CN114171699A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114171699A
CN114171699A CN202111450469.1A CN202111450469A CN114171699A CN 114171699 A CN114171699 A CN 114171699A CN 202111450469 A CN202111450469 A CN 202111450469A CN 114171699 A CN114171699 A CN 114171699A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic light
display panel
nanowire
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111450469.1A
Other languages
English (en)
Inventor
段廷原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202111450469.1A priority Critical patent/CN114171699A/zh
Publication of CN114171699A publication Critical patent/CN114171699A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括柔性基板以及位于柔性基板上的发光功能层，发光功能层包括位于柔性基板上的阳极层、位于阳极层上的有机发光层以及位于有机发光层上的阴极层；其中，阴极层为纳米线网，纳米线网远离有机发光层的一侧具有多个第一凹槽；本发明通过将阴极层采用纳米线网制作，形成一维纳米线结构，可大大增强阴极层的弯折能力，不易发生断裂；采用按压机构在纳米线网远离有机发光层的一侧通过按压形成多个第一凹槽，可降低阴极层的界面全反射，增加显示面板的出光效率，制作工艺简单，可适用于大尺寸显示面板。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
目前，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板因其对比度高、轻薄、自发光、挠性等特点，被广泛应用于显示领域。OLED显示面板包括依次形成于基板上的阳极、有机发光层和阴极。对于顶发射型OLED显示面板，光出射的路径一般为：有机发光层-阴极-盖板-空气，有机发光层出射的光需要经过四段路径才可以到达空气中而入射到人的眼睛。其中，有机发光层为有机小分子材料，其折射率大致为1.6至1.7，阴极的折射率大致为1.8至1.9，盖板的折射率为1.5，空气的折射率为1.0。因此，光从有机发光层出射到空气中，是从光密介质到光疏介质进行传递，会存在全反射现象，入射角大于或等于临界角的光线由于全反射而不能到达盖板，不能到达盖板的光会损失。目前，OLED显示面板的发光效率仅为17％左右，其中大部分的光由于上述界面全反射而损失。
现有技术通过在阴极上制作微透镜阵列，以降低界面全反射，提高光的出射率。制作微透镜阵列的方法主要有光敏玻璃热成型法、激光直写方法、光刻胶热回流方法、反应离子刻蚀法、热压模成型法等。其中，激光直写方法主要包括以下三个步骤：(1)在计算机上设计微透镜阵列的曝光图案；(2)将曝光图案写入激光直写系统中；(3)将带有光刻胶的基板放在直写平台上，进行激光刻写，刻写后清理表面残留物，得到阵列结构。光刻胶热回流方法主要包括以下三个步骤：(1)以目标图案为曝光图案，利用掩模板的遮蔽使基板的光刻胶曝光；(2)清洗残留杂物；(3)在加热平台上加热，使之热熔成型。以上工艺的流程均比较复杂，而且制作的成品会由于工艺本身存在问题，使得制作的微透镜并不是很理想；其次，由于材料的机械性能和化学性能问题导致其光学性能并不是很好。即现有技术制作微透镜阵列的工艺复杂，难以在大尺寸显示面板实现。而且目前柔性可弯折显示面板的阴极为金属薄膜，因为金属薄膜较脆，容易发生膜层断裂，使得显示面板失效。故，有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板，用于解决现有技术的显示面板制作微透镜阵列的工艺复杂，以及阴极采用金属薄膜容易断裂，导致显示面板失效的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括柔性基板以及位于所述柔性基板上的发光功能层，所述发光功能层包括位于所述柔性基板上的阳极层、位于所述阳极层上的有机发光层以及位于所述有机发光层上的阴极层；其中，所述阴极层为纳米线网，所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧具有多个第一凹槽。
在本发明实施例提供的显示面板中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一凹槽的形状为圆形、矩形、正六边形中的任一种。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述纳米线网靠近所述有机发光层的一侧具有多个凸起，所述凸起与所述第一凹槽一一对应。
在本发明实施例提供的显示面板中，在垂直于所述显示面板的出光侧的方向上，所述凸起的宽度大于所述第一凹槽的宽度。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述有机发光层靠近所述纳米线网的一侧具有多个第二凹槽，所述第二凹槽与所述凸起一一对应，所述凸起与所述第二凹槽的内壁相贴合。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述有机发光层靠近所述纳米线网的一侧的表面粗糙度大于所述有机发光层靠近所述阳极层的一侧的表面粗糙度。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述纳米线网的材料为银、铜、铝中的任一种或包括导电金属的合金。
本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括：在柔性基板上制备阳极层；在所述阳极层上制备有机发光层；在所述有机发光层上制备阴极层，所述阴极层为纳米线网；在所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧制备多个第一凹槽。
在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，所述在所述有机发光层上制备阴极层，所述阴极层为纳米线网，包括：将生长在硅片上的纳米线剥离，分散在中性乙醇或异丙醇内，形成混合溶液；将所述混合溶液沉积在所述有机发光层上；将所述混合溶液中的水分烘干，形成纳米线网。
在本发明实施例提供的显示面板的制备方法中，所述在所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧制备多个第一凹槽，包括：采用按压机构按压所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧，以形成多个第一凹槽。
有益效果：本发明实施例提供的一种显示面板，包括柔性基板以及位于柔性基板上的发光功能层，发光功能层包括位于柔性基板上的阳极层、位于阳极层上的有机发光层以及位于有机发光层上的阴极层；其中，阴极层为纳米线网，纳米线网远离有机发光层的一侧具有多个第一凹槽；本发明通过将阴极层采用纳米线网制作，形成一维纳米线结构，可大大增强阴极层的弯折能力，不易发生断裂；采用按压机构在纳米线网远离有机发光层的一侧通过按压形成多个第一凹槽，可降低阴极层的界面全反射，增加显示面板的出光效率，制作工艺简单，可适用于大尺寸显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图。
图2是本发明实施例提供的全反射原理示意图。
图3是本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。
图4a～图4e是本发明实施例提供的显示面板的制备工艺流程中各组件的基本结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在附图中，为了清晰及便于理解和描述，附图中绘示的组件的尺寸和厚度并未按照比例。
如图1所示，为本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图，所述显示面板包括柔性基板10以及位于所述柔性基板10上的发光功能层20，所述发光功能层20包括位于所述柔性基板10上的阳极层201、位于所述阳极层201上的有机发光层202以及位于所述有机发光层202上的阴极层203；其中，所述阴极层203为纳米线网，所述纳米线网远离所述有机发光层202的一侧具有多个第一凹槽40。
需要说明的是，本实施例提供的纳米线网是由纳米线组合而成，纳米线是一种在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。一般而言，纳米线的纵横比在1000以上，因此通常被称为一维材料。而且，随着尺寸的减小，相比大块材料，纳米线具有更好的机械性能，强度更强、韧度更好，不易发生弯折断裂。
可以理解的是，现有技术一般采用二维金属薄膜材料制作阴极，在弯折过程中，二维金属薄膜极易发生断裂，导致显示面板失效，而且在二维金属薄膜上制备微透镜阵列的工艺比较复杂，不适于大尺寸显示面板。本发明通过将阴极层203采用纳米线网制作，形成一维纳米线结构，可大大增强阴极层203的弯折能力，不易发生断裂；采用按压机构在纳米线网远离有机发光层202的一侧通过按压形成多个第一凹槽40，可降低阴极层203的界面全反射，增加显示面板的出光效率，制作工艺简单，可适用于大尺寸显示面板。
具体的，请参阅图2，为本发明实施例提供的全反射原理示意图，当大于或等于临界角的入射光从光密介质射向光疏介质，在遇到平面形界面时，会形成平面形全反射光，从而射回原介质内，这部分光被损失，导致出光效率低。当大于或等于临界角的入射光从光密介质射向光疏介质，在遇到圆弧形界面时，不会发生全反射，从而形成圆弧形出射，射出原介质，因此，采用圆弧形界面结构可以提高出光效率。继续参阅图1，本发明实施例通过在纳米线网远离有机发光层202的一侧设置多个第一凹槽40，使得纳米线网远离有机发光层202的一侧具有波浪形的圆弧结构，可以提高显示面板的出光效率。
在一种实施例中，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一凹槽40的形状为圆形、矩形、正六边形中的任一种。其中，圆形、矩形、正六边形均为类圆形结构，可以消除或者减轻界面之间的全反射效应，从而提高出光效率。
在一种实施例中，所述纳米线网靠近所述有机发光层202的一侧具有多个凸起50，所述凸起50与所述第一凹槽40一一对应。需要说明的是，所述第一凹槽40是通过采用按压机构按压形成的，在按压过程中，由于纳米线网很薄，因此，纳米线网形成第一凹槽40的对侧会相应形成多个凸起50。即所述多个凸起50是在形成多个第一凹槽40的过程中同步产生的，并不需要额外增加一道形成凸起50的工艺，节约了生产成本。
在一种实施例中，在垂直于所述显示面板的出光侧的方向上，所述凸起50的宽度大于所述第一凹槽40的宽度。可以理解的是，在按压形成多个第一凹槽40的过程中，由于纳米线网形成第一凹槽40的对侧设置有有机发光层202，在形成多个凸起50的过程中，有机发光层202会给纳米线网一部分阻力，使得多个凸起50会朝垂直于所述显示面板的出光侧的方向移动，使得凸起50的宽度要大于第一凹槽40的宽度。
在一种实施例中，所述有机发光层202靠近所述纳米线网的一侧具有多个第二凹槽60，所述第二凹槽60与所述凸起50一一对应，所述凸起50与所述第二凹槽60的内壁相贴合。可以理解的是，所述第二凹槽60是由于纳米线网挤压而形成的，由于纳米线网靠近有机发光层202的一侧形成了多个凸起50，多个凸起50挤压有机发光层202，从而形成了多个第二凹槽60，因此，纳米线网与有机发光层202之间的接触界面变大，可以使纳米线网与有机发光层202接触更加紧密，有利于电子的传输。
在一种实施例中，所述有机发光层202靠近所述纳米线网的一侧的表面粗糙度大于所述有机发光层202靠近所述阳极层201的一侧的表面粗糙度。需要说明的是，所述有机发光层202包括图中未示出的空穴传输层、发光材料层以及电子传输层，其中，发光材料层位于空穴传输层和电子传输层之间，空穴传输层位于阳极层201和发光材料层之间，电子传输层位于阴极层203和发光材料层之间。具体的，所述多个第二凹槽60形成于电子传输层远离发光材料层的一侧，可通过调控电子传输层的厚度，使得电子传输层能包容所述多个凸起50。本发明实施例通过将有机发光层202靠近纳米线网的一侧的表面粗糙度设置为大于有机发光层202靠近阳极层201的一侧的表面粗糙度，以使得有机发光层202靠近阳极层201的一侧较为平整，避免影响发光材料层的平整度。
在一种实施例中，所述纳米线网的材料为银、铜、铝中的任一种或包括导电金属的合金。
在一种实施例中，所述显示面板还包括像素定义层30，所述像素定义层30位于所述柔性基板10上，所述像素定义层30包括多个像素开口，所述有机发光层202位于所述像素开口内。所述阴极层203覆盖所述有机发光层202和所述像素定义层30。
在一种实施例中，所述显示面板还包括图中未示出的驱动电路层，所述驱动电路层位于所述柔性基板10和所述阳极层201之间，所述驱动电路层用于给所述阳极层201提供驱动电压，使所述阳极层201与所述阴极层203之间产生电场，所述阳极层201产生的空穴和所述阴极层203产生的电子在有机发光层202中复合产生激子，激子辐射跃迁从而发光。
接下来，请参阅图3，为本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图，所述制备方法包括：
S1、在柔性基板上制备阳极层；
S2、在所述阳极层上制备有机发光层；
S3、在所述有机发光层上制备阴极层，所述阴极层为纳米线网；
S4、在所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧制备多个第一凹槽。
可以理解的是，本发明通过将阴极层采用纳米线网制作，形成一维纳米线结构，可大大增强阴极层的弯折能力，不易发生断裂；通过在纳米线网远离有机发光层的一侧制备多个第一凹槽，可降低阴极层的界面全反射，增加显示面板的出光效率。
在一种实施例中，所述在所述有机发光层上制备阴极层，所述阴极层为纳米线网，包括：将生长在硅片上的纳米线剥离，分散在中性乙醇或异丙醇内，形成混合溶液；将所述混合溶液沉积在所述有机发光层上；将所述混合溶液中的水分烘干，形成纳米线网。可以理解的是，本实施例提供的纳米线网是由纳米线制备而成，纳米线是一种在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。一般而言，纳米线的纵横比在1000以上，因此通常被称为一维材料。而且，随着尺寸的减小，相比大块材料，纳米线具有更好的机械性能，强度更强、韧度更好，使得制备而成的阴极层不易发生弯折断裂。
在一种实施例中，所述在所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧制备多个第一凹槽，包括：采用按压机构按压所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧，以形成多个第一凹槽。可以理解的是，所述多个第一凹槽是通过采用按压机构按压形成的，制作工艺简单，可适用于大尺寸显示面板。
接下来，请参阅图4a～图4e，为本发明实施例提供的显示面板的制备工艺流程中各组件的基本结构示意图，首先如图4a所示，采用气相沉积或者液相生长在硅片上制作纳米线；然后将生长在硅片上的纳米线通过超声或者机械剥离的方式，使纳米线分散在中性乙醇或者异丙醇等溶剂中，形成混合溶液71(如图4b)。
接下来，如图4b所示，通过打印的方式或者旋涂的方式将所述混合溶液71沉积在有机发光层202和像素定义层30上，例如采用喷墨打印装置70将混合溶液71打印在有机发光层202和像素定义层30上，在其他实施例中，也可以采用旋涂设备(图未示)将混合溶液71旋涂在有机发光层202和像素定义层30上。
接下来，如图4c所示，采用高温加热或其他方式将图4b所示的部件中的水分烘干，即可形成纳米线网。
接下来，如图4d所示，采用按压机构72按压纳米线网，其中，按压机构72的一侧设置有多个第二凸起73，通过将按压机构72设置有多个第二凸起73的一侧朝向纳米线网远离有机发光层202的一侧，然后按压，以形成如图4e所示的多个第一凹槽40，柔性可增强出光的阴极层203即制作完成。由于纳米线网较薄，相应的，纳米线网形成第一凹槽40的对侧会形成多个凸起50，有机发光层202靠近纳米线网的一侧会形成多个第二凹槽60，多个凸起50与多个第二凹槽60的内壁相贴合。
本发明实施例还提供一种显示终端，包括终端主体和上述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。其中，所述显示面板的基本结构及其制备方法请参阅图1至图4e及其相关说明，此处不再赘述。本发明实施例提供的显示终端可以为：手机、平板电脑、笔记本电脑、电视机、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或部件。
综上所述，本发明实施例提供的一种显示面板，包括柔性基板以及位于柔性基板上的发光功能层，发光功能层包括位于柔性基板上的阳极层、位于阳极层上的有机发光层以及位于有机发光层上的阴极层；其中，阴极层为纳米线网，纳米线网远离有机发光层的一侧具有多个第一凹槽；本发明通过将阴极层采用纳米线网制作，形成一维纳米线结构，可大大增强阴极层的弯折能力，不易发生断裂；采用按压机构在纳米线网远离有机发光层的一侧通过按压形成多个第一凹槽，可降低阴极层的界面全反射，增加显示面板的出光效率，制作工艺简单，可适用于大尺寸显示面板，解决了现有技术的显示面板制作微透镜阵列的工艺复杂，以及阴极采用金属薄膜容易断裂，导致显示面板失效的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括柔性基板以及位于所述柔性基板上的发光功能层，所述发光功能层包括：
阳极层，位于所述柔性基板上；
有机发光层，位于所述阳极层上；
阴极层，位于所述有机发光层上；
其中，所述阴极层为纳米线网，所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧具有多个第一凹槽。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的俯视图方向上，所述第一凹槽的形状为圆形、矩形、正六边形中的任一种。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米线网靠近所述有机发光层的一侧具有多个凸起，所述凸起与所述第一凹槽一一对应。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述显示面板的出光侧的方向上，所述凸起的宽度大于所述第一凹槽的宽度。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光层靠近所述纳米线网的一侧具有多个第二凹槽，所述第二凹槽与所述凸起一一对应，所述凸起与所述第二凹槽的内壁相贴合。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光层靠近所述纳米线网的一侧的表面粗糙度大于所述有机发光层靠近所述阳极层的一侧的表面粗糙度。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米线网的材料为银、铜、铝中的任一种或包括导电金属的合金。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在柔性基板上制备阳极层；
在所述阳极层上制备有机发光层；
在所述有机发光层上制备阴极层，所述阴极层为纳米线网；
在所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧制备多个第一凹槽。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述有机发光层上制备阴极层，所述阴极层为纳米线网，包括：
将生长在硅片上的纳米线剥离，分散在中性乙醇或异丙醇内，形成混合溶液；
将所述混合溶液沉积在所述有机发光层上；
将所述混合溶液中的水分烘干，形成纳米线网。
10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧制备多个第一凹槽，包括：
采用按压机构按压所述纳米线网远离所述有机发光层的一侧，以形成多个第一凹槽。
CN202111450469.1A 2021-11-30 2021-11-30 显示面板及其制备方法 Pending CN114171699A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111450469.1A CN114171699A (zh) 2021-11-30 2021-11-30 显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111450469.1A CN114171699A (zh) 2021-11-30 2021-11-30 显示面板及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114171699A true CN114171699A (zh) 2022-03-11

Family

ID=80481846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111450469.1A Pending CN114171699A (zh) 2021-11-30 2021-11-30 显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114171699A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012176692A1 (ja) * 2011-06-22 2012-12-27 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US20130105770A1 (en) * 2011-10-13 2013-05-02 Cambrios Technologies Corporation Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
CN205194746U (zh) * 2015-12-15 2016-04-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光二极管器件及具有其的显示面板
JP2021007074A (ja) * 2019-06-28 2021-01-21 コニカミノルタ株式会社 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
CN112331794A (zh) * 2019-11-04 2021-02-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012176692A1 (ja) * 2011-06-22 2012-12-27 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US20130105770A1 (en) * 2011-10-13 2013-05-02 Cambrios Technologies Corporation Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
CN205194746U (zh) * 2015-12-15 2016-04-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光二极管器件及具有其的显示面板
JP2021007074A (ja) * 2019-06-28 2021-01-21 コニカミノルタ株式会社 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
CN112331794A (zh) * 2019-11-04 2021-02-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107887331B (zh) 一种Micro-LED发光显示器件的制备方法
CN101197355B (zh) 电子器件及其制造方法、发光二极管显示单元及其制造方法
US9178179B2 (en) Electroluminescent device and method for producing the same
WO2003007663A9 (en) Micro-lens arrays for display intensity enhancement
US10236279B2 (en) Emissive display with light management system
US9594193B2 (en) Printing plate, scattering layer, method for fabricating the same, and display apparatus
CN111146215B (zh) 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN110911583B (zh) 有机发光显示盖板及制作方法、显示装置
KR100767903B1 (ko) 마스크의 제조 방법, 성막 방법, 전자 장치 및 전자기기
CN108962965B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111599936B (zh) 一种有机发光显示面板及制备方法
US9450205B2 (en) Opto-electric device and method for manufacturing the same
EP3506379B1 (en) Oled device and manufacturing method therefor, display panel, and display apparatus
CN109119450B (zh) 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
US10381332B2 (en) Fabrication method for emissive display with light management system
TW201240187A (en) Method for patterning a lacquer layer to hold electrical gridlines
CN111799237B (zh) 一种显示基板及其制造方法、显示装置
CN111261721B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN114171699A (zh) 显示面板及其制备方法
WO2020192041A1 (zh) 显示装置、显示面板及其制作方法
CN111430574A (zh) 一种有机发光器件及其制备方法、显示面板
CN111584758B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
JP2010087118A (ja) 薄膜パターンの形成方法、並びに、圧電素子および表示素子の製造方法
US11469394B2 (en) Array substrate having enhanced light extraction efficiency, preparation method therefor, and display device
CN113571668B (zh) 一种阵列基板、其制备方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination