CN114001932B - 利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其包括半导体激光器、第一分束单元、移频单元、光传输装置、Rb原子饱和吸收单元、第二分束单元、超稳腔探测单元、信号监视单元几大部分。通过移频单元进行粗、细调移频频率，使得Rb原子饱和吸收峰的功率趋近超稳腔透射功率，并使用功率计测量不同频率处的超稳腔透射功率，以此分析激光器线宽。测量调节过程简便快速高效，由于超稳腔是被动稳定装置，无需引入新的光源元件，测量装置的核心部分用光纤耦合，方便切换不同光源，装置整体结构简洁、结果准确、方便使用。

Description

利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置

技术领域

本发明属于光学特性测试设备技术领域，具体涉及一种利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置。

背景技术

激光具有良好的方向性和单色性，基于其高频、快速、低噪和抗干扰的特性，在遥感、通信、传感和监测领域有着重要的应用，在其他领域中的应用正在展开研究。激光的线宽是其频率谱的半高全宽，在理想情况下为零的情况下，对于检测线宽系统的精度和灵敏度有很大影响。由于受环境温度、机械结构和反馈光栅的稳定性的影响，锁定于饱和吸收系统的半导体激光器线宽约为300KHz~1MHz。如何精确测量锁定后的激光器线宽对于激光的应用及研究至关重要。

目前主要采用延时光纤自差拍法来测量锁定后的激光器线宽，但这种测量方法存在以下问题：第一、使用空间光匹配的不等臂差拍系统进行测量，由于光斑完全匹配、耦合镜的稳定性的问题，获得的差拍信号稳定性差，测得的结果较实际线宽差50%以上；第二、使用全光纤匹配的不等臂差拍系统进行测量，其稳定性优于空间光匹配的不等臂差拍系统，但光纤引入的拉曼散射噪声、温度漂移、功率损耗和偏振漂移明显，使用偏振补偿系统虽然可以短时间补偿偏振漂移和温度漂移，同时，也会进一步引入功率损耗，使得系统的整体功率损耗达到80%以上。除此之外，使用不等臂差拍系统测量锁定于饱和吸收系统的半导体激光器系统复杂、调节难度大、损耗大，且测量精度有限。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中延时光纤自差拍法测量锁定后的激光器线宽存在的不足，基于结构简单、操作简便快捷、调节结果准确且测量精度高的设计思路，提供了一种利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置。

为达到上述目的，本发明采用了以下技术方案：利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其包括有半导体激光器、所述半导体激光器输出的激光依次经过光隔离器、第一分束单元后分成测量光和频标光，所述测量光经过移频单元进行粗调移频频率，完成饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的频率对准，对准后的测量光通过光纤耦合镜组合进入光传输装置中，再经过第二分束单元分成进入超稳腔探测单元的透射光和进入信号监视单元的反射光，所述超稳腔探测单元用于测量锁定半导体激光器后的透射光的透射功率、以及通过移频单元进行细调移频频率后的透射光的透射功率，并通过不同频率的透射光的透射功率分析锁定于Rb原子饱和吸收峰的半导体激光器的线宽，所述信号监视单元通过监视反射光的频率谱，便于观察Rb原子饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的共振频率差异，以此通过移频单元对透射光进行粗调移频频率，所述频标光经过Rb原子饱和吸收单元后输出两束功率相近的饱和吸收光和吸收光，再分别经过两个第一雪崩光电二极管后进入到同一减法器中，由其相减后形成为消多普勒背景饱和吸收信号，用来半导体激光器的锁定。

优选地，所述移频单元包括依次设置在所述测量光传输线路上的200mm焦距的第一透镜、第一45°全反镜、声光调制器、200mm焦距的第二透镜，在所述声光调制器上有来自于驱动模块的射频信号，用来改变移频单元输出测量光的频率。

优选地，所述驱动模块由压控振荡器和功率放大器组成，压控振荡器由电压驱动产生射频信号，经过功率放大器放大后输入到声光调制器上，通过改变压控振荡器加载的电压而改变其输出的频率，经过功率放大器使其输出功率达到移频单元能够工作的最佳状态。

优选地，所述Rb原子饱和吸收单元包括依次设置在所述频标光传输线路上的厚基片，所述厚基片将入射的频标光分为前表面反射光、后表面反射光和透射光三束，其中前表面反射光、后表面反射光分别从Rb原子池经分束镜射出，所述前表面反射光经过Rb原子池形成吸收光，再经过分束镜进入到其中一个所述第一雪崩光电二极管中，所述透射光依次经过第二45°全反镜和第三45°全反镜射入到分束镜上，并与后表面反射光汇集，使后表面反射光成为饱和吸收光，再进入到另外一个所述第一雪崩光电二极管中，所述Rb原子池由加热器进行加热。

优选地，在所述分束镜上镀有半部分反射膜，使其作为部分反射和部分透射，用于将厚基片的后表面反射光与第二45°全反镜和第三45°全反镜反射的厚基片透射光重合，形成所述饱和吸收光。

优选地，所述加热器包括套设在所述Rb原子池上的塑料圈、以及用来放置其整体的铝壳，在所述铝壳外边缠绕加热带，并采用55V交流电压的变压器供电加热。

优选地，所述光传输装置的外部采用隔热管包裹，其内部由第一光纤耦合头、光纤和第二光纤耦合头组成，所述第一光纤耦合头和第二光纤耦合头分别设置在光纤的两端上，所述第一光纤耦合头和第二光纤耦合头均包括透镜和五维调节架，其分别用于匹配测量光光斑和超稳腔探测单元的模式。

优选地，所述超稳腔探测单元包括有超稳腔，且其放置在四个隔振橡胶球上，用于隔绝超稳腔受外界机械振动的影响，所述超稳腔与四个隔振橡胶球一起放置在由分子泵及离子泵组合提供与外界隔绝热传导的真空环境中，并由控温仪对隔绝的真空环境进行控温，所述透射光穿过超稳腔后输入到功率计中，所述功率计结合所述移频单元测量不同频率处透射光的透射功率。

优选地，所述超稳腔由ULE材质制成的中空柱状腔体、以及设置在其两端口的前腔镜和后腔镜组成，所述前腔镜为99.999%反射率的平面镜，所述后腔镜为99.999%反射率、曲率半径为500mm的凹面镜。

优选地，所述第一分束单元由依次设置在激光传输线路上的第一λ/2波片和第一分束棱镜组成。

优选地，所述第二分束单元由依次设置在透射光传输线路上的第二λ/2波片、第二分束棱镜和λ/4波片组成。

优选地，在所述第二分束棱镜和λ/4波片之间的传输线路上还设置有由3个第四45°全反镜组成的耦合镜组。

优选地，所述信号监视单元包括第一45°高反镜，来自于所述第二分束棱镜的反射光经过第一45°高反镜输入到第二雪崩光电二极管中，并由示波器监视，用于移频单元对透射光进行粗调移频频率。

优选地，在所述第二分束棱镜与第一45°高反镜之间的反射光传输线路上设置有第一耦合镜，所述第一耦合镜将反射光分成795nm波长的高透射率激光和780nm波长的高反射率激光，其中795nm波长的高透射率激光进入到所述第一45°高反镜中，780nm波长的高反射率激光依次经过第二耦合镜、第二45°高反镜输入到第三雪崩光电二极管，用于监视备用。

与现有技术相比本发明具有以下优点：本发明通过移频单元扫描半导体激光器的激光频率，使用功率计测量不同频率处透射光的透射功率，以此分析锁定在饱和吸收谱的激光器线宽。一是测量调节过程简便快速高效；二是由于超稳腔是被动稳定装置，无需引入新的光源元件；三是测量装置的核心部分用光纤耦合，方便切换不同光源；四是装置整体结构简洁、结果准确、方便使用；五是采用单束光透射功率直接测量，不存在两束光光斑匹配的问题，系统稳定性高；六是超稳腔为两镜腔，对不同偏振光反射率一致，不存在偏振色散的问题，结果准确性高。

附图说明

图1是本发明的工作原理示意图；

图2是本发明的整体结构示意图；

图3是本发明中观察到的Rb原子饱和吸收峰和超稳腔透射峰的曲线图；

图4是图3中使用功率计观察到的不同频率透射光穿过超稳腔后的扫描透射功率曲线图。

具体实施方式

为了进一步阐述本发明的技术方案，下面通过实施例对本发明进行进一步说明。

参阅图1至2，利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其包括有半导体激光器0、所述半导体激光器0输出的激光依次经过光隔离器1、第一分束单元2后分成测量光a和频标光b，所述测量光a经过移频单元3进行粗调移频频率，完成饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的频率对准，对准后的测量光a通过光纤耦合镜组合5进入光传输装置6中，再经过第二分束单元8分成进入超稳腔探测单元10的透射光c和进入信号监视单元11的反射光d，所述超稳腔探测单元10用于测量锁定半导体激光器0后的透射光c的透射功率、以及通过移频单元3进行细调移频频率后的透射光c的透射功率，并通过不同频率的透射光c的透射功率分析锁定于Rb原子饱和吸收峰的半导体激光器0的线宽，所述信号监视单元11通过监视反射光d的频率谱，便于观察Rb原子饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的共振频率差异，以此通过移频单元3对透射光c进行粗调移频频率，所述频标光b经过Rb原子饱和吸收单元4后输出两束功率接近的吸收光和饱和吸收光，再分别经过两个第一雪崩光电二极管7后进入到同一减法器12中，由其相减后形成为消多普勒背景饱和吸收信号，用来半导体激光器0的锁定。其中所述第一分束单元2由依次设置在激光传输线路上的第一λ/2波片201和第一分束棱镜202组成，所述第二分束单元8由依次设置在透射光c传输线路上的第二λ/2波片801、第二分束棱镜802和λ/4波片803组成，在所述第二分束棱镜802和λ/4波片803之间的透射光c传输线路上还设置有由3个第四45°全反镜9组成的耦合镜组。

作为上述实施例的优选实施方式，所述移频单元3包括依次设置在所述测量光a传输线路上的200mm焦距的第一透镜301、第一45°全反镜302、声光调制器303、200mm焦距的第二透镜305，在所述声光调制器303上有来自于驱动模块304的射频信号，用来改变移频单元3输出测量光a的频率，所述驱动模块304由压控振荡器和功率放大器组成，压控振荡器由电压驱动产生射频信号，经过功率放大器放大后输入到声光调制器303上，通过改变压控振荡器加载的电压而改变其输出的频率，经过功率放大器使其输出功率达到移频单元3能够工作的最佳状态。

作为上述实施例的优选实施方式，所述Rb原子饱和吸收单元4包括依次设置在所述频标光b传输线路上的厚基片401，所述厚基片401将入射的频标光b分为前表面反射光、后表面反射光和透射光三束，所述前表面反射光、后表面反射光分别从Rb原子池402射出，其中前表面反射光经过Rb原子池402形成吸收光，再经过分束镜404进入到其中一个所述第一雪崩光电二极管7中，所述透射光依次经过第二45°全反镜405和第三45°全反镜406射入到分束镜404上，并与后表面反射光汇集，使后表面反射光透为饱和吸收光，再进入到另外一个所述第一雪崩光电二极管7中，在所述分束镜404上镀有半部分反射膜，使其作为部分反射和部分透射，用于将厚基片401的后表面反射光与第二45°全反镜405和第三45°全反镜406反射的厚基片透射光重合，形成所述饱和吸收光，所述Rb原子池402由加热器403进行加热，所述加热器403包括套设在所述Rb原子池402上的塑料圈、以及用来放置其整体的铝壳，在所述铝壳外边缠绕加热带，并采用55V交流电压的变压器供电加热。

作为上述实施例的优选实施方式，所述光传输装置6的外部采用隔热管包裹，其内部由第一光纤耦合头601、光纤602和第二光纤耦合头603组成，所述第一光纤耦合头601和第二光纤耦合头603分别设置在光纤602的两端上，所述第一光纤耦合头601和第二光纤耦合头603均包括透镜和五维调节架，其分别用于匹配测量光光斑和超稳腔探测单元10的模式。

作为上述实施例的优选实施方式，所述超稳腔探测单元10包括有超稳腔1001，且其放置在四个隔振橡胶球1002上，用于隔绝超稳腔1001受外界环境机械振动的影响，所述超稳腔1001与四个隔振橡胶球1002一起放置在由分子泵及离子泵组合1005提供与外界隔绝热传导的真空环境中，并由控温仪1003对隔绝的真空环境进行控温，所述透射光c穿过超稳腔1001后输入到功率计1004中，并使用功率计1004测量经移频单元3移频后不同频率处透射光c的透射频率，所述超稳腔1001由ULE材质制成的中空柱状腔体、以及设置在其两端口的前腔镜和后腔镜组成，所述前腔镜为99.999%反射率的平面镜，所述后腔镜为99.999%反射率、曲率半径为500mm的凹面镜。

作为上述实施例的优选实施方式，所述信号监视单元11包括第一45°高反镜1102，来自于所述第二分束棱镜802的反射光d经过第一45°高反镜1102输入到第二雪崩光电二极管1106种，并由示波器监视，用于移频单元3对透射光c进行粗调移频频率，在所述第二分束棱镜802与第一45°高反镜1102之间的反射光d传输线路上设置有第一耦合镜1101，所述第一耦合镜1101将反射光d分成795nm波长的高透射率激光和780nm波长的高反射率激光，其中795nm波长的高透射率激光进入到所述第一45°高反镜1102中，780nm波长的高反射率激光依次经过第二耦合镜1103、第二45°高反镜1104输入到第三雪崩光电二极管1105，用于监视备用。

参阅图3至4，结合上述完整实施例对本发明的技术方案的原理做进一步解释。

半导体激光器0输出的激光依次经过光隔离器1、第一分束单元2后分成测量光a和频标光b，其中频标光b经过厚基片401后分为前表面反射光、后表面反射光和透射光三束，其中前表面反射光、后表面反射光分别进入Rb原子池402由分束镜404射出形成的吸收光，其透射光依次经过第二45°全反镜405和第三45°全反镜406射入到分束镜404上，并与后表面反射光汇集，使后表面反射光成为饱和吸收光，其中分束镜404上镀有半部分反射膜，使其作为部分反射和部分透射，用于将厚基片401的后表面反射光与第二45°全反镜405和第三45°全反镜406反射的厚基片401而出的透射光重合，用于形成饱和吸收光，饱和吸收的意思为一束强光-厚基片401的透射光穿过Rb原子池402时，沿着对面通过的弱光-厚基片401后表面的反射光在Rb原子共振吸收峰处不再吸收，变为透射，参阅图3中红色线上的小尖峰，饱和吸收强光与吸收光分别通过分束镜404进入到两个第一雪崩光电二极管7中并汇集到减法器12上由其相减后形成为消多普勒背景饱和吸收信号，其用来锁定半导体激光器0在饱和吸收状态下的输出频率；另外一束测量光a经过移频单元3进行粗调移频频率，完成饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的频率对准，对准后的测量光a通过光纤耦合镜组合5进入光传输装置6中经过传输后，再经过第二分束单元8分成进入所述超稳腔探测单元10的透射光c和进入信号监视单元11的反射光d，其中反射光d的频率谱通过信号监视单元11经示波器监视，观察Rb原子饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的共振频率差异，作为移频单元3对透射光c粗调移频频率的参考，而经过粗调移频频率的透射光c通过隔绝外界机械振动、温度恒定、且与外界几乎绝热和良好隔绝外界的真空环境下的超稳腔1001后，由功率计1004测量用移频单元3移动锁定后的激光经过超稳腔后的透射功率，透射功率的统计结果如图4中方块点展示的效果，经过拟合后分析锁定在Rb原子饱和吸收峰的半导体激光器线宽。

本实施例测量半导体激光器线宽的调节步骤如下：

首先，使用分子泵将超稳腔1001的真空度抽到2*10^-5帕，再使用抽速为10L/s的离子泵组合1005维持超稳腔1001的真空度，用控温仪1003将真空环境温度控制在ULE腔体和前后腔镜零膨胀系数温度（30 °C），调节第二光纤耦合头603的透镜（焦距7.5mm）位置，使光纤602（纤芯直径0.005mm）输出的高斯光束经过匹配透镜后腰斑直径（0.45mm）与超稳腔1001的自再现腰斑完全匹配，使经过超稳腔1001的高阶模式几乎为零。扫描半导体激光器0的反馈光栅位置，将第二雪崩光电二极管1106接收到的超稳腔反射信号与第一雪崩光电二极管7探测到的饱和吸收信号在同一台示波器上监视，如图3所示，以饱和吸收谱为频率标准，粗略算出移频单元3的移频量，用移频单元3将半导体激光器0的输出频率移动到超稳腔1001的一个透射峰附近，锁定半导体激光器0的频率至此时的饱和吸收峰，用移频单元3在附近扫描频率，用功率计1004监视透射功率，直到最大，记录此时移频单元3的移频值，在此移频值附近以固定频率间隔（30KHz）扫描频率，记录移频量与透射功率的对应关系，对应关系如图4所示，根据图4可得到锁定于Rb原子饱和吸收峰的半导体激光器的线宽。

在上述测量过程中，超稳腔中平面镜入射端面镀膜AR795nm，后端面镀膜HR795nm；凹面镜入射端面曲率半径为500mm，镀膜HR795nm，后端面镀膜AR795nm，ULE腔体长100mm。将超稳腔1001的环境温度控制到ULE材料的零膨胀系数点（30°C），在高真空度（2*10^-5帕）的环境下，超稳腔1001共振谱线的频率漂移速度低于583赫兹/小时，远低于锁定于Rb原子饱和吸收峰的半导体激光器线宽，是优质的线宽标准。

以上显示和描述了本发明的主要特征和优点,对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (13)

1.利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：包括有半导体激光器（0）、所述半导体激光器（0）输出的激光依次经过光隔离器（1）、第一分束单元（2）后分成测量光（a）和频标光（b），所述测量光（a）经过移频单元（3）进行粗调移频频率，完成饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的频率对准，对准后的测量光（a）通过光纤耦合镜组合（5）进入光传输装置（6）中，再经过第二分束单元（8）分成进入超稳腔探测单元（10）的透射光（c）和进入信号监视单元（11）的反射光（d），所述超稳腔探测单元（10）用于测量锁定半导体激光器（0）后的透射光（c）的透射功率、以及通过移频单元（3）进行细调移频频率后的透射光（c）的透射功率，并通过不同频率的透射光（c）的透射功率分析锁定于Rb原子饱和吸收峰的半导体激光器（0）的线宽，所述信号监视单元（11）通过监视反射光（d）的频率谱，便于观察Rb原子饱和吸收峰与超稳腔透射峰之间的共振频率差异，以此通过移频单元（3）对透射光（c）进行粗调移频频率，所述频标光（b）经过Rb原子饱和吸收单元（4）后输出两束功率接近的吸收光和饱和吸收光，再分别经过两个第一雪崩光电二极管（7）后进入到同一减法器（12）中，由其相减后形成为消多普勒背景饱和吸收信号，用来半导体激光器（0）的锁定，所述Rb原子饱和吸收单元（4）包括设置在所述频标光（b）传输线路上的厚基片（401），所述厚基片（401）将入射的频标光（b）分为前表面反射光、后表面反射光和透射光三束，所述前表面反射光、后表面反射光分别从Rb原子池（402）射出，其中前表面反射光经过Rb原子池（402）形成吸收光，再经过分束镜（404）进入到其中一个所述第一雪崩光电二极管（7）中，所述透射光依次经过第二45°全反镜（405）和第三45°全反镜（406）射入到分束镜（404）上，并与后表面反射光汇集，使后表面反射光透为饱和吸收光，再进入到另外一个所述第一雪崩光电二极管（7）中，所述Rb原子池（402）由加热器（403）进行加热。

2.根据权利要求1所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述移频单元（3）包括依次设置在所述测量光（a）传输线路上的200mm焦距的第一透镜（301）、第一45°全反镜（302）、声光调制器（303）、200mm焦距的第二透镜（305），在所述声光调制器（303）上有来自于驱动模块（304）的射频信号，用来改变移频单元（3）输出测量光（a）的频率。

3.根据权利要求2所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述驱动模块（304）由压控振荡器和功率放大器组成，压控振荡器由电压驱动产生射频信号，经过功率放大器放大后输入到声光调制器（303）上，通过改变压控振荡器加载的电压而改变其输出的频率，经过功率放大器使其输出功率达到移频单元（3）能够工作的最佳状态。

4.根据权利要求1至3中任一项所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：在所述分束镜（404）上镀有半部分反射膜，使其作为部分反射和部分透射，用于将厚基片（401）的后表面反射光与透射光重合，形成所述饱和吸收光。

5.根据权利要求4所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述加热器（403）包括套设在所述Rb原子池（402）上的塑料圈、以及用来放置其整体的铝壳，在所述铝壳外边缠绕加热带，并采用55V交流电压的变压器供电加热。

6.根据权利要求1至3中任一项或5所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述光传输装置（6）的外部采用隔热管包裹，其内部由第一光纤耦合头（601）、光纤（602）和第二光纤耦合头（603）组成，所述第一光纤耦合头（601）和第二光纤耦合头（603）分别连接在光纤（602）的两端上，所述第一光纤耦合头（601）和第二光纤耦合头（603）均包括透镜和五维调节架，其分别用于匹配测量光光斑和超稳腔探测单元（10）的模式。

7.根据权利要求6所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述超稳腔探测单元（10）包括有超稳腔（1001），且其放置在四个隔振橡胶球（1002）上，用于隔绝超稳腔（1001）受外界机械振动的影响，所述超稳腔（1001）与四个隔振橡胶球（1002）一起放置在由分子泵及离子泵组合（1005）提供与外界隔绝热传导的真空环境中，并由控温仪（1003）对隔绝的真空环境进行控温，所述透射光（c）穿过超稳腔（1001）后输入到功率计（1004）中，所述功率计（1004）结合测量用移频单元（3）测量不同频率处透射光（c）的透射功率。

8.根据权利要求7所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述超稳腔（1001）由ULE材质制成的中空柱状腔体、以及设置在其两端口的前腔镜和后腔镜组成，所述前腔镜为99.999%反射率的平面镜，所述后腔镜为99.999%反射率且曲率半径为500mm的凹面镜。

9.根据权利要求1至3中任一项或5或7至8中任一项所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述第一分束单元（2）由依次设置在激光传输线路上的第一λ/2波片（201）和第一分束棱镜（202）组成。

10.根据权利要求9所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述第二分束单元（8）由依次设置在透射光（c）传输线路上的第二λ/2波片（801）、第二分束棱镜（802）和λ/4波片（803）组成。

11.根据权利要求10所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：在所述第二分束棱镜（802）和λ/4波片（803）之间的传输线路上还设置有由3个第四45°全反镜（9）组成的耦合镜组。

12.根据权利要求10或11所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：所述信号监视单元（11）包括第一45°高反镜（1102），所述反射光（d）经过第一45°高反镜（1102）输入到第二雪崩光电二极管（1106）中，并由示波器监视，用于移频单元（3）对透射光（c）进行粗调移频频率。

13.根据权利要求12所述利用超稳腔测量锁定在吸收谱的半导体激光器线宽的装置，其特征在于：在所述第二分束棱镜（802）与第一45°高反镜（1102）之间的反射光（d）传输线路上设置有第一耦合镜（1101），所述第一耦合镜（1101）将反射光（d）分成795nm波长的高透射率激光和780nm波长的高反射率激光，其中795nm波长的高透射率激光进入到所述第一45°高反镜（1102）中，780nm波长的高反射率激光依次经过第二耦合镜（1103）、第二45°高反镜（1104）输入到第三雪崩光电二极管（1105），用于监视备用。

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