CN114137278A - 一种提高电阻采样电流精度的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种提高电阻采样电流精度的方法,包括电流采样电阻单元、采样电阻加热单元、温度采样单元、恒温控制单元,所述电流采样电阻单元设有电流采样电阻的加热单元和温度采样单元,所述恒温控制单元分别与采样电阻加热单元、温度采样单元线路连接,所述温度采样单元将电流采样电阻单元的温度采样并输入恒温控制单元,所述恒温控制单元控制采样电阻加热单元对电流采样电阻单元加热,本发明的有益效果在于:本申请具有结构简单、成本低以及精度高的优点,通过电路对电流采样电阻单元加热,使得电流采样电阻单元的温度恒定在适用范围,从而降低电流采样电阻单元因温度变化而出现的精度误差。

Description

一种提高电阻采样电流精度的方法
【技术领域】
本发明涉及一种高精度电流测量方法,尤其涉及一种提高电阻采样电流精度的方法。
【背景技术】
在电路中的高精度电流测量中,通常应用高精度电流采样电阻测量,但环境温度和采样电阻本体产生的热对测量精度产生严重影响,因此,高精度电流采样的一个重要的措施是控制本体温度的变化;现有技术中,通常是通过增加采样电阻尺寸,减小对环境的热阻,使采样电阻工作在一个较小的温度范围内,或通过风冷等措施,然后对所采取的数据进行后期补偿,这些方法虽然有效果,但会导致高精度采样电阻尺寸大,加工制造困难,成本高。
【发明内容】
本发明目的在于解决目前高精度电流测量所存在的上述问题,而提供一种提高电阻采样电流精度的方法。
本发明是通过以下技术方案来实现的:一种提高电阻采样电流精度的方法,包括电流采样电阻单元、电流采样电阻的加热单元、温度采样单元、恒温控制单元,所述电流采样电阻单元设有电流采样电阻的加热单元和温度采样单元,所述恒温控制单元分别与电流采样电阻的加热单元、温度采样单元线路连接,所述温度采样单元将电流采样电阻单元的温度采样并输入恒温控制单元,所述恒温控制单元控制电流采样电阻的加热单元对电流采样电阻单元加热。
进一步地,所述电流采样电阻单元的本体温度为电路的控制对象。
进一步地,所述电流采样电阻的加热单元为受控发热的电阻或半导体器件,所述电流采样电阻的加热单元是给电流采样电阻单元本体加热的电路单元。
进一步地,所述温度采样单元为温度检测电路,所述温度采样单元为NTC或PTC或半导体温度传感器,所述温度采样单元是采集电流采样电阻单元的本体温度的电路单元。
进一步地,所述恒温控制单元是电流采样电阻的加热单元对电流采样电阻单元加热的控制结构,所述恒温控制单元对电流采样电阻的加热单元的控制方式为受控的半导体模拟连续的功率加热方式或脉宽调制而产生等效如模拟连续的功率加热方式。
进一步地,所述电流采样电阻单元的本体温度适用范围为55摄氏度到105摄氏度。
本发明的有益效果在于:本申请具有结构简单、成本低以及精度高的优点,通过温度采样单元将电流采样电阻单元的温度采样并输入恒温控制单元,恒温控制单元通过脉宽调制的方式控制采样电阻加热单元对电流采样电阻单元加热,使得电流采样电阻单元的温度恒定在适用范围,从而降低电流采样电阻单元因温度变化而出现的精度误差。
【附图说明】
图1为本发明的电路图;
图2为本发明的流程图;
附图标记:1、电流采样电阻单元;2、电流采样电阻的加热单元;3、温度采样单元;4、恒温控制单元。
【具体实施方式】
下面结合附图及具体实施方式对本发明做进一步描述:
如图1、图2所示,一种提高电阻采样电流精度的方法,包括电流采样电阻单元1、电流采样电阻的加热单元2、温度采样单元3、恒温控制单元4,所述电流采样电阻单元1设有电流采样电阻的加热单元2和温度采样单元3,所述恒温控制单元4分别与电流采样电阻的加热单元2、温度采样单元3线路连接,所述温度采样单元3将电流采样电阻单元1的温度采样并输入恒温控制单元4,所述恒温控制单元4控制电流采样电阻的加热单元2对电流采样电阻单元1加热。
优选地,所述电流采样电阻单元1的本体温度为电路的控制对象。
优选地,所述电流采样电阻的加热单元2为受控发热的电阻或半导体器件,所述电流采样电阻的加热单元2是给电流采样电阻单元1本体加热的电路单元。
优选地,所述温度采样单元3为温度检测电路,所述温度采样单元3为NTC或PTC或半导体温度传感器,所述温度采样单元3是采集电流采样电阻单元1的本体温度的电路单元。
优选地,所述恒温控制单元4是电流采样电阻的加热单元2对电流采样电阻单元1加热的控制结构,所述恒温控制单元4对电流采样电阻的加热单元2的控制方式为受控的半导体模拟连续的功率加热方式或脉宽调制而产生等效如模拟连续的功率加热方式。
优选地,所述电流采样电阻单元1的本体温度适用范围为55摄氏度到105摄氏度。
根据上述说明书的揭示和教导,本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行适当的变更和修改。因此,本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式,对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外,尽管本说明书中使用了一些特定的术语,但这些术语只是为了方便说明,并不对本发明构成任何限制。

Claims (6)

1.一种提高电阻采样电流精度的方法,其特征在于:包括电流采样电阻单元、电流采样电阻的加热单元、温度采样单元、恒温控制单元,所述电流采样电阻单元设有电流采样电阻的加热单元和温度采样单元,所述恒温控制单元分别与电流采样电阻的加热单元、温度采样单元线路连接,所述温度采样单元将电流采样电阻单元的温度采样并输入恒温控制单元,所述恒温控制单元控制电流采样电阻的加热单元对电流采样电阻单元加热。
2.根据权利要求1所述的一种提高电阻采样电流精度的方法,其特征在于:所述电流采样电阻单元的本体温度为电路的控制对象。
3.根据权利要求1所述的一种提高电阻采样电流精度的方法,其特征在于:所述电流采样电阻的加热单元为受控发热的电阻或半导体器件,所述电流采样电阻的加热单元是给电流采样电阻单元本体加热的电路单元。
4.根据权利要求1所述的一种提高电阻采样电流精度的方法,其特征在于:所述温度采样单元为温度检测电路,所述温度采样单元为NTC或PTC或半导体温度传感器,所述温度采样单元是采集电流采样电阻单元的本体温度的电路单元。
5.根据权利要求1所述的一种提高电阻采样电流精度的方法,其特征在于:所述恒温控制单元是电流采样电阻的加热单元对电流采样电阻单元加热的控制结构,所述恒温控制单元对电流采样电阻的加热单元的控制方式为受控的半导体模拟连续的功率加热方式或脉宽调制而产生等效如模拟连续的功率加热方式。
6.根据权利要求1所述的一种提高电阻采样电流精度的方法,其特征在于:所述电流采样电阻单元的本体温度适用范围为55摄氏度到105摄氏度。
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