CN114337693B - 射频L-PA Mid器件、射频收发系统和通信设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种射频L‑PA Mid器件、射频收发系统和通信设备，其中，射频L‑PA Mid器件被配置有LTE发射端口、GSM发射端口以及多个天线端口，射频L‑PA Mid器件包括：第一发射电路，与LTE发射端口连接，用于接收多个频段的LTE信号，并对接收的多个LTE信号进行放大滤波处理；第二发射电路，包括第一功率放大器，第一功率放大器的输出端与GSM发射端口连接，用于接收多个频段的GSM信号，并对接收的多个GSM信号进行放大处理；射频开关电路，分别与第一发射电路、第一功率放大器的输出端、多个天线端口连接，用于选择性将任一频段LTE信号和任一频段的GSM信号输出至对应的天线端口，可以降低GSM信号发射通路的链路损耗，以提升射频L‑PA Mid器件发射GSM信号的发射功率。
Description
技术领域
本申请涉及射频技术领域，特别是涉及一种射频L-PA Mid器件、射频收发系统和通信设备。
背景技术
随着技术的发展和进步，为了应对日益增加的各种网络制式的需求，同时兼顾解决PCB布局紧张的问题，器件的高度集成化和小型化俨然成为了发展趋势。从最初仅支持单频段的Phase2产品，再到支持各制式集成的Phase7产品，器件的集成度越来越高，同时器件的封装尺寸也越来越小。当将该Phase7产品应用到射频收发系统中发射GSM信号时，其发射通路的损耗大，不满足通信需求。
发明内容
本申请实施例提供了一种射频L-PA Mid器件、射频收发系统和通信设备，可以降低GSM信号发射通路的链路损耗，以提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率。
一种射频L-PA Mid器件，被配置有用于连接射频收发器的LTE发射端口、GSM发射端口以及用于连接天线的多个天线端口，所述射频L-PA Mid器件包括：
第一发射电路，与所述LTE发射端口连接，用于接收多个频段的LTE信号，并对接收的多个LTE信号进行放大滤波处理；
第二发射电路，包括第一功率放大器，所述第一功率放大器的输出端与所述GSM发射端口连接，用于接收多个频段的GSM信号，并对接收的多个GSM信号进行放大处理；
射频开关电路，分别与所述第一发射电路、所述第一功率放大器的输出端、多个天线端口连接，用于选择性将任一频段所述LTE信号和任一频段的GSM信号输出至对应的所述天线端口。
一种射频收发系统，包括：
上述的射频L-PA Mid器件，
第一天线，与所述射频L-PA Mid器件的一天线端口连接，用于收发射频信号；
第二天线，与所述射频L-PA Mid器件的另一天线端口连接，用于收发射频信号。
一种通信设备，包括上述的射频收发系统。
上述射频L-PA Mid器件、射频收发系统和通信设备，通过集成第一发射电路和第二发射电路，也即，将用于发射GSM信号的第二发射电路与用于发射中高频LTE信号的第一发射电路集成在同一器件中，在射频L-PA Mid器件内部，其GSM信号发射通路与LTE信号的中频信号的发射通路共用同一射频开关电路和同一天线端口，可以降低的GSM信号发射通路的链路损耗，进而可以提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱(Spectrum Due to Switching，SDS)指标要求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之一；
图2为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之二；
图3为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之三；
图4为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之四；
图5为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之五；
图6为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之六；
图7为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之七；
图8为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之八；
图9为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之九；
图10为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之十；
图11为一个实施例中射频L-PA Mid器件的结构框图之十一；
图12a为图10中射频L-PA Mid器件的引脚示意图；
图12b为图10中射频L-PA Mid器件的封装结构示意图；
图13a为图11中射频L-PA Mid器件的引脚示意图；
图13b为图11中射频L-PA Mid器件的封装结构示意图；
图14为一个实施例中射频收发系统的结构框图之一；
图15为一个实施例中射频收发系统的结构框图之二；
图16为一个实施例中射频收发系统的结构框图之三；
图17为一个实施例中射频收发系统的结构框图之四；
图18为一个实施例中射频收发系统的结构框图之五；
图19为一个实施例中射频收发系统的结构框图之六。
具体实施方式
为了便于理解本申请，为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
本申请实施例涉及的射频L-PA Mid器件可以应用到具有无线通信功能的通信设备，其通信设备可以为手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备(User Equipment，UE)(例如，手机)，移动台(Mobile Station，MS)等等。为方便描述，上面提到的设备统称为通信设备。网络设备可以包括基站、接入点等。
如图1所示，本申请实施例提供一种射频L-PA Mid器件。该射频L-PA Mid器件可以理解为内置低噪声放大器的功率放大器模块(Power Amplifier Modules includingDuplexers With LNA，L-PA Mid)。该射频L-PA Mid器件可以支持对多个不同频段的LTE信号和GSM信号的接收和发射，实现对多个LTE信号、GSM信号间的接收切换控制、发射切换控制以及发射与接收之间的切换控制。该多个不同频段的LTE信号可以包括B1、B3、B25、B34、B66、B39、B30、B7、B40和B41频段的LTE信号；该多个不同频段的GSM信号可以包括GSM1800、GSM1900信号。因此，也可以将本申请实施例中的射频L-PA Mid器件称之为内置低噪声放大器的中高频频功率放大器模块(Middle and High Band PA Mid With LNA，MHB L-PAMid)。
在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件可以理解为封装结构，射频L-PA Mid器件被配置有用于连接射频收发器的LTE发射端口4G MB RFIN/4G HB RFIN、GSM发射端口2GHB IN以及用于连接天线的多个天线端口ANT1、ANT2。其中，LTE发射端口、GSM发射端口2GHB IN、天线端口ANT可以理解为射频L-PA Mid器件的射频引脚端子，用于与各外部器件进行连接。本申请实施例中，射频L-PA Mid器件的天线端口ANT至少包括两个，其至少包括第一天线端口ANT1和第二天线端口ANT2。
在其中一个实施例中，LTE发射端口包括LTE高频发射端口4G HB RFIN和LTE中频发射端口4G MB RFIN。示例性的，中频发射端口4G MB RFIN用于接收射频收发器发出的多个中频LTE信号，射频L-PA Mid器件可对输入的多个中频LTE信号进行滤波放大处理，以输出至第一天线端口ANT1，并由与该第一天线端口ANT1连接的天线发射出去，以实现对多个中频信号的发射控制。LTE高频发射端口4G HB RFIN用于接收射频收发器发出的多个高频LTE信号，射频L-PA Mid器件可对输入的多个高频LTE信号进行滤波放大处理，以输出至第二天线端口ANT2，并由与该第二天线端口ANT2连接的天线发射出去，以实现对多个高频LTE信号的发射控制。GSM发射端口2G HB IN用于接收射频收发器发出的多个GSM信号，射频L-PA Mid器件可对输入的多个GSM信号进行滤波放大处理，以输出至天线端口，并由与该第一天线端口ANT1连接的天线发射出去，以实现对多个GSM信号的发射控制。第一天线端口ANT1用于接收由天线接收的多个中频LTE信号和多个GSM信号，第二天线端口ANT2用于接收由天线接收的多个高频LTE信号，射频L-PA Mid器件可对输入的多个LTE信号和GSM信号进行处理滤波放大处理，以输出至对应的接收端口LNA OUT，并经该接收端口LNA OUT输出至射频收发器，以实现对多个LTE信号和GSM信号的接收控制。
射频L-PA Mid器件包括：第一发射电路110、第二发射电路120和射频开关电路130。其中，第一发射电路110，与LTE发射端口4G MB RFIN/4G HB RFIN连接，用于接收多个频段的LTE信号，并对接收的多个LTE信号进行放大滤波处理。也即，该第一发射电路110可以实现对多个LTE信号的发射控制，例如可以实现对B1、B3、B34、B39、B66、B25、B30、B7、B40和B41频段的LTE信号的发射控制。
第二发射电路120，包括第一功率放大器121，第一功率放大器121的输出端与GSM发射端口2G HB IN连接，用于接收多个频段的GSM信号，并对接收的多个GSM信号进行放大处理。也即，该第二发射电路120可以实现对多个GSM信号的发射控制，例如，可以实现对GSM1800、GSM1900频段的GSM信号的发射控制。
射频开关电路130，分别与第一发射电路110、第一功率放大器121的输出端、多个天线端口ANT1、ANT2连接。其中，射频开关电路130可包括多个第一端和多个第二端，其中，射频开关电路130的多个第一端可分别对应与第一发射电路110、第二发射电路120连接，射频开关电路130的多个第二端可分别对应与多个天线端口ANT连接。其中，射频开关电路130可用于选择性将任一频段LTE信号和任一频段的GSM信号输出至对应的天线端口ANT。也即，射频开关电路130可以选择导通第一发射电路110与天线端口ANT1之间的通路和选择导通第二发射电路120与天线端口ANT2之间的通路，以控制任一频段LTE信号和任一频段的GSM信号的发射。
上述射频L-PA Mid器件中通过集成第一发射电路110和第二发射电路120，也即，将用于发射GSM信号的第二发射电路120与用于发射中高频LTE信号的第一发射电路110集成在同一器件中，在射频L-PA Mid器件内部，其GSM信号发射通路与LTE信号的中频信号的发射通路共用同一射频开关电路130和同一天线端口ANT，可以降低的GSM信号发射通路的链路损耗，进而可以提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱(Spectrum Due to Switching，SDS)指标要求。开关频谱是指由于功率切换而在标称载频的临近频带上产生的射频频谱，即由于调制突发的上升和下降沿而产生的在其标称载频的不同频偏处(主要是在相邻频道)的射频功率，目的防止频段切换时的开关脉冲对邻频道产生干扰(指本频道对邻频道产生的干扰)。其中，GSM的开关谱抑制的指标要求如表1所示。
表1 3GPP开关频谱指标要求
| GSM850 | GSM900 | GSM1800 | GSM1900 | |
| ±0.4MHz | -19dBm | -19dBm | -19dBm | -19dBm |
如图2所示，在其中一个实施例中，天线端口ANT包括第一天线端口ANT1和第二天线端口ANT2；射频开关电路130包括多通道选择开关，多通道选择开关的多个第一端分别与第一发射电路110、第一功率放大器121的输出端连接，多通道选择开关的一第二端与第一天线端口ANT1连接，多通道选择开关的另一第二端与第二天线端口ANT2连接。其中，多通道选择开关可以为DP6T开关，其中，DP6T开关的第二端(触点1)与第一天线端口ANT1连接，DP6T开关的第二端(触点2)与第一天线端口ANT1连接；DP6T开关的第一端(触点3、4、5、6、7)对应与第一发射电路110的多个输出端连接，DP6T开关的第一端(触点8)与第二发射电路120中的第一功率放大器121的输出端连接。基于如图2所示的射频L-PA Mid器件，GSM信号的发射通路由GSM发射端口2G HB IN、第二发射电路120、DP8T开关、第一天线端口ANT1构成，其射频L-PA Mid器件中，GSM信号的发射通路的链路损耗主要包括DP8T开关的插入损耗，进而可以提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱指标要求。
需要说明的是，多通道选择开关还可以为DP7T开关、DP7T开关等等开关，在本申请实施例中，对多通道选择开关的类型不做进一步的限定。
如图3所示，在其中一个实施例中，天线端口ANT包括第一天线端口ANT1和第二天线端口ANT2。射频开关电路130包括第一开关单元131和第二开关单元133。第一开关单元131的第一端与第一发射电路110连接，第一开关单元131的一第二端与第二开关单元133的一第二端连接，第二开关单元133的另一第二端与第一功率放大器121的输出端连接，第二开关单元133的第一端与第一天线端口ANT1连接；第一开关单元131的另一第二端与第二天线端口ANT2连接。其中，第一开关单元131可以为DP5T开关，第二开关单元133可以为SPDT开关。DP5T开关的第二端(触点1)与SPDT开关的一第二端(即第二开关单元133的一第二端)连接，SPDT开关的另一第二端直接与第二发射电路120中的第一功率放大器121的输出端连接，SPDT开关的第一端(即第二开关单元133的第一端)与第一天线端口ANT1连接，DP5T开关的第二端(触点2)与第二天线端口ANT2连接。基于如图3所示的射频L-PA Mid器件，GSM信号的发射通路由GSM发射端口2G HB IN、第二发射电路120、SPDT开关、第一天线端口ANT1构成，其射频L-PA Mid器件中，GSM信号的发射通路的链路损耗主要包括SPDT开关的插入损耗。相对于如图2所示的射频L-PA Mid器件，其GSM信号发射通路的SPDT开关的插入损耗小于DP6T开关的插入损耗，可以进一步减小GSM信号发射通路的链路损耗，可以进一步提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱指标要求。
需要说明的是，第一开关单元131还可以为DP6T开关、DP7T开关、DP7T开关等等开关，在本申请实施例中，对第一开关单元131的类型不做进一步的限定。
如图4和图5所示，在其中一个实施例中，LTE发射端口包括LTE高频发射端口4G HBRFIN和LTE中频发射端口4G MB RFIN。其中，LTE高频发射端口4G HB RFIN用于与射频收发器连接，用于接收射频收发器发送的多个高频段的LTE信号，例如，B30、B7、B40、B41频段的LTE信号；LTE中频发射端口4G MB RFIN用于与射频收发器连接，用于接收射频收发器发送的多个中频段的LTE信号，例如，B1、B3、B34、B39、B66、B25频段的LTE信号。
第一发射电路110包括：第二功率放大器111、第三功率放大器112、多个第一滤波单元113和第三开关单元114。其中，第二功率放大器111的输入端与LTE高频发射端口4G HBRFIN连接，用于接收多个高频段的LTE信号，并对接收的LTE信号进行放大处理；第三功率放大器112，第三功率放大器112的输入端与LTE中频发射端口4G MB RFIN连接，用于接收多个中频段的LTE信号，并对接收的LTE信号进行放大处理。第三开关单元114包括两个第一端和多个第二端。其中，第三开关单元114的一第一端与第二功率放大器111的输出端，第三开关单元114的另一第一端与第三功率放大器112的输出端，第三开关单元114的各第二端分别对应与一第一滤波单元113连接。也即，各第一滤波单元113设置LTE信号的发射通路上且与射频开关电路130连接，用于对接收的各频段的LTE信号进行滤波处理，且各第一滤波单元113输出的LTE信号的频段各不相同。可以通过控制第三开关单元114的通断状态，以多个频段的LTE信号导通至相应的第一滤波单元113。
在其中一个实施例中，第三开关单元114包括第一射频开关1141和第二射频开关1142。其中，第一射频开关1141分别与第二功率放大器111的输出端、部分第一滤波单元113连接，用于将多个频段的LTE信号导通至部分第一滤波单元113以输出滤波后的多个中频段的LTE信号。基于如图4和如图5所示的射频L-PA Mid器件，中频段的LTE信号的发射通路由LTE中频发射端口4G MB RFIN、第二功率放大器111、第一射频开关1141、第一滤波单元113、第一天线端口ANT1构成；高频段的LTE信号的发射通路由LTE高频发射端口4G HB RFIN、第三功率放大器112、第二射频开关1142、第一滤波单元113、第二天线端口ANT2构成。
在其中一个实施例中，与第一射频开关1141连接的多个第一滤波单元113用于对中频段的LTE信号进行滤波处理，各第一滤波单元113输出的中频段的LTE信号的频段不同。第一滤波单元113可对应包括一个滤波器，该滤波器仅允许预设频段的LTE信号通过。若多个中频频段的LTE信号包括B1、B3、B25、B34、B66、B39这六个不同频段，其可对应设置六个第一滤波单元113(也即，六个滤波器)，以实现对着六个中频频段的LTE信号的滤波处理。示例性的，以第一射频开关1141为射频SP5T开关为例进行说明。其中，射频SP5T开关的第一端与二功率放大器的输出端连接，每个第二端子可对应与一个第一滤波单元113连接，也可以对应与多个第一滤波单元113连接。示例性的，射频SP5T开关的四个第二端子分别一一对应与用于处理B1、B3、B25、B6这四个LTE中频信号的四个第一滤波单元113连接，射频SP5T开关的另一第二端子分别与用于处理B34、B39这四个LTE中频信号的两个滤波电路连接。经过这五个第一滤波单元113的滤波处理后，可以对应输出B1、B3、B25、B34、B66、B39这六个中频段的LTE信号至射频开关电路130。
在其中一个实施例中，第二射频开关1142分别与第三功率放大器112的输出端、剩余第一滤波单元113连接，用于将多个频段的LTE信号导通至部分第一滤波单元113以输出滤波后的多个高频段的LTE信号。其中，与第二射频开关1142连接的多个第一滤波单元113用于对高频段的LTE信号进行滤波处理，各第一滤波单元113输出的高频段的LTE信号的频段不同。可以理解的是，各频段的LTE信号的滤波通路相互独立，彼此不重合。与第二射频开关1142连接的第一滤波单元113可对应包括一个滤波器，该滤波器仅允许预设频段的LTE信号通过。若多个高频频段的LTE信号包括B40、B41、B7、B30这四个不同频段，其可对应设置四个第一滤波单元113(也即，四个滤波器)，以实现对这四个高频频段的LTE信号的滤波处理。示例性的，以第二射频开关1142为4P4T开关为例进行说明。其中，该4P4T开关的一第一端与第三功率放大器112的输出端连接，4P4T开关的各第二端一一对应与四个第一滤波单元113连接。也即，4P4T开关的四个第二端子分别一一对应与用于处理B40、B41、B7、B30这四个高频段的LTE信号的四个第一滤波单元113连接。经过这四个第一滤波单元113的滤波处理后，可以对应输出B40、B41、B7、B30这四个高频段的LTE信号至射频开关电路130。
需要说明的是，在本申请实施例中，滤波器可以为带通滤波器、低通滤波器等。需要说明的是，在本申请实施例中，对每个第一滤波单元113中的滤波器的类型不做进一步的限定，可以根据待滤波处理的LTE信号的频段来选择合适的滤波器。
在其中一个实施例中，如图4和图5所示的射频L-PA Mid器件，与第一滤波单元113连接的射频开关电路130中的多通道选择开关130或第一开关单元131的同一端子可以与至少一第一滤波单元113连接。示例性的，多通道选择开关130或第一开关单元131同一端子(触点4)可与用于对B3、B1频段滤波处理的两个第一滤波单元113连接。在申请实施例中，多通道选择开关130或第一开关单元131同一端子连接的第一滤波单元113的数量，以及连接的第一滤波单元113用于滤波处理的LTE信号的频段均不作进一步的限定，可以根据各LTE信号的频段范围来设定。
如图6和图7所示，在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件被配置有用于连接射频收发器的至少一接收端口LNA OUT(LNA OUT1，LNA OUT2，LNA OUT3，LNA OUT4)。具体的，该接收端口LNA OUT可用于与射频收发器连接，用于将经第一天线端口ANT1、第二天线端口ANT2接收、处理后的LTE信号、GSM信号输出至射频收发器。射频L-PA Mid器件还包括接收电路140。其中，接收电路140的输入端与射频开关电路130连接，接收电路140的输出端分别与至少一接收端口LNA OUT连接，用于接收多个频段的LTE信号和多个频段的GSM信号，并对接收的LTE信号和GSM信号进行滤波放大处理。
在其中一个实施例中，任一频段GSM信号的接收路径与预设频段的LTE信号的接收路径相同。GSM信号的接收路径可与LTE信号的接收路径共用，依据频段，具体划分如表2所示。
表2 GSM接收信号路径分配
| 制式 | 上行频段(MHz) | 下行频段(MHz) | 接收路径 |
| GSM850 | 824～849 | 869～894 | LTE B26接收通道 |
| GSM900 | 880.0～914.8 | 925.2～959.8 | LTE B8接收通道 |
| GSM1800 | 1710.2～1784.8 | 1805.2～1879.8 | LTE B3接收通道 |
| GSM1900 | 1850～1910 | 1930～1990 | LTE B25接收通道 |
其中，本申请实施例中的射频L-PA Mid器件中的GSM信号可包括GSM1800、GSM1900这两个频段的GSM信号。
在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件的接收电路140包括：多个第二滤波单元141、第四开关单元142和多个低噪声放大器143。其中，第一开关单元131经各第二滤波单元141分别与第四开关单元142连接，第四开关单元142经任一低噪声放大器143与至少一接收端口连接；其中，各第二滤波单元141用于对接收的LTE信号和GSM信号进行滤波处理，且每个第二滤波单元141输出的信号的频段不同；低噪声放大器143用于对接收的LTE信号和GSM信号进行放大处理。具体的，第一天线端口ANT1、射频开关电路130、第四开关单元142、一低噪声放大器143和一接收端口可构成第一接收通路。其中，基于构建的第一接收通路，该射频L-PA Mid器件可以实现对多个中频段的LTE信号、GMS信号的接收控制。第二天线端口ANT2、射频开关电路130、第四开关单元142、另一低噪声放大器143和另一接收端口可构成第二接收通路。其中，基于构建的第二接收通路，该射频L-PA Mid器件可以实现对多个高频段的LTE信号的接收控制。
参考图7，在其中一个实施例中，多个低噪声放大器143包括四个低噪声放大器143，可分别记为第一低噪声放大器1431、第二低噪声放大器1432、第三低噪声放大器1433和第四低噪声放大器1434。第四开关单元142包括四个第一端和多个第二端；其中，部分第二端与第一发射电路110连接，部分第二端一一对应与多个第二滤波单元141连接，每一第一端对应与一低噪声放大器143的输入端连接，每一低噪声放大器143的输出端对应与一接收端口连接。
在其中一个实施例中，第四开关单元142可包括四个射频开关，例如可以包括SPDT开关1421、SP4T开关1422、第一SP3T开关1423和第二SP3T开关1424。其中，SPDT开关1421的第一端与第一低噪声放大器1431的输入端连接，SPDT开关1421的一第二端可对应与至少一第二滤波单元141连接；SP4T开关1422的第一端与第二低噪声放大器1432的输入端连接，SP4T开关1422的两个第二端可对应与第一发射电路120中的第二射频开关1142连接，第二射频开关1142还可以与两个第二滤波电路连接，SP4T开关1422的另外两个第二端直接与两个第二滤波单元141连接。第一SP3T开关1423的第一端与第三低噪声放大器1433的输入端连接，第一SP3T开关1423的各第二端可对应与一第二滤波单元141连接；第二SP3T开关1424的第一端与第四低噪声放大器1434的输入端连接，第二SP3T开关1424的各第二端可对应与一第二滤波单元141连接。
其中，与SPDT开关1421的两个第二端连接的第二滤波单元141包括用于对B32这个LTE中频信号进行滤波处理的滤波器；直接或间接与SP4T开关1422的四个第二端连接的多个第二滤波单元141包括用于对B40、B41、B7、B30这四个LTE信号进行滤波处理的滤波器；与第一SP3T开关1423的三个第二端连接的多个第二滤波单元141可包括用于对B39、B3、B25这三个LTE信号分别进行滤波处理的滤波器；与第二SP3T开关1424的三个第二端连接的多个第二滤波单元141可包括用于对B34、B1、B4、B66这四个LTE信号分别进行滤波处理的滤波器。其中，用于对B4、B66这两个LTE信号进行滤波的第二滤波单元141可共用。
当LTE信号为B41、B40信号等在TDD制式下工作的LTE高频信号时，其该LTE信号的第二接收通路基于第二天线端口ANT2、射频开关电路130、第二滤波单元141、第二射频开关1142、SP4T开关1422、低噪声放大器143、接收端口构成。当LTE信号为B7信号等在FDD制式下工作的LTE信号时，其该LTE信号的第二接收通路可基于第二天线端口ANT2、射频开关电路130、第二滤波单元141、SP4T开关1422、低噪声放大器143、接收端口构成。
需要说明的是，与同一射频开关连接的多个第二滤波单元141用于滤波处理的多个LTE信号的频段相邻近。
其中，射频L-PA Mid器件的GSM信号和中频段的LTE信号的接收通路可基于前述描述的第一接收通路，高频段的LTE信号的接收通路可基于前述描述的第二接收通路。其级联噪声系数的计算公式如公式1所示：
NF＝N1+(N2-1)/G1+(N3-1)/G1*G2+(N4-1)/G1*G2*G3+… (公式1)
其中，N1至N4分别代表第一级至第四级的噪声系数，G1至G3分别代表第一级至第三级的增益，通过公式(1)可以计算出整个接收通路最终的级联噪声系数。灵敏度是通信设备在满足一定误码率(Bit Error Ratio，BER)性能下，通信设备能够接收到的最小输入信号电平。通信协议3GPP规定，在测试灵敏度指标时，要求误码率必须低于5％，即吞吐量Throughput高于95％；在上述条件下，测得的最小输入电平信号即为通信设备的灵敏度。灵敏度可以通过理论公式计算得出，具体如公式(2)所示：
Sensitivity＝-174+10lgBW+NF (公式2)
其中，BW是指通信设备的工作频段带宽，单位是Hz；NF是指通信设备的级联噪声系数，单位是dB。通过降低级联噪声系数就可以对应提高通信设备的灵敏度。
上述射频L-PA Mid器件中的接收电路140中构成了第一接收通路和第二接收通路，可以实现对多个频段的GSM信号、中频段的LTE信号、高频段的LTE信号的收发控制，提高了射频L-PA Mid器件的集成度，同时，通过省略该外置的切换电路可以减少接收通路上的链路损耗，以降低任一GSM信号、中频段的LTE信号接收通路、高频段的LTE信号接收通路的级联噪声系数，进而可以提高该射频L-PA Mid器件的灵敏度。同时，可以进一步减小GSM信号发射通路的链路损耗，可以进一步提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱指标要求。
如图8和图9所示，在其中一个实施例中，多个低噪声放大器143包括第一低噪声放大器1431、第二低噪声放大器1432、第三低噪声放大器1433和第四低噪声放大器1434，第四开关单元142包括三个第一端和多个第二端；其中，第四开关单元142的多个第二端一一对应与多个第二滤波单元141连接，第一低噪声放大器1431的输入端与第一发射电路120连接，每一第一端分别对应与第二低噪声放大器1432、第三低噪声放大器1433、第四低噪声放大器1434的各输入端分别对应与第四开关单元142的一第一端连接，第一低噪声放大器1431、第二低噪声放大器1432、第三低噪声放大器1433、第四低噪声放大器1434的各输出端分别对应与一接收端口连接。相对于如图6和7所示的射频L-PA Mid器件，如图8和图9所示的射频L-PA Mid器件中，第二射频开关1142为射频5P5T开关，该射频5P5T开关包括五个第一端和五个第二端。其中，五个第一端中一个第一端与第三功率放大器112的输出端连接，另一个第一端直接与一低噪声放大器143的输入端连接，而可以省略如图6和图7中的SP4T开关1422。
当LTE信号为B41、B40信号等在TDD制式下工作的LTE高频信号时，其该LTE信号的第二接收通路基于第二天线端口ANT2、射频开关电路130、第二滤波单元141、第二射频开关1142、低噪声放大器143、接收端口构成。当LTE信号为B7信号等在FDD制式下工作的LTE信号时，其该LTE信号的第二接收通路可基于第二天线端口ANT2、射频开关电路130、第二滤波单元141、第二射频开关1142、低噪声放大器143、接收端口构成。
基于如图8和图9所示的射频L-PA Mid器件，通过对第二射频开关1142进行改进，其第二接收通路可以不经过SP4T开关1422，进一步可以降低第二接收通路的链路损耗，以降低高频段的LTE信号接收通路的级联噪声系数，进而可以提高该射频L-PA Mid器件的灵敏度。同时，可以进一步减小GSM信号发射通路的链路损耗，可以进一步提升射频L-PA Mid器件发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱指标要求。
如图8和图9所示，在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件还包括第五开关单元150，第五开关单元150包括多个第一端和多个第二端。第五开关单元150的各第一端分别对应与一接收端口连接，第五开关单元150的各第二端分别对应与一低噪声放大器143的输出端连接。
通过在射频L-PA Mid器件中设置第五开关单元150，可以选择性导通任一第一低噪声放大器1431与任一接收端口之间的通路，可以提高输出的LTE信号、GMS信号的灵活性。
如图10和图11所示，在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件还被配置有用于与外部切换电路连接的多个辅助发射端口TX、多个辅助收发端口TRX和多个辅助接收端口RX，射频L-PA Mid器件还包括第六开关单元160，其中，多个辅助发射端口TX分别与第一发射电路110连接，多个辅助收发端口TRX经第六开关单元160与第一开关单元131连接；多个辅助接收端口RX与第六开关单元160连接。
在其中一个实施例中，辅助发射端口TX用于发射B66、B25或B30频段的LTE信号。也即，B66、B25和B30这三个频段的LTE信号的收发通路包括外部的切换电路。示例性的，以B66信号的收发控制为例进行说明。其中，B66信号的发射通路：LTE中频发射端口4G MB RFIN→第二功率放大器111→第一射频开关1141→辅助发射端口B66 TX→切换电路(图中未示)→辅助收发端口B66 TRX→第六开关单元160→射频开关电路130→第一天线端口ANT1。B66信号的接收通路：第一天线端口ANT1→第六开关单元160→辅助收发端口B66 TRX→切换电路→辅助接收端口B66 RX→第二SP3T开关1423→低噪声放大器1434→第五开关单元150→接收端口。
相对于如图10和图11所示的射频L-PA Mid器件，如图2-9所示的射频L-PA Mid器件中，可以集成所有LTE信号和GSM信号的收发通路，可以降低接收通路和发射通路的链路损耗。
如图10和图11所示，在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件还被配置有耦合输出端口CLPOUT，射频L-PA Mid器件还包括第一耦合单元171、第二耦合单元172和耦合开关173。其中，设置在射频开关电路130和第一天线端口ANT1之间的发射通路中，用于耦合发射通路中的信号(中频段的LTE信号和GSM信号)以经第一耦合单元171的耦合端输出第一耦合信号。其中，第一耦合信号可用于测量该中频段的LTE信号和GSM信号的前向耦合功率和反向耦合功率。第二耦合单元172设置在射频开关电路130和第二天线端口ANT2之间的发射通路中，耦合发射通路中的信号(高频段的LTE信号)以经第二耦合单元172的耦合端输出第二耦合信号。其中，第二耦合信号可用于测量该高频段的LTE信号的前向耦合功率和反向耦合功率。
其中，第一耦合单元171和第二耦合单元172的结构相同，在此，以第一耦合单元171为例进行说明。具体的，第一耦合单元171包括输入端、输出端和耦合端。其中，第一耦合单元171的输入端与射频开关电路130的连接，第一耦合单元171的输出端与第一天线端口ANT1连接，耦合端用于对输入端接收的LTE信号或GSM信号进行耦合并输出第一耦合信号，其中，第一耦合信号包括第一前向耦合信号和第一反向耦合信号。其中，基于耦合端输出的第一前向耦合信号，可以检测该LTE信号或GSM信号的前向功率信息；基于耦合端输出的第一反向耦合信号，可以对应检测LTE信号或GSM信号的反向功率信息，并将该检测模式定义为反向功率检测模式。
耦合开关173分别与第一耦合单元171的耦合端、第二耦合单元172的耦合端和耦合输出端口CLPOUT连接，用于选择性输出第一耦合信号或第二耦合信号至耦合输出端口。也即，该耦合开关173用于在第一耦合信号的检测模式和第二耦合信号的检测模式之间进行切换。
本实施例中，射频L-PA Mid器件仅设置一个耦合输出端口CLPOUT，由于多个频段的LTE信号、GSM信号和多个高频段的LTE信号并不是同时发射的，一个耦合输出端口CLPOUT也可以满足通信需求，而且还减少射频L-PA Mid器件内部的射频走线复杂度，同时也可以提高射频L-PA Mid器件各走线的隔离度性能。
在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件还包括第一控制单元180，分别与各低噪声放大器143连接，用于调节各低噪声放大器143的增益系数，以降低中频段的LTE信号和GSM信号接收通路的级联噪声系数和高频段的LTE信号接收通路的级联噪声系数，可以降低任一接收通路的级联噪声系数，进而提高该射频L-PA Mid器件的灵敏度。
具体的，第一控制单元180可以为移动行业处理器接口(Mobile IndustryProcessor Interface，MIPI)—射频前端控制接口(RF Front End Control Interface，RFFE)控制单元。当第一控制单元180为MIPI-RFFE控制单元时，其射频L-PA Mid器件还被配置有时钟信号的输入引脚CLK、单/双向数据信号的输入或双向引脚SDATAS、电源引脚VDD、参考电压引脚VIO等等。
在其中一个实施例中，射频L-PA Mid器件还包括第二控制单元190。其中，第二控制单元190分别与各开关单元，例如，第一开关单元131、第二开关单元133、…、第六开关电路单元、第一功率放大器121、第二功率放大器111连接，用于控制各开关单元的通断，还用于控制各功率放大器的工作状态。其中，第二控制单元190与第一控制单元180的类型相同，可以为MIPI-RFFE控制单元，其符合RFFE总线的控制协议。
需要说明的是，在本申请实施例中，各开关单元的控制逻辑与第二控制单元190的控制逻辑相匹配，在本申请实施例中，对各开关单元、第一控制单元180、第二控制单元190的具体类型不做进一步的限定。
在其中一个实施例中，基于如图10所示的射频L-PA Mid器件中的各个器件均可集成封装在同一封装模组中，如图12a所示，该射频L-PA Mid器件(封装芯片)中的各个引脚与射频L-PA Mid器件配置的多个端口一一对应。通过封装集成，射频L-PA Mid器件的封装规格如图12b所示。相应的，基于如图11所示的射频L-PA Mid器件中的各个器件均可集成封装在同一封装模组中，如图13a所示，该射频L-PA Mid器件(封装芯片)中的各个引脚与射频L-PA Mid器件配置的多个端口一一对应。通过封装集成，射频L-PA Mid器件的封装规格如图13b所示。
本申请实施例中的射频L-PA Mid器件的集成度高，可以减小各器件所占用的空间，便于射频L-PA Mid器件的小型化。
如图14和图15所示，本申请实施例还提供一种射频收发系统。在其中一个实施例中，射频收发系统包括前述任一实施例中的射频L-PA Mid器件10、第一天线Ant1、第二天线Ant2和射频收发器20。第一天线Ant1，与射频L-PA Mid器件10的第一天线端口ANT1连接，用于收发射频信号；第二天线Ant2，与射频L-PA Mid器件10的第二天线端口ANT2连接，用于收发射频信号；射频收发器20，分别与射频L-LNA器件的发射端口、接收端口连接。
在其中一个实施例中，第一天线Ant1、第二天线Ant2可以使用任何合适类型的天线形成。例如，第一天线Ant1、第二天线Ant2可以包括由以下天线结构形成的具有谐振元件的天线：阵列天线结构、环形天线结构、贴片天线结构、缝隙天线结构、螺旋形天线结构、带状天线、单极天线、偶极天线中的至少一种等。不同类型的天线可以用于不同的频段和频段组合。在本申请实施例中，对第一天线Ant1、第二天线Ant2的类型不做进一步的限定。
基于如图14所示的射频收发系统，GSM信号(GSM1800和GSM 1900)的发射通路内置在射频L-PA Mid器件10内部，可由第二发射电路120将GSM信号传输至多通道选择开关，由多通道选择开关切换至第一天线端口ANT1，再由第一天线端口ANT1输出至第一天线Ant1，以实现对GSM信号的发射控制。
具体的，基于如图14所示的射频收发系统，阐述其GSM 1800的收发控制工作原理如下：
发射控制：射频收发器20→射频L-PA Mid器件10的GSM发射端口2G HB IN→第一功率放大器121→多通道选择开关→第一天线端口ANT1。
接收控制：第一天线端口ANT1→多通道选择开关→第二滤波单元141→B3接收通路→低噪声放大器143→第五开关单元150→接收端口→射频收发器20。
具体的，基于如图14所示的射频收发系统，阐述其GSM 1900的收发控制工作原理如下：
发射通路：射频收发器20→射频L-PA Mid器件10的GSM发射端口2G HB IN→第一功率放大器121→多通道选择开关→第一天线端口ANT1。
接收通路：第一天线端口ANT1→多通道选择开关→第二滤波单元141→B25接收通路→第二SP3T开关→低噪声放大器143→第五开关单元150→接收端口→射频收发器20。
该发射通路的链路损耗包括多通道选择开关的插损、第一天线端口ANT1到第一天线Ant1之间的走线损耗。其中，多通道选择开关(例如，DP8T开关)的插入损耗入表3所示。其中，第一天线端口ANT1到第一天线Ant1之间的走线损耗约1.7dB。
表3多通道选择开(DP8T开关)插入损耗参数
| 频段 | 1.0GHz | 2.0GHz |
| 插入损耗(dB) | 1dB | 1.5dB |
结合上述，GSM1800/1900的插入损耗值为1.5+1.7＝3.2dB。结合表4中的数据，可以推算出改进方案的GSM1800/1900在天线口的输出功率值，如表5所示。
表4 GSM指标研发标准
| 发射功率 | 开关谱±0.4MHz | 灵敏度 | |
| 850/900 | 33.5dBm | -28dBm | -108dBm |
| 1800/1900 | 30.5dBm | -28dBm | -108dBm |
结合表4的研发标准，基于如图14所示的射频收发系统，其中，GMS信号GSM1800/1900的输出功率，能够达到研发标准。
表5 GSM性能参数
基于如图15所示的射频收发系统，GSM信号(GSM1800和GSM 1900)的发射通路内置在射频L-PA Mid器件10内部，可由第二发射电路120将GSM信号传输至第二开关单元133，由第二开关单元133切换至第一天线端口ANT1，再由第一天线端口ANT1输出至第一天线Ant1，以实现对GSM信号的发射控制。
具体的，基于如图15所示的射频收发系统，阐述其GSM 1800的收发控制工作原理如下：
发射控制：射频收发器20→射频L-PA Mid器件10的GSM发射端口2G HB IN→第一功率放大器121→第二开关单元133→第一天线端口ANT1。
接收控制：第一天线端口ANT1→第二开关单元133→多通道选择开关→第二滤波单元141→B3接收通路→低噪声放大器143→第五开关单元150→接收端口→射频收发器20。
具体的，基于如图17所示的射频收发系统，阐述其GSM 1900的收发控制工作原理如下：
发射通路：射频收发器20→射频L-PA Mid器件10的GSM发射端口2G HB IN→第一功率放大器121→第二开关单元133→第一天线端口ANT1。
接收通路：第一天线端口ANT1→第二开关单元133→多通道选择开关→第二滤波单元141→B25接收通路→第二SP3T开关→低噪声放大器143→第五开关单元150→接收端口→射频收发器20。
该发射通路的链路损耗包括第二开关单元133的插损、第一天线端口ANT1到第一天线Ant1之间的走线损耗。其中，第二开关单元133(例如，SPDT开关)的插入损耗入表6所示。其中，第一天线端口ANT1到第一天线Ant1之间的走线损耗约1.7dB。
表6 SPDT开关插入损耗参数
| 频率 | 插入损耗 |
| 100～1000 | 0.3 |
| 1000～1600 | 0.4 |
| 1600～2200 | 0.45 |
结合上述，GSM1800/1900的插入损耗值为0.45+1.7＝2.15dB。结合表4中的数据，可以推算出改进方案的GSM1800/1900在天线口的输出功率值，如表7所示。结合表4的研发标准，基于如图18所示的射频收发系统，其GSM1800/1900的输出功率，超出研发标准1dB。
表7 GSM性能参数
上述射频收发系统，通过设置前述任一实施例中的射频L-PA Mid器件10，通过集成第一发射电路110和第二发射电路120，也即，将用于发射GSM信号的第二发射电路120与用于发射中高频LTE信号的第一发射电路110集成在同一器件中，在射频L-PA Mid器件10内部，其GSM信号发射通路与LTE信号的中频信号的发射通路共用同一射频开关电路130和同一天线端口ANT，可以降低的GSM信号发射通路的链路损耗，进而可以提升射频L-PA Mid器件10发射GSM信号的发射功率，同时，还可以满足3GPP开关频谱指标要求。
如图16和图17所示，在其中一个实施例中，该射频收发系统包括如图11和图12所示的射频L-PA Mid器件10，该射频收发系统还包括第一切换电路30。其中，第一切换电路30分别与射频L-PA Mid器件10的多个辅助接收端口RX、多个辅助发射端口TX以及多个辅助收发端口TRX连接。具体的，该第一切换电路30可具体包括第一切换单元310、第二切换单元320和第三切换单元330，其中，第一切换单元310用于实现对B66频段的LTE信号的发射通路和接收通路之间的切换；第二切换单元320用于实现对B25频段的LTE信号的发射通路和接收通路之间的切换；第三切换单元330用于实现对B30频段的LTE信号的发射通路和接收通路之间的切换。
具体的，其GSM 1800的收发控制工作原理与前述实施例相同，在此，不再赘述。如图16的射频收发系统，其GSM 1900的收发控制工作原理如下：
发射控制：射频收发器20→射频L-PA Mid器件10的GSM发射端口2G HB IN→第一功率放大器121→多通道选择开关130→第一天线端口ANT1。
接收控制：第一天线端口ANT1→多通道选择开关130→第六开关单元160→辅助收发端口TRX→第二切换单元320→辅助接收端口RX→B25接收通路→第二SP3T开关1433→低噪声放大器143→第五开关单元150→接收端口→射频收发器20。
如图17的射频收发系统，其GSM 1900的收发控制工作原理如下：
发射通路：射频收发器20→射频L-PA Mid器件10的GSM发射端口2G HB IN→第一功率放大器121→第二开关单元133→第一天线端口ANT1。
接收通路：第一天线端口ANT1→第二开关单元133→多通道选择开关→第六开关单元160→辅助收发端口TRX→第二切换单元320→辅助接收端口RX→B25接收通路→第二SP3T开关1433→低噪声放大器143→第五开关单元150→接收端口→射频收发器20。
如图18和图19所示，在其中一个实施例中，射频收发系统还包括射频LB L-PA Mid器件40和第三天线Ant3，其中，射频LB L-PA Mid器件40用于支持多个低频段的LTE信号的收发控制；第三天线Ant3，与射频LB L-PA Mid器件40的天线端口ANT连接，用于收发射频信号。基于如图18和图19所示的射频收发系统可以支持对低频段的LTE信号和GSM信号的收发控制。低频段的LTE信号具体可以包括B8、B12、B20、B26、B28A、B28B、B13和B19频段的LTE信号。低频段的GSM信号具体可包括GSM850和GSM900。
本申请实施例还提供一种通信设备，该通信设备上设置有上述任一实施例中的射频收发系统，通过在通信设备上设置该射频收发系统，可以提升通信设备的灵敏度，继而提升通信设备的无线通信性能。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (16)
1.一种射频L-PAMid器件，其特征在于，被配置有用于连接射频收发器的LTE高频发射端口、LTE中频发射端口、GSM发射端口以及用于连接天线的多个天线端口，所述射频L-PAMid器件包括：
第一发射电路，用于接收多个频段的LTE信号，并对接收的多个LTE信号进行放大滤波处理；
第二发射电路，包括第一功率放大器，所述第一功率放大器的输出端与所述GSM发射端口连接，用于接收多个频段的GSM信号，并对接收的多个GSM信号进行放大处理；
射频开关电路，分别与所述第一发射电路、所述第一功率放大器的输出端、多个天线端口连接，用于选择性将任一频段所述LTE信号和任一频段的GSM信号输出至对应的所述天线端口；其中，
所述第一发射电路包括：
第二功率放大器，所述第二功率放大器的输入端与所述LTE高频发射端口连接，用于接收多个高频段的LTE信号，并对接收的LTE信号进行放大处理；
第三功率放大器，所述第三功率放大器的输入端与所述LTE中频发射端口连接，用于接收多个中频段的LTE信号，并对接收的LTE信号进行放大处理；
多个第一滤波单元，各所述第一滤波单元设置所述LTE信号的发射通路上且与所述射频开关电路连接，用于对接收的各频段的所述LTE信号进行滤波处理，且各第一滤波单元输出的LTE信号的频段各不相同；
第三开关单元，所述第三开关单元的第一端分别与所述第二功率放大器的输出端、第三功率放大器的输出端连接，所述第三开关单元的多个第二端分别对应与多个第一滤波单元连接，用于将多个频段的所述LTE信号导通至相应的第一滤波单元。
2.根据权利要求1所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，所述天线端口包括第一天线端口和第二天线端口；所述射频开关电路包括多通道选择开关，所述多通道选择开关的多个第一端分别与所述第一发射电路、第一功率放大器的输出端连接，所述多通道选择开关的一第二端与所述第一天线端口连接，所述多通道选择开关的另一第二端与所述第二天线端口连接。
3.根据权利要求1所述的射频L-PAMid器件，其特征在于，所述天线端口包括第一天线端口和第二天线端口；所述射频开关电路包括第一开关单元和第二开关单元，其中，
所述第一开关单元的第一端与所述第一发射电路连接，所述第一开关单元的一第二端与所述第二开关的一第二端连接，所述第二开关单元的另一第二端与所述第一功率放大器的输出端连接，所述第二开关单元的第一端与所述第一天线端口连接；所述第一开关单元的另一第二端与所述第二天线端口连接。
4.根据权利要求1所述的射频L-PAMid器件，其特征在于，所述第三开关单元包括第一射频开关和第二射频开关，其中，所述第一射频开关分别与第二功率放大器的输出端、部分第一滤波单元连接，用于将多个频段的所述LTE信号导通至所述部分第一滤波单元以输出滤波后的多个中频段的LTE信号；
所述第二射频开关分别与所述第三功率放大器的输出端、剩余所述第一滤波单元连接，用于将多个频段的所述LTE信号导通至所述部分第一滤波单元以输出滤波后的多个高频段的LTE信号。
5.根据权利要求1所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，多个中频段的LTE信号至少包括B1、B3、B34、B39、B66、B25频段；多个高频段的LTE信号至少包括B30、B7、B40、B41频段。
6.根据权利要求1所述的射频L-PAMid器件，其特征在于，所述射频L-PAMid器件被配置有用于连接射频收发器的至少一接收端口，所述射频L-PA Mid器件还包括：
接收电路，所述接收电路的输入端与所述射频开关电路连接，所述接收电路的输出端分别与至少一所述接收端口连接，用于接收多个频段的LTE信号和多个频段的GSM信号，并对接收的所述LTE信号和GSM信号进行滤波放大处理，其中，任一频段所述GSM信号的接收路径与预设频段的所述LTE信号的接收路径相同。
7.根据权利要求6所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，所述接收电路包括：多个第二滤波单元、第四开关单元和多个低噪声放大器，其中，所述射频开关电路经各所述第二滤波单元分别与所述第四开关单元连接，所述第四开关单元经任一所述低噪声放大器与至少一所述接收端口连接；其中，各所述第二滤波单元用于对接收的所述LTE信号和GSM信号进行滤波处理，且每个所述第二滤波单元输出的信号的频段不同；所述低噪声放大器用于对接收的所述LTE信号和GSM信号进行放大处理。
8.根据权利要求7所述的射频L-PAMid器件，其特征在于，多个所述低噪声放大器包括四个低噪声放大器，所述第四开关单元包括四个第一端和多个第二端；其中，部分所述第二端与所述第一发射电路连接，部分所述第二端一一对应与多个所述第二滤波单元连接，每一所述第一端对应与一所述低噪声放大器的输入端连接，每一所述低噪声放大器的输出端对应与一所述接收端口连接。
9.根据权利要求7所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，多个所述低噪声放大器包括第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器和第四低噪声放大器，所述第四开关单元包括三个第一端和多个第二端；其中，多个所述第二端一一对应与多个所述第二滤波单元连接，所述第一低噪声放大器的输入端与所述第一发射电路连接，所述第二低噪声放大器、第三低噪声放大器、第四低噪声放大器的各输入端分别对应与所述第四开关单元的一第一端连接，所述第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器、第四低噪声放大器的各输出端分别对应与一所述接收端口连接。
10.根据权利要求9所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，所述射频L-PA Mid器件还包括第五开关单元，所述第五开关单元的第一端分别与所述接收端口连接，所述第五开关单元的第二端分别与所述低噪声放大器的输出端连接。
11.根据权利要求6所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，所述射频L-PA Mid器件还被配置有用于与外部切换电路连接的多个辅助发射端口、多个辅助收发端口和多个辅助接收端口，所述射频L-PA Mid器件还包括第六开关单元，其中，多个辅助发射端口分别与所述第一发射电路连接，多个所述辅助收发端口经所述第六开关单元与所述射频开关电路连接；多个辅助接收端口与所述第六开关单元连接。
12.根据权利要求11所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，所述辅助发射端口用于发射B66、B25或B30频段的LTE信号。
13.根据权利要求2或3所述的射频L-PA Mid器件，其特征在于，所述射频L-PA Mid器件还被配置有耦合输出端口，所述射频L-PA Mid器件还包括：
第一耦合单元，设置在所述射频开关电路和所述第一天线端口之间的发射通路中，用于耦合所述发射通路中的信号以经所述第一耦合单元的耦合端输出第一耦合信号；
第二耦合单元，设置在所述射频开关电路和所述第二天线端口之间的发射通路中，用于耦合所述发射通路中的信号以经所述第二耦合单元的耦合端输出第二耦合信号；
耦合开关，分别与所述第一耦合单元的耦合端、第二耦合单元的耦合端、耦合输出端口连接，用于选择性输出第一耦合信号或第二耦合信号至所述耦合输出端口。
14.一种射频收发系统，其特征在于，包括：
如权利要求1-13任一项所述的射频L-PA Mid器件，
第一天线，与所述射频L-PA Mid器件的一天线端口连接，用于收发射频信号；
第二天线，与所述射频L-PA Mid器件的另一天线端口连接，用于收发射频信号。
15.根据权利要求14所述的射频收发系统，其特征在于，所述射频收发系统还包括：
射频LB L-PA Mid器件，用于支持多个低频段的LTE信号的收发控制；
第三天线，与所述射频LB L-PA Mid器件的天线端口连接，用于收发射频信号；
所述射频收发器，还与所述射频LB L-PA Mid器件连接。
16.一种通信设备，其特征在于，包括如权利要求14或15所述的射频收发系统。
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