CN114300930A - 一种半导体激光器的锁波光路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体激光器的锁波光路,该锁波光路的激光谐振引导模块射出经过锁波的引导激光在快轴方向上分成多个光区,各光区分别射向各激光单元中的对应高度的光学反射元件,各光区通过对应的光学反射元件转向射向对应的准直透镜,转向后的各光区通过对应准直透镜聚焦射向激光芯片的出光面上,各光区与对应的激光芯片分别形成外腔谐振,是的各激光芯片单一出射与引导激光波长相同的锁波激光,各锁波激光通过光路整形模块聚焦后耦合进入光纤,光纤输出固定波长的激光束,相比现有技术本发明的激光谐振引导模块可以同时对多个激光芯片同时进行锁波,而且不存在因单位面积内因能量密度过大而烧体布拉格光栅的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体激光器领域,尤其涉及一种半导体激光器的锁波光路。
背景技术
激光器是一种能发射激光的装置,其常见的半导体激光器由于具有效率高、寿命长等优势在工业加工、军事、医疗、安防等领域中得到广泛地应用,为了提高输出激光的质量,会对半导体激光器内部光路进行锁波处理,目前半导体激光的锁波方式分为单光路锁波和多光路锁波。
请参见公告号为CN20338897U的专利文件,该专利文件公开了一种采用单光路锁波方式的半导体激光器,每一激光芯片对应设有一体布拉格光栅(VBG),但是随着半导体输出功率的增加,激光芯片的数量也会伴随增加,这样所需设置的体布拉格光栅增多,增加产品成本和壳体的体积,并且每个芯片的出射激光射向体布拉格光栅后都会有能量损耗,影响半导体激光器的输出功率。
请参见公告号为CN203071399U的专利文件,该专利文件公开了一种采用多光路锁波方式的半导体激光器,多个激光芯片通过一体布拉格光栅来锁波,这样该体布拉格光栅单位面积内的能量密度很大,体布拉格光栅极易烧坏,严重影响半导体激光器的使用寿命和锁波质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体激光器的锁波光路,该锁波光路通过一激光谐振引导模块来实现多光路锁波。
为了达到上述目的,本发明提供一种半导体激光器的锁波光路,包括:一用于出射固定波长的激光谐振引导模块、一激光阵列和一光路整形模块;
所述激光谐振引导模块出射引导激光;
所述激光阵列包括至少两激光单元,每一所述激光单元包括光学反射元件、准直透镜和激光芯片,若干所述光学反射元件呈阶梯设置,所述光学反射元件呈预设角度设于所述引导激光的传播方向上,所述引导激光射向若干所述光学反射元件的各光区自上而下依次分布,所述准直透镜的焦点位于所述激光芯片的出光面上;
各所述光区经对应的所述光学反射元件转向后射向对应的准直透镜,转向后的各所述光区经对应的所述准直透镜聚焦射向对应的所述激光芯片的出光面;
各所述光区与对应的所述激光芯片分别形成外腔谐振,使得各所述激光芯片单一出射与所述引导激光波长相同的锁波激光,各所述锁波激光经所述光路整形模块聚焦后耦合进入光纤。
进一步地,所述谐振引导模块包括引导单元,所述引导单元包括引导芯片、第一准直透镜和VBG锁波器;所述引导芯片出射第一初始激光;所述第一准直透镜的焦点位于所述引导芯片的出光面上,经所述第一准直透镜准直后的所述第一初始激光垂直射向所述VBG锁波器,经准直后的所述第一初始激光被所述VBG锁波器反射回一固定波长激光,所述固定波长激光通过所述第一准直透镜原路返回至所述引导芯片的出光面上,所述固定波长激光与所述引导芯片形成外腔谐振,使得所述引导芯片单一出射与所述固定波长激光波长相同的引导激光。
进一步地,所述光学反射元件为平面反射镜,所述锁波激光从对应的所述平面反射镜的上方经过。
进一步地,所述激光阵列包括第一激光单元和第二激光单元;所述第一激光单元包括第一反射镜、第二准直透镜和第一激光芯片,所述引导激光的第一光区射向所述第一反射镜;所述第二激光单元包括第二反射镜、第三准直透镜和第二激光芯片,所述引导激光的第二光区射向所述第二反射镜;所述第二光区的位于所述第一光区的上方。
进一步地,所述第一激光芯片与所述第二激光芯片设于同一垂直高度的台阶上;所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜交错设置;所述第一激光芯片射出的第一锁波激光射向所述第三反射镜,经所述第三反射镜转向后射向所述聚焦透镜;所述第二激光芯片射出的第二锁波激光射向所述第四反射镜,经所述第四反射镜转向后射向所述聚焦透镜;转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
进一步地,所述第一激光芯片与所述第二激光芯片呈阶梯设置,所述第二激光芯片所处台阶的垂直高度大于所述第一激光芯片所处台阶的垂直高度;所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜呈阶梯设置,所述四反射镜所处台阶的垂直高度大于所述第三反射镜所处台阶的垂直高度;所述第一激光芯片射出的第一锁波激光射向所述第三反射镜,经所述第三反射镜转向后射向所述聚焦透镜;所述第二激光芯片射出的第二锁波激光射向所述第四反射镜,经所述第四反射镜转向后射向所述聚焦透镜;转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
进一步地,所述光学反射元件为透射S偏振光和反射P偏振光的偏振合束器,所述偏振合束器包括第一入光面、第二入光面、半波片、合束面和出光面,所述第一入光面与所述第二入光面相垂直,所述第二入光面与所述出光面相平行,所述半波片贴设于所述第二入光面处;所述引导激光为P偏振光,各所述光区经对应的所述第一入光面射向对应的所述合束面,经对应的所述合束面反射后射向对应的所述准直透镜;所述激光芯片的锁波激光为P偏振光并射向所述半波片,使得所述激光芯片的锁波激光变为S偏振光,变为S偏振的锁波激光经所述第二入光面从所述出光面处射出且射向所述光路整形模块。
进一步地,所述激光阵列包括第三激光单元和第四激光单元;所述第三激光单元包括第一偏振合束器、第四准直透镜和第三激光芯片,所述引导激光的第一光区射向所述第一偏振合束器的第一入光面;所述第四激光单元包括第二偏振合束器、第五准直透镜和第四激光芯片,所述引导激光的第二光区射向所述第二偏振合束器的第一入光面;所述第二光区的位于所述第一光区的上方。
进一步地,所述第三激光芯片与所述第四激光芯片设于同一垂直高度的台阶上;所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜交错设置;所述第三激光芯片射出P偏振的第三锁波激光射向所述第一偏振合束器的半波片,使得第三锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第三锁波激光依次透过所述第一偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第一偏振合束器的出光面射出且射向所述第三反射镜;所述第四激光芯片射出P偏振的第四锁波激光射向所述第二偏振合束器的半波片,使得第四锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第四锁波激光依次透过所述第二偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第二偏振合束器的出光面射出且射向所述第四反射镜;转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
进一步地,所述第三激光芯片与所述第四激光芯片呈阶梯设置,所述第四激光芯片所处台阶的垂直高度大于所述第三激光芯片所处台阶的垂直高度;所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜呈阶梯设置,所述四反射镜所处台阶的垂直高度大于所述第三反射镜所处台阶的垂直高度;所述第三激光芯片射出P偏振的第三锁波激光射向所述第一偏振合束器的半波片,使得第三锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第三锁波激光依次透过所述第一偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第一偏振合束器的出光面射出且射向所述第三反射镜;所述第四激光芯片射出P偏振的第四锁波激光射向所述第二偏振合束器的半波片,使得第四锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第四锁波激光依次透过所述第二偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第二偏振合束器的出光面射出且射向所述第四反射镜;转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
本发明的有益效果在于:激光谐振引导模块射出经过锁波的引导激光在快轴方向上分成多个光区,各光区分别射向各激光单元中的对应高度的光学反射元件,各光区通过对应的光学反射元件转向射向对应的准直透镜,由于光路可逆,转向后的各光区通过对应准直透镜聚焦射向激光芯片的出光面上,各光区与对应的激光芯片分别形成外腔谐振,是的各激光芯片单一出射与引导激光波长相同的锁波激光,各锁波激光通过光路整形模块聚焦后耦合进入光纤,光纤输出固定波长的激光束,相比现有技术本发明的激光谐振引导模块可以同时对多个激光芯片同时进行锁波,而且不存在因单位面积内因能量密度过大而烧体布拉格光栅的问题,激光器的使用寿命延长,激光器可以持续稳定的输出固定波长的激光束。
附图说明
图1是本发明实施例一的锁波光路结构图。
图2是本发明激光谐振引导模块的光路结构示意图。
图3是本发明实施例一中第一反射镜和第二反射镜呈阶梯设置的结构示意图。
图4是本发明实施例一中激光芯片呈阶梯设置的结构示意图。
图5是本发明实施例二的锁波光路结构图。
图6是本发明实施例三的第一种锁波光路结构图。
图7是本发明实施例三的第二种锁波光路结构图。
图8是本发明实施例三中第一偏振合束器和第二偏振合束器呈阶梯设置的结构示意图。
图中,
A、激光谐振引导模块;B、激光阵列;C、光路整形模块;D、引导激光;D1、第一光区;D2、第二光区;D3、第三光区;D4、第四光区;E、光纤;F、固定波长激光;G、第一入光面;H、第二入光面;I、半波片;J、合束面;K、出光面;
110、引导芯片;111、第一初始激光;120、第一准直透镜;130、VBG锁波器;
200、第一激光单元;210、第一反射镜;220、第二准直透镜;230、第一激光芯片;231、第一锁波激光;
300、第二激光单元;310、第二反射镜;320、第三准直透镜;330、第二激光芯片;331、第二锁波激光;
400、第三激光单元;410、第一偏振合束器;420、第四准直透镜;430、第三激光芯片;431、第三锁波激光;
500、第四激光单元;510、第二偏振合束器;520、第五准直透镜;530、第四激光芯片;531、第四锁波激光;
600a-b、聚焦透镜;
700、第三反射镜;
800、第四反射镜。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明一种半导体激光器的锁波光路进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在本发明的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所述的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
为了方便对本发明技术内容的理解,本发明中的“VBG”为体布拉格光栅的英文简写;本发明中的“垂直高度”是以壳体底面为基准面所测量的高度。
实施例一
请参见图1,一种半导体激光器的锁波光路包括一用于出射固定波长的激光谐振引导模块A、一激光阵列B和一光路整形模块C,激光谐振引导模块A出射引导激光D,引导激光D射向激光阵列B,并与激光阵列B中的各激光单元形成外腔谐振,使得各激光单元单一出射与引导激光D波长相同的锁波激光,各锁波激光通过光路整形模块C聚焦后射向光纤E,从光纤E内输出固定波长的激光束。
具体地,请参见图2,激光谐振引导模块A主要包括引导芯片110、第一准直透镜120和VBG锁波器130,引导芯片110出射第一初始激光111,第一初始激光111射向第一准直透镜120,第一准直透镜120的焦点位于引导芯片110的出光面上,第一准直透镜120对第一初始激光111进行准直后射向VBG锁波器130,该VBG锁波器130会反射回一固定波长激光F,由于光的可逆性,该固定波长激光F会通过第一准直透镜120原路返回至引导芯片110的出光面上,固定波长激光F与引导芯片110形成外腔谐振,使得引导芯片110单一出射与固定波长激光F波长相同的引导激光D。
请参见图1和图3,激光阵列B包括至少两个激光单元,例如包括第一激光单元200和第二激光单元300,引导激光D在快轴方向上分成第一光区D1和第二光区D2,第二光区D2的垂直高度高于第一光区D1的垂直高度;第一激光单元200包括第一反射镜210、第二准直透镜220和第一激光芯片230,第一光区D1射向第一反射镜210,经过第一反射镜210转向后射向第二准直透镜220,由于光的可逆性,第一光区D1被第二准直透镜220聚焦射向第一激光芯片230的出光面,第一光区D1与第一激光芯片230形成外腔谐振,使得第一激光芯片230单一射出与引导激光D波长相同的第一锁波激光231,第一激光芯片230比第一反射镜210的上边缘高,则该第一锁波激光231从第一反射镜210的上方穿过而不会被第一反射镜210挡住,然后射向光路整形模块C。
请参见图1和图3,第二激光单元300包括第二反射镜310、第三准直透镜320和第二激光芯片330,第二光区D2射向第二反射镜310,经第二反射镜310转向后射向第三准直透镜320,由于光的可逆性,第二光区D2被第三准直透镜320聚焦射向第二激光芯片330的出光面,第二光区D2与第二激光芯片330形成外腔谐振,使得第二激光芯片330单一射出与引导激光D波长相同的第二锁波激光331,第二激光芯片330比第二反射镜310的上边缘高,则该第二锁波激光331从第二反射镜310的上方穿过而不会被第二反射镜310挡住,然后射向光路整形模块C。
请参见图4,第一激光芯片230与第二激光芯片330呈阶梯设置,第二激光芯片330所处的台阶垂直高度大于第一激光芯片230所处台阶的垂直高度;第一反射镜210与第二反射镜310呈阶梯设置,第二反射镜310所处台阶的垂直高度大于第一反射镜210所处台阶的垂直高度。
请参见图1,光路整形模块C包括聚焦透镜600a、第三反射镜700和第四反射镜800,第三反射镜700和第四反射镜800呈阶梯设置,第三反射镜700设于第一锁波激光231的传播方向上,第一锁波激光231经过第三反射镜700转向后射向聚焦透镜600a,第四反射镜800设于第二锁波激光331的传播方向上,第二锁波激光331经过第四反射镜800转向后射向聚焦透镜600a,转向后的第一锁波激光231和第二锁波激光331被聚焦透镜600a聚焦后耦合进入到光纤E中,从光纤E内输出固定波长的激光束。
需要提到的是,实施例一仅是激光阵列B包括两个激光单元的情况,激光阵列B还可以包括多个激光单元,其中,这些激光单元中的激光芯片和光学反射元件都呈阶梯设置,各激光单元中激光芯片的垂直高度大于所对应的光学反射元件垂直高度,引导激光D射向各光学反射元件的光区自上而下分布,各光区经对应的光学反射元件转向后射向的准直透镜,转向后的各光区经对应的准直透镜聚焦射向对应的激光芯片的出光面;各光区与对应的激光芯片分别形成外腔谐振,使得各激光芯片单一出射与引导激光D波长相同的锁波激光,各锁波激光经光路整形模块C聚焦后耦合进入光纤E,从光纤E内输出固定波长的激光束。
实施例二
请参见图5,相比实施例一,区别在于第一激光芯片230与第二激光芯片330设置在同一垂直高度的台阶上,光路整形模块C包括聚焦透镜600b,第三反射镜700和第四反射镜800交错设置,这样可以避免对激光遮挡,聚焦透镜600b的宽度比聚焦透镜600a的宽度大,转向后的第一锁波激光231和第二锁波激光331被聚焦透镜600b聚焦后耦合进入到光纤E中,从光纤E内输出固定波长的激光束。
实施例二仅是激光阵列B包括两个激光单元的情况,随着半导体激光器输出功率的增加,所设置激光单元的数量也会伴随增加,激光阵列B包括多个激光单元,各激光单元的的激光芯片均设置在同一垂直高度的台阶上,在光路整形模块C中相邻的两反射镜交错设置。
实施例三
请参见图6-图8,相比实施例一或实施例二,区别在于,激光阵列B包括第三激光单元400和第四激光单元500,引导激光D在快轴方向上分成第三光区D3和第四光区D4,第三光区D3的垂直高度高于第四光区D4的垂直高度。
第三激光单元400包括第一偏振合束器410、第四准直透镜420和第三激光芯片430;第四激光单元500包括第二偏振合束器510、第五准直透镜520和第四激光芯片530;第一偏振合束器410和第二偏振合束器510均可透射S偏振光和反射P偏振光,第一偏振合束器410和第二偏振合束器510呈阶梯设置,第二偏振合束器510所处台阶的垂直高度大于第一偏振合束器410所处台阶的垂直高度,第一偏振合束器410和第二偏振合束器510分别包括第一入光面G、第二入光面H、半波片I、合束面J和出光面K,第一入光面G和第二入光面H相互垂直,第二入光面H和出光面K相互平行,半波片I贴设在第二入光面H处。
引导激光D为P偏振光,第三光区D3从第一偏振合束器410的第一入光面G射入,然后射向合束面J,合束面J设有透射S偏振光和反射P偏振光的膜层,由于引导激光D为P偏振光,所以第三光区D3经第一偏振合束器410的合束面J反射后,依次经过第一偏振合束器410的第二入光面H和半波片I后射向第四准直透镜420,通过半波片I的第三光区D3变为S偏振光,通过光的可逆性,转向后的第三光区D3射向第三激光芯片430的出光面,第三光区D3和第三激光芯片430形成外腔谐振,使得第三激光芯片430单一射出与引导激光D波长相同的第三锁波激光431,该第三锁波激光431为S偏振光,S偏振的第三锁波激光431通过第四准直透镜420准直后射向过第一偏振合束器410的半波片I,通过半波片I后S偏振的第三锁波激光431变为P偏振的第三锁波激光431,然后经过第一偏振合束器410的第二入光面H,透过第一偏振合束器410的合束面后,P偏振的第三锁波激光431从第一偏振合束器410的出光面K射出,然后射向光路整形模块C。
第四光区D4从第二偏振合束器510的第一入光面G射入,然后射向合束面J,合束面J设有透射S偏振光和反射P偏振光的膜层,由于引导激光D为P偏振光,所以第四光区D4经第二偏振合束器510的合束面J反射后,依次经过第二偏振合束器510的第二入光面H和半波片I后射向第五准直透镜520,通过半波片I的第四光区D4变为S偏振光,通过光的可逆性,转向后的第四光区D4射向第四激光芯片530的出光面,第四光区D4和四激光芯片530形成外腔谐振,使得四激光芯片530单一射出与引导激光D波长相同的第四锁波激光531,该第四锁波激光531为S偏振光,S偏振的第四锁波激光531通过第五准直透镜520准直后射向过第二偏振合束器510的半波片I,通过半波片I后S偏振的第四锁波激光531变为P偏振的第四锁波激光531,然后经过第二偏振合束器510的第二入光面H,透过第二偏振合束器510的合束面后,P偏振的第四锁波激光531从第二偏振合束器510的出光面K射出,然后射向光路整形模块C。
P偏振的第三锁波激光431和P偏振的第四锁波激光531经过光路整形模块C聚焦后耦合进入到光纤E中,从光纤E内输出固定波长的激光束。
上述实施例一至实施例三中,激光谐振引导模块A射出经过锁波后的引导激光D在快轴方向上分成多个光区,各光区分别射向各激光单元中的对应高度的光学反射元件,各光区通过对应的光学反射元件转向射向对应的准直透镜,由于光路可逆,转向后的各光区通过对应准直透镜聚焦射向激光芯片的出光面上,各光区与对应的激光芯片分别形成外腔谐振,是的各激光芯片单一出射与引导激光波长相同的锁波激光,各锁波激光通过光路整形模块聚焦后耦合进入光纤E,光纤E输出固定波长的激光束,相比现有技术本发明的激光谐振引导模块可以同时对多个激光芯片同时进行锁波,而且不存在因单位面积内因能量密度过大而烧体布拉格光栅的问题,激光器的使用寿命延长,激光器可以持续稳定的输出固定波长的激光束。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,包括:一用于出射固定波长的激光谐振引导模块、一激光阵列和一光路整形模块;
所述激光谐振引导模块出射引导激光;
所述激光阵列包括至少两激光单元,每一所述激光单元包括光学反射元件、准直透镜和激光芯片,若干所述光学反射元件呈阶梯设置,所述光学反射元件呈预设角度设于所述引导激光的传播方向上,所述引导激光射向若干所述光学反射元件的各光区自上而下依次分布,所述准直透镜的焦点位于所述激光芯片的出光面上;
各所述光区经对应的所述光学反射元件转向后射向对应的准直透镜,转向后的各所述光区经对应的所述准直透镜聚焦射向对应的所述激光芯片的出光面;
各所述光区与对应的所述激光芯片分别形成外腔谐振,使得各所述激光芯片单一出射与所述引导激光波长相同的锁波激光,各所述锁波激光经所述光路整形模块聚焦后耦合进入光纤。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,所述谐振引导模块包括引导单元,所述引导单元包括引导芯片、第一准直透镜和VBG锁波器;
所述引导芯片出射第一初始激光;
所述第一准直透镜的焦点位于所述引导芯片的出光面上,经所述第一准直透镜准直后的所述第一初始激光垂直射向所述VBG锁波器,经准直后的所述第一初始激光被所述VBG锁波器反射回一固定波长激光,所述固定波长激光通过所述第一准直透镜原路返回至所述引导芯片的出光面上,所述固定波长激光与所述引导芯片形成外腔谐振,使得所述引导芯片单一出射与所述固定波长激光波长相同的引导激光。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,所述光学反射元件为平面反射镜,所述锁波激光从对应的所述平面反射镜的上方经过。
4.根据权利要求3所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,所述激光阵列包括第一激光单元和第二激光单元;
所述第一激光单元包括第一反射镜、第二准直透镜和第一激光芯片,所述引导激光的第一光区射向所述第一反射镜;
所述第二激光单元包括第二反射镜、第三准直透镜和第二激光芯片,所述引导激光的第二光区射向所述第二反射镜;
所述第二光区的位于所述第一光区的上方。
5.根据权利要求4所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,
所述第一激光芯片与所述第二激光芯片设于同一垂直高度的台阶上;
所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜交错设置;
所述第一激光芯片射出的第一锁波激光射向所述第三反射镜,经所述第三反射镜转向后射向所述聚焦透镜;
所述第二激光芯片射出的第二锁波激光射向所述第四反射镜,经所述第四反射镜转向后射向所述聚焦透镜;
转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
6.根据权利要求4所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,
所述第一激光芯片与所述第二激光芯片呈阶梯设置,所述第二激光芯片所处台阶的垂直高度大于所述第一激光芯片所处台阶的垂直高度;
所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜呈阶梯设置,所述四反射镜所处台阶的垂直高度大于所述第三反射镜所处台阶的垂直高度;
所述第一激光芯片射出的第一锁波激光射向所述第三反射镜,经所述第三反射镜转向后射向所述聚焦透镜;
所述第二激光芯片射出的第二锁波激光射向所述第四反射镜,经所述第四反射镜转向后射向所述聚焦透镜;
转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
7.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,所述光学反射元件为透射S偏振光和反射P偏振光的偏振合束器,所述偏振合束器包括第一入光面、第二入光面、半波片、合束面和出光面,所述第一入光面与所述第二入光面相垂直,所述第二入光面与所述出光面相平行,所述半波片贴设于所述第二入光面处;
所述引导激光为P偏振光,各所述光区经对应的所述第一入光面射向对应的所述合束面,经对应的所述合束面反射后射向对应的所述准直透镜;
所述激光芯片的锁波激光为P偏振光并射向所述半波片,使得所述激光芯片的锁波激光变为S偏振光,变为S偏振的锁波激光经所述第二入光面从所述出光面处射出且射向所述光路整形模块。
8.根据权利要求7所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,所述激光阵列的至少两激光单元包括第三激光单元和第四激光单元;
所述第三激光单元包括第一偏振合束器、第四准直透镜和第三激光芯片,所述引导激光的第三光区射向所述第一偏振合束器的第一入光面;
所述第四激光单元包括第二偏振合束器、第五准直透镜和第四激光芯片,所述引导激光的第四光区射向所述第二偏振合束器的第一入光面;
所述第四光区的位于所述第三光区的上方。
9.根据权利要求8所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,
所述第三激光芯片与所述第四激光芯片设于同一垂直高度的台阶上;
所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜交错设置;
所述第三激光芯片射出P偏振的第三锁波激光射向所述第一偏振合束器的半波片,使得第三锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第三锁波激光依次透过所述第一偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第一偏振合束器的出光面射出且射向所述第三反射镜;
所述第四激光芯片射出P偏振的第四锁波激光射向所述第二偏振合束器的半波片,使得第四锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第四锁波激光依次透过所述第二偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第二偏振合束器的出光面射出且射向所述第四反射镜;
转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
10.根据权利要求8所述的一种半导体激光器的锁波光路,其特征在于,
所述第三激光芯片与所述第四激光芯片呈阶梯设置,所述第四激光芯片所处台阶的垂直高度大于所述第三激光芯片所处台阶的垂直高度;
所述光路整形模块包括第三反射镜、第四反射镜和聚焦透镜,所述第三反射镜与所述第四反射镜呈阶梯设置,所述四反射镜所处台阶的垂直高度大于所述第三反射镜所处台阶的垂直高度;
所述第三激光芯片射出P偏振的第三锁波激光射向所述第一偏振合束器的半波片,使得第三锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第三锁波激光依次透过所述第一偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第一偏振合束器的出光面射出且射向所述第三反射镜;
所述第四激光芯片射出P偏振的第四锁波激光射向所述第二偏振合束器的半波片,使得第四锁波激光变为S偏振光,S偏振的所述第四锁波激光依次透过所述第二偏振合束器的第二入光面和合束面后,从所述第二偏振合束器的出光面射出且射向所述第四反射镜;
转向后的所述第一锁波激光与所述第二锁波激光经所述聚焦透镜聚焦后进入光纤内。
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