CN114411000B - 一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法及过共晶铝硅合金 - Google Patents
一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法及过共晶铝硅合金 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,包括以下步骤:S1.将Al‑18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态,并进行保温处理;S2.将S1处理制得的过共晶铝硅合金在室温下冷却至液相线温度以下,并再次进行保温处理;S3.将S2处理制得的过共晶铝硅合金浇筑至铸型内,在室温下冷却凝固得到成品Al‑18Si过共晶铝硅合金。本发明仅仅降低了熔炼温度并保温较短时间就能有效改善抑制初生硅的析出,不使用变质剂及复杂的工艺,具有操作简单、对环境无污染和成本较低的优点。
Description
技术领域
本发明涉及有色合金加工成型领域,尤其是一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法及过共晶铝硅合金。
背景技术
Al-Si过共晶合金用于压缩机、泵、活塞、传动部件和类似的磨损应用。目前,这种轻质合金被认为是优秀的候选者,可以取代铸铁的传统用途,从而提高燃油效率26%,改善汽车发动机和其他工程应用中的车辆排放。Al-Si合金因其重量轻、比强度高、铸造性好、耐磨性好以及成本合理而被广泛用作各种铝合金之间的工程材料。在Al-Si系中,过共晶合金中的初生硅具有不同的形态,如星形、片状、多边形和羽状和复杂的初生Si形态,包括常规铸造时的粗针状和片状。
Al-Si合金中初生硅相的大小和分布在决定其力学性能方面起着关键作用。通常,细小、球形且均匀分布的初生和共晶硅相可以改善过共晶铝硅合金的综合机械性能。要使过共晶Al-Si合金具有良好的力学性能,必须尽量抑制初生硅的析出,改善初生硅的尺寸大小及分布,常见的改善初生硅的尺寸大小及分布方法有变质处理、半固态处理、快速凝固、熔体过热处理等方法。
但现有的处理工艺一般都具有工艺复杂、成本高、污染性强等问题,因此,还有较大的优化空间。
发明内容
本部分的目的在于概述本申请的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例,在本部分以及本申请的说明书摘要和申请名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和申请名称的目的模糊,而这种简化或省略不能用于限制本申请的范围。
鉴于上述和/或现有技术中所存在的问题,提出了本申请。
因此,本申请所要解决的技术问题是:现有改善初生硅的尺寸大小及分布的工艺存在工艺复杂、成本高、污染性强等问题。
为解决上述技术问题,本申请提供如下技术方案:一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,包括以下步骤:
S1.将粗品Al-18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态,并进行保温处理;
S2.将S1处理制得的Al-18Si过共晶铝硅合金在室温下冷却至液相线温度以下,并再次进行保温处理;
S3.将S2处理制得的Al-18Si过共晶铝硅合金浇筑至铸型内,在室温下冷却凝固得到无初生硅的Al-18Si过共晶铝硅合金。
作为本申请所述一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法的一种优选方案,其中:所述步骤S1中的保温温度为780℃,保温时长在10min。
作为本申请所述一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法的一种优选方案,其中:所述步骤S2中的保温温度为615~665℃,保温时长在10分钟。
作为本申请所述一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法的一种优选方案,其中:所述步骤S2中的保温温度优选为635-645℃。
作为本申请所述一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法的一种优选方案,其中:所述步骤S1中Al-18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态后,刮除其表面浮渣,然后对熔体进行精炼,精炼完成后在熔体表面抛撒覆盖剂。
作为本申请所述一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法的一种优选方案,其中:所述精炼过程采用六氯乙烷作为脱气剂。
作为本申请所述一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法的一种优选方案,其中:所述覆盖剂由NaCl和KCl组成。
一种过共晶铝硅合金,所述过共晶铝硅合金由上述任一方法制得。
本申请的有益效果:本发明仅仅降低了熔炼温度并保温较短时间就能有效改善抑制初生硅的析出,不使用变质剂及复杂的工艺,具有操作简单、对环境无污染和成本较低的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
图1为本申请实施例1得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图;
图2为本申请实施例2得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图;
图3为本申请实施例3得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图;
图4为本申请实施例4得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图;
图5为本申请实施例5得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图;
图6为本申请实施例6得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图;
图7为本申请对比例得到的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织显微示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合说明书附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请,但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,本申请结合示意图进行详细描述,在详述本申请实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本申请保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
再其次,此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本申请至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例,也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
实施例1
本实施例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,具体包括以下步骤:
S1-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属铸型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S1-2.将S1-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S1-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
S1-4.设置电阻炉温度为615℃,将测温热电偶插入合金液中实时观察合金液温度,待合金液自然冷却到615℃时保温10分钟;
实施例2
本实施例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,具体包括以下步骤:
S2-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属铸型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S2-2.将S2-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S2-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
S2-4.设置电阻炉温度为625℃,将测温热电偶插入合金液中实时观察合金液温度,待合金液自然冷却到625℃时保温10分钟;
实施例3
本实施例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,具体包括以下步骤:
S3-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属铸型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S3-2.将S3-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S3-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
S3-4.设置电阻炉温度为635℃,将测温热电偶插入合金液中实时观察合金液温度,待合金液自然冷却到635℃时保温10分钟;
实施例4
本实施例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,具体包括以下步骤:
S4-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属铸型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S4-2.将S4-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S4-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
S4-4.设置电阻炉温度为645℃,将测温热电偶插入合金液中实时观察合金液温度,待合金液自然冷却到645℃时保温10分钟;
实施例5
本实施例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,具体包括以下步骤:
S5-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属铸型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S5-2.将S5-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S5-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
S5-4.设置电阻炉温度为655℃,将测温热电偶插入合金液中实时观察合金液温度,待合金液自然冷却到655℃时保温10分钟;
实施例6
本实施例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,具体包括以下步骤:
S6-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属铸型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S2-2.将S6-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S6-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
S6-4.设置电阻炉温度为665℃,将测温热电偶插入合金液中实时观察合金液温度,待合金液自然冷却到665℃时保温10分钟;
对比例
本对比例提供一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,且本对比例与实施例1-6的区别在于,对比例中未进行熔体在液相线温度以下的保温处理,具体包括以下步骤:
S7-1.以工业纯铝和Al-50Si中间合金为原料,采用石墨坩埚在井式电阻炉中熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金,熔炼温度为850℃,保温时间为45分钟,经过六氯乙烷除气精炼后浇注到内腔尺寸为的室温金属型中,以消除组织遗传现象,得到小铸锭备用;
S7-2.将S7-1处理得到的Al-18Si过共晶铝硅合金采用石墨坩埚在井式电阻炉中进行熔炼,熔炼温度在780℃;
S7-3.待合金完全熔化后,用石墨棒搅拌防止成分偏析,刮去表面浮渣,再用六氯乙烷进行精炼,精炼后再撒上以氯化钠和氯化钾为主的覆盖剂后再保温10分钟;
合金凝固组织检测
实施例1-6及对比例在完成浇筑后,得到7组形状大小相同的棒状合金样本。然后在7组合金试棒距离其底部15mm处截取金样,并通过显微镜对7组金样进行显微观测,显微示意图如图1-7所示,通过分析图1-7,可以发现:
实施例1的显微组织中有较多的不规则初生硅存在;
实施例2的显微组织中有较少的不规则初生硅存在,且其初生硅的含量明显少于实施例1的检测样本;
实施例3的显微组织中没有发现初生硅的存在;
实施例4的显微组织中没有发现初生硅的存在;
实施例5的显微组织中没有发现初生硅的存在;
实施例6的显微组织中没有发现初生硅的存在;
对比例的显微组织中有较多的粗大且不规则初生硅存在。
通过对比实施例和对比例可知,实施例1-6中将Al-18Si过共晶铝硅合金熔体冷却至615-665℃进行保温处理后,其初生硅的含量和形貌会明显优于对比例。这是由于实施例1-6中进行615-665℃保温处理时,熔体中大量的细小硅质点预先析出,使得合金液中的硅含量明显下降。当含有大量细小硅相质点、且硅含量较低的合金熔体在较低的温度下发生共晶反应凝固时,可抑制初生硅的生长,从而得到初生硅含量低的Al-18Si合金。
而进一步对比实施例1-6的检测样本,可以发现,当保温温度控制在635-665℃时,其抑制初生硅生成的效果更佳。
同时,通过Image-Pro Plus软件对图1-7分别进行分析,得到α-Al在七组金样中的面积分数。具体结果如表1所示:
表1实施例及对比例样本中α-Al的面积分数
通过对比实施例1-6中α-Al的面积分数,可以发现,当保温温度由615℃梯度上升直至635℃时,检测样本中α-Al的面积分数达到最小;而当温度进一步上升时,α-Al的面积分数又在逐步增大。
当合金中α-Al的含量增大时,由于α-Al的质地较软,会影响合金的硬度和机械强度,因此当α-Al的含量最低时,合金的机械强度最优。而对比例中的α-Al面积分数最大,因此对比例所提供的合金机械强度低于实施例1-6。当保温温度由625℃逐步上升至635℃和645℃时,α-Al的面积分数总体呈现先下降再上升的趋势。最后结合实施例1-6检测样本中初生硅的生成情况可知:635-645℃为最优的液相线以下保温温度。
本发明采用传统工业熔炼温度加热熔炼后,在炉内使Al-18Si合金熔体温度降低到液相线以下一定温度,并保温适当时间,使得大量的细小硅相质点预先析出,成为后续共晶凝固时的硅相形核核心;同时,大量细小硅相质点的预析出,使得合金液中的硅含量明显下降。当含有大量细小硅相质点、且硅含量较低的合金熔体在较低的温度下发生共晶反应凝固时,可抑制初生硅的生长,得到几乎不含初生硅的合金凝固组织。与传统方法不同,本发明仅仅降低了熔炼温度并保温较短时间就能有效改善抑制初生硅的析出,不使用变质剂及复杂的工艺,具有操作简单、对环境无污染和成本较低的优点。
重要的是,应注意,在多个不同示例性实施方案中示出的本申请的构造和布置仅是例示性的。尽管在此公开内容中仅详细描述了几个实施方案,但参阅此公开内容的人员应容易理解,在实质上不偏离该申请中所描述的主题的新颖教导和优点的前提下,许多改型是可能的(例如,各种元件的尺寸、尺度、结构、形状和比例、以及参数值(例如,温度、压力等)、安装布置、材料的使用、颜色、定向的变化等)。例如,示出为整体成形的元件可以由多个部分或元件构成,元件的位置可被倒置或以其它方式改变,并且分立元件的性质或数目或位置可被更改或改变。因此,所有这样的改型旨在被包含在本申请的范围内。可以根据替代的实施方案改变或重新排序任何过程或方法步骤的次序或顺序。在权利要求中,任何“装置加功能”的条款都旨在覆盖在本文中所描述的执行所述功能的结构,且不仅是结构等同而且还是等同结构。在不背离本申请的范围的前提下,可以在示例性实施方案的设计、运行状况和布置中做出其他替换、改型、改变和省略。因此,本申请不限制于特定的实施方案,而是扩展至仍落在所附的权利要求书的范围内的多种改型。
此外,为了提供示例性实施方案的简练描述,可以不描述实际实施方案的所有特征(即,与当前考虑的执行本申请的最佳模式不相关的那些特征,或于实现本申请不相关的那些特征)。
应理解的是,在任何实际实施方式的开发过程中,如在任何工程或设计项目中,可做出大量的具体实施方式决定。这样的开发努力可能是复杂的且耗时的,但对于那些得益于此公开内容的普通技术人员来说,不需要过多实验,所述开发努力将是一个设计、制造和生产的常规工作。
应说明的是,以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本申请进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本申请的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本申请技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本申请的权利要求范围当中。
Claims (6)
1.一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1.将粗品Al-18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态,并进行保温处理;
S2.将S1处理制得的Al-18Si过共晶铝硅合金在室温下冷却至液相线温度以下,并再次进行保温处理;
S3.将S2处理制得的Al-18Si过共晶铝硅合金浇筑至铸型内,在室温下冷却凝固得到成品Al-18Si过共晶铝硅合金;
步骤S2中的保温温度为635-645℃;
保温时长在10分钟。
2.根据权利要求1所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,其特征在于:所述步骤S1中的保温温度为780℃,保温时长在10min。
3.根据权利要求1、2任一所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,其特征在于:所述步骤S1中Al-18Si过共晶铝硅合金加热至熔融状态后,刮除其表面浮渣,然后对熔体进行精炼,精炼完成后在熔体表面抛撒覆盖剂。
4.根据权利要求3所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,其特征在于:精炼过程采用六氯乙烷作为脱气剂。
5.根据权利要求4所述的一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法,其特征在于:所述覆盖剂由NaCl和KCl组成。
6.一种过共晶铝硅合金,其特征在于:所述过共晶铝硅合金由权利要求1-5任一所述的方法制得。
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