CN114414486B - 一种基于贵金属耦合的氢气探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及氢气检测技术领域,具体涉及一种基于贵金属耦合的氢气探测器,包括衬底、弹性层、敏感单元,弹性层置于衬底上,敏感单元周期性地置于弹性层上,敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部,钯块设置在弹性层上,第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上,第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时,在待测氢气环境中,连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部,钯块吸附氢气产生膨胀,通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。本发明中,吸附氢气的钯块的尺寸大,而导致共振波长移动的第一贵金属部和第二贵金属部的尺寸小,所以氢气对上述共振波长的调节力度大,从而实现更高灵敏度的氢气探测。
Description
技术领域
本发明涉及氢气检测技术领域,具体涉及一种基于贵金属耦合的氢气探测器。
背景技术
氢气具有燃烧值高、可再生、清洁无污染等优点,是一种理想的清洁能源。由于氢原子体积小,容易发生泄漏。并且氢气在空气中浓度达到4%~75%时,遇到明火、电流等就会爆炸,发生严重事故。因此,对氢气浓度检测是氢能源安全应用的重要环节。
常见了氢气浓度检测传感器有电化学氢传感器、半导体氢传感器和光纤氢传感器。电化学氢传感器和半导体氢传感器容易受到外界环境的干扰。基于光纤的氢传感器具有较高的系统集成度。例如发明专利CN110763655A公开了一种氢敏准分布式光纤传感器及制备方法,氢敏准分布式光纤传感器包括光纤纤芯和包裹光纤纤芯的光纤包层,光纤包层的外表面设置有光纤涂覆层和对氢气敏感的钯膜,光纤涂覆层和钯膜沿光纤轴向胶体设置。虽然基于光纤的氢传感器具有较高的系统集成度,但是氢气对光纤中的光的调控力度小,从而导致氢探测灵敏度低。
发明内容
为解决以上问题,本发明提供了一种基于贵金属耦合的氢气探测器,包括衬底、弹性层、敏感单元,弹性层置于衬底上,敏感单元周期性地置于弹性层上,敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部,钯块设置在弹性层上,第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上,第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时,在待测氢气环境中,连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部,钯块吸附氢气产生膨胀,从而第一贵金属部和第二贵金属部之间的距离增加,改变了第一贵金属部和第二贵金属部复合结构的共振波长,通过光探测器对反射光谱的探测,观测共振波长的移动,通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。
更进一步地,周期为方形周期。
更进一步地,间隙的宽度小于100纳米,更进一步地,间隙的宽度小于50纳米,以便于在钯块膨胀时,第一贵金属部和第二贵金属部复合结构的共振波长移动更多,从而实现更高灵敏度的氢气探测。
更进一步地,弹性层的材料为导热硅胶。在入射光照射下,第一贵金属部和第二贵金属部中产生局域表面等离激元共振,第一贵金属部和第二贵金属部吸收入射光产生热量,从而提高了钯块的温度;将弹性层的材料设置为导热硅胶,导热硅胶具有良好的导热效果,有利于降低钯块的温度,从而提高钯块对氢气的吸附能力,从而提高氢气探测的灵敏度。
更进一步地,第一贵金属部和第二贵金属部的材料为金或银。
更进一步地,钯块的厚度小于4微米。
更进一步地,第一贵金属部和第二贵金属部为棒状。
更进一步地,第一贵金属部和第二贵金属部在一条直线上。
更进一步地,钯块为矩形。
更进一步地,第一贵金属部和第二贵金属部置于钯块的对称轴上。
本发明的有益效果:本发明提供了一种基于贵金属耦合的氢气探测器,包括衬底、弹性层、敏感单元,弹性层置于衬底上,敏感单元周期性地置于弹性层上,敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部,钯块设置在弹性层上,第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上,第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时,在待测氢气环境中,连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部,钯块吸附氢气产生膨胀,从而第一贵金属部和第二贵金属部之间的距离增加,改变了第一贵金属部和第二贵金属部复合结构的共振波长,通过光探测器对反射光谱的探测,观测共振波长的移动,通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。本发明中,钯块吸附氢气,移动了设置在钯块上的第一贵金属部和第二贵金属部的共振波长,吸附氢气的钯块的尺寸大,而导致共振波长移动的第一贵金属部和第二贵金属部的尺寸小,所以氢气对上述共振波长的调节力度大,从而实现更高灵敏度的氢气探测,在氢气探测领域具有良好的应用前景。
以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是一种基于贵金属耦合的氢气探测器的示意图。
图2是一种钯块、第一贵金属部、第二贵金属部相对位置的示意图。
图3是再一种钯块、第一贵金属部、第二贵金属部相对位置的示意图。
图中:1、衬底;2、弹性层;3、钯块;4、第一贵金属部;5、第二贵金属部。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下参照附图并举实施例,对本申请作进一步详细说明。
实施例1
本发明提供了一种基于贵金属耦合的氢气探测器,如图1所示,包括衬底1、弹性层2、敏感单元。衬底1的材料不做限制,衬底1可以为二氧化硅。弹性层2置于衬底1上,弹性层2的材料为导热硅胶。敏感单元周期性地置于弹性层2上,敏感单元设置的周期为方形周期。敏感单元包括钯块3、第一贵金属部4、第二贵金属部5。第一贵金属部4和所述第二贵金属部5的材料为金或银。钯块3的厚度小于4微米。钯块3设置在弹性层2上,第一贵金属部4和第二贵金属部5设置在钯块3上。第一贵金属部4和第二贵金属部5之间设有间隙,间隙的宽度小于100纳米。
应用时,在待测氢气环境中,连续谱光源照射第一贵金属部4和第二贵金属部5,钯块3吸附氢气产生膨胀,从而第一贵金属部4和第二贵金属部5之间的距离增加,改变了第一贵金属部4和第二贵金属部5复合结构的共振波长,通过光探测器对反射光谱的探测,观测共振波长的移动,通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。
在本发明中,第一贵金属部4和第二贵金属部5设置在钯块3上,钯块3吸附氢气后,不仅产生膨胀,而且钯块3变为氢化钯,钯块3的折射率减小。第一贵金属部4和第二贵金属部5之间的距离减小导致复合结构的共振波长蓝移;钯块3的折射率减小,也就是减小了第一贵金属部4和第二贵金属部5周围环境的折射率,也导致了第一贵金属部4和第二贵金属部5复合结构的共振波长蓝移。因此,本发明能够实现更多的共振波长蓝移,从而实现更高灵敏度的氢气探测。
在本发明中,将弹性层2的材料设置为导热硅胶。导热硅胶不仅具有弹性,而且具有良好的导热性能。在入射光照射下,第一贵金属部4和第二贵金属部5中产生局域表面等离激元共振,第一贵金属部4和第二贵金属部5吸收入射光产生热量,从而提高了钯块3的温度,降低了钯块3对氢气的吸附能力;将弹性层2的材料设置为导热硅胶,导热硅胶具有良好的导热效果,有利于降低钯块3的温度,从而提高钯块3对氢气的吸附能力,从而提高氢气探测的灵敏度。导热硅胶的厚度不作限制,根据实际情况设置。更进一步地,导热硅胶的底部设置导热材料,例如石墨烯、贵金属膜等,以便于释放导热硅胶中的热量。
在本发明中,钯块3吸附氢气,移动了设置在钯块3上的第一贵金属部4和第二贵金属部5的共振波长,吸附氢气的钯块3的尺寸大,而导致共振波长移动的第一贵金属部4和第二贵金属部5的尺寸小,所以氢气对上述共振波长的调节力度大,从而实现更高灵敏度的氢气探测,在氢气探测领域具有良好的应用前景。
实施例2
在实施例1的基础上,如图2所示,第一贵金属部4和第二贵金属部5为棒状。第一贵金属部4和第二贵金属部5在一条直线上。钯块3为矩形。也就是,钯块3为矩形块,或者说钯块3为矩形的膜。第一贵金属部4和第二贵金属部5置于钯块3的对称轴上,具体为边的平分线上。应用时,入射光为线偏振光,光的偏振方向沿第一贵金属部4和第二贵金属部5的连线方向。在入射光激发下,第一贵金属部4和第二贵金属部5上产生纵向局域表面等离激元共振,第一贵金属部4和第二贵金属部5上纵向局域表面等离激元共振产生耦合。当第一贵金属部4和第二贵金属部5之间的距离增加时,导致复合结构的共振波长蓝移。棒状结构的面积小,能够给钯块3留出更多的面积用以吸附氢气,从而产生更多的膨胀,从而带动第一贵金属部4和第二贵金属部5,使得第一贵金属部4和第二贵金属部5之间的距离改变更多,造成共振波长更多的移动,从而实现更高灵敏度的氢气探测。另外,棒状结构具有较大的纵横比,在较小体积下,就能实现较长的共振波长。
实施例3
在实施例2的基础上,第一贵金属部4和第二贵金属部5上还设有钯膜。钯膜的厚度小于20纳米。这样一来,钯材料包覆或部分地包覆了第一贵金属部4和第二贵金属部5。第一贵金属部4和第二贵金属部5上的钯膜吸附氢气也能产生膨胀,从而导致第一贵金属部4和第二贵金属部5之间的距离改变更多,从而更多地改变复合结构的共振波长,从而实现更高灵敏度的氢气探测。另外,钯材料包覆或部分地包覆了第一贵金属部4和第二贵金属部5,当钯膜吸附氢气时,更多地改变了第一贵金属部4和第二贵金属部5周围的介电环境,具体地是更多地减小了周围环境的折射率,从而造成共振波长更多的蓝移,从而实现更高灵敏度的氢气探测。
实施例4
在实施例3的基础上,如图3所示,钯块3为平行四边形。第一贵金属部4和第二贵金属部5的连线方向平行于平行四边形的边。在图3中,沿第一贵金属部4和第二贵金属部5的连线方向看,第一贵金属部4右边的钯块3面积大;第二贵金属部5左边的钯块3面积大。当钯块3吸附氢气产生膨胀时,第一贵金属部4和第二贵金属部5的端面之间产生错位,从而严重地改变了第一贵金属部4和第二贵金属部5之间的耦合,更多地改变了复合结构的反射光谱,不仅从共振波长上,而且从反射光强度上反应了氢气浓度,从而能够实现更高灵敏度的氢气探测。
实施例5
在实施例3的基础上,钯块3为矩形,第一贵金属部4左侧钯块3的厚度大于右侧钯块3的厚度;第二贵金属部5右侧钯块3的厚度大于左侧钯块3的厚度。由于较厚钯块3的膨胀能力和较薄钯块3的膨胀能力差异,第一贵金属部4和第二贵金属部5相对部产生偏移,从而更多地改变反射光谱,从而实现更高灵敏度的氢气探测。在本实施例中,将钯块3设置为平行四边形是为了让第一贵金属部4和第二贵金属部5两侧的钯块3产生不同幅度的膨胀,从而造成第一贵金属部4和第二贵金属部5相对区域的偏移,从而更多地改变反射光谱。相对比平行四边形,本实施例应用矩形,通过厚度不同使得第一贵金属部4和第二贵金属部5偏移,不需要严格控制钯块3的形状,制备简单。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请保护的范围之内。
Claims (7)
1.一种基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于,包括衬底、弹性层、敏感单元,所述弹性层置于所述衬底上,所述敏感单元周期性地置于所述弹性层上,所述敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部,所述钯块设置在弹性层上,所述第一贵金属部和所述第二贵金属部设置在所述钯块上,所述第一贵金属部和所述第二贵金属部之间设有间隙;其中,所述弹性层的材料为导热硅胶,所述导热硅胶的底部设置导热材料,所述第一贵金属部和所述第二贵金属部为棒状,所述第一贵金属部和所述第二贵金属部在一条直线上,所述第一贵金属部和所述第二贵金属部上还设有钯膜,所述钯膜的厚度小于20纳米;应用时,入射光为线偏振光,光的偏振方向沿所述第一贵金属部和所述第二贵金属部的连线方向。
2.如权利要求1所述的基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于:所述周期为方形周期。
3.如权利要求1所述的基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于:所述间隙的宽度小于100纳米。
4.如权利要求1所述的基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于:所述第一贵金属部和所述第二贵金属部的材料为金或银。
5.如权利要求1所述的基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于:所述钯块的厚度小于4微米。
6.如权利要求1所述的基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于:所述钯块为矩形。
7.如权利要求6所述的基于贵金属耦合的氢气探测器,其特征在于:所述第一贵金属部和所述第二贵金属部置于所述钯块的对称轴上。
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