CN114095094A - 一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器 - Google Patents

一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其中的晶体管Q3～Q6基极与高隔离度本振差分输匹配入电路的输出端相连；Q3～Q6集电极与开关晶体管互联电路的输入端相连；晶体管Q1～Q2基极分别与射频差分输入端相连；Q1集电极分别与Q3和Q4发射极相连；Q2集电极分别与Q5和Q6发射极相连；Q1～Q2发射极与金属平面相连；开关晶体管互联电路输出端与高阶差分输出匹配电路的输入端相连；高隔离度本振差分输入匹配电路输入端与本振信号输入端相连；高阶差分输出匹配电路输出端与射频输出端相连；金属平面接地。本发明能够间接提高太赫兹频段上混频器本振端口与射频端口的隔离度。

Description

一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上 变频混频器
技术领域
本发明涉及太赫兹频段收发机电路技术领域，特别是涉及一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器。
背景技术
目前，随着数据量的激增，适用短距通信的太赫兹频段收发机系统的开发，成为关注热点。
在太赫兹通信系统中，前端上变频混频器作为一个极其重要的模块，其隔离度对信号的传输效率有着非常重要的影响，如果本振泄露严重，对发射机而言，会极大压缩后级功率放大器的输入1dB压缩点，而且也会压缩接收机的输入1dB压缩点，同时干扰接收信号。
此外，在太赫兹频段的电磁耦合复杂，本振信号与晶体管间的耦合效应明显，以及吉尔伯特单元电路拓扑本身实现存在的耦合效应显著上升，严重破坏了本振信号传输路径的平衡性，导致电路本振射频端口隔离度的恶化。同时，由于信号在太赫兹频段衰减严重，导致器件输出功率和效率低，进一步导致了射频和本振端口之间隔离度的恶化。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的技术缺陷，提供一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器。
为此，本发明提供了一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，包括开关晶体管Q3～Q6、跨导级晶体管Q1～Q2、开关晶体管互联电路、高隔离度本振差分输入匹配电路、高阶差分输出匹配电路以及金属平面；
开关晶体管Q3～Q6的基极，均与高隔离度本振差分输匹配入电路的输出端相连；
开关晶体管Q3～Q6的集电极，分别与开关晶体管互联电路的四个输入端相连；
跨导级晶体管Q1～Q2的基极，分别与射频差分输入端IF IN+和IF IN-相连；
跨导级晶体管Q1的集电极，分别与开关晶体管Q3和Q4的发射极相连；
跨导级晶体管Q2的集电极，分别与开关晶体管Q5和Q6的发射极相连；
跨导级晶体管Q1～Q2的发射极，均与金属平面相连；
开关晶体管互联电路的两个输出端，与高阶差分输出匹配电路的两个输入端相连；
高隔离度本振差分输入匹配电路的两个输入端，分别与本振信号输入端LO IN+和LO IN-相连；
高阶差分输出匹配电路的两个输出端，分别与射频输出端RF OUT-和RF OUT+相连；
金属平面，与地相连。
优选地，高隔离度本振差分输入匹配电路，包括第一输入匹配子电路和第二输入匹配子电路；
对于第一输入匹配子电路，其包括一根信号传输线，以及多个与信号传输线同平面的矩形金属块；
每个矩形金属块与信号传输线的间距，大于8um；
每个矩形金属块的中心，通过连接线与金属平面相连；
信号传输线的一端，作为高隔离度本振差分输入匹配电路的第一输出端，与开关晶体管Q3～Q4的基极相连；
信号传输线的另一端，作为连接端，分别与第一匹配电容C1和第三匹配电容C3的一端相连；
第三匹配电容C3的另一端，与金属平面相连；
第一匹配电容C1的另一端，与一个本振信号输入端LO IN+相连；
对于第二输入匹配子电路，其包括一根信号传输线，以及多个与信号传输线同平面的矩形金属块；
每个矩形金属块的中心，通过连接线与金属平面相连；
信号传输线的一端，作为高隔离度本振差分输入匹配电路的第二输出端，与开关晶体管Q5～Q6的基极相连；
信号传输线的另一端，作为连接端，分别与第二匹配电容C2和第四匹配电容C4的一端相连；
第四匹配电容C4的另一端，与金属平面相连；
第二匹配电容C2的另一端，与另外一个本振信号输入端LO IN-相连。
优选地，对于每根信号传输线，其轴向两侧分别间隔设置多个矩形金属块；
信号传输线被多个矩形金属块所围绕。
优选地，每个矩形金属块与信号传输线的间距，大于8um。
优选地，高阶差分输出匹配电路，包括第一支路和第二支路；
第二支路与第一支路并联；
对于第一支路，其包括第五电容C5、第六电容C6、第一电感L1和第二电感L2；
第一电感L1的一端，分别与开关晶体管互联电路的一个输出端和第五电容C5的一端相连；
第二电感L2的一端，分别与开关晶体管互联电路的另一个输出端和第六电容C6的一端相连；
第一电感L1和第二电感L2的另一端，与电源VDD相连，电源VDD用于为电路供电；
第五电容C5的另一端，与第二支路中的第七电容C7的一端相连；
第六电容C6的另一端，与第二支路中的第八电容C8的一端相连。
对于第二支路，其包括第七电容C7、第八电容C8、第三电感L3和第四电感L4；
第七电容C7的另一端，与射频输出端RF OUT-相连；
第八电容C8的另一端，与射频输出端RF OUT+相连；
第三电感L3的一端，还与第七电容C7一端相连；
第三电感L3的另一端，与金属平面相连；
第四电感L4的一端，还与第八电容C8一端相连；
第四电感L4的另一端，与金属平面相连。
优选地，开关晶体管互联电路，包括上下两层间隔分布的非对称十字交叉结构；
两层非对称十字交叉结构相互平行；
每层非对称十字交叉结构，包括三根交叉在一起的金属线。
优选地,对于每层非对称十字交叉结构，三根金属的长度不相同；
每根金属线的长度，小于100um；
金属线的线宽大于2um。
由以上本发明提供的技术方案可见，与现有技术相比较，本发明提供了一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其结构设计科学，一是，通过采用高隔离度本振差分输入匹配电路能够减小本振信号在加载到开关晶体管基极过程中，通过寄生电容直接耦合到开关晶体管的分量，减小本振输入的不平衡性；二是，通过采用开关晶体管互联电路，能够平衡开关晶体管的集电极端的本振信号，提升本振在开关晶体管的集电极的对消效率；三是，通过采用高阶差分输出匹配电路，在射频输出端实现宽的匹配带宽，减小射频输出的衰减，通过三种电路的一同作用，能够间接提高太赫兹频段上混频器本振端口与射频端口的隔离度，具有重大的实践意义。
附图说明
图1为本发明提供的一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器的结构示意图；
图2为本发明提供的一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，一种具体实施例的电路原理图；
图3为本发明提供的一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，一种具体实施例的电路中，连接线与矩形金属块、金属平面之间的位置关系侧视图。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
参见图1至图3，本发明提供了一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，包括开关晶体管Q3～Q6、跨导级晶体管Q1～Q2、开关晶体管互联电路100、高隔离度本振差分输入匹配电路300、高阶差分输出匹配电路200以及金属平面400；
开关晶体管Q3～Q6的基极，均与高隔离度本振差分输匹配入电路300的输出端相连；
开关晶体管Q3～Q6的集电极，分别与开关晶体管互联电路100的四个输入端相连；
跨导级晶体管Q1～Q2的基极，分别与射频差分输入端IF IN+和IF IN-相连；
跨导级晶体管Q1的集电极，分别与开关晶体管Q3和Q4的发射极相连；
跨导级晶体管Q2的集电极，分别与开关晶体管Q5和Q6的发射极相连；
跨导级晶体管Q1～Q2的发射极，均与金属平面400相连；
开关晶体管互联电路100的两个输出端，与高阶差分输出匹配电路200的两个输入端相连；
高隔离度本振差分输入匹配电路300的两个输入端，分别与本振信号输入端LO IN+和LO IN-相连；
高阶差分输出匹配电路200的两个输出端，分别与射频输出端RF OUT-和RF OUT+相连；
金属平面400，与地相连。
在本发明中，跨导级晶体管Q1～Q2，用于将中频电压信号转换为电流信号，该电流信号通过开关晶体管(例如Q3～Q6)与开关信号相乘(开关晶体管的非线性特性)实现频谱的搬移(ω中频信号±ω开关信号)。
具体实现上，开关晶体管Q3～Q6以及跨导级晶体管Q1～Q2，所具体选择的晶体管类型以及性能参数可以相同，没有区别。
在本发明中，具体实现上，本振信号输入端LO IN+和LO IN-，用于与外部本振信号源的输出端相连。外部本振信号源具体可以是输出频率大于200GHz的信号源，作用为：提供开关晶体管所需要的信号。
在本发明中，具体实现上，射频差分输入端IF IN+和IF IN-，用于与中频信号产生器相连接，中频信号产生器用于提供中频信号。
在本发明中，具体实现上，射频输出端RF OUT-和RF OUT+，可以与外部元器件相连接，例如：连接巴伦的双端输入端口，或者连接功率放大器的差分输入端口。
需要说明的是，在本发明中，参见图2，开关晶体管有四个，Q3和Q4、Q5和Q6分别组成一个开关对，Q3和Q6、Q4和Q5的基极分别连在一起，其分别与高隔离度本振差分输入匹配电路300的输出端23和输出端32相连；Q3、Q4、Q5和Q6晶体管的集电极，分别与开关晶体管互联电路100的四个输入端00、01、11和10相连；
参见图2，开关晶体管互联电路100的输出端12和输出端21，分别与高阶差分输出匹配电路200的输入端20和输入端02相连；
在本发明中，具体实现上，高隔离度本振差分输入匹配电路300，包括第一输入匹配子电路和第二输入匹配子电路；
对于第一输入匹配子电路，其包括一根信号传输线301，以及多个与信号传输线301同平面的矩形金属块302；
每个矩形金属块302与信号传输线301的间距，大于8um；
每个矩形金属块302的中心，通过连接线303与金属平面400相连；
信号传输线301的一端，作为高隔离度本振差分输入匹配电路300的第一输出端，与开关晶体管Q3～Q4的基极相连；
信号传输线301的另一端，作为连接端，分别与第一匹配电容C1和第三匹配电容C3的一端相连；
第三匹配电容C3的另一端，与金属平面400相连；
第一匹配电容C1的另一端，与一个本振信号输入端LO IN+相连；
对于第二输入匹配子电路，其包括一根信号传输线301，以及多个与信号传输线301同平面的矩形金属块302；
每个矩形金属块302与信号传输线301的间距，大于8um；
每个矩形金属块302的中心，通过连接线303与金属平面400相连；
信号传输线301的一端，作为高隔离度本振差分输入匹配电路300的第二输出端，与开关晶体管Q5～Q6的基极相连；
信号传输线301的另一端，作为连接端，分别与第二匹配电容C2和第四匹配电容C4的一端相连；
第四匹配电容C4的另一端，与金属平面400相连；
第二匹配电容C2的另一端，与另外一个本振信号输入端LO IN-相连。
具体实现上，对于每根信号传输线301，其轴向两侧分别间隔设置多个矩形金属块302，即信号传输线301被矩形金属块302所围绕。
具体实现上，对于高隔离度本振差分输入匹配电路300，其具有的矩形金属块302与信号传输线301的间距为10um。
需要说明的是，在本发明中，高隔离度本振差分输入匹配电路300，用于匹配本振信号输入端口(即LO IN+和LO IN-)与开关晶体管(即Q3～Q6)的基极间的阻抗，同时减小本振信号通过寄生电容与开关晶体管的耦合，减小本振输入的不平衡性。
在本发明中，具体实现上，金属平面400的材质，为良导体即可，例如为铜金属平面，金属平面40与大地相连后，整个平面与大地等电势。
需要说明的是，在本发明中，跨导级晶体管Q1～Q2，用于接收中频的电压信号后，转变为电流信号，该电流信号与开关晶体管基极接收到的本振信号通过开关晶体管非线性特性实现相乘，相乘后的信号由开关晶体管的集电极输出，经开关晶体管互联电路100与射频输出匹配电路(即高阶差分输出匹配电路200)到射频输出端口RF OUT-和RF OUT+。
在本发明中，对于高隔离度本振差分输入匹配电路300，其基于阻抗变换原理进行设计，通过图2中的各个组件相互配合，共同实现本振输入端口到开关晶体管基极之间的阻抗变换。
需要说明的是，在太赫兹频段，器件之间的电磁耦合非常明显，采用图2中高隔离度本振差分输入匹配电路300，能够降低本振信号不经过匹配电路直接耦合到开关晶体管基极的分量，降低了本振信号传输的不平衡性。
在本发明中，具体实现上，高阶差分输出匹配电路200，包括第一支路和第二支路；
第二支路与第一支路并联；
对于第一支路，其包括第五电容C5、第六电容C6、第一电感L1和第二电感L2；
第一电感L1的一端，分别与开关晶体管互联电路100的一个输出端和第五电容C5的一端相连；
第二电感L2的一端，分别与开关晶体管互联电路100的另一个输出端和第六电容C6的一端相连；
第一电感L1和第二电感L2的另一端，与电源VDD(具体为直流电源)相连，电源VDD用于为电路供电；
第五电容C5的另一端，与第二支路中的第七电容C7的一端相连；
第六电容C6的另一端，与第二支路中的第八电容C8的一端相连。
对于第二支路，其包括第七电容C7、第八电容C8、第三电感L3和第四电感L4；
第七电容C7的另一端，与射频输出端RF OUT-相连；
第八电容C8的另一端，与射频输出端RF OUT+相连；
第三电感L3的一端，还与第七电容C7一端相连；
第三电感L3的另一端，与金属平面400相连；
第四电感L4的一端，还与第八电容C8一端相连；
第四电感L4的另一端，与金属平面400相连。
具体实现上，对于第一支路，第五电容C5与第一电感L1、第六电容C6与第二电感L2，均为L型连接关系。
具体实现上，对于第二支路，第七电容C7与第三电感L3、第八电容C8与第四电感L4，均为L型连接关系。
需要说明的是，对于本发明，高阶差分输出匹配电路200，用于在宽频带范围内，匹配射频输出端口RF OUT-以及RF OUT+与元器件间的阻抗。
在本发明中，高阶差分输出匹配电路200，其基于阻抗变换原理进行设计，通过图2中的各个组件相互配合，用于实现开关互联输出端口与射频输出端口的阻抗变换。
需要说明的是，基于以上结构设计，因为高阶差分输出匹配电路200能够实现较低的输出匹配网络Q值，因此匹配带宽相对可以变宽，匹配带宽内的射频输出信号的衰减就小。因此，通过采用高阶差分输出匹配电路，能够在射频输出端实现宽的匹配带宽，减小射频输出的衰减。
在本发明中，具体实现上，开关晶体管互联电路100，包括上下两层间隔分布的非对称十字交叉结构101；
两层非对称十字交叉结构相互平行；
每层非对称十字交叉结构，包括三根交叉在一起的金属线(三根金属吸纳的一端共同连接于一个交叉点)。
具体实现上，对于每层非对称十字交叉结构，三根金属的长度不相同；
每根金属线的长度，小于100um(例如15um)。
需要说明的是，每层非对称十字交叉结构，包括两个输入端(例如输入端01和10，以及输入端00和11)和一个输出端(例如输出端12或者输出端21)；
具体实现上，金属线的线宽大于2um，例如为3um(即矩形金属线的宽度)。
具体实现上，金属线为导电金属线，例如为铜线。
需要说明的是，对于本发明，开关晶体管互联电路100，用于连接开关晶体管Q3～Q6的四个集电极，同时平衡开关晶体管Q3～Q6的集电极端的本振信号。
在本发明中，开关晶体管互联电路100的作用：用于实现开关晶体管集电极的互联，实现本振信号的对消。其设计原理为：吉尔伯特双平衡混频器基本结构。
需要说明的是，对于开关晶体管互联电路100，该结构的非对称性，能够降低在太赫兹频段，由于强的电磁耦合所造成的本振信号在互联开关晶体管集电极端本振信号对消的不完全性。开关晶体管互联电路100的工作原理为：电磁耦合理论。
需要说明的是，经过检验，对于本发明提供的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，当工作频段高于200GHz时，能够明显提高本振端口与射频端口的隔离度。
基于以上技术方案可知，对于本发明，一是，通过采用高隔离度本振差分输入匹配电路，能够减小本振信号在加载到开关晶体管基极过程中，通过寄生电容直接耦合到开关晶体管的分量，减小本振输入的不平衡性；二是，通过采用开关晶体管互联电路，能够平衡开关晶体管的集电极端的本振信号，提升本振在开关晶体管的集电极的对消效率；三是，通过采用高阶差分输出匹配电路，在射频输出端实现宽的匹配带宽，减小射频输出的衰减，通过三种电路的一同作用，能够显著提高太赫兹频段上混频器本振端口与射频端口的隔离度。
综上所述，与现有技术相比较，本发明提供的一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其结构设计科学，一是，通过采用高隔离度本振差分输入匹配电路能够减小本振信号在加载到开关晶体管基极过程中，通过寄生电容直接耦合到开关晶体管的分量，减小本振输入的不平衡性；二是，通过采用开关晶体管互联电路，能够平衡开关晶体管的集电极端的本振信号，提升本振在开关晶体管的集电极的对消效率；三是，通过采用高阶差分输出匹配电路，在射频输出端实现宽的匹配带宽，减小射频输出的衰减，通过三种电路的一同作用，能够间接提高太赫兹频段上混频器本振端口与射频端口的隔离度，具有重大的实践意义。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，包括开关晶体管Q3～Q6、跨导级晶体管Q1～Q2、开关晶体管互联电路(100)、高隔离度本振差分输入匹配电路(300)、高阶差分输出匹配电路(200)以及金属平面(400)；
开关晶体管Q3～Q6的基极，均与高隔离度本振差分输匹配入电路(300)的输出端相连；
开关晶体管Q3～Q6的集电极，分别与开关晶体管互联电路(100)的四个输入端相连；
跨导级晶体管Q1～Q2的基极，分别与射频差分输入端IF IN+和IF IN-相连；
跨导级晶体管Q1的集电极，分别与开关晶体管Q3和Q4的发射极相连；
跨导级晶体管Q2的集电极，分别与开关晶体管Q5和Q6的发射极相连；
跨导级晶体管Q1～Q2的发射极，均与金属平面(400)相连；
开关晶体管互联电路(100)的两个输出端，与高阶差分输出匹配电路(200)的两个输入端相连；
高隔离度本振差分输入匹配电路(300)的两个输入端，分别与本振信号输入端LO IN+和LO IN-相连；
高阶差分输出匹配电路(200)的两个输出端，分别与射频输出端RF OUT-和RF OUT+相连；
金属平面(400)，与地相连。
2.如权利要求1所述的工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，高隔离度本振差分输入匹配电路(300)，包括第一输入匹配子电路和第二输入匹配子电路；
对于第一输入匹配子电路，其包括一根信号传输线(301)，以及多个与信号传输线(301)同平面的矩形金属块(302)；
每个矩形金属块(302)与信号传输线(301)的间距，大于8um；
每个矩形金属块(302)的中心，通过连接线(303)与金属平面(400)相连；
信号传输线(301)的一端，作为高隔离度本振差分输入匹配电路(300)的第一输出端，与开关晶体管Q3～Q4的基极相连；
信号传输线(301)的另一端，作为连接端，分别与第一匹配电容C1和第三匹配电容C3的一端相连；
第三匹配电容C3的另一端，与金属平面(400)相连；
第一匹配电容C1的另一端，与一个本振信号输入端LO IN+相连；
对于第二输入匹配子电路，其包括一根信号传输线(301)，以及多个与信号传输线(301)同平面的矩形金属块(302)；
每个矩形金属块(302)的中心，通过连接线(303)与金属平面(400)相连；
信号传输线(301)的一端，作为高隔离度本振差分输入匹配电路(300)的第二输出端，与开关晶体管Q5～Q6的基极相连；
信号传输线(301)的另一端，作为连接端，分别与第二匹配电容C2和第四匹配电容C4的一端相连；
第四匹配电容C4的另一端，与金属平面(400)相连；
第二匹配电容C2的另一端，与另外一个本振信号输入端LO IN-相连。
3.如权利要求2所述的工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，对于每根信号传输线(301)，其轴向两侧分别间隔设置多个矩形金属块(302)；
信号传输线(301)被多个矩形金属块(302)所围绕。
4.如权利要求2所述的工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，每个矩形金属块(302)与信号传输线(301)的间距，大于8um。
5.如权利要求1所述的工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，高阶差分输出匹配电路(200)，包括第一支路和第二支路；
第二支路与第一支路并联；
对于第一支路，其包括第五电容C5、第六电容C6、第一电感L1和第二电感L2；
第一电感L1的一端，分别与开关晶体管互联电路(100)的一个输出端和第五电容C5的一端相连；
第二电感L2的一端，分别与开关晶体管互联电路(100)的另一个输出端和第六电容C6的一端相连；
第一电感L1和第二电感L2的另一端，与电源VDD相连，电源VDD用于为电路供电；
第五电容C5的另一端，与第二支路中的第七电容C7的一端相连；
第六电容C6的另一端，与第二支路中的第八电容C8的一端相连。
对于第二支路，其包括第七电容C7、第八电容C8、第三电感L3和第四电感L4；
第七电容C7的另一端，与射频输出端RF OUT-相连；
第八电容C8的另一端，与射频输出端RF OUT+相连；
第三电感L3的一端，还与第七电容C7一端相连；
第三电感L3的另一端，与金属平面(400)相连；
第四电感L4的一端，还与第八电容C8一端相连；
第四电感L4的另一端，与金属平面(400)相连。
6.如权利要求1至5中任一项所述的工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，开关晶体管互联电路(100)，包括上下两层间隔分布的非对称十字交叉结构(101)；
两层非对称十字交叉结构相互平行；
每层非对称十字交叉结构，包括三根交叉在一起的金属线。
7.如权利要求6所述的工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其特征在于，对于每层非对称十字交叉结构，三根金属的长度不相同；
每根金属线的长度，小于100um；
金属线的线宽大于2um。
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