CN114050220A - 透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及透明显示技术领域，本申请公开一种透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法。发光显示器件包括基底、第一电极层、有机发光层以及第二电极层，所述第一电极层设置在所述基底上；所述发光层设置在所述第一电极层远离所述基底的一侧，所述有机发光层中的空穴注入层邻接于所述第一电极层；所述第二电极层设置在所述有机发光层远离所述第一电极层的一侧；其中，所述空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，所述分布式布拉格反射镜结构包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列，能减少反射电极的使用从而提高透明率。

Description

透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法

技术领域

本申请涉及透明显示技术领域，具体而言，涉及一种透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法。

背景技术

近年来，透明显示逐渐成为新的显示潮流，在高端展示、橱窗、大堂景观、新零售等诸多领域都具有很大的应用前景，同时也已经开始受到自动驾驶、智能家居、智慧建筑、智慧医疗、智能可穿戴等应用场景的青睐，发展前景可期。在透明显示技术开发领域，无论是传统LED、OLED还是Mini/Micro LED，透明显示产品正在不断增多，逐渐成为行业的一个新潮流，其中，OLED面板无需背光即可自行发光，因此有很强的透明度，又有轻薄特性，比较适合透明产品的开发。

但是由于LED、OLED还是Mini/Micro LED中通常会用到反射电极，应用在透明显示技术中，便限制了透明区域的面积，造成现有透明显示产品的透明率并不理想。

发明内容

本申请的一个主要目的在于解决现有透明显示产品由于采用反射电极导致的透明率并不理想的问题，提供一种能减少反射电极的使用从而提高透明率的透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法。

为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请的一个方面，提供了一种发光显示器件，包括基底、第一电极层、有机发光层以及第二电极层，所述第一电极层设置在所述基底上；所述发光层设置在所述第一电极层远离所述基底的一侧，所述有机发光层中的空穴注入层邻接于所述第一电极层；所述第二电极层设置在所述有机发光层远离所述第一电极层的一侧；其中，所述空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，所述分布式布拉格反射镜结构包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列。

根据本申请的实施例，其中所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于或等于0.2。

根据本申请的实施例，其中所述第一电极层包括金属电极层以及透明金属氧化物层，所述透明金属氧化物层与所述空穴注入层形成分布式布拉格反射镜结构。

根据本申请的实施例，其中所述具有第一折射率的所述折射层为p型掺杂材料，所述具有第二折射率的所述折射层为p型掺杂材料。

根据本申请的实施例，其中所述空穴注入层包括一对或者多对分别具有第一折射率以及第二折射率的所述折射层。

根据本申请的实施例，其中所述第一电极层的所述金属电极层厚度为0-20nm。

根据本申请的实施例，其中所述第二电极层包括金属层或者透明金属氧化物层，所述第二电极层厚度为10-20nm。

根据本申请的实施例，其中所述第一电极层包括第一子电极、第二子电极以及第三子电极，所述第一子电极、所述第二子电极以及所述第三子电极分别对位所述发光显示器件的第一子像素、第二子像素以及第三子像素。

根据本申请的实施例，其中所述第二电极层为对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的整体电极层，且所述空穴注入层为对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的整体膜层，或者，所述空穴注入层为分别对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的三个分体膜层。

根据本申请的另一方面，提供一种透明显示面板，包括如前所述的发光显示器件。

根据本申请的再一方面，提供一种显示装置，包括如前所述的透明显示面板。

根据本申请的又一方面，一种制备发光显示器件的方法，包括步骤：

提供基底；

在所述基底上形成第一电极层；

在所述第一电极层远离所述基底的一侧形成有机发光层；

在所述有机发光层远离所述第一电极层的一侧形成第二电极层；以及，

以所述有机发光层中的空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，所述分布式布拉格反射镜结构包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列。

由于本申请实施例提供的透明显示面板、显示装置、发光显示器件及制备方法，以所述空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，因此可以减少反射电极(厚金属)的区域，在保证发光率的前提下提高了产品的透明率，且由于利用有机层制备分布式布拉格反射镜结构，以顺序制备便可以成型，不需要另外工艺制备反射结构，使得制备工艺简单，且可根据发光层的发光波长调整分布式布拉格反射镜结构的有效反射波长，能达到精准可控的技术效果。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据第一实施例示出的一种发光显示器件的层结构示意图。

图2是根据第二实施例示出的一种发光显示器件的层结构示意图。

图3是根据第三实施例示出的一种发光显示器件的层结构示意图。

图4是第一实施例中发光显示器件反射率实验数据图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

解决现有透明显示产品由于采用反射电极导致的透明率并不理想的问题，本申请实施例提供了一种发光显示器件，包括基底、第一电极层、有机发光层以及第二电极层，所述第一电极层设置在所述基底上；所述发光层设置在所述第一电极层远离所述基底的一侧，所述有机发光层中的空穴注入层邻接于所述第一电极层；所述第二电极层设置在所述有机发光层远离所述第一电极层的一侧；其中，所述空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，所述分布式布拉格反射镜结构包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列。

本申请实施例以所述空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，因此可以减少反射电极(厚金属)的区域，在保证发光率的前提下提高了产品的透明率，且由于利用有机层制备分布式布拉格反射镜结构，以顺序制备便可以成型，不需要另外工艺制备反射结构，使得制备工艺简单，且可根据发光层的发光波长调整分布式布拉格反射镜结构的有效反射波长，能达到精准可控的技术效果。

为了更便于理解本申请，以下结合附图对本申请具体实施例示例性说明如下：

第一实施例

图1是根据第一实施例示出的一种发光显示器件的层结构示意图。如图中所示意，本实施例公开了一种发光显示器件，主要包括基底1、第一电极层2、有机发光层(3-8)以及第二电极层9，所述第一电极层2设置在所述基底1上；所述发光层设置在所述第一电极层2远离所述基底1的一侧，所述有机发光层中的空穴注入层3邻接于所述第一电极层2；所述第二电极层9设置在所述有机发光层远离所述第一电极层2的一侧；其中，所述空穴注入层3与所述第一电极层2形成分布式布拉格反射镜结构B，所述分布式布拉格反射镜结构B包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的第一折射层31与具有第二折射率的第二折射层32交替排列。可以提高透明面板的电极反射率，提高面板的亮度以及稳定性，并且改善面板输出光的偏振特性，提高面板的发光质量。图4是第一实施例中发光显示器件反射率实验数据图，据此可见，利用本申请提供的技术方案只需经过多次调节与适配，最高可将目标波段光线的反射率提高至100％。

可以理解的是，其中所述的多个折射层可以为第一电极层2全部或部分，以及空穴注入层3的全部或部分，以上只是在描述光学技术思路时，另以折射层对这些不同功能层进行描述而已。

前述的分布式布拉格反射镜(distributed Bragg reflector mirror，简称DBR反射镜)是指交错生长的若干对两种或两种以上的半导体或介质材料，以此来获得对某一光学波段的高反射率。一般来说最常用的就是四分之一反射镜，是指每一层的厚度都对应目标光学波段四分之一的波长，并且两种材料的折射率差越大反射效率越高。当特定波长的光入射时，两个相邻界面处反射光的光程差为半个波长，另外，界面处的反射系数的符号也会发生改变。因此，在界面处的所有反射光发生相消干涉，得到较强的反射。反射率是由材料的层数和材料之间的折射率差决定的。反射带宽则主要由折射率差决定。设起始介质折射率为n₀,交替生长的膜层折射率分别为n₁和n₂，终止层(背底或衬底)折射率为n_S，则该体系下布拉格反射率为：

反射带宽可由以下公式计算：

其中f₀是光谱中心频率。以上公式给出的是这两种折射率材料所能达到反射带宽最大值。

在本具体实施例中，第一电极层2包括金属电极层21以及透明金属氧化物层22，所述透明金属氧化物层22与所述空穴注入层3形成分布式布拉格反射镜结构B。其中，以针对450nm波长的光学波段为例，所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于或等于0.2。比如，其中第一电极层2中透明金属氧化物层22可选择为氧化铟锡(ITO)，其折射率一般在2左右，所以与之相邻的第一折射率的第一空穴注入层31选择为折射率为1.8或小于1.8的有机材料，而具有第一折射率第二空穴注入层32选择为折射率为2的有机材料。空穴注入层可为掺杂膜层如轴烯类或醌类化合物掺杂芳胺化合物，具体可为F4TCNQ掺杂NPB或TPD。一具体实施例中，空穴注入层3的材质包括P掺杂的铝铟镓氮(AlxInyGa1-x-yN)，铝铟镓氮的带隙大小和禁带宽度由铝和镓含量共同决定，可以同时调节空穴注入层3的晶格参数和禁带宽度(折射率)。这样就使得在降低所述空穴注入层3的折射率的同时，还能够使所述空穴注入层3与第一电极层2之间不产生较大的晶格失配。

当将此OLED器件用于透明显示时，由于蓝光发光层的发光效率一般比较低，为了获得更好的显示效果，所述分布布拉格反射镜对所述蓝光的反射率可调节至大于85％，且对所述红光和所述绿光的反射率比蓝光略低30％左右。由此，可以获得微腔效应增强蓝光的OLED器件，有效提高蓝光的发光效率，解决OLED器件中蓝光发光效率低的问题。

更具体地，其中所述空穴注入层3包括一对或者多对第一空穴注入层31以及第二空穴注入层32，具体对数可根据各层折射率差值以及目标波段进行调节与选择，一般数量控制在5-15对之间。其中所述具有第一折射率的所述第一空穴注入层31为p型掺杂材料，所述具有第二折射率的所述第二空穴注入层32为p型掺杂材料。可以避免空穴在空穴注入层3与空穴阻挡层6之间的界面上积累，从而提升了有机电致发光器件的寿命。

根据本申请的实施例，其中所述第一电极层2的所述金属电极层21厚度可选择为0-20nm。所述第二电极层9包括金属层或者透明金属氧化物层，所述第二电极层9厚度可选择为10-20nm。

而图1示出的应用于强微腔RBG side-by-side发光器件的第一实施例中，由基底1至第二电极层9依次包括第一电极层2(阳极Anode)、空穴注入层3、电子阻挡层4(EBL)、发光层5(EML)、空穴阻挡层6(HBL)、电子传输层7(ETL)、电子注入层8(EIL)和第二电极层9(阴极Cathode)。其中发光层(EML)包括红色发光层51(R-EML)、绿色发光层52(G-EML)以及蓝色发光层53(G-EML)。分布布拉格反射镜在全波段的反射率具有可设计以及可调节的性质，可以灵活的通过对DBR反射镜的设计，实现对OLED器件微腔效应的充分利用，以增加OLED器件的亮度和发光效率，且增强某波段光的同时不会削弱其他波段光。

半导体微腔是增强发光材料相互作用的光学结构，发光层内产生的光子被限制在由两个镜面形成的腔体内，而有机发光二级管的基本结构是有机层夹在两个电极之间的三明治式结构，有机层的整体厚度通常100nm，且其光学几乎与发光波长在同一个量级，因此，这种器件的发光特性不仅依赖有机发光材料本身所固有的特性，同时器件的光学结构也对发光特性有微腔效应。在有机发光二极管器件中用两个强反射电极时，由两个电极构成的一维微腔就会使发射光在腔内形成多束光束的强干涉。强干涉微腔效应的结果窄化了发射光谱，对发射光谱的峰值波长有很好的调制作用。

根据本申请的实施例，其中所述第一电极层2包括第一子电极、第二子电极以及第三子电极，所述第一子电极、所述第二子电极以及所述第三子电极分别对位所述发光显示器件的第一子像素、第二子像素以及第三子像素。

根据本申请的实施例，其中所述第二电极层9为对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的整体电极层，且所述空穴注入层为对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的整体膜层，或者，所述空穴注入层为分别对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的三个分体膜层。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制备发光显示器件的方法。根据本发明的实施例，该方法制备的发光显示器件可以为前面描述的有机发光显示器件。由此，该方法制备的有机发光显示器件可以具有与前面描述的有机发光显示器件相同的特征以及优点，在此不再赘述。根据本发明的实施例，该方法包括：

S1：在基底1上形成第一电极层2

根据本发明的实施例，在该步骤中，在基底1上形成第一电极层2。根据本发明的实施例，第一电极层2可以为阳极。关于基底1例如可以硅基板、玻璃基板、聚合物基板等，也可以是由非晶硅构成或也可以是由多晶硅构成。关于阳极以及阴极的材料也不受特别限制，只要满足阳极材料具有较高的功函数、阴极材料具有较低的功函数即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，第一电极层2可以分别包括较薄的金属电极层21以及透明金属氧化物层22，而透明金属氧化物层22可由ITO构成。由此，阳极具有较高的空穴注入效率，并且，透明金属氧化物层22能与空穴注入层3共同达成较高的反射率。根据本发明的实施例，第二电极层9(阴极)可以是由IZO构成的。由此，阴极具有较高的电子注入效率。根据本发明的实施例，基底1可以是由非晶硅或多晶硅形成。根据本发明的实施例，为了实现有机发光显示器件的使用，还需要在基底1上设置背板电路。具体的，可以通过沉积以及光刻等半导体工艺在基底1上获得背板电路。根据本发明的实施例，在具有背板电路的基底1上通过沉积第一电极层2，形成阳极。由此，可以通过背板电路控制有机发光显示器件的显示。

S2：在第一电极层2远离基底1的一侧设置有机发光层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在第一电极层2远离基底1的一侧设置有机发光层。具体的，在阳极远离基底1的一侧，蒸镀有机发光材料，以便形成发光层。其中在蒸镀发光层之前，还在第一电极层2远离基底1的一侧，通过蒸镀的方式形成多对具有不同折射率的空穴注入层3，也即是说，空穴注入层3设置在第一电极层2与电子阻挡层4之间，以此形成分布式布拉格反射镜结构B。

S3：在发光层远离第一电极层的一侧设置第二电极层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在发光层远离第一电极层2的一侧设置第二电极。根据本发明的实施例，第二电极层9可以为阴极。关于阴极的材料前面已经进行了详细的描述，在此不再赘述。例如，根据本发明的实施例，第二电极层9也可以是由Mg/Ag合金形成的。本领域技术人员能够理解的是，在溅射第二电极层9之前，还可以在发光层远离第一电极层2的一侧，通过蒸镀的方式形成电子注入层8，也即是说，电子注入层8设置在阴极与发光层之间。

第二实施例

图2是根据第二实施例示出的一种发光显示器件的层结构示意图。本实施例中是以WOLED(白光有机发光二极管)+CF(彩膜)的方式应用于透明面板的实施例。

其中，本实施例中同样是以空穴注入层3与相邻的第一电极层2形成分布式布拉格反射镜结构B，所述分布式布拉格反射镜结构B包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的第一折射层31与具有第二折射率的第二折射层32交替排列。可以提高透明面板的电极反射率，提高面板的亮度以及稳定性，并且改善面板输出光的偏振特性，提高面板的发光质量。其与前一实施例的区别在于，空穴注入层3为整体膜层，不再针对各个子像素分别设置。

其中，WOLED(白光有机发光二极管)+CF(彩膜)的方式主要是白光透过CF来实现全彩色，是相对比较成熟的大尺寸OLED(有机发光二极管)显示装置的主流技术。其类似于LCD(液晶显示器)的技术，采用WOLED基板与CF盖板进行对盒的方式，优点是易于实现顶发射方式，开口率高。

该WOLED发光器件由第一电极层2至彩膜层(CF层)之间依次包括：第一电极层2(阳极Anode)，空穴注入层3(HIL)，电子阻挡层101(EBL)，蓝色发光层102，空穴阻挡层103(HBL)，电子传输层104(ETL)，电苛产生层105(CGL)，空穴注入层106(HIL)，红色发光层107，蓝色发光层108，电子传输层109(ETL)，电苛产生层111(CGL)，空穴传输层112(HTL)，蓝色发光层113，空穴阻挡层114(HBL)，电子传输层115(ETL)，电子注入层116(EIL)以及第二电极层117，而在第二电极层117外侧包括由红色滤光层118、和绿色滤光层119以及蓝色滤光层120组成的彩膜层。

其中，阳极和阴极之间的膜层组成白光发光层。当然，本发明实施例中的白光发光层的结构并不限于此，也可以为其他结构。

本实施例中，以分布布拉格反射镜结构在全波段的反射率具有可设计以及可调节的性质，可以灵活的通过对DBR反射镜的设计，实现对白光OLED器件微腔效应的充分利用，以增加OLED器件的亮度和发光效率，且增强某波段光的同时不会削弱其他波段光。

第三实施例

图3是根据第三实施例示出的一种发光显示器件的层结构示意图。本实施例中是以蓝光OLED+量子点膜结合的方式应用于透明面板的实施例。

QLED(量子点发光二极管：Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)通常包括具有多个量子点纳米晶体的发光层。发光层夹在电子传输层和空穴传输层之间。将电场施加到量子点发光二极管，使电子和空穴移动到发光层中。在发光层中，电子和空穴被捕获在量子点中并被重新组合，发射光子。与有机发光二极管相比，量子点发光二极管的发射光谱更窄。钙钛矿量子点(例如：有机-无机杂化钙钛矿量子点(MAPbX3，MA代表CH3NH3)，全无机钙钛矿量子点(CsPbX3，代表Cl、Br、I中的任意一种))是一类新型荧光材料。该种材料具有荧光量子产率高(最高可达90％)，吸收光谱宽(光谱范围为410nm-690nm)，发射光光谱窄(光谱半峰宽范围小于30nm)等优异的光学性能。

其中，本实施例中同样是以空穴注入层3与相邻的第一电极层2形成分布式布拉格反射镜结构B，所述分布式布拉格反射镜结构B包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的第一折射层31与具有第二折射率的第二折射层32交替排列。可以提高透明面板的电极反射率，提高面板的亮度以及稳定性，并且改善面板输出光的偏振特性，提高面板的发光质量。其与前一实施例的区别在于，空穴注入层3为整体膜层，不再针对各个子像素分别设置。

其中，蓝光OLED+量子点膜的方式主要是蓝光透过量子点膜(QD)来实现全彩色。

本实施例中发光器件由第一电极层2至量子点膜层(QD层)之间依次包括：第一电极层2(阳极Anode)，空穴注入层3(HIL)，电子阻挡层201(EBL)，蓝色发光层202，空穴阻挡层203(HBL)，电子传输层204(ETL)，电苛产生层205(CGL)，空穴注入层206(HIL)，蓝色发光层207，空穴阻挡层208(HBL)，电子传输层209(ETL)，电子注入层210(EIL)以及第二电极层211，而在第二电极层211外侧包括由红色量子点层212和绿色量子点层213组成的量子点膜层。

其中，阳极和阴极之间的膜层组成蓝光发光层。当然，本发明实施例中的白光发光层的结构并不限于此，也可以为其他结构。

本实施例中，以分布布拉格反射镜结构在全波段的反射率具有可设计以及可调节的性质，可以灵活的通过对DBR反射镜的设计，实现对OLED器件微腔效应的充分利用，以增加OLED器件的亮度和发光效率，且增强某波段光的同时不会削弱其他波段光。

根据本申请的另一方面，还可以认为提供了一种透明显示面板，包括如前所述的发光显示器件。这样，能获得更高的透明度，发光效率以及更高的稳定性，且OLED面板无需背光即可自行发光，因此有很强的透明度，又有轻薄特性，比较适合透明产品的开发。

根据本申请的再一方面，提供一种显示装置，包括如前所述的透明显示面板。

根据本申请的又一方面，一种制备发光显示器件的方法，包括步骤：

提供基底1；

在所述基底1上形成第一电极层2；

在所述第一电极层2远离所述基底1的一侧形成有机发光层；

在所述有机发光层远离所述第一电极层2的一侧形成第二电极层9；以及，

以所述有机发光层中的空穴注入层与所述第一电极层2形成分布式布拉格反射镜结构B，所述分布式布拉格反射镜结构B包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种发光显示器件，其特征在于，包括：

基底；

第一电极层，所述第一电极层设置在所述基底上；

有机发光层，所述发光层设置在所述第一电极层远离所述基底的一侧，所述有机发光层中的空穴注入层邻接于所述第一电极层；以及，

第二电极层，所述第二电极层设置在所述有机发光层远离所述第一电极层的一侧；

其中，所述空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，所述分布式布拉格反射镜结构包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列。

2.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述第一折射率与所述第二折射率的差值大于或等于0.2。

3.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述第一电极层包括金属电极层以及透明金属氧化物层，所述透明金属氧化物层与所述空穴注入层形成分布式布拉格反射镜结构。

4.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述具有第一折射率的所述折射层为p型掺杂材料，所述具有第二折射率的所述折射层为p型掺杂材料。

5.根据权利要求1所述的发光显示器件，其特征在于，所述空穴注入层包括一对或者多对分别具有第一折射率以及第二折射率的所述折射层。

6.根据权利要求3所述的发光显示器件，其特征在于，所述第一电极层的所述金属电极层厚度为0-20nm。

7.根据权利要求1至6任一项所述的发光显示器件，其特征在于，所述第二电极层包括金属层或者透明金属氧化物层，所述第二电极层厚度为10-20nm。

8.根据权利要求1至6任一项所述的发光显示器件，其特征在于，所述第一电极层包括第一子电极、第二子电极以及第三子电极，所述第一子电极、所述第二子电极以及所述第三子电极分别对位所述发光显示器件的第一子像素、第二子像素以及第三子像素。

9.根据权利要求8所述的发光显示器件，其特征在于，所述第二电极层为对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的整体电极层，且所述空穴注入层为对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的整体膜层，或者，所述空穴注入层为分别对应第一子像素、第二子像素以及第三子像素的三个分体膜层。

10.一种透明显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的发光显示器件。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的透明显示面板。

12.一种制备发光显示器件的方法，其特征在于，包括步骤：

提供基底；

在所述基底上形成第一电极层；

在所述第一电极层远离所述基底的一侧形成有机发光层；

在所述有机发光层远离所述第一电极层的一侧形成第二电极层；以及，

以所述有机发光层中的空穴注入层与所述第一电极层形成分布式布拉格反射镜结构，所述分布式布拉格反射镜结构包括多个折射层，多个所述折射层中以具有第一折射率的所述折射层与具有第二折射率的所述折射层交替排列。

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