CN114301413B - 空腔型倒置声波器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种空腔型倒置声波器件及其制备方法。所述空腔型倒置声波器件包括支撑基底、电极和压电薄膜。所述支撑基底表面设置有一个以上凹槽，所述电极设置于所述凹槽内，所述压电薄膜设置在支撑衬底表面并覆盖所述凹槽，所述电极与压电薄膜电性结合。本发明的空腔型倒置声波器件兼具声表面波和体声波的优势，性能优异，且器件表面平整，在保证器件基本性能的同时，便于实现不同种类的性能调控，应用范围广，同时其制备难度和成本低，良率高，易于规模化生产及推广应用。

Description

空腔型倒置声波器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种声波器件，具体涉及一种空腔型倒置声波器件及其制备方法，属于电子信息材料及半导体器件技术领域。

背景技术

社会的发展催生了人们越来越高的移动通信需求，快速迭代发展的无线通信技术给射频器件提出了越来越高的要求。目前，以射频滤波器为代表的射频器件具有高频、大带宽的发展趋势。传统的声表面波滤波器和体声波滤波器尽管具有成本低、体积小、性能稳定等优势，却难以满足更高频更大带宽的通信技术。因此，发展和提升声波滤波器通信技术是迫切需要的。

XBAR技术和兰姆波技术是近几年发展而来的声波器件技术，它们整合了声表面波和体声波的优势，能够满足高频、大带宽的通信需求。然而，现有的XBAR器件和兰姆波器件制备工艺过程复杂，难度大，成本高且良品率低，这些不足制约了它们的实际应用。同时，XBAR器件和兰姆波器件本身的性能依然存在提升的空间。因此，如何在提升声波器件性能的同时降低其制备难度，提升成品良率，是业界期待解决的难题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种空腔型倒置声波器件，以克服现有技术中的不足。

本发明的另一目的在于提供一种制备所述空腔型倒置声波器件的方法。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明的一个方面提供的一种空腔型倒置声波器件包括：

支撑基底，所述支撑基底表面设置有一个以上凹槽；

电极，所述电极设置于所述凹槽内；

压电薄膜，所述压电薄膜设置在支撑衬底表面并覆盖所述凹槽，所述电极与压电薄膜电性结合。

在本发明的空腔型倒置声波器件中，所述支撑基底主要起支撑作用，并可以设置于所述器件底部。所述压电薄膜作为器件的压电层，起到声电转换的作用，并可设置于支撑基底上方。所述电极优选为金属电极，其可以设置于所述压电薄膜下表面，且位于所述支撑基上端的凹槽中。

在一些实施方式中，所述电极包含叉指结构和与叉指结构配合的汇流条及电极焊盘。

在一些实施方式中，所述的空腔型倒置声波器件还包括：设置在所述压电薄膜上的性能增强层。进一步的，所述性能增强层可根据实际情况设置为一层或多层，或者也可不设置。例如，可以设置二氧化硅层作为性能增强层以提高器件的温度稳定性，或者，可以设置碳化硅层作为性能增强层以提高器件的表面散热性能等。

在一些实施方式中，所述叉指结构包括叉指换能器，所述叉指换能器中的多条叉指交替连接信号端(S)和地端(G)。

在一些实施方式中，所述叉指结构还包括反射栅，所述反射栅设置于所述叉指换能器两侧且相互连通。

进一步的，所述叉指结构可以仅由叉指换能器构成，也可以由叉指换能器和反射栅(R)共同构成。

在一些实施方式中，所述叉指结构的线宽为100nm-50μm、相邻叉指间距为100nm-50μm、声孔孔径为4μm-1000μm。

在一些实施方式中，所述叉指结构包含金属打底层和金属主体层，所述金属主体层设置在金属打底层上，所述金属打底层与压电薄膜直接接触。

在一些实施方式中，所述金属打底层的材质包括但不限于Ti、Ni、Cr中的至少一种。

在一些实施方式中，所述金属打底层的厚度为1nm-50nm。

在一些实施方式中，所述金属主体层的材质包括但不限于Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo、W中的至少一种。

在一些实施方式中，所述金属主体层的厚度为5nm-5000nm。

在一些实施方式中，所述叉指结构的厚度为6nm-5050nm。

在一些实施方式中，所述汇流条和/或电极焊盘的材质及厚度与所述叉指结构相同。

在一些实施方式中，所述汇流条和/或电极焊盘的材质与所述叉指结构部分相同或完全相同，并且所述汇流条和/或电极焊盘的厚度大于所述叉指结构的厚度。

在一些实施方式中，所述汇流条和/或电极焊盘包括第一结构层和叠设在第一结构层上的第二结构层，所述第一结构层的厚度小于或等于所述叉指结构的厚度，所述第一结构层与第二结构层的总厚度大于所述叉指结构的厚度。

在一些情况下，所述汇流条和/或电极焊盘可以存在两种形态，包括：

形态一，所述汇流条和/或电极焊盘的材质和厚度均和所述叉指结构一致，并可以与所述叉指结构同时制备成型；

形态二，所述汇流条和/或电极焊盘的材质与所述叉指结构部分相同或完全相同，其厚度大于所述叉指结构厚度。

进一步的，若为所述形态二，则所述汇流条和/或电极焊盘可以具有两个结构层，其中第一结构层与所述叉指结构同时制备成型，第二结构层是在所述第一结构层的基础之上叠加，使所述汇流条和电极焊盘的厚度大于所述叉指结构的厚度。

进一步的，所述汇流条和电极焊盘可同时设置为所述形态一或所述形态二；或者，所述汇流条设置为所述形态一，而所述电极焊盘设置为所述形态二；优选的，所述汇流条和所述电极焊盘均设置为所述形态二。

在一些实施方式中，所述第二结构层的材质包括Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo、W中的至少一种。

在一些实施方式中，所述支撑基底表面设置有阵列排布的多个凹槽，每个所述凹槽的径向尺寸大于所述叉指结构的径向尺寸，深度大于或等于所述电极的厚度。

进一步的，在一些情况下，可以对所述支撑基底，特别是晶圆级的支撑基底表面进行抛光，并使多个所述凹槽以阵列形式排布于所述支撑基底的表面，每个凹槽与一个空腔型倒置声波器件对应，每个凹槽的面积尺寸大于对应器件的叉指结构所占区域的尺寸，每个凹槽的深度大于电极焊盘的厚度。可选的，当所述电极焊盘设置为所述形态二时，所述凹槽深度可与所述电极焊盘厚度相同。

在一些实施方式中，所述支撑基底上还设有气体通道，所述凹槽与气体通道连通，所述气体通道延伸至所述声波器件表面并与外部环境连通。

可选的，若所述凹槽为多个，则可以在多个凹槽之间设置气体通道，所述气体通道可以任意排布方式，但其中至少一个气体通道连至支撑基底的边缘。进一步的，可以利用一个或多个气体通道将多个凹槽相互连通。在一些情况下，也可以不设置所述气体通道。利用所述气体通道，可以在所述空腔型倒置声波器件的制备过程中，特别是键合、退火等工序中，将器件结构内的气体迅速排出，从而提高器件结构稳定性和其它方面的工作性能。

在一些实施方式中，所述压电薄膜的材质包括但不限于钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英、钛酸钡等。

进一步的，所述压电薄膜的切向和声波传播方向可以是任意的，例如可以是15°YX、42°YX、ZY等，且不限于此。

在一些实施方式中，所述支撑基底的材质包括但不限于硅、碳化硅、蓝宝石、石英等。进一步的，所述支撑基底可以具有晶圆级尺寸。

本发明的另一个方面提供了一种制备所述空腔型倒置声波器件的方法，其主要包含金属电极制备、凹槽刻蚀、键合、后处理等工序，

进一步的，所述空腔型倒置声波器件的制备方法可以包括：

在支撑基底表面加工形成一个以上凹槽；

在压电晶体材料内部形成损伤层；

在所述压电晶体材料的工作面上设置电极；

将所述压电晶体材料的工作面与支撑基底表面对准键合，使所述电极被置入相应的凹槽内；

将所述压电晶体材料沿损伤层解理，并使解理获得的压电薄膜与支撑基底保持键合，再对形成的键合结构进行后处理。

在一些较为具体的实施方式中，所述制备方法可以包括如下步骤：

步骤1、获取衬底晶圆(即支撑基底)和压电晶圆(即压电晶体材料)并进行表面清洗，衬底晶圆、压电晶圆至少有一面为抛光面，将其定义为第一表面。

步骤2、对压电晶圆第一表面进行离子注入，使得压电晶圆内部产生损伤层，也可采用其他技术代替离子注入或省略该步骤。

步骤3、采用光刻、镀膜、剥离技术等在经过步骤2处理后的压电晶圆的第一表面制备金属电极(含叉指结构、汇流条、电极焊盘)，并采用光刻、刻蚀技术等在衬底晶圆的第一表面上制备凹槽和可选的气体通道；

步骤4、当汇流条和电极焊盘中任一者为前述形态二时，可以对已经制备了金属电极的压电晶圆进行套刻、镀膜、剥离等操作，完成前述形态二的制备；当汇流条和电极焊盘均为前述形态一时，则可以跳过此步；

步骤5、将制备了金属电极的压电晶圆的第一表面与制备了凹槽和可选的气体通道的衬底晶圆第一表面对准键合，形成键合结构(可以定义为“初始键合结构”)；

步骤6、对所述初始键合结构进行退火剥离操作，使得初始键合结构沿压电晶圆内部的损伤层分开；当步骤2采用其他技术时，该步骤也采用对应的剥离技术；当步骤2省略时，该步骤也省略；

步骤7、对经过步骤6处理后的键合结构进行后处理操作，实现压电薄膜的质量复原、优化并达到预定厚度，可进行的后处理操作包括但不限于后退火、表面磨削、表面抛光等；

步骤8、根据实际需要在压电薄膜表面设置一层或多层性能增强层，或不设置性能增强层；当不设置性能增强层时，跳过此步；

步骤9、经过本领域已知的其它后道工艺，完成空腔型倒置声波器件的制备。

与现有技术相比，本发明的优点包括：

(1)提出的空腔型倒置声波器件整合了声表面波和体声波的优势，性能优异；

(2)提出的空腔型倒置声波器件制备方法中，采用先挖凹槽后键合的方式，大大降低了空腔的制备难度，对降低成本和提升良率具有巨大的作用，并可以保障压电薄膜的质量优异、压电性能强，以及，通过采用倒置形式将叉指结构设置于压电薄膜下表面，使得器件表面平整，在保证器件基本性能的同时，便于根据实际情况在表面设置不同种类的性能增强层调控性能，应用范围广。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本发明一实施例中一种空腔型倒置声波器件在垂直叉指结构方向的截面示意图。

图2是图1所示空腔型倒置声波器件在平行叉指结构方向的截面示意图。

图3是本发明一实施例中一种在压电晶圆的抛光面进行离子注入及金属电极制备的流程示意图。

图4是本发明一实施例中一种在衬底晶圆的抛光面进行光刻、刻蚀操作的流程示意图。

图5是本发明一实施例中一种衬底晶圆在经刻蚀后的俯视图。

图6是本发明一实施例中一种制备具有形态二的电极焊盘的流程示意图。

图7是本发明一实施例中一种将图3所示压电晶圆与衬底晶圆键合、剥离、后处理的流程示意图。

图8是本发明一实施例中一种在压电薄膜表面制备性能增强层的流程示意图。

附图标记说明：1-衬底晶圆，2-压电晶圆，2’-压电薄膜，3-损伤层，4-金属电极，41-叉指结构，42-电极焊盘，42’-电极焊盘的第一结构层，5-凹槽，6-气体通道，7-初始键合结构，8-经过步骤6处理后的键合结构，9-最终成型的键合结构，10-性能增强层。

具体实施方式

如前所述，鉴于现有技术的缺陷，本发明提出了一种新型空腔型倒置声波器件及其制备方式，从而能够在整合声表面波和体声波优势的基础之上，进一步提升空腔型倒置声波器件性能，并降低空腔型倒置声波器件制备难度，提高器件良率。

以下结合附图及实施例对本发明的技术方案作进一步说明。需要说明的是，本发明实施例中提供的附图以有气体通道、有表面性能增强层、采用离子注入工艺、电极焊盘为前述形态二为例进行绘制，还有许多其他的情况。附图所示的一种情况不用以限制本发明。以及，为便于作图和读者理解，部分组件在附图中可能没有绘出。本领域技术人员可以结合说明书描述和附图清楚地了解实际的结构。这样的简化处理也不用以限制本发明。又及，下述实施例中所使用的各种方法如无特殊说明，均为常规方法。

请参阅图1-图2所示，本发明的一个实施例提供的一种空腔型倒置声波器件包括作为支撑基底的衬底晶圆1和压电薄膜2’，其中衬底晶圆1的上端面形成有一个以上凹槽5，该压电薄膜2’的下端面上结合有金属电极4，该压电薄膜2’的下端面与衬底晶圆1的上端面对准键合，使金属电极4被置入相应的凹槽5内。金属电极4包含叉指结构41和与叉指结构配合的电极焊盘42及汇流条(图中未示出)。其中，叉指结构41由叉指换能器和反射栅(R)共同构成，所述叉指换能器中的多条叉指交替连接信号端(S)和地端(G)，所述反射栅设置于所述叉指换能器两侧且相互连通。可选的，可以在压电薄膜2’的上端面上设置性能增强层10。

一种制作所述空腔型倒置声波器件的方法包括以下步骤：

步骤1，获取一衬底晶圆1和一压电晶圆2，对该两个晶圆进行清洗操作。

作为一种具体的实施方式，选用的衬底晶圆可为硅晶圆、碳化硅晶圆、蓝宝石晶圆、石英晶圆中的任意一种，也可以根据实际需要选择其他的材料，本实施例对此不作限制。选用的衬底晶圆厚度可为100μm-1000μm。

作为一种具体的实施方式，选用的衬底晶圆可为单面抛光，也可为双面抛光。作为一种优选的实施方式，采用单面抛光的衬底晶圆，将其抛光面定义为第一表面。

作为一种具体的实施方式，选用的压电晶圆可为钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英、钛酸钡中的任意一种，也可以根据实际需要选择其他的压电材料。压电晶圆的切向和声波传播方向可以根据实际需要任意选择，本实施例对压电晶圆的材质、切向和声波传播方向不作限制。选用压电晶圆的厚度可为100μm-1000μm。

作为一种具体的实施方式，选用的压电晶圆可为单面抛光，也可为双面抛光。作为一种优选的实施方式，采用单面抛光的压电晶圆，将其抛光面定义为第一表面。

作为一种具体的实施方式，选用的压电晶圆可以是已经经过还原处理的晶圆，也可以是未经还原处理的晶圆。作为一种优选的实施方式，采用已经经过还原处理的晶圆。

作为一种具体的实施方式，前述清洗的步骤可以包括：依次经过丙酮、酒精、去离子水、酒精超声清洗，然后用氮气枪吹干。清洗步骤可以根据实际需要调整，本实施例对此不作限制。

步骤2，对压电晶圆2的第一表面进行离子注入，使得压电晶圆2内部产生损伤层3，如图3所示。离子注入可由其他技术代替，也可省略。

作为一种具体的实施方式，选用的注入离子为氢离子、氦离子、氧离子、氖离子中的一种或多种，可以根据实际情况及实际选用的压电晶圆作选择；离子注入的能量控制了损伤层3的深度，可为10-2000keV，可以根据实际需要任意选择；离子注入的剂量可为1×10¹⁶-2×10¹⁷ions/cm²，可以根据实际需要任意选择。

步骤3，采用光刻、镀膜、剥离技术在经过步骤2处理后的压电晶圆2的第一表面上制备金属电极4(含叉指结构41、电极焊盘42、汇流条)，采用光刻、刻蚀技术在衬底晶圆1的第一表面上制备凹槽5和气体通道6(若有)，如图3-图5所示。

作为一种具体的实施方式，光刻的具体步骤包括表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘等。所制备的金属电极图案可以根据实际需要设计。其中叉指结构的线宽可为100nm-50μm，叉指结构的相邻叉指间距可为100nm-50μm，叉指结构的声孔径可为4μm-1000μm。

作为一种具体的实施方式，可以采用电子束蒸镀工艺蒸镀金属电极，也可根据实际需要采用其他的镀膜工艺；具体的，可以先蒸镀金属打底层，后蒸镀金属主体层。金属打底层的金属包括Ti、Ni、Cr中的至少一种。金属打底层的厚度为1nm-50nm。金属主体层的金属包括Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo、W中的至少一种。金属主体层的厚度为5nm-5000nm。

作为一种具体的实施方式，可以采用剥离机及标准化剥离工艺将多余金属剥离得到完整的金属电极，也可以根据实际需要设计采用新的工艺。

作为一种具体的实施方式，可以再次采用光刻技术将凹槽和气体通道(若有)图案转移到衬底晶圆的第一表面上；需要注意的是，衬底晶圆上的凹槽位置与压电晶圆上的器件位置(金属电极位置)必须一一对应。

作为一种具体的实施方式，可以采用ICP-RIE刻蚀技术对凹槽和气体通道(若有)处进行刻蚀，也可以根据实际采用的衬底晶圆材质及实际需求采用其他刻蚀技术；每个凹槽的面积尺寸大于对应器件的叉指结构所占区域的尺寸，每个凹槽的深度大于最终成型的电极焊盘的厚度。可选的，当电极焊盘设置为前述形态二时，凹槽深度可与最终成型的电极焊盘厚度相同；气体通道的尺寸和深度没有限定。

步骤4，当汇流条和电极焊盘中存在形态二时，对已经制备了金属电极4的压电晶圆进行套刻、镀膜、剥离操作，完成具有形态二的电极焊盘42的制备，如图6所示，其中可以先形成电极焊盘的第一结构层42’，之后在该第一结构层上一体沉积第二结构层等，从而使形成的电极焊盘42高于叉指结构41。当汇流条和电极焊盘均为形态一时，则跳过此步。

作为一种具体的实施方式，可以采用套刻工艺对准步骤3制备得到的金属电极4进行二次光刻，具体光刻、镀膜、剥离工艺可与步骤3中所述相同，也可根据实际需要设计新的工艺。

作为一种具体的实施方式，电极焊盘的加厚部分(即前述第二结构层等)的厚度可为500nm-150μm。

步骤5，将制备了金属电极4的压电晶圆2的第一表面与制备了凹槽5的衬底晶圆1的第一表面对准键合，得到初始键合结构7，如图7所示。

作为一种具体的实施方式，键合方法可为等离子体活化键合、阳极键合、聚合物键合等，键合环境可为真空或常压，键合温度大于或等于室温，本实施例对键合工艺不作限定，可以根据实际情况选用合适的键合工艺。

步骤6，对初始键合结构7进行退火剥离操作，使得键合结构沿压电晶圆内部损伤层3分开，得到剥离后的键合结构8，如图7所示。当步骤2采用其他技术时，该步骤也采用对应的剥离技术；当步骤2省略时，该步骤也省略。

作为一种具体的实施方式，退火环境可为真空环境或氮气气氛，退火温度可为80-500℃，退火时间可为1-10小时，本实施例对退火工艺不作限定，可以根据实际情况选用合适的退火工艺。

步骤7，对经过步骤6处理后的键合结构8进行后处理操作，可进行的操作包括但不限于后退火、表面磨削、表面抛光、化学腐蚀等中的一种或多种，得到最终成型的键合结构9，如图7所示。

由于离子注入、键合、剥离等工艺可能会对压电薄膜的晶体质量造成影响，需要通过后处理工艺实现压电薄膜质量复原和优化。由于前述步骤得到的键合结构中压电薄膜的厚度一般大于预设厚度，需要通过后处理工艺实现厚度减薄。

作为一种具体的实施方式，后退火环境可为真空环境、氮气气氛或惰性气体气氛，后退火温度可为100-800℃，后退火时间可为1-48小时，本发明对后退火工艺不作限定，可以根据实际情况选用合适的后退火工艺。

作为一种具体的实施方式，可采用表面磨削对压电薄膜进行减薄，也可根据实际需要，采用其他减薄工艺。

作为一种具体的实施方式，可采用化学机械抛光工艺对压电薄膜表面进行平坦化处理，也可根据实际需要，采用其他表面粗糙度处理工艺。

步骤8，当表面设置性能增强层10时，根据实际需要在表面制备一层或多层性能增强层，如图8所示；当不设置性能增强层时，跳过此步。

作为一种具体的实施方式，表面性能增强层可为一层或多层，也可不设置，设置的材质，厚度，及对应制备均可根据实际需要调整。如可以设置二氧化硅层提高温度稳定性，可以设置碳化硅层提高表面散热等，也可有许多其他的选择。

步骤9，经过本领域习知的后道工艺，完成器件制备。

本实施例采用全新设计的空腔型倒置声波器件及其制备方法，大大降低了制备难度和成本，提升了良率；该空腔型倒置声波器件整合了声表面波和体声波的优势，器件性能优异；同时该空腔型倒置声波器件的表面平整，在保证器件基本性能的同时，便于实现不同种类的性能调控，应用范围广。

以上所述实施例仅表达了本发明的一些实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种空腔型倒置声波器件，其特征在于，包括：

支撑基底，所述支撑基底表面设置有一个以上凹槽；

气体通道，设置在支撑基底表面上，所述凹槽与气体通道连通，所述气体通道延伸至所述声波器件表面并与外部环境连通；

电极，所述电极设置于所述凹槽内，且所述电极包含叉指结构和与叉指结构配合的汇流条及电极焊盘；

压电薄膜，所述压电薄膜设置在支撑衬底表面并覆盖所述凹槽，所述电极与压电薄膜电性结合。

2.根据权利要求1所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于，还包括：设置在所述压电薄膜上的一层或多层性能增强层。

3.根据权利要求1所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述叉指结构包括叉指换能器或者叉指换能器及反射栅，所述叉指换能器中的多条叉指交替连接信号端和地端，所述反射栅设置于所述叉指换能器两侧且相互连通。

4.根据权利要求3所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述叉指结构的线宽为100nm-50μm、相邻叉指间距为100nm-50μm、声孔孔径为4μm-1000μm。

5.根据权利要求3所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述叉指结构包含金属打底层和金属主体层，所述金属主体层设置在金属打底层上，所述金属打底层与压电薄膜直接接触。

6.根据权利要求5所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述金属打底层的材质包括Ti、Ni、Cr中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述金属打底层的厚度为1nm-50nm。

8.根据权利要求5所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述金属主体层的材质包括Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo、W中的至少一种。

9.根据权利要求5所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述金属主体层的厚度为5nm-5000nm。

10.根据权利要求5所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述叉指结构的厚度为6nm-5050nm。

11.根据权利要求1所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述汇流条和/或电极焊盘的材质及厚度与所述叉指结构相同。

12.根据权利要求1所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述汇流条和/或电极焊盘的材质与所述叉指结构部分相同或完全相同，并且所述汇流条和/或电极焊盘的厚度大于所述叉指结构的厚度，其中所述汇流条和/或电极焊盘包括第一结构层和叠设在第一结构层上的第二结构层，所述第一结构层的厚度小于或等于所述叉指结构的厚度，所述第一结构层与第二结构层的总厚度大于所述叉指结构的厚度，所述第二结构层的材质包括Al、Cu、Pt、Ag、Au、Mo、W中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的空腔型倒置声波器件，其特征在于：所述支撑基底表面设置有阵列排布的多个凹槽，每个所述凹槽的径向尺寸大于所述叉指结构的径向尺寸，深度大于或等于所述电极的厚度。

14.权利要求1-13中任一项所述空腔型倒置声波器件的制备方法，其特征在于，包括：

在支撑基底表面加工形成一个以上凹槽以及气体通道；

在压电晶体材料内部形成损伤层；

在所述压电晶体材料的工作面上设置电极；

将所述压电晶体材料的工作面与支撑基底表面对准键合，使所述电极被置入相应的凹槽内；

将所述压电晶体材料沿损伤层解理，并使解理获得的压电薄膜与支撑基底保持键合，再对形成的键合结构进行后处理。