CN114171543A - 具驱动ic的像素单元、包含该像素单元的发光装置及其制法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Led Devices (AREA)
Abstract
一种发光装置的制法、一种像素单元以及一种发光装置,该发光装置的制法包括:一片驱动集成电路晶圆具备多个控制电路;通电发出红、绿与蓝三色光的三颗微型LED为一组,多组微型LED堆栈在驱动集成电路晶圆,电连接相应的控制电路予以封装;封装后的驱动集成电路晶圆经激光切割为多个驱动IC,该驱动IC的控制电路电连接单组微型LED,成为3D封装堆栈构装的一个像素单元;以及,多个像素单元转移到单片显示基板的电子线路予以串连,合组为单片式发光装置,电连接多片显示基板的电子线路组成多片式发光装置。因此,本发明可制作具备驱动IC的像素单元,占用显示基板最小的表面积,提供极佳的填充率,具备透明区域最大化的优势,成为透明显示器的理想选择。
Description
技术领域
本发明涉及显示器的技术领域,特别是指一种像素单元,本身具备一个驱动IC;一种发光装置包含所述的像素单元;以及,一种制作方法,生产该像素单元与发光装置的流程。
背景技术
已知的显示器包括,多个电路阵列(或称主动阵列)控制的发光元件或像素。所述的电路阵列包含一个或以上的晶体管,以驱动器操作关联的像素;以及,一个或以上的电容器用于显示器多次更新的像素偏压维持。
迄今,通过液晶系技术(即液晶显示面板,原文缩写LCD)和电浆系技术(即电浆显示面板)两种技术,让显示器拥有大尺寸与使用期限长的发光面板。然而,液晶显示面板存在功率效率与方向性等问题,电浆显示面板则有功率消耗和屏幕烙印等问题。
以有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,缩写为OLED)为基础开发出替代的技术,却没有得到令人满意的成果。甚至,该OLED的使用期限较短,造成显示器的闪烁问题,缩减频繁更换的装置(如智能手机)采用OLED制作显示器的意愿。
另外,所述的LCD、电浆显示面板与OLED等技术,采用薄膜沉积技术制造的控制电路称为薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,缩写为TFT)。譬如LCD通过连续沉积原料的薄膜形成5到9个通道区,电连接控制电路的晶体管、电容器、电气线路等组件。因此,根据TFT技术制造的控制电路成本非常昂贵。同时,TFT技术制作大尺寸主动阵列,需要大面积沉积薄膜的机器或设备,实质上增加制造的成本,成为少数的投资者能够经营高成本TFT技术的门坎。
发明内容
鉴于此,本案发明人提供一种制作方法,主要目的在于:采用制程、结构简化的流程,有别于LCD、电浆显示面板与OLED等技术,生产低成本、整合性高且量产率佳的发光装置。
根据上述方法制作的发光装置,主要目的之一在于:采取占用显示基板最小表面积的像素单元,提供极佳的填充率(Fill Ratio),具备透明区域最大化的优势,成为透明显示器的理想选择,而且制作成本比TFT低廉,显示效果大致相同于LCD、电浆显示面板与OLED等技术。
根据上述方法制作的像素单元,主要目的之一在于:采用微型发光二极管(LightEmitting Diode,缩写为LED)直接堆栈在驱动IC的结构,具备电连接的距离最短,以表面黏着技术(Surface Mount Technology,缩写为SMT)将驱动IC附着在显示基板,只要用简易的串接线路就能操作每个微型LED发光,整合性比LCD、电浆显示面板与OLED来得优异。
源于上述目的的达成,本发明的发光装置制法,包括:一片驱动集成电路晶圆具备多个控制电路;通电发出红、绿与蓝三色光的三颗微型LED为一组,多组微型LED堆栈在驱动集成电路晶圆,电连接相应的控制电路予以封装;封装后的驱动集成电路晶圆经激光切割为多个驱动IC,该驱动IC的控制电路电连接单组微型LED,成为3D封装堆栈构装的一个像素单元;以及,多个像素单元转移到单片显示基板的电子线路予以串连,合组为单片式发光装置,电连接多片显示基板的电子线路组成多片式发光装置。
其中,所述的显示基板是可挠式透明基板、可挠式非透明基板、玻璃基板与印刷电路板(Printed Circuit Board,缩写PCB)之一。
本发明的像素单元,包括:一个驱动IC具备一个控制电路;通电发出红、绿与蓝三色光的三颗微型LED为一组,该组微型LED堆栈在驱动IC单面电连接控制电路;以及,一个树脂成形部是透明的,其粘着该组微型LED与驱动IC可视的表面。
其中,该控制电路包括:单线数据时钟恢复通信输入的一个第二脚位与输出的一个第五脚位;侦测且防止坏节点阻隔的一个第四脚位;一个脉宽调变器及数据锁;以及,一个恒定电流驱动器。或者,该控制电路的多个上层焊垫在驱动IC单面,该控制电路的多个下层焊垫在驱动IC另面,相应的上层焊垫与下层焊垫通过一个硅通孔保持电连接关系。
因此,本发明的像素单元选自下列实施例之一:
在第一实施例中,该微型LED底面的N极与P极,电连接驱动IC单面不同的上层焊垫,组成电的简单回路。
在第二实施例中,一条金属线一端电连接微型LED顶面的N极,另端电连接控制电路,该控制电路电连接微型LED底面的P极,同样能形成电的回路。
在第三实施例中,该微型LED顶面的N极电连接一个ITO透明导电膜,该ITO透明导电膜电连接一根微型金属柱,该微型金属柱经由控制电路电连接微型LED底面的P极,也会形成电的回路。
不同的是,第一实施例以树脂成形部封住微型LED;第二实施例以树脂成形部封住微型LED与金属线;第三实施例的树脂成形部粘着驱动IC与ITO透明导电膜,同时封住微型LED与微型金属柱。
本发明的发光装置,包括:多个像素单元,该像素单元有一组微型LED堆栈在一个驱动IC的单面,一个透明的树脂成形部粘着微型LED与驱动IC可视的表面,该组微型LED电连接驱动IC的一个控制电路,通电可发出红、绿与蓝三色光;以及,一片显示基板的一段电子线路,串连多个像素单元与一个模块连接器。其中,一个控制器电连接多个模块连接器,将多片显示基板连在一起。
从制作方法的角度来看,本发明采用简易的制程,生产结构简易的发光装置,不仅生产低成本,而且整合性高、量产率佳,较LCD、电浆显示面板与OLED等技术更加优异。
在结构方面,本发明的发光装置采取像素单元占用显示基板最小的表面积,提供极佳的填充率,具备透明区域最大化的优势,不仅制作成本比TFT低廉,而且显示效果大致相同LCD、电浆显示面板与OLED等技术,成为透明显示器的理想选择。
其次,本发明的像素单元用微型LED直接堆栈在驱动IC,具备电连接的距离最短,以SMT技术将驱动IC附着在显示基板,那么显示基板只要配制简单的串接线路,就能操作各个微型LED发光,故整合性比现有技术更加优异。
为使本发明的目的、特征和优点浅显易懂,兹举一个或以上较佳的实施例,配合所附的图式详细说明如下。
附图说明
图1绘制本发明制作发光装置的流程。
图2、图3显示晶圆形成微型LED的简化过程。
图4表现微型LED堆栈在驱动集成电路晶圆上面。
图5、图6依俯瞰与正视角度绘制本发明像素单元的第一实施例。
图7以功能区块显示驱动IC的控制电路。
图8表现单片式发光装置。
图9绘制多片式发光装置。
图10、图11依立体和正视角度观察本发明像素单元的第二实施例。
图12依正视角度显示本发明像素单元的第三实施例。
附图标记说明:10-步骤一;12-步骤二14-步骤三;16-步骤四;20-晶圆;21-第一脚位;22-微型LED;23-第二脚位;24-驱动集成电路晶圆;25-第三脚位;26-驱动IC;27-第四脚位;29-第五脚位;30、60、70-像素单元;31-上层焊垫;32-树脂成形部;33-下层焊垫;34、64、74-N极;36、66、76-P极;38-硅通孔;40-控制电路;42-脉宽调变器及数据锁;44-恒定电流驱动器;50-发光装置;52-显示基板;54-电子线路;56-模块连接器;58-控制器;62-金属线;72-ITO透明导电膜;78-微型金属柱。
具体实施方式
图1是流程图,执行步骤一10、步骤二12、步骤三14到步骤四16,能够制作本发明所称的一种发光装置。
其中,步骤一10是指:一片驱动集成电路晶圆具备多个控制电路。
步骤二12是指:通电发出红、绿与蓝三色光的三颗微型LED为一组,多组微型LED堆栈在驱动集成电路晶圆,电连接相应的控制电路予以封装。
步骤三14是指:封装后的驱动集成电路晶圆经激光切割为多个驱动IC,该驱动IC的控制电路电连接单组微型LED,成为3D封装堆栈构装的一个像素单元。
至于步骤四16:多个像素单元转移到单片显示基板的电子线路予以串连,合组为单片式发光装置,电连接多片显示基板的电子线路组成多片式发光装置。
具体而言,一片晶圆20(Wafer,见图2)激光切割多颗微型LED 22(见图3)。该微型LED 22的尺寸在100μm以下,厚度缩减至50μm以下的微型LED 22,有别于普遍LED尺寸从100μm到1000μm,厚度由100μm至500μm的范围。通电后,该微型LED 22发出红色的光。
根据红、绿与蓝(RGB)三原色原则,还需要通电发出绿光的一款微型LED 22,以及射出蓝光的另款微型LED 22,两款微型LED 22可重复第2、3图的流程生产制造出来。
从图4不难理解,所述的驱动集成电路晶圆24规划多个阵列的方块区域。每个方块区域放大至图6的比例,可以看到多个上层焊垫31(Bond Pad)在驱动集成电路晶圆24的单面(或称顶面),多个下层焊垫33(Bond Pad)在驱动集成电路晶圆24的另面(或称底面)。
通过硅穿孔(Through Silicon Via,缩写为TSV)制程,形成穿透驱动集成电路晶圆24的多个硅通孔38,该硅通孔38让上层焊垫31与相应的下层焊垫33垂直互连,故上层焊垫31配合下层焊垫33成为控制电路的脚位,保持电连接关系。
在图4中,该微型LED 22与驱动集成电路晶圆24,采用一种3D封装堆栈构装技术予以封装。在本实施例,对覆晶(Flip Chip)式微型LED 22执行芯片尺寸构装(Chip ScalePackage,缩写为CSP)的封装,依序执行下列流程:
步骤二a1):该驱动集成电路晶圆24接收微型LED 22的位置(见图6),点上些许的导电银胶或锡膏;
步骤二a2):多颗(RGB)微型LED 22巨量转移至驱动集成电路晶圆24的点胶(或点锡)位置;
步骤二a3):通过烘烤固化的固晶作业,致使垂直式微型LED 22的两极(亦即N极34与P极36)焊接控制电路的上层焊垫31(见图6);以及
步骤二a4):进行树脂封胶(Resin Molding)的烘烤作业,使微型LED 22固定在驱动集成电路晶圆24的单面(或称顶面)。
图5、图6显示驱动集成电路晶圆封装后,历经激光切割为多个像素单元30,完成步骤三的作业。
具体而言,该像素单元30包括:一个驱动IC 26具备一个控制电路40(见图7);RGB的三颗微型LED 22为一组,该组微型LED 22堆栈在驱动IC 26单面电连接控制电路40;以及,一个树脂成形部32是透明的,其粘着该组微型LED 22与驱动IC 26可视的表面。
其中,该微型LED 22底面两侧的N极34与P极36,电连接该驱动IC 26单面不同的上层焊垫31,组成电的简单回路。因此,该驱动IC 26的控制电路40(见图7)电连接一组微型LED 22,成为单个3D封装堆栈构装的像素单元30。
该微型LED 22直接堆栈在驱动IC 26,具备电连接的距离最短。而且,该控制电路40其余的上层焊垫31界定为一个第一脚位21、一个第二脚位23、一个第三脚位25、一个第四脚位27与一个第五脚位29,每个脚位经由硅通孔38电连接相应的下层焊垫33。
如图5、图7所示,该第二脚位23是输入端,该第五脚位29是输出端,构成单线数据时钟恢复通信,使每个驱动IC能够串连做显示数据通讯。该第四脚位27侦测任一驱动IC毁损,将毁损者排除回路外,防止坏节点的阻隔,直接越过并进入下一个驱动IC 26,使后续的运作能够顺利进行。
至于第一脚位21,则是驱动IC 26的接地部位。另外,该第三脚位25供应所需的电力。
该控制电路40还包括:一个脉宽调变器及数据锁42与一个恒定电流驱动器44,所述的恒定电流驱动器44电连接该组RGB微型LED 22,克服模拟调光的波长改变、亮度不均等缺点。
图8是平面图,表现多个像素单元30转移到一片显示基板52。以SMT技术将驱动IC附着在显示基板52,那么显示基板52只要配制简单的电子线路54,将全部的像素单元30串连在一起,电连接一个模块连接器56接通电力,就能成为一个发光装置50,完成步骤四的作业。所述的发光装置50是单片式,操作各个微型LED发光,具备优异的整合性。
图9也是平面图,显示一个控制器58电连接多个模块连接器56,将多片显示基板52连在一起,合组为多片式发光装置50,同样能完成步骤四的作业。
因为像素单元30占用显示基板52最小的表面积,提供极佳的填充率,具备透明区域最大化的优势,所以发光装置50成为透明显示器的理想选择。
此处所称的显示基板52,泛指可挠式透明基板、可挠式非透明基板、玻璃基板与PCB电路板之一。
图10、图11绘制像素单元60的第二实施例,制作流程不同于第一实施例:对垂直式微型LED 22进行芯片板(Chip On Board,缩写为COB)封装,依序执行下列流程:
步骤二b1):该驱动集成电路晶圆接收微型LED的位置,点上些许的导电银胶或锡膏;
步骤二b2):多颗(RGB)微型LED 22巨量转移至驱动集成电路晶圆的点胶(或点锡)位置;
步骤二b3):通过烘烤固化的固晶作业,致使垂直式微型LED 22的P极66焊接控制电路的接点;
步骤二b4):微型LED 22的N极64与控制电路的接点,点上些许的导电银胶或锡膏;
步骤二b5):一条金属线62的一端焊接微型LED 22的N极64点胶(或点锡)位置,另端焊接控制电路接点的点胶(或点锡)位置;以及
步骤二b6):进行树脂封胶(Resin Molding)的烘烤作业,使微型LED22固定在驱动集成电路晶圆的单面(或称顶面)。
激光切割封装后的驱动集成电路晶圆,取得像素单元60,完成步骤三的作业。
在结构方面,该像素单元60的差异处在于:该金属线62一端电连接微型LED 22顶面的N极64,另端电连接控制电路40(见图7),该控制电路40电连接微型LED 22底面的P极66,同样会形成电的回路。
此刻,该树脂成形部32封住微型LED 22与金属线62。
图12是平面图,表现像素单元70的第三实施例,制作流程不同于第一实施例:对垂直式微型LED 22进行透明导电膜(譬如ITO)封装,依序执行下列流程:
步骤二c1):该驱动集成电路晶圆接收微型LED 22的位置,点上些许的导电银胶或锡膏;
步骤二c2):多颗(RGB)微型LED 22与多根微型金属柱78巨量转移至驱动集成电路晶圆的预定位置;
步骤二c3):通过烘烤固化的固晶作业,致使垂直式微型LED 22的P极76焊接控制电路的接点,该微型金属柱78焊接控制电路的上层焊垫31而在微型LED 22的旁边;以及
步骤二c4):一个ITO透明导电膜72附着树脂成形的表面,以共阴方式连接微型LED22的N极74和微型金属柱78。
激光切割封装后的驱动集成电路晶圆,取得像素单元70,完成步骤三的作业。
在结构方面,该像素单元70的差异处在于:该微型LED 22顶面的N极74电连接ITO透明导电膜72,该ITO透明导电膜72电连接微型金属柱78,该微型金属柱78在微型LED 22旁边,其经由控制电路40(见图7)电连接微型LED 22底面的P极76,也会形成电的回路。
另外,该ITO透明导电膜72附着树脂成形部32。该树脂成形部32粘着驱动IC26与ITO透明导电膜72,同时封住微型LED 22与微型金属柱78。
Claims (10)
1.一种发光装置的制法,其特征在于,包括:
一片驱动集成电路晶圆具备多个控制电路;
通电发出红、绿与蓝三色光的三颗微型LED为一组,多组微型LED堆栈在驱动集成电路晶圆,电连接相应的控制电路予以封装;
封装后的驱动集成电路晶圆经激光切割为多个驱动IC,该驱动IC的控制电路电连接单组微型LED,成为3D封装堆栈构装的一个像素单元;以及
多个像素单元转移到单片显示基板的电子线路予以串连,合组为单片式发光装置,电连接多片显示基板的电子线路组成多片式发光装置。
2.如权利要求1所述发光装置的制法,其特征在于,所述的显示基板是可挠式透明基板、可挠式非透明基板、玻璃基板与PCB电路板之一。
3.一种像素单元,其特征在于,包括:
一个驱动IC,具备一个控制电路;
通电发出红、绿与蓝三色光的三颗微型LED为一组微型LED,该组微型LED堆栈在驱动IC单面电连接控制电路;以及
一个树脂成形部,其为透明,其粘着该组微型LED与驱动IC可视的表面。
4.如权利要求3所述的像素单元,其特征在于,该控制电路包括:
单线数据时钟恢复通信输入的一个第二脚位与输出的一个第五脚位;
侦测且防止坏节点阻隔的一个第四脚位;
一个脉宽调变器及数据锁;以及
一个恒定电流驱动器。
5.如权利要求3所述的像素单元,其特征在于,该控制电路的多个上层焊垫在驱动IC单面,该控制电路的多个下层焊垫在驱动IC另面,相应的上层焊垫与下层焊垫通过一个硅通孔保持电连接关系。
6.如权利要求5所述的像素单元,其特征在于,该微型LED底面两侧是一个N极与一个P极,电连接该驱动IC单面的上层焊垫。
7.如权利要求5所述的像素单元,其特征在于,该微型LED底面的一个P极电连接控制电路,一条金属线的一端电连接控制电路,另一端电连接该微型LED顶面的一个N极。
8.如权利要求5所述的像素单元,其特征在于,该微型LED底面的一个P极电连接控制电路,顶面的一个N极电连接树脂成形部附着一个ITO透明导电膜,该ITO透明导电膜与控制电路接触微型LED旁边的一根微型金属柱,该微型金属柱被树脂成形部封住。
9.一种发光装置,其特征在于,包括:
多个像素单元,该像素单元有一组微型LED堆栈在一个驱动IC的单面,一个透明的树脂成形部粘着微型LED与驱动IC可视的表面,该组微型LED电连接驱动IC的一个控制电路,通电能够发出红、绿与蓝三色光;以及
一片显示基板的一段电子线路,串连多个像素单元与一个模块连接器。
10.如权利要求9所述的发光装置,其特征在于,一个控制器电连接多个模块连接器,将多片显示基板连在一起。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202010849066.3A CN114171543A (zh) | 2020-08-21 | 2020-08-21 | 具驱动ic的像素单元、包含该像素单元的发光装置及其制法 |
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CN202010849066.3A Pending CN114171543A (zh) | 2020-08-21 | 2020-08-21 | 具驱动ic的像素单元、包含该像素单元的发光装置及其制法 |
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CN (1) | CN114171543A (zh) |
-
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