CN114256428A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置，包括衬底基板和设置在衬底基板上的背板层，背板层上设有阳极层，阳极层上设有红绿量子点发光层，红绿量子点发光层上设有蓝色发光层，红绿量子点发光层与蓝色发光层之间设有第一连接层和第二连接层；靠近红绿量子点发光层的为第一连接层，第一连接层为N型半导体层；靠近蓝色发光层的为第二连接层，第二连接层为P型半导体层。根据本申请的技术方案，通过采用量子点进行红色和绿色发光层的制备，有效的提高了显示面板发光的色纯度，同时将红绿发光层和蓝色发光层进行串联，将红绿量子点和蓝色有机荧光材料进行结合，平衡了红绿蓝三色的发光寿命，同时串联形式的发光层拥有更高的发光效率和使用寿命。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明一般涉及显示领域，尤其涉及显示面板及显示装置。
背景技术
主动矩阵式有机发光二极管(AMOLED)以其超薄可柔性、低驱动电压等优点已逐渐替代LCD液晶显示技术。随着技术的不断发展，柔性显示产品逐渐成为市场主流，而可折叠的产品对显示产品的厚度提出了更高的要求。在显示屏模组中，厚度最大的材料为偏光片(POL)，厚度最低为45微米，这将严重影响AMOLED显示屏的弯折半径；并且偏光片的最大光透过率只有50％，这将严重影响发光器件的外量子效率，增加显示器件的功耗。基于以上分析，开发新一代核心显示材料与器件显得尤为关键。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板及显示装置。
第一方面，提供一种显示面板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的背板层，所述背板层上设有阳极层，所述阳极层上设有红绿量子点发光层，所述红绿量子点发光层远离所述阳极层的一侧设有蓝色发光层。
根据本申请实施例提供的技术方案，通过采用量子点进行红色和绿色发光层的制备，有效的提高了显示面板发光的色纯度，将红绿量子点和蓝色有机荧光材料进行结合，平衡了红绿蓝三色的发光寿命。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实施例中显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1，本实施例提供一种显示面板，包括衬底基板1和设置在所述衬底基板1上的背板层2，所述背板层2上设有阳极层3，所述阳极层3上设有红绿量子点发光层4，所述红绿量子点发光层4远离所述阳极层的一侧设有蓝色发光层11。
本实施例采用量子点进行红色和绿色发光层的制备，有效提高了显示面板发光的色纯度，蓝色发光层还采用现有技术中有机荧光材料进行制备，平衡了红绿蓝三色的发光寿命。
进一步的，所述红绿量子点发光层4与所述蓝色发光层11之间设有第一连接层8和第二连接层9；
靠近所述红绿量子点发光层4的为所述第一连接层8，所述第一连接层8为N型半导体层，所述红绿量子点发光层4与所述第一连接层8之间还设有第一电子传输层7；
靠近所述蓝色发光层11的为所述第二连接层9，所述第二连接层9为P型半导体层，所述第二连接层9与所述蓝色发光层11之间设有第一空穴传输层10。
本实施例中将红绿发光层和蓝色发光层进行串联，形成串联结构，将红绿量子点和蓝色有机荧光材料进行结合，平衡了红绿蓝三色的发光寿命，同时串联形式的发光层拥有更高的发光效率和使用寿命。
优选的，制备所述红绿量子点发光层4的材料为红色钙钛矿量子点、绿色钙钛矿量子点和有机溶剂。
本实施例中采用钙钛矿量子点材料进行红绿发光层的制备，首先采用红色和绿色两种颜色的钙钛矿量子点材料进行合成，可以采用热注入法、配体辅助再沉淀法、一锅法、水相法、溶液凝胶法、微乳法、微波辅助法进行合成，进一步的将钙钛矿量子点材料分散溶解在有机溶剂中，其中，有机溶剂为氯苯、二氯苯、甲苯、硅烷、三氯甲烷、四氢呋喃、丙酮等溶剂的一种，亦可以为多种溶剂混合体，进一步的利用旋涂法或者喷墨打印法或者刮涂法将上述钙钛矿量子点溶液制备成发光薄膜，该红绿量子点发光层的厚度为20-100纳米；上述红色量子点和绿色量子点按照一定的比例添加至有机溶剂中，具体的添加比例根据实际情况进行配比；
上述通过钙钛矿量子点进行红绿发光层的制备，其中，钙钛矿量子点材料为ABX3结构，也可以为(A1)2(A2)n-1PbnX3n+1结构。其中，A、A1和A2均为阳离子，所述B为金属离子，所述X为卤素离子，具体的A位置可以为无机离子Na+、K+、Ca+、Cs+，也可以为短链有机阳离子CH3NH3 +(简称MA)、NH2CH＝NH2 +(简称FA)或者长链有机阳离子C6H5CH2CH2NH3 +(简称PEA+)、C6H5CH2NH3 +(简称PMA+)、CH3CH2CH2CH2NH3 +(简称BA+)、C(CH3)3NH3 +(简称t-BA+)、CH3CH2CH2NH3 +(简称PA+)、C11H12N+(简称1-Naphthylmethylmethylammonium+,NMA+)、CH(CH3)2CH2NH3 +(简称i-BA+)，A位置亦可以为无机阳离子和有机阳离子的混合体，也可以为多种无机阳离子混合体，或者多种有机阳离子混合体；B位置为Bi3+、Sn2+、Pb2+、Mn、Co、Fe元素，B位置亦可以为多种元素混合体；X位置为O2-、I-、Br-、Cl-元素，X位置为卤素离子，可以包括I-、Br-、Cl-等，亦可以为多种元素混合体；其中绿色钙钛矿量子点的分子式可以为：FAPbBr3或CsPbBr3或PEA2FA2Pb3Br10或PEA2PbBr4或PEA2FA1.8Cs0.2Pb3Br9Cl；红色钙钛矿量子点的分子式可以为：FAPbI3，CsPbI3，(PEA)2FA2Pb3I10,(PEA)2PbI4,(PEA)2FA1.8Cs0.2Pb3I9Cl。
优选的，蓝色发光层材料为有机小分子荧光材料。由于蓝色量子点的发光效率相比红绿量子点较低，因此，本实施例中仍采用蓝色有机小分子荧光材料进行制备，保证整个显示面板的发光效率和发光的色纯度。该蓝色发光层采用真空热蒸发的方法进行制备，蓝色发光层的厚度为20-50纳米。
本实施例中在红绿量子点发光层和蓝色发光层之间顺次设置了第一电子传输层，两个掺杂层和第一空穴传输层，通过上述层结构将红绿量子点发光层和蓝色发光层进行串联，并且制备红绿发光层和蓝色发光层时不需要采用金属掩膜板进行制备，发光层结构的设置更加的简单，降低了生产的成本并且缩短了生产时间；其中，第一电子传输层材料为氧化锌(ZnO)、氧化镁锌(ZnMgO)、氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO2)，或者OXD7等有机聚合物材料，为上述材料时采用旋涂法、喷墨打印法、刮涂法制备第一电子传输层薄膜，该第一电子传输层也可以为有机小分子材料，例如TPBi(C45H30N6，2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-Hbenzimidazole)、Bphen(C24H16N2，4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、C60(富勒烯Fullerene-C60)、Liq(C9H6LiNO，8-hydroxyquinolinolato-lithium)、BAlp(C32H25AlN2O3，Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium)、BCP(C26H20N2，2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、Alq3(C27H18AlN3O3，Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)、B3PyPB、B3PyPPM、TmPyPB(C39H27N3，1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene)、TpPyPB、CuPc(C32H16N8Cu，Phthalocyanine,copper complex)等，也可以是上述多种小分子材料的混合体，上述小分子材料利用真空热蒸发的方法进行第一电子传输层的制备，其中，制备形成的第一电子传输层的厚度为20-100纳米。
进一步的，所述第一连接层8为N型掺杂层，掺杂类型为主客体掺杂型，主体材料为以下任意一种：氧化锌、氧化镁锌、氧化钛、氧化锡，或者OXD7，客体材料为金属或者金属化合物。
第一电子传输层远离红绿量子点发光层的一侧设置第一连接层，该第一连接层即为N型半导体层，该N型半导体结构的为主客体掺杂型，主体材料与第一电子传输层的材料相同，为氧化锌(ZnO)、氧化镁锌(ZnMgO)、氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO2)，或者OXD7等有机聚合物材料，客体材料的金属为Li，Na，K，Rb，Cs，Mg，Yb，Ca，Re等金属或者相应的金属化合物；该第一连接层采用真空热蒸发的方式进行制备，其中采用双源共蒸的方法，制备形成的第一连接层厚度为10-30纳米。
进一步的，所述第二连接层9为P型掺杂层，掺杂类型为主客体掺杂型，主体材料为以下任意一种：NPB(C44H32N2)，TPD，TAPC(双(二对甲苯胺)苯基环己烷)，TCTA，CBP，MCP(甲基环戊烯醇酮)，上述材料均为空穴传输材料，客体材料为金属化合物材料或者有机材料，所述金属化合物材料为以下任意一种：MoOx，SbCl5，FeCl3，所述有机材料为以下任意一种：F4-TCNQ、HAT-CN、并五苯。
进一步的，所述第二连接层9材料为以下任意一种：NPB，TPD，TAPC，TCTA，CBP，MCP。
第一连接层远离第一电子传输层的一侧设置第二连接层，该第二连接层即为P型半导体层，该P型半导体结构可以为非掺杂结构或者主客体掺杂型的结构，当该第二连接层为非掺杂结构时，其采用的材料与第一空穴传输层的材料相同，为NPB，TPD，TAPC，TCTA，CBP，MCP等有机小分子空穴传输层材料；当第二连接层为掺杂型的结构时，其主体材料与第二空穴传输层相同，为NPB，TPD，TAPC，TCTA，CBP，MCP等有机小分子空穴传输层材料，客体材料为金属化合物或者有机材料，金属化合物可以为MoOx,SbCl5,FeCl3等，有机材料可以为F4-TCNQ或是HAT-CN、并五苯等；该第二连接层的制备方法与第一连接层的制备方法相同，采用真空热蒸发的方式进行制备，其中采用双源共蒸的方法，制备形成的第二连接层的厚度为10-30纳米。
最后，在第二连接层和蓝色发光层之间形成的是第一空穴传输层，该第一空穴传输层的材料为NPB，TPD，TAPC，TCTA，CBP，MCP等有机小分子空穴传输层材料，可采用真空热蒸镀的方式进行制备，制备的第一空穴传输层的厚度为10-30纳米。
进一步的，所述阳极层3远离所述背板层2的一侧设有空穴注入层4，所述空穴注入层4远离所述阳极层3的一侧设有第二空穴传输层5；
所述蓝色发光层11远离所述第一空穴传输层10的一侧设有第二电子传输层12，所述第二电子传输层12远离所述蓝色发光层11的一侧设有阴极层13。
本实施例中还给出了该显示面板其他部分的结构，在阳极层上形成空穴注入层和第二空穴传输层，蓝色发光层上形成第二电子传输层和阴极层；
其中，设置在阳极层上的空穴注入层材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)，利用一步旋涂法、喷墨打印法、刮涂法制备该空穴注入层，该空穴注入层厚度为5-30纳米；
设置在空穴注入层上的第二空穴传输层材料为聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]，聚(9-乙烯基咔唑)，聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双苯基联苯胺]等聚合物有机材料或者小分子有机材料，也可以为多种材料的混合体，利用一步旋涂法、喷墨打印法、刮涂法制备第二空穴传输层薄膜，薄膜厚度为20-100纳米；
设置在蓝色发光层上的第二电子传输层材料为有机小分子材料，例如TPBi、Bphen、C60、Liq、BAlp、BCP、Alq3、B3PyPB、B3PyPPM、TmPyPB、TpPyPB、CuPc等，或者上述多种材料的混合体，利用真空热蒸镀方法进行第二电子传输层薄膜的制备，薄膜厚度为20-50纳米。
进一步的，阴极层13为透明电极层，所述阴极层材料为ITO或者IZO。本实施例中采用透明电极进行阴极层的制备，常规的阴极层为金属材质，金属表面反射较强，通过透明阴极能够减少显示面板表面的光反射，进一步的改善由于光反射引起的低对比度问题；进一步的不需要使用偏光片，使得制备的显示面板具有较薄的厚度，提高发光量子的效率，并且能够更有利于柔性屏幕实现折叠显示技术。
进一步的，阴极层13上设有封装层14，封装层14远离阴极层13的一侧设有彩膜层15，彩膜层15上设有盖板层16。
本实施例中在阴极层上形成封装层，封装层上设置彩膜层，光线穿过彩膜层形成不同颜色的出射光，彩膜层上形成盖板层，盖板层为透明PI材料或者超薄玻璃等，通过封装层和彩膜层进一步过滤不必要的发光光谱和防止外部光反射。
本实施例中采用钙钛矿量子点进行红绿量子点发光层的制备，并且红绿量子点发光层和蓝色发光层形成串联式器件结构，形成白色串联式电致发光器件，白光穿过彩膜层形成不同颜色的光，平衡了三种发光层的使用寿命同时保证了显示器件发光的色纯度；进一步的，由于采用钙钛矿量子点作为发光材料，该钙钛矿量子点的发光光谱半高宽在20纳米左右，因此可以省略显示器件的微腔结构，采用透明电极作为阴极层，降低显示面板的反射率提高对比度。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (11)

1.一种显示面板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的背板层，其特征在于，所述背板层上设有阳极层，所述阳极层上设有红绿量子点发光层，所述红绿量子点发光层远离所述阳极层的一侧设有蓝色发光层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述红绿量子点发光层与所述蓝色发光层之间设有第一连接层和第二连接层；
靠近所述红绿量子点发光层的为所述第一连接层，所述第一连接层为N型半导体层，所述红绿量子点发光层与所述第一连接层之间还设有第一电子传输层；
靠近所述蓝色发光层的为所述第二连接层，所述第二连接层为P型半导体层，所述第二连接层与所述蓝色发光层之间设有第一空穴传输层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层远离所述背板层的一侧设有空穴注入层，所述空穴注入层远离所述阳极层的一侧设有第二空穴传输层；
所述蓝色发光层远离所述第一空穴传输层的一侧设有第二电子传输层，所述第二电子传输层远离所述蓝色发光层的一侧设有阴极层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层为透明电极层，所述阴极层材料为ITO或者IZO。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层上设有封装层，所述封装层远离所述阴极层的一侧设有彩膜层，所述彩膜层上设有盖板层。
6.根据权利要求1-5任一所述的显示面板，其特征在于，制备所述红绿量子点发光层的材料为红色钙钛矿量子点、绿色钙钛矿量子点和有机溶剂。
7.根据权利要求1-5任一所述的显示面板，其特征在于，所述蓝色发光层材料为有机小分子荧光材料。
8.根据权利要求1-5任一所述的显示面板，其特征在于，所述第一连接层为N型掺杂层，掺杂类型为主客体掺杂型，主体材料为以下任意一种：氧化锌、氧化镁锌、氧化钛、氧化锡，或者OXD7，客体材料为金属或者金属化合物。
9.根据权利要求1-5任一所述的显示面板，其特征在于，所述第二连接层为P型掺杂层，掺杂类型为主客体掺杂型，主体材料为以下任意一种：NPB，TPD，TAPC，TCTA，CBP，MCP，客体材料为金属化合物材料或者有机材料，所述金属化合物材料为以下任意一种：MoOx，SbCl5，FeCl3，所述有机材料为以下任意一种：F4-TCNQ、HAT-CN、并五苯。
10.根据权利要求1-5任一所述的显示面板，其特征在于，所述第二连接层材料为以下任意一种：NPB，TPD，TAPC，TCTA，CBP，MCP。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一所述的显示面板。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034934A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 乐金显示有限公司 白色有机发光器件
WO2014068970A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR20180062232A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN110212104A (zh) * 2019-05-21 2019-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电致发光显示装置
CN110752317A (zh) * 2019-11-08 2020-02-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110943173A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 Tcl集团股份有限公司 一种量子点白光二极管
CN110943174A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 Tcl集团股份有限公司 一种量子点白光二极管

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102034934A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 乐金显示有限公司 白色有机发光器件
WO2014068970A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR20180062232A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN110943173A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 Tcl集团股份有限公司 一种量子点白光二极管
CN110943174A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 Tcl集团股份有限公司 一种量子点白光二极管
CN110212104A (zh) * 2019-05-21 2019-09-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电致发光显示装置
CN110752317A (zh) * 2019-11-08 2020-02-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

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