CN114200223A - 一种基于1：3频率比非线性静电耦合的mems谐振式静电计 - Google Patents
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 64
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/24—Arrangements for measuring quantities of charge
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种基于1：3频率比非线性静电耦合的MEMS谐振式静电计，其高频谐振器模块与低频谐振器模块相邻，位于两个激励模块之间，激励模块通过施加电信号来对通有直流电的高频谐振模块与低频谐振模块产生激励，高频谐振器模块与低频谐振模块通过受激励板形成电容，通过电容极板之间的静电力在高频谐振模块与低频谐振模块之间传递能量，使高频谐振模块与低频谐振模块的运动状态产生耦合，低频谐振梁与高频谐振梁的固有频率比为1：3，高频谐振器模块和低频谐振器模块分别通过功率放大器检测各自的运动状态。本发明克服了传统谐振式静电计利用线性区域测量的局限性，为谐振式静电计的研究拓宽了道路。
Description
技术领域
本发明涉及MEMS(Micro Electromechanical Systems，微型机械电子系统) 技术领域，特别涉及一种基于1：3频率比非线性静电耦合的MEMS谐振式静电计。
背景技术
MEMS因其低成本、易集成的特点所应用的行业越来越广泛，包括自动控制、航空航天、车辆制造等等，是一项关系到国防安全和民生发展的高新技术。
MEMS谐振式传感器通过外界参数的变化引起谐振器振动频率、幅值和相位的改变，进而可以得到外界参数的测量值。谐振式传感器应用广泛，可用于测量密度、质量、位移、加速度、温度和电荷等物理量。其中MEMS谐振式静电计具备高精度、高灵敏性的特点，为静电计的研究开辟了新领域。
但是在微纳尺度下，由于尺度效应导致谐振器结构在受到外界参数作用时，极易出现非线性效应。为避免非线性效应的影响，一般的MEMS静电计设计工作在线性区间，但MEMS器件的高品质因子使线性区间较窄，限制了谐振式静电计的工作范围，使谐振式静电计的性能受限。而绝大多数的结构优化、提升工艺等方法对MEMS谐振式静电计的测量范围提升有限，容易达到瓶颈。因此，把非线性区域扩展为可用测量区域是提升谐振器品质的重要方法。同时，应用模态局域化原理的静电计需要保持开环状态测量耦合谐振器的振动模态，导致无法避免实时输出这一难题，不利于实际应用。因此，利用非线性现象增强静电计的灵敏度，实现高精度、实时电荷测量成为静电计应用的一大方向。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种基于1：3频率比非线性静电耦合的MEMS谐振式静电计，克服了传统谐振式静电计利用线性区域测量的局限性，为谐振式静电计的研究拓宽了道路。
为此，本发明采取如下的技术方案：一种基于1：3频率比非线性静电耦合的MEMS谐振式静电计，其特征在于包括高频谐振器模块、低频谐振器模块和激励模块，所述高频谐振器模块与低频谐振器模块相邻，位于两个激励模块之间，激励模块通过施加电信号来对通有直流电的高频谐振模块与低频谐振模块产生激励，高频谐振器模块与低频谐振模块通过受激励板形成电容，通过电容极板之间的静电力在高频谐振模块与低频谐振模块之间传递能量，使高频谐振模块与低频谐振模块的运动状态产生耦合，所述的低频谐振梁与高频谐振梁的固有频率比为1：3，所述的高频谐振器模块和低频谐振器模块分别通过功率放大器检测各自的运动状态。
作为优选，所述的低频谐振模块包括第一固支锚点、第二固支锚点、第一金属电极层、第二金属电极层、低频谐振梁、低频谐振器第一受激励板和低频谐振器第二受激励板，第一固支锚点、第二固支锚点分别位于低频谐振梁两端，与低频谐振梁机械连接，底部与硅基底连接，使下部镂空的低频谐振梁悬空且能够更稳定地振动。
作为优选，所述的第一金属电极层均匀的溅射于第一固支锚点中央，与外电路相连接，用于传输电信号，外接直流电压，使低频谐振梁通电，第二金属电极层均匀的溅射于第二固支锚点中央，与外电路相连接，用于输入输出电信号，使低频谐振梁通电，并通过检测输出的电信号，将电信号经过运算放大器传递到锁相放大器来得到低频谐振梁的运动状态。
作为优选，所述的低频谐振器第一受激励板位于低频谐振梁中部上侧，底部镂空，与低频谐振梁机械连接，能随着低频谐振梁一起振动，与低频谐振器激励电极板形成电容，为通电后的低频谐振梁提供稳定的外激力，低频谐振器第二受激励板位于低频谐振梁中部下侧，底部镂空，与低频谐振梁机械连接，能随着低频谐振梁一起振动，与高频梁谐振器第二受激励板形成电容，通过静电力与高频谐振梁产生耦合。
作为优选，所述的高频谐振模块包括第三固支锚点、第四固支锚点、第三金属电极层、第四金属电极层、高频谐振梁、高频谐振器第一受激励板、高频谐振器第二受激励板，第三固支锚点、第四固支锚点分别位于高频谐振梁两端，与高频谐振梁机械连接，底部与硅基底连接，使下部镂空的高频谐振梁悬空。
作为优选，所述的第三金属电极层均匀的溅射于第三固支锚点中央，与外电路相连接，用于传输电信号，使高频谐振梁通电，第四金属电极层均匀的溅射于第四固支锚点中央，与外电路相连接，用于输入输出电信号，使高频谐振梁通电，并通过检测输出的电信号，将电信号经过运算放大器传递到锁相放大器来得到高频谐振梁的运动状态。
作为优选，所述的激励模块包含低频谐振器激励模块和高频谐振器激励模块，低频谐振器激励模块包含第五固支锚点、第五金属电极层、低频谐振器激励电极板。第五固支锚点与硅基底相连，中央均匀溅射了第五金属电极层，第五金属电极层外接电路，输入交流电与直流电的混合信号，低频谐振器激励电极板与低频谐振器第一受激励板形成电容，通过静电力将电信号转化为对低频谐振梁施加的激励，产生振动；
高频谐振器激励模块包含第六固支锚点、第六金属电极层、高频谐振器激励电极板。第六固支锚点与硅基底相连，中央均匀溅射了第六金属电极层，第六金属电极层外接电路，输入交流电与直流电的混合信号。高频谐振器激励电极板与高频谐振器第一受激励板形成电容，通过静电力将电信号转化为对高频谐振梁施加的激励，产生振动。
作为优选，所述的第一固支锚点、第二固支锚点、第三固支锚点、第四固支锚点、第五固支锚点和第六固支锚点均为正方形结构，边长范围是100～ 300μm。
作为优选，所述的第一金属电极层、第二金属电极层、第三金属电极层、第四金属电极层、第五金属电极层和第六金属电极层均为正方形结构边长为 80～250μm。
作为优选，所述的低频谐振梁激励电极板与低频谐振器第一受激励板之间均存在1～10μm间隙并形成电容，高频谐振梁激励电极板与高频谐振器第一受激励板之间均存在1～10μm间隙并形成电容，低频谐振器第二受激励板与高频谐振器第二受激励板之间均存在1～10μm间隙并形成电容，低频谐振梁和高频谐振梁是双端固支的单梁，长度范围是10～500μm。
本发明利用1：3谐振梁耦合时的非线性现象使非线性区域成为谐振式静电计可利用的测量区域，克服了传统谐振式静电计利用线性区域测量的局限性，为谐振式静电计的研究拓宽了道路。
附图说明
图1是本发明谐振式静电计的结构示意图。
图2是本发明的实验原理图。
图3是耦合电压和高频谐振梁峰值频率的关系图。
图4是耦合电压和高频谐振梁峰值频率线性关系图。
图中：1-1、第一固支锚点；1-2、第一金属电极层；1-3、低频谐振梁；1-4、低频谐振器第一受激励板；1-5、低频谐振器第二受激励板；1-6、第二固支锚点；1-7、第二金属电极层；2-1、第三固支锚点；2-2、第三金属电极层；2-3、高频谐振梁；2-4、高频谐振器第一受激励板；2-5、高频谐振器第二受激励板；2-6、第四固支锚点；2-7、第四金属电极层；3-1、第五固支锚点；3-2、第五金属电极层；3-3、低频谐振器激励电极板；4-1、第六固支锚点；4-2、第六金属电极层；4-3、高频谐振器激励电极板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1和图2，本发明包含三个模块，低频谐振器模块、高频谐振器模块和激励模块。
高频谐振器模块与低频谐振器模块相邻，位于两个激励模块之间。高频谐振器模块与低频谐振模块通过低频谐振器第一受激励板1-5和高频谐振器第一受激励板2-5形成的电容，通过电容极板之间的静电力使高频谐振模块与低频谐振模块的运动状态产生耦合，在高频谐振模块与低频谐振模块之间传递能量。激励模块分别位于低频谐振模块与高频谐振模块上下两侧，通过施加电信号来对通有直流电的高频谐振模块与低频谐振模块产生激励。
低频谐振模块包括第一固支锚点1-1、第二固支锚点1-6、第一金属电极层 1-2、第二金属电极层1-7、低频谐振梁1-3、低频谐振器第一受激励板1-4和低频谐振器第二受激励板1-5。
第一固支锚点1-1、第二固支锚点1-6分别位于低频谐振梁1-3两侧，与低频谐振梁1-3机械连接，底部与硅基底连接，使下部镂空的低频谐振梁1-3悬空，能够更稳定地振动。
第一金属电极层1-2均匀溅射于第一固支锚点1-1中央，与外电路相连接，用于传输电信号，外接直流电压，使低频谐振梁1-3通电。
第二金属电极层1-7均匀溅射于第二固支锚点1-6中央，与外电路相连接，用于输入输出电信号。在第二金属电极层1-7输入直流电压，使低频谐振梁1-3 通电，并通过检测输出的电信号，将电信号经过运算放大器传递到锁相放大器来得到低频谐振梁1-3的运动状态。
低频谐振器第一受激励板1-4位于低频谐振梁1-3中部上侧，底部镂空，与低频谐振梁1-3机械连接，可以随着低频谐振梁1-3一起振动，与低频谐振器激励电极板3-3形成电容为通电后的低频谐振梁1-3提供稳定的外激力。低频谐振器第二受激励板1-5位于低频谐振梁1-3中部下侧，底部镂空，与低频谐振梁1-3机械连接，可以随着低频谐振梁1-3一起振动，与高频梁谐振器第二受激励板2-5形成电容器，通过静电力与高频谐振梁2-3产生耦合。
高频谐振模块包括第三固支锚点2-1、第四固支锚点2-6、第三金属电极层 2-2、第四金属电极层2-7、高频谐振梁2-3、高频谐振器第一受激励板2-4、高频谐振器第二受激励板2-5。第三固支锚点2-1、第四固支锚点2-6分别位于高频谐振梁2-3两侧，与高频谐振梁2-3机械连接，底部与硅基底连接，使下部镂空的高频谐振梁悬空，能够更稳定地振动。第三金属电极层2-2均匀的溅射于第三固支锚点2-1中央，与外电路相连接，用于传输电信号，使高频谐振梁 2-3通电。
第四金属电极层2-6均匀溅射于第四固支锚点2-6中央，与外电路相连接，用于输入输出电信号，在四金属电极层2-7输入直流电压，使高频谐振梁1-3 通电，并通过检测输出的电信号，将电信号经过运算放大器传递到锁相放大器来得到低频谐振梁1-3的运动状态。
所述的激励模块包含低频谐振器激励模块和高频谐振器激励模块。
进一步的，低频谐振器激励模块包含第五固支锚点3-1、第五金属电极层 3-2、低频谐振器激励电极板3-3。第五固支锚点3-1与硅基底相连，中央均匀的溅射了第五金属电极层3-2，第五金属电极层3-2外接电路，输入交流电与直流电的混合信号。
低频谐振器激励电极板3-3与低频谐振器第一受激励板1-4形成电容，通过静电力将电信号转化为对低频谐振梁1-3施加的激励，产生振动。高频谐振器激励模块包含第六固支锚点4-1、第六金属电极层4-2、高频谐振器激励电极板4-3。第六固支锚点4-1与硅基底相连，中央均匀的溅射了第六金属电极层 4-2，第六金属电极层4-2外接电路，输入交流电与直流电的混合信号。高频谐振器激励电极板4-3与高频谐振器第一受激励板2-4形成电容，通过静电力将电信号转化为对高频谐振梁2-3施加的激励，产生振动。
进一步的，定义第二金属电极层2-2所通直流电压与第一金属电极层1-2 所通直流电压之差为耦合电压VC，高频谐振梁2-3的固有频率是低频谐振梁1-3 的3倍，通过扫频得到高频谐振梁2-3的在不同耦合电压VC下的幅频响应，进而可以得到高频谐振梁2-3峰值频率随耦合电压VC变化的曲线如图3所示。当耦合电压超过阈值A点时，可以观察到由非线性振子耦合引起的峰值频率不连续跳跃，即高频谐振梁2-3与低频谐振梁1-3发生内共振耦合引起的能量传递。
具体的，令耦合电压高于临界值B点，可以得到不同耦合电压VC作用下高频谐振梁2-3的幅频响应，如图4所示。随着耦合电压VC的逐渐增大高频谐振梁2-3的峰值频率仍保持连续变化，由实验测得数据拟合确定系数可极高，呈现高度线性变化，即使耦合电压变化0.01V时，高频谐振梁2-3的峰值频率变化依然保持明显的线性关系，即有较高的灵敏度，并且有较强的线性关系。
具体的，当有电荷落在低频谐振梁第二受激励板1-5和高频谐振梁第二受激励板2-5时，引起耦合电压VC变化，由高频谐振梁2-3峰值频率的变化，凭借上述线性关系计算出耦合电压VC的变化值，再根据ΔQ＝CΔVC(C为电容，Q 为电荷量)，即可推算出电荷量。
进一步的，图4中B点到C点所对应的耦合电压VC范围也较大，因此，所制作静电计量程也较大。
本发明通过利用频率比为1：3静电耦合谐振梁耦合内共振产生的非线性现象特征作为静电计检测的基础，使得MEMS谐振式静电计可以在非线性区域进行工作，扩展了一般谐振式静电计的工作区间，为谐振式静电计的应用研究扩充了方向。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (10)
1.一种基于1：3频率比非线性静电耦合的MEMS谐振式静电计，其特征在于包括高频谐振器模块、低频谐振器模块和激励模块，所述高频谐振器模块与低频谐振器模块相邻，位于两个激励模块之间，激励模块通过施加电信号来对通有直流电的高频谐振模块与低频谐振模块产生激励，高频谐振器模块与低频谐振模块通过受激励板形成电容，通过电容极板之间的静电力在高频谐振模块与低频谐振模块之间传递能量，使高频谐振模块与低频谐振模块的运动状态产生耦合，所述的低频谐振梁与高频谐振梁的固有频率比为1：3，所述的高频谐振器模块和低频谐振器模块分别通过功率放大器检测各自的运动状态。
2.根据权利要求1所述的静电计，其特征在于所述的低频谐振模块包括第一固支锚点、第二固支锚点、第一金属电极层、第二金属电极层、低频谐振梁、低频谐振器第一受激励板和低频谐振器第二受激励板，所述的第一固支锚点、第二固支锚点分别位于低频谐振梁两端，与低频谐振梁机械连接，底部与硅基底连接，使下部镂空的低频谐振梁悬空且能够更稳定地振动。
3.根据权利要求2所述的静电计，其特征在于所述的第一金属电极层均匀溅射于第一固支锚点中央，与外电路相连接，用于传输电信号，外接直流电压，使低频谐振梁通电，第二金属电极层均匀的溅射于第二固支锚点中央，与外电路相连接，用于输入输出电信号，使低频谐振梁通电，并通过检测输出的电信号，将电信号经过运算放大器传递到锁相放大器来得到低频谐振梁的运动状态。
4.根据权利要求3所述的静电计，其特征在于所述的低频谐振器第一受激励板位于低频谐振梁中部上侧，底部镂空，与低频谐振梁机械连接，能随着低频谐振梁一起振动，与低频谐振器激励电极板形成电容，为通电后的低频谐振梁提供稳定的外激力，低频谐振器第二受激励板位于低频谐振梁中部下侧，底部镂空，与低频谐振梁机械连接，能随着低频谐振梁一起振动，与高频梁谐振器第二受激励板形成电容，通过静电力与高频谐振梁产生耦合。
5.根据权利要求4所述的静电计，其特征在于所述的高频谐振模块包括第三固支锚点、第四固支锚点、第三金属电极层、第四金属电极层、高频谐振梁、高频谐振器第一受激励板、高频谐振器第二受激励板，第三固支锚点、第四固支锚点分别位于高频谐振梁两端，与高频谐振梁机械连接，底部与硅基底连接，使下部镂空的高频谐振梁悬空。
6.根据权利要求5所述的静电计，其特征在于所述的第三金属电极层均匀的溅射于第三固支锚点中央，与外电路相连接，用于传输电信号，使高频谐振梁通电，第四金属电极层均匀的溅射于第四固支锚点中央，与外电路相连接，用于输入输出电信号，使高频谐振梁通电，并通过检测输出的电信号，将电信号经过运算放大器传递到锁相放大器来得到高频谐振梁的运动状态。
7.根据权利要求6所述的静电计，其特征在于所述的激励模块包含低频谐振器激励模块和高频谐振器激励模块，低频谐振器激励模块包含第五固支锚点、第五金属电极层、低频谐振器激励电极板，第五固支锚点与硅基底相连，中央均匀溅射了第五金属电极层，第五金属电极层外接电路，输入交流电与直流电的混合信号，低频谐振器激励电极板与低频谐振器第一受激励板形成电容，通过静电力将电信号转化为对低频谐振梁施加的激励，产生振动；
高频谐振器激励模块包含第六固支锚点、第六金属电极层和高频谐振器激励电极板，第六固支锚点与硅基底相连，中央均匀溅射了第六金属电极层，第六金属电极层外接电路，输入交流电与直流电的混合信号。高频谐振器激励电极板与高频谐振器第一受激励板形成电容，通过静电力将电信号转化为对高频谐振梁施加的激励，产生振动。
8.根据权利要求5所述的静电计，其特征在于所述的第一固支锚点、第二固支锚点、第三固支锚点、第四固支锚点、第五固支锚点和第六固支锚点均为正方形结构，边长范围是100～300μm。
9.根据权利要求5所述的静电计，其特征在于所述的第一金属电极层、第二金属电极层、第三金属电极层、第四金属电极层、第五金属电极层和第六金属电极层均为正方形结构边长为80～250μm。
10.根据权利要求7所述的静电计，其特征在于所述的低频谐振梁激励电极板与低频谐振器第一受激励板之间均存在1～10μm间隙并形成电容，高频谐振梁激励电极板与高频谐振器第一受激励板之间均存在1～10μm间隙并形成电容，低频谐振器第二受激励板与高频谐振器第二受激励板之间均存在1～10μm间隙并形成电容，低频谐振梁和高频谐振梁是双端固支的单梁，长度范围是10～500μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111482786.1A CN114200223A (zh) | 2021-12-07 | 2021-12-07 | 一种基于1：3频率比非线性静电耦合的mems谐振式静电计 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111482786.1A CN114200223A (zh) | 2021-12-07 | 2021-12-07 | 一种基于1：3频率比非线性静电耦合的mems谐振式静电计 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114200223A true CN114200223A (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=80650890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111482786.1A Withdrawn CN114200223A (zh) | 2021-12-07 | 2021-12-07 | 一种基于1：3频率比非线性静电耦合的mems谐振式静电计 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114200223A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008044720A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Résonateur micromécanique |
| CN102067442A (zh) * | 2008-06-18 | 2011-05-18 | Nxp股份有限公司 | 用于滤波和混合的mems谐振器 |
| US20150280686A1 (en) * | 2012-10-08 | 2015-10-01 | Rakon Limited | Multi-Function Frequency Control Device |
| CN107796996A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-13 | 浙江大学 | 具有单自由端的弯曲梁微谐振式静电计及电荷检测方法 |
| CN207882297U (zh) * | 2018-03-19 | 2018-09-18 | 重庆科技学院 | 一种静电谐振式加速度计 |
| CN112924721A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-08 | 西安交通大学 | 一种基于参数泵的超谐同步带宽增强方法及系统 |
| CN113098427A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-09 | 西安交通大学 | 一种基于mems谐振器耦合振子的声子频率梳生成方法 |
-
2021
- 2021-12-07 CN CN202111482786.1A patent/CN114200223A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008044720A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Résonateur micromécanique |
| CN102067442A (zh) * | 2008-06-18 | 2011-05-18 | Nxp股份有限公司 | 用于滤波和混合的mems谐振器 |
| US20150280686A1 (en) * | 2012-10-08 | 2015-10-01 | Rakon Limited | Multi-Function Frequency Control Device |
| CN107796996A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-03-13 | 浙江大学 | 具有单自由端的弯曲梁微谐振式静电计及电荷检测方法 |
| CN207882297U (zh) * | 2018-03-19 | 2018-09-18 | 重庆科技学院 | 一种静电谐振式加速度计 |
| CN112924721A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-08 | 西安交通大学 | 一种基于参数泵的超谐同步带宽增强方法及系统 |
| CN113098427A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-09 | 西安交通大学 | 一种基于mems谐振器耦合振子的声子频率梳生成方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| XUEFENG WANG等: "Frequency locking in the internal resonance of two electrostatically coupled micro-resonators with frequency ratio 1:3", 《MECHANICAL SYSTEMS AND SIGNAL PROCESSING》 * |
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