CN114018820B - 光学测量方法、装置、系统及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光学测量方法，该方法包括：获取测量对象对指定光谱范围的光的响应数据；至少利用响应数据确定测量对象的介电函数虚部模型的至少一个参数，介电函数虚部模型包括广义双曲正割函数模型、高阶洛伦兹模型、伽马函数分布模型、修改的陶克‑洛伦兹模型和贝塔函数模型中至少一种；基于参数确定测量对象的待测参数。本发明还公开了一种光学测量装置、系统和可读存储介质。通过上述方式，本发明能够灵活的匹配不同材料的光学特性，同时易于计算。
Description
技术领域
本发明涉及光学领域，特别是涉及一种光学测量方法、装置、系统及存储介质。
背景技术
在光学测量中，在入射光的照射下材料做出一定的光学响应。一般的，无论什么形式的能量在介质中传播如果存在能量吸收损耗的情况，基本上都是用复数来表示响应函数，其实部表示的是真实的对应的物理量，虚部就表示该能量形式的损耗表征。
光学测量常用的参数为相对介电函数(以下简称介电函数)，表示偶极子对外部电磁场的响应，介电函数的实部表示色散，虚部表示吸收。
光学测量中常见的做法是使用参数模型来描述介电特性。为了减少测量的不确定性，重要的是使用尽可能少的参数来描述具有足够精度的介电函数(尤其是虚部)。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种光学测量方法、装置、系统及存储介质，能够解决现有技术中介电函数模型有限的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种光学测量方法，该方法包括：获取测量对象对指定光谱范围的光的响应数据；至少利用响应数据确定测量对象的介电函数虚部模型的至少一个参数，介电函数虚部模型包括广义双曲正割函数模型、高阶洛伦兹模型、伽马函数分布模型、修改的陶克-洛伦兹模型和贝塔函数模型中至少一种；基于参数确定测量对象的待测参数。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种光学测量装置，该装置包括至少一个处理器，单独或协同工作，处理器用于执行指令以实现前述的方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种光学测量系统，该系统包括光源、探测器和计算装置；光源用于为测量对象提供指定光谱范围的光；探测器用于采集测量对象的响应数据并提供给计算装置；计算装置用于执行指令以实现前述的方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种可读存储介质，存储有指令，指令被执行时实现前述的方法。
本发明的有益效果是：通过获取测量对象对指定光谱范围的光的响应数据；至少利用响应数据确定测量对象的介电函数虚部模型的至少一个参数，介电函数虚部模型包括广义双曲正割函数模型、高阶洛伦兹模型、伽马函数分布模型、修改的陶克-洛伦兹模型和贝塔函数模型中至少一种；基于参数确定测量对象的待测参数。引入新的介电函数虚部模型，可以灵活的匹配不同材料的光学特性，同时易于计算。
附图说明
图1是本发明光学测量方法一实施例的流程示意图；
图2是图1中S2的一具体流程示意图；
图3是本发明光学测量方法一实施例中基于广义双曲正割函数模型的介电函数与晶体硅数据的拟合结果示意图；
图4是本发明光学测量方法一实施例中基于伽马函数分布模型的介电函数与SiN数据的拟合结果示意图；
图5是本发明光学测量方法一实施例中基于修改的陶克-洛伦兹模型的介电函数与SiN数据的拟合结果示意图；
图6是本发明光学测量方法一实施例中基于修改的陶克-洛伦兹模型的介电函数与晶体硅数据的拟合结果示意图；
图7是本发明光学测量方法一实施例中基于贝塔函数模型的介电函数与晶体硅数据的拟合结果示意图；
图8是本发明光学测量装置一实施例的结构示意图；
图9是本发明光学测量系统一实施例的结构示意图；
图10是本发明可读存储介质一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。以下各实施例中不冲突的可以相互结合。
如图1所示，本发明方法光学测量一实施例包括：
S1：获取测量对象对指定光谱范围的光的响应数据。
可以从椭偏仪、反射仪等光学测量设备中的探测器直接获取响应数据、或者通过有线/无线网络远程接收响应数据、或者从本地/远程/可移动的存储设备中读取已存储的响应数据。测量对象不做限制，例如半导体晶片、薄膜等。
S2：至少利用响应数据确定测量对象的介电函数虚部模型的至少一个参数。
由于介电函数是由因果关系决定的，介电函数的实部和虚部满足Kramers-Kronig(KK)关系，具体公式如下；
其中ε表示介电函数，ε1表示介电函数的实部，ε2表示介电函数的虚部，ω表示角频率，
表示柯西主值积分。
实际上，可以通过在频率上添加一个无限小的正虚部来获得介电函数，公式如下：
这样可以将频率扩展到上复平面，在该复平面上介电函数是解析的，但实轴上可能会出现切点奇异点。
介电函数受到物理定律的进一步限制：
1)稳定性：
ρ(v)≥0,whenv>0
2)对称性：
ε(-ω)＝ε*(ω),由于ρ(-ω)＝-ρ(ω)
其中ε*表示介电函数的共轭。这也意味着：
ρ(v)＝ρ+(v)-ρ+(-v)
其中ρ+(v)在v≥0的部分与ρ(v)相同，在v<0的部分，ρ+(v)≥0。
公式(8)可以被重新写为：
即：
其中，χ1(ω)表示ρ+(v)的希尔伯特变换，
表示ρ+(v)的希尔伯特变换的共轭。
3)加法律：
其中ωp为电子的等离子频率。
介电函数虚部的建模主要目标是找到合适的ρ+(v)的模型。
在本发明中，介电函数虚部模型包括广义双曲正割函数模型、高阶洛伦兹模型、伽马函数分布模型、修改的陶克-洛伦兹模型和贝塔函数模型中至少一种。具体介绍见后续描述。
如图2所示，在本发明一具体实施例中，S2包括：
S21：基于介电函数虚部模型计算测量对象的介电函数模型。
基于ρ+(v)的模型，对其进行希尔伯特变换(积分)可以得到测量对象的介电函数∈(ω)。
以下分别针对不同的介电函数虚部模型介绍具体的虚部模型及对应的介电函数模型计算方法。
一、广义双曲正割函数模型
广义双曲正割函数模型为：
其中E为峰(吸收峰)值的中心能量，a和b为可调参数。
可以利用高斯拉盖尔积分公式和勒奇超越函数计算广义双曲正割函数模型的希尔伯特变换得到测量对象的介电函数模型。
具体的，对ρ+(v)的积分
可以写成；
其中φ表示勒奇超越函数。但是公式(11)的数值计算并不容易。可选的，可以通过将积分移动到实轴以下，从而使用高斯拉盖尔积分公式来计算。
基于广义双曲正割函数模型的介电函数与晶体硅数据的拟合结果如图3所示。
二、高阶洛伦兹模型
高阶洛伦兹模型为：
其中，E1，E2，γ为可调参数。
可以直接计算该模型的希尔伯特变换的解析解，或者利用有理兰登变换计算高阶洛伦兹模型的希尔伯特变换，从而得到测量对象的介电函数模型。
三、伽马函数分布模型
伽马函数分布模型为：
或
其中Γ为伽马函数，E为能隙，a和β为可调参数。
利用参数为负值的不完整伽马函数计算伽马函数分布模型的希尔伯特变换得到测量对象的介电函数模型。
具体的，对于公式(3)表示的伽马函数分布模型，其希尔伯特变换可以表示为参数为负值的不完整伽马函数：
公式(13)计算方式可参考《A.Gil,D.Ruiz-Antolín,J.Segura,N.M.Temme,Computation of the incomplete gamma function fornegative values of theargument》https://arxiv.org/pdf/1608.04152.pdf。
公式(4)的模型在峰值的高能量侧比公式(3)具有更快的衰减率。
基于伽马函数分布模型的介电函数与SiN数据的拟合结果如图4所示。
四、修改的陶克-洛伦兹(Tauc-Lorentz)模型
修改的陶克-洛伦兹模型为：
其中E为峰(吸收峰)值的中心能量，Eg为能隙参数Γ为峰(吸收峰)的能量宽度。
计算修改的陶克-洛伦兹模型的希尔伯特变换得到测量对象的介电函数模型。
具体的，对于公式(5)的希尔伯特变换，转移能量后，将其重写为：
主值积分可以被写为：
若转移能隙Eg<0，应被解释
为
由于公式(15)仅包含实数，因此比原始的陶克-洛伦兹公式更容易实现，不存在复函数分支问题。事实上，现有文献中给出的公式确实存在复函数分支问题。
公式(8)中的1可以替换为常数H，用于代表高能量贡献。该模型对于包含4个参数和常数H的SiN数据非常有效。即使将H设置为1，该模型也可以很好地工作。
基于修改的陶克-洛伦兹模型的介电函数与SiN数据的拟合结果如图5所示。
基于修改的陶克-洛伦兹模型的介电函数与晶体硅数据的拟合结果如图6所示。
五、贝塔函数模型
贝塔函数模型为：
ρ+(v)＝(v-E1)α-1(E2-v)β-1,E1<v<E2 (6)
其中E1为能隙，E2-E1为能量宽度，a和β为可调参数，E2>E1。
利用高斯超几何函数计算贝塔函数模型的希尔伯特变换得到测量对象的介电函数模型。
具体的，通过变量变换，公式(6)基本上是β函数xα-1(1-x)β-1，并且其积分可以表示为高斯超几何函数：
这是一个五参数模型，可选的,也可以固定参数a＝3,4。
由于该模型能够精确地切断峰两边的吸收，因此可用于在更宽的波长范围内对介电材料进行建模。
基于贝塔函数模型的介电函数与晶体硅数据的拟合结果如图7所示。
S22：至少利用响应数据对介电函数模型进行拟合得到参数。
将响应数据以及对应的入射光的信息代入介电函数模型，多组数据拟合求得介电函数虚部模型中的至少一个参数。
S3：基于参数确定测量对象的待测参数。
待测参数可以包括材料、厚度、尺寸、缺陷中的至少一种。基于介电函数虚部模型中的参数可以确定介电函数虚部模型以及对应的介电函数，结合响应数据可以确定测量对象的待测参数。
通过本实施例的实施，引入新的介电函数虚部模型，可以灵活的匹配不同材料的光学特性，同时易于计算。
如图8所示，本发明光学测量装置一实施例包括：处理器110。图中只画出了一个处理器110，实际数量可以更多。处理器110可以单独或者协同工作。
处理器110控制光学测量装置的操作，处理器110还可以称为CPU(CentralProcessing Unit，中央处理单元)。处理器110可能是一种集成电路芯片，具有信号序列的处理能力。处理器110还可以是通用处理器、数字信号序列处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
处理器110用于执行指令以实现本发明光学测量方法各实施例所提供的方法。
本实施例中的光学测量装置可以独立于用于采集响应数据的光学测量设备，也可以部分或全部的与光学测量设备集成在一起。
如图9所示，本发明光学测量系统一实施例包括：光源210、探测器220和计算装置230。
光源210用于为测量对象提供指定光谱范围的光。
探测器220用于采集测量对象的响应数据并提供给计算装置230。
计算装置230用于执行指令以实现本发明光学测量方法各实施例所提供的方法。
光学测量系统可以椭偏仪或反射仪。
如图10所示，本发明可读存储介质一实施例包括存储器310，存储器310存储有指令，该指令被执行时实现本发明光学测量方法各实施例所提供的方法。
存储器310可以包括只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、闪存(Flash Memory)、硬盘、光盘等。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和装置，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理包括，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本发明各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种光学测量方法，其特征在于，包括：
获取测量对象对指定光谱范围的光的响应数据；
至少利用所述响应数据确定所述测量对象的介电函数虚部模型的至少一个参数，所述介电函数虚部模型包括广义双曲正割函数模型、高阶洛伦兹模型、伽马函数分布模型、修改的陶克-洛伦兹模型和贝塔函数模型中至少一种；
基于所述参数确定所述测量对象的材料和/或待测值；所述待测值包括尺寸、缺陷中的至少一种；
其中，所述至少利用所述响应数据确定所述测量对象的介电函数虚部模型的至少一个参数包括：
基于所述介电函数虚部模型计算所述测量对象的介电函数模型；
至少利用所述响应数据对所述介电函数模型进行拟合得到所述参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述广义双曲正割函数模型为：
其中E为中心能量，a和b为可调参数；
所述基于所述介电函数虚部模型计算所述测量对象的介电函数模型包括：
利用高斯拉盖尔积分公式和勒奇超越函数计算所述广义双曲正割函数模型的希尔伯特变换得到所述测量对象的介电函数模型。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述高阶洛伦兹模型为：
其中E1，E2，γ为可调参数；
所述基于所述介电函数虚部模型计算所述测量对象的介电函数模型包括：
利用有理兰登变换计算所述高阶洛伦兹模型的希尔伯特变换或直接计算所述高阶洛伦兹模型的希尔伯特变换得到所述测量对象的介电函数模型。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述伽马函数分布模型为：
或
其中Γ为伽马函数，E为能隙，a和β为可调参数；
所述基于所述介电函数虚部模型计算所述测量对象的介电函数模型包括：
利用参数为负值的不完整伽马函数计算所述伽马函数分布模型的希尔伯特变换得到所述测量对象的介电函数模型。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述修改的陶克-洛伦兹模型为：
其中E为中心能量，Eg为能隙，Γ为能量宽度；
所述基于所述介电函数虚部模型计算所述测量对象的介电函数模型包括：
计算所述修改的陶克-洛伦兹模型的希尔伯特变换得到所述测量对象的介电函数模型。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述贝塔函数模型为：
ρ+(v)＝(v-E1)α-1(E2-v)β-1,E1<v<E2 (6)
其中E1为能隙，E2-E1为能量宽度，a和β为可调参数，E2>E1；
所述基于所述介电函数虚部模型计算所述测量对象的介电函数模型包括：
利用高斯超几何函数计算所述贝塔函数模型的希尔伯特变换得到所述测量对象的介电函数模型。
7.一种光学测量装置，其特征在于，包括至少一个处理器，单独或协同工作，所述处理器用于执行指令以实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
8.一种光学测量系统，其特征在于，包括：光源、探测器和计算装置；
所述光源用于为所述测量对象提供指定光谱范围的光；
所述探测器用于采集所述测量对象的响应数据并提供给所述计算装置；
所述计算装置用于执行指令以实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
9.一种可读存储介质，存储有指令，其特征在于，所述指令被执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104749113A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-07-01 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种测量玻璃光学常数的方法 |
| US9595481B1 (en) * | 2013-08-23 | 2017-03-14 | Kla-Tencor Corporation | Dispersion model for band gap tracking |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007015115A1 (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Stergios Logothetidis | In-situ and real-time determination of the thickness, optical properties and quality of transparent coatings |
| US9664734B2 (en) * | 2015-05-21 | 2017-05-30 | Kla-Tencor Corporation | Multi-oscillator, continuous Cody-Lorentz model of optical dispersion |
| US10458912B2 (en) * | 2016-08-31 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity |
| US11060982B2 (en) * | 2019-03-17 | 2021-07-13 | Kla Corporation | Multi-dimensional model of optical dispersion |
| CN112304895A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-02 | 西北工业大学 | 一种半导体材料复介电函数确定方法 |
-
2021
- 2021-09-14 CN CN202111076680.1A patent/CN114018820B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9595481B1 (en) * | 2013-08-23 | 2017-03-14 | Kla-Tencor Corporation | Dispersion model for band gap tracking |
| CN104749113A (zh) * | 2015-04-09 | 2015-07-01 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种测量玻璃光学常数的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Kramers-Kronig变换在介电响应分析中的数值计算方法、意义及应用;高岩峰等;《中国电机工程学报》;20200105(第01期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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