CN114039204A - 同时覆盖3g、4g频段的紧凑滤波型双极化阵列天线 - Google Patents

同时覆盖3g、4g频段的紧凑滤波型双极化阵列天线 Download PDF

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CN114039204A CN202110981689.0A CN202110981689A CN114039204A CN 114039204 A CN114039204 A CN 114039204A CN 202110981689 A CN202110981689 A CN 202110981689A CN 114039204 A CN114039204 A CN 114039204A
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Abstract

本发明公开同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线。本发明通过利用添加金属通孔或探针来形成低散射结构从而来降低各个天线单元间的散射影响；低散射设计结构在减小异频单元互耦导致的方向图畸变的问题同时可以较好的抑制单元间的耦合效应。本发明通过相互垂直的开槽或缝隙来实现各个频段单元的宽带化设计，并且通过设计辐射零点来有效抑制各个单元在带外的谐振模式，实现各自较好的带外抑制和滤波功能，这可以进一步抑制不同频率天线单元间的互耦问题。

Description

同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线
技术领域
本发明属于天线技术领域，涉及一种同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线。
背景技术
基站天线单元的数量越来越多并且需要同时兼容更多的频段，这导致了天线的规模越来越大。在同一个基站铁塔上需要同时安装3G、4G等诸多频段的天线以满足不同通信运营商的不同频段的需要。因此天线的频段越来越多从而导致铁塔上的空间资源日趋紧张。但由于天线间存在的强电磁耦合，以及不同频段天线不同的安装时间等原因，不同频段的天线只能分开建造，这样既不利于天线安装，也会大大增加了建设成本，同时由于电磁干扰也会降低天线的辐射性能。
为了满足减少铁塔上天线数量的同时还可以覆盖不同频段的需求，目前普遍的方案是采用能够同时覆盖多个频段的阵列天线即将多个频段的天线并列排放，这种方案会导致阵列天线的尺寸过大以及相邻的天线元件之间存在的较强的电磁耦合还会影响天线辐射性能。对此，传统方案是采用诸如双工器或去耦寄生元件等额外的组件来降低这种天线间的电磁耦合。然而这些额外的去耦组件将不可避免地增加设计复杂度，并导致额外的插入损耗。另外并列排放的天线将面临严重的异频互扰，这将会导致出现天线间隔离度恶化、方向图畸变等问题。
因此，在有限的基站铁塔空间资源的情况下，能够设计出可以同时覆盖3G/4G各个频段且天线性能大致不变的紧凑型基站天线，是十分有必要的。
发明内容
本发明的目的在于针对基站铁塔上空间资源不足以同时覆盖如今出现的多个频段的需求、各频段之间存在的较大的耦合效应所导致的方向图畸变的问题，提出一种同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，通过在天线带外构建非辐射谐振模式或在辐射体上引入寄生结构的方法，在带外产生辐射零点进而抑制天线的耦合效应。不仅不需要额外的去耦器件、减小了系统的体积和重量使天线更加紧凑，而且系统的匹配也可以更容易的控制。本发明还通过利用添加金属通孔或探针的方法使方向图畸变的问题得到了很好的解决。
本发明采用的技术方案如下：
一种同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，包括多个3G频段天线单元(01)、多个4G频段天线单元(02)。
作为优选，每个3G频段天线单元(01)的四周设置四个4G频段天线单元(02)。更为优选，每个3G频段天线单元(01)的四周设置四个中心对称的4G频段天线单元(02)。
最为优选，相邻3G频段天线单元(01)可以共用4G频段天线单元(02)。
4G频段天线单元(02)与3G频段天线单元(01)之间的距离与具体频率有关。
所述3G频段天线单元(01)包括介质基板(011)、馈电贴片(013)、第一辐射贴片(012)、第一馈电网络(015)。其中介质基板(011)包括第一顶层介质基板(0111)、第一中间介质基板(0112)、第一底层介质基板(0113)。第一顶层介质基板(0111)的上方设置第一辐射贴片(012)。第一顶层介质基板(0111)与第一中间介质基板(0112)之间设置馈电贴片(013)。馈电贴片(013)贴于第一中间介质基板(0112)的上方。第一中间介质基板(0112)与第一底层介质基板(0113)之间设置第一馈电网络(015)。
作为优选，所述第一辐射贴片(012)是长度为一定值的矩形金属贴片。
所述馈电贴片(013)包括中间开有缺口(017)的第一馈电贴片，以及位于缺口(017)内的第二馈电贴片。第一馈电贴片与第二馈电贴片不接触。
作为优选，缺口(017)的形状为正方形。
所述第一馈电网络(015)包括耦合到第一馈电贴片(013)的不同宽度的第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)，且第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)垂直设置；所述第二阻抗线(0152)采用H型阻抗线。所述第一阻抗线(0151)为轴对称设置的第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)构成的H型阻抗线，且第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)与第二阻抗线(0152)不相交。第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)分别通过贯穿第一中间介质基板(0112)的第一金属通孔(0161)、第二金属通孔(0162)并与第二馈电贴片连接，这避免了使用额外的桥接结构，易于制造，并且还可以增加两个端口间的隔离度。第一阻抗线(0151)、第二阻抗线(0152)分别设置第一探头(0182)、第二探头(0181)。馈电端口由第一同轴电缆(0141)和第二同轴电缆(0142)组成。第一同轴电缆(0141)的底部与第一底层介质基板(0113)接触，顶部与第一阻抗线(0151)的第一探头(0182)连接。第二同轴电缆(0142)的底部与第一底层介质基板(0113)接触，顶部与第二阻抗线(0152)的第二探头(0181)连接。
作为优选，第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)的两端均位于第一馈电贴片的下方非缺口位置。
第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)均可以产生一个极化。第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)的长度取决于具体频率的波长。
所述第一馈电网络(015)可以确保较低频带边缘处的陡峭滚降率并产生辐射零点从而达到滤波的效果。且第一馈电网络(015)有助于实现低交叉极化和提高馈电端口之间的隔离度。第二馈电贴片的长度以及第一阻抗线(0151)两端的宽度均能影响到辐射零点的频率高低。另外，第一辐射贴片(012)在上阻带处可以形成另一个辐射零点，使耦合得到了更好的抑制，并可在通带内提供较好的增益。第一辐射贴片(012)的形状大小能影响到辐射零点的频率高低。因此，无需使用额外的去耦电路即可获得令人满意的、具有滤波性能的紧凑型天线。沿着水平方向和垂直方向的第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)和金属通孔(016)组成的结构还可以有效的抑制TMmn模式，从而有效抑制耦合效应。
所述4G频段天线单元(02)包括第二顶层介质基板(021)、第一底层介质基板(0113)、第二辐射贴片(023)、巴伦(027)、第二馈电网络(022)。第二辐射贴片(023)包括位于顶层介质基板上方的呈中心对称的四个多边形金属贴片(0231)以及位于第一底层介质基板(0113)上方的矩形贴片(0232)。在第二顶层介质基板(021)与矩形贴片(0232)之间设置有巴伦(027)。
所述四个多边形金属贴片(0231)构成对称的平面偶极臂。
所述巴伦(027)包括相互垂直的第一巴伦基板(0271)和第二巴伦基板(0272)。第一巴伦基板(0271)和第二巴伦基板(0272)均为结构相同的巴伦基板，每个巴伦基板均包括相互平行且相隔一定距离的第一基板(02721)与第二基板(02722)。巴伦(027)起平衡不平衡转换以及同时支撑第二顶层介质基板(021)的作用。第一基板(02721)的外侧(即与第二基板(02722)不相邻侧)设有垂直微带线(022112)，第二基板(02722)的外侧(第一基板(02721)与第二基板(02722)不相邻的那一侧)存在接地线(022111)。垂直微带线(022112)与接地线(022111)之间通过水平金属线(02213)连接。垂直微带线(022112)、接地线(022111)、水平金属线(02213)与Y形阶梯阻抗微带线(02212)共同组成了一个馈电网络。第一巴伦基板(0271)和第二巴伦基板(0272)上的两个馈电网络即为子馈电网络A(0221)与子馈电网络B(0222)，采用空气桥连接器(026)的连接方式防止子馈电网络A(0221)与子馈电网络B(0222)相交。垂直微带线(022112)与接地线(022111)的长度徐根据具体频率确定的波长而定，Y形阶梯阻抗微带线(02212)的宽度也与具体频率的波长有关。通过具体频率的波长确定的第二馈电网络(022)的大小可以控制辐射零点的位置。
巴伦(027)和子馈电网络A(0221)、子馈电网络B(0222)可以形成两个半波长谐振器，这将在上阻带形成两个辐射零点。同时巴伦(027)与多边形金属贴片(0231)之间的辐射抵消会产生另外一个辐射零点。正是由于存在这三个辐射零点，该天线能够很好的抑制耦合。另外，双极化信号将通过子馈电网络A(0221)、子馈电网络B(0222)中的水平金属线(02213)穿过巴伦(027)，然后与顶部的多边形金属贴片(0231)形成一个能够使天线的散射峰值变小，可以减弱天线散射效应的低散射结构。
该结构在保持带内的性能的前提下，有很好的频率选择性和抑制耦合的效果。另外，同时在水平方向和垂直方向开的对称十字形蚀刻槽(038)可以有效的抑制所有的TMmn模式从而使相应的散射峰值较小，达到低散射的效果。而低散射(RCS)的天线能使辐射方向图不会产生畸变且可以更好的抑制耦合。
本发明的有益效果为：
(1)采用滤波型宽带化天线的设计技术，不需要额外的去耦电路，可以降低耦合效应，提高隔离度；
(2)采用了低散射(RCS)设计技术，不仅减少了不同频率单元间的耦合效应，而且能改善频率较高的天线对频率较低天线的因为阻挡而产生的辐射方向图畸变的问题；
(3)通过共口径堆叠可以使整个阵列天线体积相比传统技术减小三分之一，重量由于反射板的减小也相应变轻，可以有效减少整个天线的风阻；
(4)由于将多个频段天线集成到一起共用一个外壳，可以大大降低铁塔安装相关建造和租聘成本；
(5)由于体积、重量等的变小，使安装较传统阵列天线更加容易，降低人工安装成本。
附图说明
图1为3G频段天线单元整体结构示意图；
图2(a)为3G频段天线单元部分立体图；
图2(b)为3G频段天线单元部分第一馈电网络结构示意图；
图2(c)为3G频段天线单元部分俯视图；
图3(a)为4G频段天线单元整体结构示意图；
图3(b)为4G频段天线单元巴伦结构的结构图；
图3(c)为4G中频段部分巴伦结构的结构图；
图4(a)为一种3G/4G天线阵列排布的结构示意图；
图5(a)为3G/4G天线阵列中3G天线单元的回波损耗图；
图5(b)为3G/4G天线阵列中3G天线单元的隔离度图；
图5(c)为3G/4G天线阵列中3G单元的E面辐射方向图；
图5(d)为3G/4G天线阵列中3G单元的H面辐射方向图；
图6(a)为3G/4G天线阵列中4G天线单元的回波损耗图；
图6(b)为3G/4G天线阵列中4G天线单元的隔离度图；
图6(c)为3G/4G天线阵列中4G单元的E面辐射方向图；
图6(d)为3G/4G天线阵列中4G单元的H面辐射方向图；
图7(a)为3G/4G单元间的隔离度；
图中标记：天线阵列0、3G频段天线单元01、4G频段天线单元02、介质基板011、第一底层介质基板0113、第一中间介质基板0112、第一顶层介质基板0111、第一辐射贴片012、馈电贴片013、同轴线馈电端口014、第一同轴电缆0141、第二同轴电缆0142、3第一馈电网络015、第一阶梯阻抗线0151、第二阶梯阻抗线0152、中心部分阻抗线01511、两侧阻抗线01512、金属通孔016、第一金属通孔0161、第二金属通孔0162、矩形缺口017、探头018、第一探头0182、第二探头0181、第二顶层介质基板021、第二馈电网络022、第三馈电网络0221、第四馈电网络0222、Y形阶梯阻抗微带线02212、水平垂直微带线02211、水平金属线02213、接地线022111、垂直微带线022112、巴伦027、第一巴伦基板0271、第二巴伦基板0272、第一基板02721、第二基板02722、第二辐射贴片023、多边形金属贴片0231、矩形贴片0232、空气桥连接器026、第一空气连接桥0261、第二空气连接桥0262。
具体实施方式
为了更加清楚地说明本发明解决的问题、采用的技术方案和有益效果，下面结合图示说明本发明的具体实施方式，这里所描述的优选实施例子仅用于说明和解释本发明，并不用以限制本发明，凡是在本发明的精神和原则之内所做的修改、等同替换和改进等，均应在本发明的保护范围之内。
一种同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，如图4(a)包括4个3G频段天线单元01、10个4G频段天线单元02。每个3G频段天线单元01的四周设置四个中心对称的4G频段天线单元02。相邻3G频段天线单元01共用4G频段天线单元02。
参见图1、图2(a)、图2(b)、图2(c)所述3G频段天线单元01包括介质基板011、馈电贴片013、第一辐射贴片012、第一馈电网络015。其中介质基板011包括第一顶层介质基板0111、第一中间介质基板0112、第一底层介质基板0113。第一顶层介质基板0111的上方设置第一辐射贴片012。第一顶层介质基板0111与第一中间介质基板0112之间设置馈电贴片013。馈电贴片013贴于第一中间介质基板0112的上方。第一中间介质基板0112与第一底层介质基板0113之间设置第一馈电网络015。
所述第一辐射贴片012是长度为一定值的矩形金属贴片。
所述馈电贴片013包括中间开有缺口017的第一馈电贴片，以及位于缺口017内的第二馈电贴片。第一馈电贴片与第二馈电贴片不接触。缺口017的形状为正方形。
所述第一馈电网络015包括耦合到第一馈电贴片013的不同宽度的第一阻抗线0151和第二阻抗线0152，且第一阻抗线0151和第二阻抗线0152垂直设置；所述第二阻抗线0152采用H型阻抗线。所述第一阻抗线0151为轴对称设置的第一T型阻抗线01511和第二T型阻抗线01512构成的H型阻抗线，且第一T型阻抗线01511和第二T型阻抗线01512与第二阻抗线0152不相交。第一T型阻抗线01511和第二T型阻抗线01512分别通过贯穿第一中间介质基板0112的第一金属通孔0161、第二金属通孔0162并与第二馈电贴片连接，这避免了使用额外的桥接结构，易于制造，并且还可以增加两个端口间的隔离度。第一阻抗线0151、第二阻抗线0152分别设置第一探头0182、第二探头0181。馈电端口由第一同轴电缆0141和第二同轴电缆0142组成。第一同轴电缆0141的底部与第一底层介质基板0113接触，顶部与第一阻抗线0151的第一探头0182连接。第二同轴电缆0142的底部与第一底层介质基板0113接触，顶部与第二阻抗线0152的第二探头0181连接。
第一阻抗线0151和第二阻抗线0152的两端均位于第一馈电贴片的下方非缺口位置。
第一阻抗线0151和第二阻抗线0152均可以产生一个极化。第一阻抗线0151和第二阻抗线0152的长度取决于具体频率的波长。
所述第一馈电网络015可以确保较低频带边缘处的陡峭滚降率并产生辐射零点从而达到滤波的效果。且第一馈电网络015有助于实现低交叉极化和提高馈电端口之间的隔离度。第二馈电贴片的长度以及第一阻抗线0151两端的宽度均能影响到辐射零点的频率高低。另外，第一辐射贴片012在上阻带处可以形成另一个辐射零点，使耦合得到了更好的抑制，并可在通带内提供较好的增益。第一辐射贴片012的形状大小能影响到辐射零点的频率高低。因此，无需使用额外的去耦电路即可获得令人满意的、具有滤波性能的紧凑型天线。沿着水平方向和垂直方向的第一阻抗线0151和第二阻抗线0152和金属通孔016组成的结构还可以有效的抑制TMmn模式，从而有效抑制耦合效应。
参见图3(a)所述4G频段天线单元02包括第二顶层介质基板021、第一底层介质基板0113、第二辐射贴片023、巴伦027、第二馈电网络022。第二辐射贴片023包括位于顶层介质基板上方的呈中心对称的四个多边形金属贴片0231以及位于第一底层介质基板0113上方的矩形贴片0232。在第二顶层介质基板021与矩形贴片0232之间设置有巴伦027。
所述四个多边形金属贴片0231构成对称的平面偶极臂。
参见图3(b)、图3(c)所述巴伦027包括相互垂直的第一巴伦基板0271和第二巴伦基板0272。第一巴伦基板0271和第二巴伦基板0272均为结构相同的巴伦基板，每个巴伦基板均包括相互平行且相隔一定距离的第一基板02721与第二基板02722。巴伦027起平衡不平衡转换以及同时支撑第二顶层介质基板021的作用。第一基板02721的外侧即与第二基板02722不相邻侧设有垂直微带线022112，第二基板02722的外侧(第一基板02721与第二基板02722不相邻的那一侧)存在接地线022111。垂直微带线022112与接地线022111之间通过水平金属线02213连接。垂直微带线022112、接地线022111、水平金属线02213与Y形阶梯阻抗微带线02212共同组成了一个馈电网络。第一巴伦基板0271和第二巴伦基板0272上的两个馈电网络即为子馈电网络A0221与子馈电网络B0222，采用空气桥连接器026的连接方式防止子馈电网络A0221与子馈电网络B0222相交。垂直微带线022112与接地线022111的长度徐根据具体频率确定的波长而定，Y形阶梯阻抗微带线02212的宽度也与具体频率的波长有关。通过具体频率的波长确定的第二馈电网络022的大小可以控制辐射零点的位置。
巴伦027和子馈电网络A0221、子馈电网络B0222可以形成两个半波长谐振器，这将在上阻带形成两个辐射零点。同时巴伦027与多边形金属贴片0231之间的辐射抵消会产生另外一个辐射零点。正是由于存在这三个辐射零点，该天线能够很好的抑制耦合。另外，双极化信号将通过子馈电网络A0221、子馈电网络B0222中的水平金属线02213穿过巴伦027，然后与顶部的多边形金属贴片0231形成一个能够使天线的散射峰值变小，可以减弱天线散射效应的低散射结构。
如图5(a)、图5(b)所示，本实施方式在3G频段都有-15dB以下的回波损耗且隔离度在-30dB以下。说明其性能较好且可以覆盖3G频段。
如图5(c)、图5(d)所示，3G频段的典型辐射方向图，包括E面(图5(c))和H面(图5(d))，可以看出3G频段辐射方向图效果较好且没有出现辐射方向图畸变的情况。
如图6(a)、图6(b)所示，本实施方式在4G频段都有-15dB以下的回波损耗。且隔离度在-30dB以下。说明其性能较好且可以覆盖4G频段。
如图6(c)、图6(d)所示，4G频段的典型辐射方向图，包括E面(图6(c))和H面(图6(d))，可以看出4G频段辐射方向图效果较好且没有出现辐射方向图畸变的情况。
如图7(a)所示，3G与4G天线单元间的隔离度都在-20dB以下，说明3G和4G天线单元的滤波结构起到了作用，改善了隔离度。
上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于包括多个3G频段天线单元(01)、多个4G频段天线单元(02)；
所述3G频段天线单元(01)包括介质基板(011)、馈电贴片(013)、第一辐射贴片(012)、第一馈电网络(015)；所述第一馈电网络(015)包括耦合到第一馈电贴片(013)的不同宽度的第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)，且第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)垂直设置；所述第二阻抗线(0152)采用H型阻抗线；所述第一阻抗线(0151)为轴对称设置的第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)构成的H型阻抗线，且第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)与第二阻抗线(0152)不相交；第一T型阻抗线(01511)和第二T型阻抗线(01512)分别通过贯穿第一中间介质基板(0112)的第一金属通孔(0161)、第二金属通孔(0162)并与第二馈电贴片连接；第一阻抗线(0151)、第二阻抗线(0152)分别设置第一探头(0182)、第二探头(0181)；馈电端口由第一同轴电缆(0141)和第二同轴电缆(0142)组成；第一同轴电缆(0141)的底部与第一底层介质基板(0113)接触，顶部与第一阻抗线(0151)的第一探头(0182)连接；第二同轴电缆(0142)的底部与第一底层介质基板(0113)接触，顶部与第二阻抗线(0152)的第二探头(0181)连接；第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)均产生一个极化；
所述4G频段天线单元(02)包括第二顶层介质基板(021)、第一底层介质基板(0113)、第二辐射贴片(023)、巴伦(027)、第二馈电网络(022)，其中第二馈电网络(022)包括子馈电网络A(0221)、子馈电网络B(0222)；第二辐射贴片(023)包括位于顶层介质基板上方的呈中心对称的四个多边形金属贴片(0231)以及位于第一底层介质基板(0113)上方的矩形贴片(0232)；在第二顶层介质基板(021)与矩形贴片(0232)之间设置有巴伦(027)；所述四个多边形金属贴片(0231)构成对称的平面偶极臂；
巴伦(027)和子馈电网络A(0221)、子馈电网络B(0222)形成两个半波长谐振器，在上阻带形成两个辐射零点；同时巴伦(027)与多边形金属贴片(0231)之间的辐射抵消产生另外一个辐射零点。
2.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于每个3G频段天线单元(01)的四周设置四个4G频段天线单元(02)。
3.如权利要求2所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于4G频段天线单元(02)关于3G频段天线单元(01)中心对称。
4.如权利要求2所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于相邻3G频段天线单元(01)共用4G频段天线单元(02)。
5.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中介质基板(011)包括第一顶层介质基板(0111)、第一中间介质基板(0112)、第一底层介质基板(0113)；第一顶层介质基板(0111)的上方设置第一辐射贴片(012)；第一顶层介质基板(0111)与第一中间介质基板(0112)之间设置馈电贴片(013)；馈电贴片(013)贴于第一中间介质基板(0112)的上方；第一中间介质基板(0112)与第一底层介质基板(0113)之间设置第一馈电网络(015)。
6.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中所述馈电贴片(013)包括中间开有缺口(017)的第一馈电贴片，以及位于缺口(017)内的第二馈电贴片；第一馈电贴片与第二馈电贴片不接触。
7.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)的两端均位于第一馈电贴片的下方非缺口位置。
8.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述3G频段天线单元(01)中第一阻抗线(0151)和第二阻抗线(0152)的长度取决于具体频率的波长。
9.如权利要求1所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于所述4G频段天线单元(02)中巴伦(027)包括相互垂直的第一巴伦基板(0271)和第二巴伦基板(0272)；第一巴伦基板(0271)和第二巴伦基板(0272)均为结构相同的巴伦基板，每个巴伦基板均包括相互平行且相隔一定距离的第一基板(02721)与第二基板(02722)；第一基板(02721)的外侧设有垂直微带线(022112)，第二基板(02722)的外侧存在接地线(022111)；垂直微带线(022112)与接地线(022111)之间通过水平金属线(02213)连接；垂直微带线(022112)、接地线(022111)、水平金属线(02213)与Y形阶梯阻抗微带线(02212)共同组成一个子馈电网络。
10.如权利要求9所述的同时覆盖3G、4G频段的紧凑滤波型双极化阵列天线，其特征在于第一巴伦基板(0271)和第二巴伦基板(0272)上的两个子馈电网络，采用空气桥连接器(026)的连接方式。
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