CN114070349B - 双频复合大功率砖式t/r组件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及微波毫米波无线通信技术领域，具体涉及一种双频复合大功率砖式T/R组件，包括主体，主体上设置有第一腔体结构，第一腔体结构内的一个平面搭载两路低频微带电路，另一个平行的平面搭载两路第一高频微带电路；主体上还设置有第二腔体结构，第二腔体结构的一个平面上搭载两路第二高频微带电路，低频微带电路所在平面位于第二高频微带电路所在平面与第一高频微带电路所在平面之间；本发明将低频微带电路结构和高频微带电路结构集成到主体内，在更小的空间内实现了不同频率的微带电路集成，能够实现高低频率信号的满阵复合，实现相控阵天线传输距离远、精度高的需求。

Description

双频复合大功率砖式T/R组件

技术领域

本发明涉及微波毫米波无线通信技术领域，具体涉及一种双频复合大功率砖式T/R组件。

背景技术

随着战场电磁环境越来越复杂、越来越多变，对于弹载有源相控阵雷达天线的性能需求也越来越高，要求作用距离远、精度高，需要大功率来满足作用距离远的需求，提高频率以满足提高精度的需求，目前已经有多款双频复合有源相控阵天线出现，或是双频满阵布局但无法满足大功率需求；或低频相控阵采用满阵大功率方式，高频相控阵采用稀疏布阵方式以牺牲末制导雷达的作用距离及分辨率为代价，这些方案均制约了制导雷达的威力指标和灵活性。

可见，现有的相控阵雷达天线存在亟待改进之处，需要使其达到现在的性能需求，应当对天线内的结构进行优化调整，以克服现有技术中存在的缺陷。

发明内容

为了解决上述内容中提到的现有技术缺陷，本发明提供了双频复合大功率砖式T/R（Transmitter and Receiver）组件，可实现多频率、多通道、大功率的一体化高集成砖式有源相控阵天线T/R组件结构，可通过该砖式T/R组件结构扩展实现大功率满阵复合共用。

为了实现上述目的，本发明具体采用的技术方案是：

双频复合大功率砖式T/R组件，包括主体，主体上设置有第一腔体结构，第一腔体结构内的一个平面搭载两路低频微带电路，另一个平行的平面搭载两路第一高频微带电路；

低频微带电路包括低频输入级微带，低频输入级微带通过一分四功分器分为四路T/R通道，每路T/R通道包括相互分离的接收通道和发射通道并由收发切换开关控制，T/R通道连接低频末级微带和低频输出级连接器并与天线互联；

第一高频微带电路包括第一高频输入级微带，第一高频输入级微带通过一分二功分器和一分四功分器级联分为八路T/R通道，每路T/R通道经由第一转接微带连接第一高频末级微带，并通过第一高频输出级连接器与天线互联；

主体上还设置有第二腔体结构，第二腔体结构的一个平面上搭载两路第二高频微带电路，低频微带电路所在平面位于第二高频微带电路所在平面与第一高频微带电路所在平面之间；第二高频微带电路包括第二高频输入级微带，第二高频输入级微带通过一分二功分器和一分四功分器级联分为八路T/R通道，每路T/R通道经由第二转接微带连接第二高频末级微带，并通过第二高频输出级连接器与天线互联。

上述公开的T/R组件，在主体上设置了低频微带电路和高频微带电路，在应用于相控阵天线阵列时，能够满足满阵复合并实现天线阵列作用距离远、精度高的需求。主体为扁平结构，其内部设置低频微带电路和第一高频微带电路、第二高频微带电路的间隔距离小，可有效节省整体的空间，在工作过程中，可将两种频率的信号进行复合，从而满足如今对相控阵天线的性能要求。

进一步的，在本发明中，第一腔体上设置低频微带电路的结构用于处理低频信号，设置第一高频微带电路和第二高频微带电路用于处理高频信号，所有的微带电路分别进行供电，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的第一腔体结构上设置有为低频微带电路供电的低频射频供电板，为第一高频微带电路供电的第一高频射频供电板；所述的第二腔体结构上设置有为第二高频微带电路供电的第二高频射频供电板。采用如此方案时，低频射频供电板、第一高频射频供电板和第二高频射频供电板均与主体连接固定，并设置于对应的微带电路上方，在必要的情况下，三个射频供电板之间可进行级联配合。

进一步的，为了便于进行整体控制，本发明设置控制板结构，其设置方式并不唯一限定，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的第一腔体结构上还串联设置有低频波控子板和高频波控子板，低频波控子板和/或高频波控子板上设置有充电接口，通过充电接口为低频射频供电板、第一高频射频供电板和第二高频射频供电板供电；低频波控子板与高频波控子板还通过信号线连接通信，且低频波控子板和/或高频波控子板与低频微带电路、第一高频微带电路和第二高频微带电路均互联。采用如此方案时，低频波控子板和高频波控子板均作为信号控制板，二者互联时可分配不同的处理工作。

进一步的，低频波控子板与高频波控子板进行互联可采用多种方案实现，其并不唯一限定，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的低频波控子板与高频波控子板上分别设置有排针结构并互联。采用如此方案时，低频波控子板与高频波控子板通过排针结构相互连接并传递信号，共同完成T/R组件的控制需求。

进一步的，在本发明中，为了更好的处理低频信号，对低频微带电路进行优化改进，此处举出其中一种可行的选择：所述的低频微带电路，低频输入级微带与一分四功分器之间设置有公共驱动T/R芯片，每个T/R通道上还设置有幅相控制芯片和T/R芯片，T/R通道连接低频末级微带的位置还设置有末级功放芯片和低噪声放大器芯片。采用如此方案时，低频信号的流向如下：低频发射信号经过低频输入级微带进入，进入公共驱动T/R芯片进行放大后，经由一分四功分器分成四路信号，在经过幅相控制芯片进入到T/R芯片，经过末级功放芯片放大和收发切换开关后传递至低频末级微带，并由低频输出级连接器传递至天线进行发射。低频接收信号经天线接收后由低频输出级连接器进入到低频微带电路中，经过低频末级微带和收发切换开关后进入低噪声放大器芯片进行处理，再依次经过T/R芯片和幅相控制芯片处理，四路通道的信号合成一路后经过公共驱动T/R芯片和低频输入级微带，并通过对应的连接结构传递到后级馈电网络中。

进一步的，在本发明中，对高频信号的处理通过第一高频微带电路和第二高频微带电路进行处理，两处高频微带电路的内部结构采用相同的优化以达到更好的高频信号处理效果；此处进行优化以举出如下一种可行的选择：所述的第一高频微带电路和第二高频微带电路，一分二功分器与一分四功分器之间设置有公共驱动T/R芯片，每个T/R通道上还设置有幅相控制芯片和末级T/R芯片。采用这种电路结构时，信号的流向与低频微带电路有所不同。

具体的，第一高频微带电路上的信号流向如下：第一腔体结构内的高频发射信号经第一高频输入级微带进入后，先通过一分二功分器分成两路信号，再经公共驱动T/R芯片进行放大，每路信号再经一分四功分器分成四路信号，依次通过幅相控制芯片和末级T/R收发芯片进行处理，进入到第一转接微带并传递至第一高频末级微带，最终由第一高频输出级连接器传递至天线进行发射。处理高频接收信号时，高频接收信号由天线接收后，由第一高频输出级连接器传入第一高频末级微带，经第一转接微带进入末级T/R收发芯片进行放大处理，再进入到幅相控制芯片，经过一分四功分器将四路信号合成一路信号，经过公共驱动T/R芯片方法后将信号合成一路信号，并经由第一高频输出级微带，并通过对应的连接结构传递到后级馈电网络中。

而第二高频微带电路上的信号流向如下：第二腔体结构内的发射信号由第一腔体结构传递而来，当第二高频输入级微带接收到信号后，先经一分二功分器将信号分成两路，并经过公共驱动T/R芯片进行放大处理，后经过一分四功分器将每路信号分为四路，并通过幅相控制芯片和末级T/R收发芯片放大处理，传递至第二转接微带和第二高频末级微带，并通过对应的连接结构传递到后级馈电网络中。

进一步的，在本发明所公开的T/R组件进行信号的交互时，通过设置对应的连接器结构进行信号的输入与输出，具体的，此处进行优化设置以便于信号的传递：所述的主体的前端面设置射频信号连接器，射频信号连接器包括与低频输入级微带连接的低频输入级连接器，与第一高频输入级微带连接的第一高频输入级连接器，与第二高频输入级微带连接的第二高频输入级连接器；第二高频输入级连接器与第二高频输入级微带穿过第一腔体结构。采用如此方案时，可分别为每条微带电路传输对应的信号，防止出现信号传递出错或干扰。

再进一步的，第二腔体结构的发射信号穿过第一腔体结构，对应的传递结构可被构造为多种可行的方案，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的第一腔体结构内设置有输入级级联微带，输入级级联微带的一端与第二高频输入级连接器连接，输入级级联微带的另一端通过转接件与第二高频输入级微带连接。采用如此方案时，对由输入级级联微带从主体的前端延伸至第二腔体结构，能够保持信号传递的稳定性，避免信号在经过第一腔体结构的同时受到干扰。

进一步的，考虑到同频信号在传输过程中需要设置一定的间隔以避免产生干扰，此处进行优化并举出如下一种可行的选择：所述的低频输出级连接器、第一高频输出级连接器和第二高频输出级连接器均设置于主体的后端面，第二高频输出级连接器、低频输出级连接器和第一高频输出级连接器从上往下分别成行且间隔设置。采用如此方案时，通过高低频信号的间隔设置，使得高频信号之间的间距达到了抗干扰的间距要求，从而传递信号更为稳定可靠。

进一步的，主体结构作为容纳微带电路的载体，其结构可被构造为多种可行的形式，此处进行优化并举出如下一种可行的选择：对主体的结构进行优化设置，所述的第一腔体结构处设置有第一盖体，第二腔体结构处设置有第二盖体。采用如此方案时，第一盖体与第二盖体分别采用扣合、粘接等方式与主体连接固定。

与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：

本发明将低频微带电路结构和高频微带电路结构集成到主体内，在更小的空间内实现了不同频率的微带电路集成，能够实现高低频率信号的满阵复合，实现相控阵天线传输距离远、精度高的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅表示出了本发明的部分实施例，因此不应看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。

图1为双频复合的大功率砖式T/R组件侧视结构示意图。

图2为双频复合的大功率砖式T/R组件后端面处的输出级连接器布置示意图。

图3为双频复合的大功率砖式T/R组件前端面设置输入级连接器布置示意图。

图4为双频复合的大功率砖式T/R组件的爆炸结构示意图。

图5为第一腔体结构内设置第一高频微带电路的示意图。

图6为第一腔体结构内设置低频微带电路的示意图。

图7为第二腔体结构内设置第二高频微带电路的示意图。

上述附图中，各标记的含义为：1、第一腔体结构；2、第二腔体结构；3、第一盖体；4、第二盖体；5、液冷流道；6、高频波控子板；7、低频波控子板；8、第一高频射频供电板；9、第二高频射频供电板；10、低频射频供电板；11、信号线；12、低频末级微带；13、收发切换开关；14、控制输入连接器接口；15、排针结构；16、充电接口；17、第一高频输出级连接器；18、低频输出级连接器；19、第一高频输入级连接器；20、低频输入级连接器；21、末级功放芯片；22、低噪声放大器芯片；23、T/R芯片；24、第二高频输出级连接器；25、第二高频输入级连接器；26、第二转接微带；27、排针连接器；28、低频输入级微带；29、第二高频末级微带；30、转接件；31、第一高频末级微带；32、末级T/R收发芯片；33、幅相控制芯片；34、公共驱动T/R芯片；35、第一转接微带；36、第一高频输入级微带；37、输入级级联微带。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本发明做进一步阐释。

在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本发明的示例实施例。然而，可用很多备选的形式来体现本发明，并且不应当理解为本发明限制在本文阐述的实施例中。

实施例

针对现有技术中的相控阵天线需求传输距离远、精度高但难以达到该需求的现状，本实施例进行优化以解决现有技术中存在的问题。

具体的，如图1~图7所示，本实施例公开了双频复合大功率砖式T/R组件，包括主体，主体上设置有第一腔体结构1，第一腔体结构1内的一个平面搭载两路低频微带电路，另一个平行的平面搭载两路第一高频微带电路；

低频微带电路包括低频输入级微带28，低频输入级微带28通过一分四功分器分为四路T/R通道，每路T/R通道包括相互分离的接收通道和发射通道并由收发切换开关13控制，T/R通道连接低频末级微带12和低频输出级连接器18并与天线互联；

第一高频微带电路包括第一高频输入级微带36，第一高频输入级微带36通过一分二功分器和一分四功分器级联分为八路T/R通道，每路T/R通道经由第一转接微带35连接第一高频末级微带31，并通过第一高频输出级连接器17与天线互联；

主体上还设置有第二腔体结构2，第二腔体结构2的一个平面上搭载两路第二高频微带电路，低频微带电路所在平面位于第二高频微带电路所在平面与第一高频微带电路所在平面之间；第二高频微带电路包括第二高频输入级微带，第二高频输入级微带通过一分二功分器和一分四功分器级联分为八路T/R通道，每路T/R通道经由第二转接微带26连接第二高频末级微带29，并通过第二高频输出级连接器24与天线互联。

优选的，在本实施例中，所述的主体结构为方形，其上部设置第二腔体结构2，其下部设置第一腔体结构1。

上述公开的T/R组件，在主体上设置了低频微带电路和高频微带电路，在应用于相控阵天线阵列时，能够满足满阵复合并实现天线阵列作用距离远、精度高的需求。主体为扁平结构，其内部设置低频微带电路和第一高频微带电路、第二高频微带电路的间隔距离小，可有效节省整体的空间，在工作过程中，可将两种频率的信号进行复合，从而满足如今对相控阵天线的性能要求。

在本实施例中，第一腔体上设置低频微带电路的结构用于处理低频信号，设置第一高频微带电路和第二高频微带电路用于处理高频信号，所有的微带电路分别进行供电，此处进行优化并采用其中一种可行的选择：所述的第一腔体结构1上设置有为低频微带电路供电的低频射频供电板10，为第一高频微带电路供电的第一高频射频供电板8；所述的第二腔体结构2上设置有为第二高频微带电路供电的第二高频射频供电板9。采用如此方案时，低频射频供电板10、第一高频射频供电板8和第二高频射频供电板9均与主体连接固定，并设置于对应的微带电路上方，在必要的情况下，三个射频供电板之间可进行级联配合。

为了便于进行整体控制，本实施例设置控制板结构，其设置方式并不唯一限定，此处进行优化并采用其中一种可行的选择：所述的第一腔体结构1上还串联设置有低频波控子板7和高频波控子板6，低频波控子板7和/或高频波控子板6上设置有充电接口16，通过充电接口16为低频射频供电板10、第一高频射频供电板8和第二高频射频供电板9供电；低频波控子板7与高频波控子板6还通过信号线11连接通信，且低频波控子板7和/或高频波控子板6与低频微带电路、第一高频微带电路和第二高频微带电路均互联。采用如此方案时，低频波控子板7和高频波控子板6均作为信号控制板，二者互联时可分配不同的处理工作。

低频波控子板7与高频波控子板6进行互联可采用多种方案实现，其并不唯一限定，此处进行优化并采用其中一种可行的选择：所述的低频波控子板7与高频波控子板6上分别设置有排针结构15并互联。采用如此方案时，低频波控子板7与高频波控子板6通过排针结构15相互连接并传递信号，共同完成T/R组件的控制需求。

优选的，在本实施例中，低频波控子板7与高频波控子板6以排线作为信号线11连接传递信号，同时通过排针结构15和排针连接器27相互连接。

优选的，在低频波控子板7或高频波控子板6上设置充电接口16并统一供电。在低频波控子板7和高频波控子板6上分别设置有两路低频输入级连接器20和两路第一高频输入级连接器19，分别用于连接低频微带电路的低频输入级微带28，和第一高频微带电路的第一高频输入级微带36。而在主体的前端还设置有两处第二高频输入级连接二七，用于与第二高频微带电路的第二高频输入级微带连接通信。在主体的前端面上还设置有控制输入连接器接口14，用于连接信号线11。

在本实施例中，为了更好的处理低频信号，对低频微带电路进行优化改进，此处采用其中一种可行的选择：所述的低频微带电路，低频输入级微带28与一分四功分器之间设置有公共驱动T/R芯片34，每个T/R通道上还设置有幅相控制芯片33和T/R芯片23，T/R通道连接低频末级微带12的位置还设置有末级功放芯片21和低噪声放大器芯片22。采用如此方案时，低频信号的流向如下：低频发射信号经过低频输入级微带28进入，进入公共驱动T/R芯片34进行放大后，经由一分四功分器分成四路信号，在经过幅相控制芯片33进入到T/R芯片23，经过末级功放芯片21放大和收发切换开关13后传递至低频末级微带12，并由低频输出级连接器18传递至天线进行发射。低频接收信号经天线接收后由低频输出级连接器18进入到低频微带电路中，经过低频末级微带12和收发切换开关13后进入低噪声放大器芯片22进行处理，再依次经过T/R芯片23和幅相控制芯片33处理，四路通道的信号合成一路后经过公共驱动T/R芯片34和低频输入级微带28，并通过对应的连接结构传递到后级馈电网络中。

在本实施例中，对高频信号的处理通过第一高频微带电路和第二高频微带电路进行处理，两处高频微带电路的内部结构采用相同的优化以达到更好的高频信号处理效果；此处进行优化以采用如下一种可行的选择：所述的第一高频微带电路和第二高频微带电路，一分二功分器与一分四功分器之间设置有公共驱动T/R芯片34，每个T/R通道上还设置有幅相控制芯片33和末级T/R芯片23。采用这种电路结构时，信号的流向与低频微带电路有所不同。

具体的，第一高频微带电路上的信号流向如下：第一腔体结构1内的高频发射信号经第一高频输入级微带36进入后，先通过一分二功分器分成两路信号，再经公共驱动T/R芯片34进行放大，每路信号再经一分四功分器分成四路信号，依次通过幅相控制芯片33和末级T/R收发芯片32进行处理，进入到第一转接微带35并传递至第一高频末级微带31，最终由第一高频输出级连接器17传递至天线进行发射。处理高频接收信号时，高频接收信号由天线接收后，由第一高频输出级连接器17传入第一高频末级微带31，经第一转接微带35进入末级T/R收发芯片32进行放大处理，再进入到幅相控制芯片33，经过一分四功分器将四路信号合成一路信号，经过公共驱动T/R芯片34方法后将信号合成一路信号，并经由第一高频输出级微带，并通过对应的连接结构传递到后级馈电网络中。

而第二高频微带电路上的信号流向如下：第二腔体结构2内的发射信号由第一腔体结构1传递而来，当第二高频输入级微带接收到信号后，先经一分二功分器将信号分成两路，并经过公共驱动T/R芯片34进行放大处理，后经过一分四功分器将每路信号分为四路，并通过幅相控制芯片33和末级T/R收发芯片32放大处理，传递至第二转接微带26和第二高频末级微带29，并通过对应的连接结构传递到后级馈电网络中。

在本实施例所公开的T/R组件进行信号的交互时，通过设置对应的连接器结构进行信号的输入与输出，具体的，此处进行优化设置以便于信号的传递：所述的主体的前端面设置射频信号连接器，射频信号连接器包括与低频输入级微带28连接的低频输入级连接器20，与第一高频输入级微带36连接的第一高频输入级连接器19，与第二高频输入级微带连接的第二高频输入级连接器25；第二高频输入级连接器25与第二高频输入级微带穿过第一腔体结构1。采用如此方案时，可分别为每条微带电路传输对应的信号，防止出现信号传递出错或干扰。

优选的，第二腔体结构2的发射信号穿过第一腔体结构1，对应的传递结构可被构造为多种可行的方案，此处进行优化并采用其中一种可行的选择：所述的第一腔体结构1内设置有输入级级联微带37，输入级级联微带37的一端与第二高频输入级连接器25连接，输入级级联微带37的另一端通过转接件30与第二高频输入级微带连接。采用如此方案时，对由输入级级联微带37从主体的前端延伸至第二腔体结构2，能够保持信号传递的稳定性，避免信号在经过第一腔体结构1的同时受到干扰。且转接件30可采用绝缘子。

优选的，考虑到同频信号在传输过程中需要设置一定的间隔以避免产生干扰，此处进行优化并采用如下一种可行的选择：所述的低频输出级连接器18、第一高频输出级连接器17和第二高频输出级连接器24均设置于主体的后端面，第二高频输出级连接器24、低频输出级连接器18和第一高频输出级连接器17从上往下分别成行且间隔设置。采用如此方案时，通过高低频信号的间隔设置，使得高频信号之间的间距达到了抗干扰的间距要求，从而传递信号更为稳定可靠。

优选的，主体结构作为容纳微带电路的载体，其结构可被构造为多种可行的形式，此处进行优化并采用如下一种可行的选择：对主体的结构进行优化设置，所述的第一腔体结构1处设置有第一盖体3，第二腔体结构2处设置有第二盖体4。采用如此方案时，第一盖体3与第二盖体4分别采用扣合、粘接等方式与主体连接固定。

在本实施例中，为了保障散热，在主体内设置有液冷管路，在主体的侧壁面上设置液冷流道5。

以上即为本实施例列举的实施方式，但本实施例不局限于上述可选的实施方式，本领域技术人员可根据上述方式相互任意组合得到其他多种实施方式，任何人在本实施例的启示下都可得出其他各种形式的实施方式。上述具体实施方式不应理解成对本实施例的保护范围的限制，本实施例的保护范围应当以权利要求书中界定的为准，并且说明书可以用于解释权利要求书。

Claims (10)

1.双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：包括主体，主体上设置有第一腔体结构（1），第一腔体结构（1）内的一个平面搭载两路低频微带电路，另一个平行的平面搭载两路第一高频微带电路；

低频微带电路包括低频输入级微带（28），低频输入级微带（28）通过一分四功分器分为四路T/R通道，每路T/R通道包括相互分离的接收通道和发射通道并由收发切换开关（13）控制，T/R通道连接低频末级微带（12）和低频输出级连接器（18）并与天线互联；

第一高频微带电路包括第一高频输入级微带（36），第一高频输入级微带（36）通过一分二功分器和一分四功分器级联分为八路T/R通道，每路T/R通道经由第一转接微带（35）连接第一高频末级微带（31），并通过第一高频输出级连接器（17）与天线互联；

主体上还设置有第二腔体结构（2），第二腔体结构（2）的一个平面上搭载两路第二高频微带电路，低频微带电路所在平面位于第二高频微带电路所在平面与第一高频微带电路所在平面之间；第二高频微带电路包括第二高频输入级微带，第二高频输入级微带通过一分二功分器和一分四功分器级联分为八路T/R通道，每路T/R通道经由第二转接微带（26）连接第二高频末级微带（29），并通过第二高频输出级连接器（24）与天线互联。

2.根据权利要求1所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的第一腔体结构（1）上设置有为低频微带电路供电的低频射频供电板（10），为第一高频微带电路供电的第一高频射频供电板（8）；所述的第二腔体结构（2）上设置有为第二高频微带电路供电的第二高频射频供电板（9）。

3.根据权利要求2所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的第一腔体结构（1）上还串联设置有低频波控子板（7）和高频波控子板（6），低频波控子板（7）和/或高频波控子板（6）上设置有充电接口（16），通过充电接口（16）为低频射频供电板（10）、第一高频射频供电板（8）和第二高频射频供电板（9）供电；低频波控子板（7）与高频波控子板（6）还通过信号线（11）连接通信，且低频波控子板（7）和/或高频波控子板（6）与低频微带电路、第一高频微带电路和第二高频微带电路均互联。

4.根据权利要求3所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的低频波控子板（7）与高频波控子板（6）上分别设置有排针结构（15）并互联。

5.根据权利要求1所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的低频微带电路，低频输入级微带（28）与一分四功分器之间设置有公共驱动T/R芯片（34），每个T/R通道上还设置有幅相控制芯片（33）和T/R芯片（23），T/R通道连接低频末级微带（12）的位置还设置有末级功放芯片（21）和低噪声放大器芯片（22）。

6.根据权利要求1所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的第一高频微带电路和第二高频微带电路，一分二功分器与一分四功分器之间设置有公共驱动T/R芯片（34），每个T/R通道上还设置有幅相控制芯片（33）和末级T/R收发芯片（32）。

7.根据权利要求1或6所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的主体的前端面设置射频信号连接器，射频信号连接器包括与低频输入级微带（28）连接的低频输入级连接器（20），与第一高频输入级微带（36）连接的第一高频输入级连接器（19），与第二高频输入级微带连接的第二高频输入级连接器（25）；第二高频输入级连接器（25）与第二高频输入级微带穿过第一腔体结构（1）。

8.根据权利要求7所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的第一腔体结构（1）内设置有输入级级联微带（37），输入级级联微带（37）的一端与第二高频输入级连接器（25）连接，输入级级联微带（37）的另一端通过转接件（30）与第二高频输入级微带连接。

9.根据权利要求1所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的低频输出级连接器（18）、第一高频输出级连接器（17）和第二高频输出级连接器（24）均设置于主体的后端面，第二高频输出级连接器（24）、低频输出级连接器（18）和第一高频输出级连接器（17）从上往下分别成行且间隔设置。

10.根据权利要求1所述的双频复合大功率砖式T/R组件，其特征在于：所述的第一腔体结构（1）处设置有第一盖体（3），第二腔体结构（2）处设置有第二盖体（4）。

Images