路1422。
前述响应电路1422具体包括:第四NMOS管Q4、第八电阻R8、第九电阻R9、第五电容C5、第七二极管D7、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第三三极管Q3’,以及第二电源端VCC2。
具体地,第四NMOS管Q4的漏极与第六二极管D6的另一端(即阳极)连接,第四NMOS管Q4的栅极与第八电阻R8的一端连接,第八电阻R8的另一端与脉冲宽度调制波发生器1421连接,第四NMOS管Q4的源极与第九电阻R9的一端以及第七二极管的一端(如阳极)连接,第九电阻R9的另一端接地,第七二极管D7的另一端(如阴极)与第五电容C5的一端,以及第十电阻R10的一端、以及第十一电阻R11的一端连接,第五电容C5的另一端,与第九电阻R9的另一端、第十电阻R10的另一端连接,第十一电阻R11的另一端与第三三极管Q3’的基极连接,第十电阻R10的另一端与第三三极管Q3’的发射极连接,第三三极管Q3’的集电极与第十二电阻R12的一端连接,第十二电阻R12的另一端连接第二电源端VCC2,第三三极管Q3’的集电极还与光耦隔离电路12连接。
进一步地,控制电路11还可包括第十三电阻R13,第十三电阻R13的一端连接第三电源端VCC3,另一端连接光耦隔离电路12以及第一MCU,具体连接方式可参见图5所示。
需要说明的是,本申请中涉及到的一端与另一端可以理解为具有两个连接端的元件的第一端与第二端。
以下结合具体场景对本方案的执行原理做进一步说明:
可结合图5所示,当负载未接入负载接入电路时,D4与C2中无电流,R4与Q3不导通,R5不起作用。第二MCU输出PWM(Pulse Width Modulation,脉冲宽度调制)波,Q4相应的周期性通断切换,此时,有脉冲电流流过R9,R9上的压降使得D7导通,进而对C5充电,C5两端电压恒定,具体地,此时C5的电压可以比较低例如小于0.6V,使得不足以使Q3’导通;即负载接入电路中未接入负载时,Q3’不导通。
进一步地,若负载接入电路中接入负载时,当负载接入后,D4与C2中有电流,该电流使得C2有电压,Q3导通,R5的电阻值较小,C3与R5并联,此时C3向R5(R5的阻值可以为0.5Ω)放电,由于放电电流较大,C3电压下降低于之前的电压,并保持稳定,该电压导致Q4电压变大,C3电压变小后,Q4的漏极与VCC1之间的电压也变小,使得Q4处的电压变大,R9两端电压变大,C5两端电压变大,当C5两端电压大于0.7V时,Q3’导通,Q3’的导通后,会影响光耦处的信号电平,即第一MCU检测到的信号电平,此时,光耦二极管OPTO1(包含于光耦隔离电路12)发光,第一MCU中GPIO的信号电平被拉低(例如小于1V),此时可确定负载接入;即此时第一MCU检测到GPIO的信号电平小于预设电平时,确定负载接入,若否,则确定负载未接入。
可选地,C5有两种稳定状态,一种状态下,其电压小于0.6V,另一种状态下,其电压大于0.7V。
需要说明的是,当负载没有接入时,Q3’不导通,无论第一MCU输入什么信号,开关组都无法被驱动;R13阻值需要足够大,避免第一MCU无信号输出时OPTO1进入导通状态。
当负载接入,需要驱动开关组时,Q3’的电流由VCC3提供,不需要驱动开关组时,Q3’用于检测负载的接入状态时,Q3’的电流由VCC2提供(此时光耦未导通)。Q3’的集电极的状态代表着负载有没有接入。
进一步地,由于Q4一直周期性通断切换,能量可以通过变压器,Q4通时,电流增大,断时,电流减少,如此反复,能量即可传输到次级。进一步地,变压器T通过同名端对C3充电,C3电压稳定,此时,R9上有稳定压降,R9上的电压给C5充电,可以通过调节R9的电阻值,或者PWM波的占空比,使C5电压小于0.6V。
进一步地,当交流电为电路供电时,在一交流半周期内,可对C1充电,例如当交流电压为正时,通过R端、D1、C1、R3、D3与C端的电流将实现对C1充电;当C1放电时即可实现对Q1与Q2的驱动。
Q3’处于导通状态,即负载接入的情况下,第一MCU可通过输出高电平驱动开关组,具体地,第一MCU输出高电平后,此时,C1放电,C1一端、光耦、R1、Q1的栅极、Q1的源极、R2、C1另一端导通,形成回路,实现对Q1的驱动;以及,C1一端、光耦、R1、Q2的栅极、Q2的源极、R3、C1另一端导通,形成回路,实现对Q2的驱动。
进一步地,针对于保护电路的工作情况,电流流过光耦OPTO1和Q3’,且开关组被驱动时;当开关组流过的电流达到阈值后,R2和R3的压降使Q1’或Q2’导通,保护电路发生自锁,Q1或Q2的栅极和源极之间处于低阻抗,Q1或Q2无法导通,实现了限流和短路保护功能。调整R2和R3的值,可以调整限流点。
脉冲宽度调制波发生器可由第二MCU或多谐振荡器实现,输出高频方波用于驱动变压器T,脉冲宽度调制波的频率在开关管允许的情况下,应尽量高,可提高阻抗检测的灵敏度。
信号变压器T,仅能通过高频脉冲宽度调制波信号,难以通过工频信号,当有负载接入时,电源通过D4向C2充电,当充电电压高于Q3的导通阈值后,Q3导通,电阻R5被接入次级,变压器次级的阻抗发生变化。该变化会被初级的阻抗变化检测电路检测出来。
R端和C端是交流电源的两个端子,交流电源参数可以是照明系统的100~240Vac50/60Hz,或HVAC系统的18~30Vac 50/60Hz,另外,本申请中的负载常为无源负载。本申请中的负载接入检测可以用于远程监测负载状态或作为自动控制系统的输入变量,双向开关过流或短路后自动保护,限流点和短路保护灵敏度可自由调节。
本申请提供的检测电路包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过光耦隔离电路与所述驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路与驱动电路连接,用于响应控制电路的控制信号使控制电路通过驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路还与反馈电路连接,以使控制电路通过光耦隔离电路与反馈电路生成的反馈信息,确定工作电路的负载接入状态;驱动电路还与工作电路连接;反馈电路与工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态,通过光耦隔离电路生成所述反馈信息,即反馈相应的信号电平至控制电路,以实现控制电路具有驱动双向开关的功能的同时,具有获取双向开关的工作状态的功能的技术效果。
本申请一示例性实施例提供的一种数据处理方法,该方法可适用于控制电路,该方法可包括:检测与光耦隔离电路的连接端口的信号电平,若该信号电平大于预设电平,则确定工作电路有负载接入,其中:
控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过光耦隔离电路与所驱动电路驱动工作电路工作;
光耦隔离电路与驱动电路连接,用于响应控制电路的控制信号使控制电路通过驱动电路驱动工作电路工作;光耦隔离电路还与反馈电路连接,以使控制电路通过光耦隔离电路与反馈电路生成的反馈信息,确定工作电路的负载接入状态;
驱动电路还与工作电路连接;
反馈电路与工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态,通过光耦隔离电路生成所述反馈信息,即反馈相应的信号电平至控制电路。
本申请一示例性实施例还提供的一种数据处理装置,其中,该装置包括:
检测模块,用于检测与光耦隔离电路的连接端口的信号电平;
确定模块,用于在检测模块在检测到该信号电平大于预设电平时,确定工作电路有负载接入。
应理解的是,装置实施例与方法实施例可以相互对应,类似的描述可以参照方法实施例。为避免重复,此处不再赘述。具体地,该装置可以执行上述方法实施例,并且该装置中的各个模块的前述和其它操作和/或功能分别为了上述方法实施例中的各个方法中的相应流程,为了简洁,在此不再赘述。
上文中结合附图从功能模块的角度描述了本申请实施例的装置。应理解,该功能模块可以通过硬件形式实现,也可以通过软件形式的指令实现,还可以通过硬件和软件模块组合实现。具体地,本申请实施例中的方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路和/或软件形式的指令完成,结合本申请实施例公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。可选地,软件模块可以位于随机存储器,闪存、只读存储器、可编程只读存储器、电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域的成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器,处理器读取存储器中的信息,结合其硬件完成上述方法实施例中的步骤。
图6是本申请实施例提供的电子设备的示意性框图,该电子设备可包括:
存储器601和处理器602,该存储器601用于存储计算机程序,并将该程序代码传输给该处理器602。换言之,该处理器602可以从存储器601中调用并运行计算机程序,以实现本申请实施例中的方法。
例如,该处理器602可用于根据该计算机程序中的指令执行上述方法实施例。
在本申请的一些实施例中,该处理器602可以包括但不限于:
通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等等。
在本申请的一些实施例中,该存储器601包括但不限于:
易失性存储器和/或非易失性存储器。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)、可编程只读存储器(ProgrammableROM,PROM)、可擦除可编程只读存储器(ErasablePROM,EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(ElectricallyEPROM,EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory,RAM),其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(StaticRAM,SRAM)、动态随机存取存储器(DynamicRAM,DRAM)、同步动态随机存取存储器(SynchronousDRAM,SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data RateSDRAM,DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(EnhancedSDRAM,ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synch link DRAM,SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(DirectRambus RAM,DRRAM)。
在本申请的一些实施例中,该计算机程序可以被分割成一个或多个模块,该一个或者多个模块被存储在该存储器601中,并由该处理器602执行,以完成本申请提供的方法。该一个或多个模块可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段,该指令段用于描述该计算机程序在该电子设备中的执行过程。
如图6所示,该电子设备还可包括:
收发器603,该收发器603可连接至该处理器602或存储器601。
其中,处理器602可以控制该收发器603与其他设备进行通信,具体地,可以向其他设备发送信息或数据,或接收其他设备发送的信息或数据。收发器603可以包括发射机和接收机。收发器603还可以进一步包括天线,天线的数量可以为一个或多个。
应当理解,该电子设备中的各个组件通过总线系统相连,其中,总线系统除包括数据总线之外,还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。
本申请还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被计算机执行时使得该计算机能够执行上述方法实施例的方法。或者说,本申请实施例还提供一种包含指令的计算机程序产品,该指令被计算机执行时使得计算机执行上述方法实施例的方法。
当使用软件实现时,可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。该计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行该计算机程序指令时,全部或部分地产生按照本申请实施例该的流程或功能。该计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。该计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中,或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输,例如,该计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(digital subscriber line,DSL))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。该计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。该可用介质可以是磁性介质(例如,软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如数字视频光盘(digital video disc,DVD))、或者半导体介质(例如固态硬盘(solid state disk,SSD))等。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的模块及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,该模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。例如,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中,也可以是各个模块单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。
以上仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以该权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种检测电路,其特征在于,包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:
所述控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过所述光耦隔离电路与所驱动电路驱动工作电路工作;
所述光耦隔离电路与所述驱动电路连接,用于响应所述控制电路的控制信号使所述控制电路通过所述驱动电路驱动所述工作电路工作;所述光耦隔离电路还与所述反馈电路连接,以使所述控制电路通过所述光耦隔离电路与所述反馈电路生成的反馈信息,确定所述工作电路的负载接入状态;
所述驱动电路还与所述工作电路连接;
所述反馈电路与所述工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态,通过所述光耦隔离电路生成所述反馈信息。
2.根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,所述反馈电路包括阻抗检测电路与阻抗变换电路,所述阻抗检测电路与所述光耦隔离电路以及所述阻抗变换电路连接,所述阻抗变换电路与所述工作电路连接,所述阻抗变换电路用于根据与所述工作电路连接的连接端的电压,导通所述阻抗检测电路与所述光耦隔离电路间的连接。
3.根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一二极管、第一电容,以及第一电阻,所述第一二极管的一端与所述工作电路连接,另一端与所述光耦隔离电路以及所述第一电容的一端连接,所述第一电容的另一端与所述工作电路连接,所述第一电阻的一端与所述光耦隔离电路连接,另一端与所述工作电路连接。
4.根据权利要求3所述的检测电路,其特征在于,所述工作电路包括负载接入电路、第一NMOS管、第二NMOS管、第二二极管与第三二极管,其中:
所述第一NMOS管的漏极与所述负载接入电路以及所述反馈电路连接,所述第一NMOS管的栅极与所述第一电阻的另一端连接,所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极以及第一电容C1的另一端连接,所述第二NMOS管的栅极所述第一电阻的另一端连接,所述第二NMOS管的漏极与所述反馈电路连接;
所述第二二极管的一端连接所述第一NMOS管的源极,另一端连接所述第一NMOS管的漏极;
所述第三二极管的一端连接所述第二NMOS管的源极,另一端连接所述第二NMOS管的漏极。
5.根据权利要求3所述的检测电路,其特征在于,还包括保护电路,所述保护电路与第一电阻的另一端以及所述工作电路连接,用于限制所述工作电路中的电流,所述保护电路包括:第二电阻、第三电阻、第一三极管,以及第二三极管,其中:所述第二电阻的一端连接所述工作电路中的第一NMOS管的源极,以及所述第一三极管的基极,第二电阻的另一端连接所述第一三极管的发射极,以及第三电阻的一端,所述第三电阻的另一端与所述工作电路中的第二NMOS管的源极以及所述第二三极管的基极连接,所述第一三级管的发射极与所述第二三极管的发射极,以及所述第二电阻的另一端连接,所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极都与所述第一电阻的另一端连接;
所述第三电阻的一端与所述第一电容的另一端连接。
6.根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,所述控制电路包括:第一MCU,所述第一MCU与所述光耦隔离电路连接,用于根据与所述光耦隔离电路的连接端的信号电平确定工作电路的负载接入状态。
7.根据权利要求2所述的检测电路,其特征在于,还包括:
脉冲宽度调制波发生器,所述脉冲宽度调制波发生器用于为所述阻抗变换电路中的目标电容两端提供初始稳定电压,当所述工作电路中有负载接入时,所述初始稳定电压降低,所述阻抗变换电路基于降低后的电压,导通所述阻抗检测电路。
8.根据权利要求4所述的检测电路,其特征在于,所述负载接入电路的一端连接交流电源的一端,另一端连接第一NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏极连接交流电源的另一端。
9.根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,负载包括灯和/或继电器。
10.一种检测设备,其特征在于,包括检测电路,所述检测电路包括:控制电路、光耦隔离电路、驱动电路,以及反馈电路;其中:
所述控制电路,与光耦隔离电路连接,用于通过所述光耦隔离电路与所述驱动电路驱动工作电路工作;
所述光耦隔离电路与所述驱动电路连接,用于响应所述控制电路的控制信号使所述控制电路通过所述驱动电路驱动所述工作电路工作;所述光耦隔离电路还与所述反馈电路连接,以使所述控制电路通过所述光耦隔离电路与所述反馈电路生成的反馈信息,确定所述工作电路的负载接入状态;
所述驱动电路还与所述工作电路连接;
所述反馈电路与所述工作电路连接,用于响应工作电路的负载接入状态,通过所述光耦隔离电路生成所述反馈信息。
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