CN113987886A - 铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法 - Google Patents
铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113987886A CN113987886A CN202111287185.5A CN202111287185A CN113987886A CN 113987886 A CN113987886 A CN 113987886A CN 202111287185 A CN202111287185 A CN 202111287185A CN 113987886 A CN113987886 A CN 113987886A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum alloy
- alloy substrate
- parameters
- simulation
- model
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 3
- 238000004613 tight binding model Methods 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/23—Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]
-
- G—PHYSICS
- G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
- G16C—COMPUTATIONAL CHEMISTRY; CHEMOINFORMATICS; COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
- G16C20/00—Chemoinformatics, i.e. ICT specially adapted for the handling of physicochemical or structural data of chemical particles, elements, compounds or mixtures
- G16C20/30—Prediction of properties of chemical compounds, compositions or mixtures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法，该方法包括：建立铝合金基底模型；设置仿真精度、入射激光光源参数及边界条件；将所述铝合金基底模型作为二维仿真模型，对所述铝合金基底模型进行网格划分；基于各网格进行仿真模拟，直至达到稳定收敛，输出铝合金基底模型参数。利用本发明方案，可以迅速有效地获得对特定波长高吸收的铝基复合薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及激光烧蚀铝合金处理领域，具体涉及一种铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法。
背景技术
随着高能激光、光刻技术的飞速发展，对精密光学系统中的杂散光防护提出了新的挑战。在高功率激光束的传输过程中，光束中不仅包含了波长1064nm的基频光，还包括经过倍频后波长532nm的二倍频光和波长355nm的三倍频光，即使是光学元件表面微弱的剩余反射，经铝合金精加工表面多次反射汇聚后，会产生很高能量密度的汇聚点，直接损伤光学元件，或对铝合金表面造成损伤，产生的污染颗粒会加剧光学元件的损伤，进而对光学系统造成灾难性的后果。光刻机中投影曝光系统的杂散光是影响光刻分辨力的主要因素之一，随着光刻技术节点从90nm、65nm、45nm到32nm延伸，光刻照明曝光系统的光源波长也越来越短，如波长284nm和波长193nm的极紫外光，对分辨力的要求越来越高，杂散光的影响也越来越大，会导致图像的分辨率降低，从而对成像的线宽造成影响。
由于杂散光产生的原因很复杂，很多因素是随机产生的，难以对它定量计算，不可能将杂散光完全地消除，因此，如何有效的吸收其在铝合金精加工表面反射后形成的杂散光成为一个亟待解决的关键技术问题。针对这一问题，现有技术采用了在铝合金表面安装黑玻璃的方法增加腔体内壁的抗激光损伤能力，但这种方法增加了系统设计和加工制造的复杂性，耗费巨大的财力物力和时间成本。
发明内容
本发明提供一种铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法，能够迅速有效地获得对特定波长高吸收的铝基复合薄膜。
为此，本发明提供如下技术方案：
一种铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法，所述方法包括：
建立铝合金基底模型；
设置仿真精度、入射激光光源参数及边界条件()；
将所述铝合金基底模型作为二维仿真模型，对所述铝合金基底模型进行网格划分；
基于各网格进行仿真模拟，直至达到稳定收敛，输出铝合金基底模型参数。
可选地，所述铝合金基底模型由三层具有不同功能的膜层构成，表层为透光封闭层，中层为吸收层、底层为隔离层。
可选地，所述表层为二氧化硅；所述中层为含纳米孔的阳极氧化铝，并且纳米孔洞中嵌入有硒化镉纳米量子点；所述底层为铝合金。
可选地，所述硒化镉纳米量子点的直径为3nm-10nm。
可选地，所述设置仿真精度包括：
采用二维仿真模型(x，y)，x方向仿真区域为-0.15μm-0.15μm，y方向仿真区域为-5μm-5μm。
可选地，所述设置射激光光源参数及边界条件包括：
激光光源为平面电磁波，入射方向为y轴正方向，距离xoy平面为0.1μm；x方向采用周期性边界条件，y方向采用完美匹配边界条件。
可选地，所述对所述铝合金基底模型进行网格划分包括：
将所述铝合金基底模型y方向的网格划分为1nm，x方向的网格划分为10-4nm。
可选地，所述基于各网格进行仿真模拟包括：
设置铝合金基底模型参数包括：阳极氧化铝纳米孔的直径D、高度H和孔之间的间距P、掺杂粒子种类；
改变铝合金基底模型参数计算各网格在所述入射激光光源参数下的光学吸收率；
测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率；
根据仿真计算得到的光学吸收率及测量得到的实际光学吸收率，确定是否达到稳定收敛；如果是，则输出铝合金基底模型参数；否则继续仿真过程。
可选地，所述计算各网格在所述入射激光光源参数下的光学吸收率包括：
基于时域有限差分模型，采用并矢格林函数方法计算各网络在入射激光光源参数下的光学吸收率。
可选地，所述测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率包括：
测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的透射率和反射率；
根据所述透射率和反射率计算得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率。
本发明实施例提供的铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法，通过建立铝合金基底模型，设置仿真精度、入射激光光源参数及边界条件；将所述铝合金基底模型作为二维仿真模型，对所述铝合金基底模型进行网格划分；基于各网格进行仿真模拟，直至达到稳定收敛，输出铝合金基底模型参数。从而可以通过改变不同的膜系参数能够迅速有效地获得对特定波长高吸收的铝基复合薄膜。实现对不同波长杂散光的有效吸收，减少多次反射形成的高能量汇聚点，进而实现对杂散光的防护。
附图说明
图1为本发明实施例铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法的流程图；
图2为本发明实施例中铝合金基底模型的一种示意图；
图3为本发明实施例中对铝合金基底模型划分的各网格进行仿真模拟的流程图；
图4为本发明实施例中硒化镉量子点嵌入的阳极氧化铝纳米孔在不同周期阵列下的光吸收特性示意图；
图5为本发明实施例中硒化镉量子点嵌入的阳极氧化铝纳米孔在不同周期阵列下的光吸收特性示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
如图1所示，是本发明实施例铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法的流程图，包括以下步骤：
步骤101，建立铝合金基底模型。
所述铝合金基底模型由三层具有不同功能的膜层构成，表层是透光封闭层，由具有透光性与致密性的硅酸盐物质层构成，功用是透光并防止内部物质微粒脱落；中层是吸收层，由在光谱上对特定激光波长具有强吸收峰的物质与氧化铝结合而成，最大程度地减少杂散光的反射；底层是隔离层，由垂直铝基体并且相互独立的纳米微孔柱构成，孔内有金属填充物，功用是保障高效热传导，将中层吸收转化的热量传导至铝合金基体。具体地，所述表层可以为二氧化硅；所述中层可以为含纳米孔的阳极氧化铝，并且纳米孔洞中嵌入有硒化镉纳米量子点；所述底层可以为铝合金，如图2所示。
上述各膜层的制备可以采用以下方式：整个膜层与基体之间由氧化铝原位生长，可以使膜层拥有高密度与强结合力，通过微纳结构调控以及纳米颗粒掺杂，可以调控复合薄膜的吸收峰位置、激光损伤阈值、表面粗糙度以及表面力学特性。
通过厚度仅为20-30微米的“透过-光吸收-光/热能量转换”功能梯度薄膜的耦合作用，可以使该功能梯度薄膜实现高光学吸收率、高损伤阈值。
在一种非限制性实施例中，所述硒化镉纳米量子点的直径可以为3nm-10nm。
步骤102，设置仿真精度、入射激光光源参数及边界条件。
为了提高仿真精度，获得精确仿真结果，可以采用二维仿真模型(x，y)，x方向仿真区域为-0.15μm-0.15μm，y方向仿真区域为-5μm-5μm。
所述仿真精度主要是指空间步长的设置。针对空间步长单元，若选取尺寸过大，则离散后的差分方程不易满足收敛性；选择尺寸过小又会增加模拟仿真的计算压力。从保证差分算法收敛性的角度出发，折中仿真计算量，空间步长应满足以下关系(以Δx为例)，Δx＜λ/12，λ为激光波长；三维FDTD((有限差分时域法))离散算法下，时间步长需要满足如下Courant稳定条件：
式中c为介质中的光速(m/s)。
所述边界条件是指±z截面选取PML(Perfectly matched layer，完美匹配层。
PML是最常用的边界条件，其作用是吸收入射到其上面的电磁场，相当于场无阻挡地传播到无限远。一般建议，PML应该离开物体(更准确地说应该是折射率变化的地方)半个波长左右，有时可以更小。其次，PML应该位于均匀网格区域，另外，PML的参数(一般是层数)要合适以便能吸收足够的场，这个对仅提高网格精度的仿真更为重要，因为网格变细后，如果层数不改变，总厚度只有几十个纳米，吸收性能可能变差。要检查PML的设置(位置，层数)是否得当，可以将PML变远(即增加仿真区大小)，或增加层数，看结果的变化是否显着，差别否可以接受，如果不能，应该调整PML的设置。)
吸收边界条件，±y截面选取PBC(Periodic Boundary Conditions,，周期性边界条件)是边界条件的一种，反映的是如何利用边界条件替代所选部分(系统)受到周边(环境)的影响。可以看作是如果去掉周边环境，保持该系统不变应该附加的条件，也可以看作是由部分的性质来推广表达全局的性质边界条件
激光光源采用平面电磁波(横电波TE波)，入射方向为y轴正方向，距离xoy平面为0.1μm，x方向采用周期性边界条件，y方向采用完美匹配边界条件，激光入射波长可根据不同需求进行设置。
步骤103，将所述铝合金基底模型作为二维仿真模型，对所述铝合金基底模型进行网格划分。
为了使仿真结果更加精确，可以将y方向的网格划分为1nm，将x方向的网格划分为10-4nm，根据铝基微纳复合薄膜的膜系结构进行整体划分。
步骤104，基于各网格进行仿真模拟，直至达到稳定收敛，输出铝合金基底模型参数。
进行仿真模拟的目的是通过改变铝合金基底模型参数，确定对应不同铝合金基底模型参数的铝基功能梯度薄膜激光吸收率。所述铝合金基底模型参数包括：阳极氧化铝纳米孔的直径D、高度H和孔之间的间距P、掺杂粒子种类。
具体仿真模拟过程如图3所示，包括以下步骤：
步骤301，设置铝合金基底模型参数初始值。
步骤302，计算当前铝合金基底模型参数下各网格在入射激光光源参数下的光学吸收率。
具体地，可以基于时域有限差分(FDTD)模型，采用并矢格林函数方法(Greendyadic method，GDM)对光吸收进行定量数值计算。单位体积的吸收可以由Poynting矢量的散度计算Pabs＝-0.5real(▽·P)，可以直接从该公式计算吸收，但散度计算往往对数值问题非常敏感。
可以上述公式转换为：Pabs＝-0.5real(iωE·D)；
经过上述转换，可以得到想要的结果。
具体地，在本发明实施例中，光吸收率的计算可采用以下公式：
Pabs＝-0.5ω|E|2Im(ε)，
其中，Pabs为光吸收率，即每个位置(x，y，z，f)单位体积吸收的功率，ω为角频率，E为电场强度，ε为材料介电常数。
为了计算作为空间和频率函数的吸收，只需要知道电场强度和介电常数的虚部。这两个量在FDTD模拟中都很容易测量，不同材料介电常数不同，因此掺杂的纳米颗粒种类不同，介电常数自然不同，而装有纳米颗粒的氧化铝纳米孔直径、高度与周期间距的不同会导致纳米量子点针对不同波长光波产生不同的光学效应。
步骤303，测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率。
具体地，可以设置透射率与反射率监视器，以获取材料的在相应波段下的光学吸收率。根据吸收率A＝1-T-R(其中，A为吸收率，T为透射率，R为反射率)获得在一定波段条件下的光学吸收率。
步骤304，根据仿真计算得到的光学吸收率及测量得到的实际光学吸收率，确定是否达到稳定收敛；如果是，则执行步骤305；否则，执行步骤306。
步骤305，输出铝合金基底模型参数。
步骤306，修改铝合金基底模型参数，然后返回步骤302。
本发明实施例提供的铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法，通过建立铝合金基底模型，设置仿真精度、入射激光光源参数及边界条件；将所述铝合金基底模型作为二维仿真模型，对所述铝合金基底模型进行网格划分；基于各网格进行仿真模拟，直至达到稳定收敛，输出铝合金基底模型参数。从而可以通过改变不同的膜系参数能够迅速有效地获得对特定波长高吸收的铝基复合薄膜。实现对不同波长杂散光的有效吸收，减少多次反射形成的高能量汇聚点，进而实现对杂散光的防护。
进一步地，通过仿真实验得到图4和图5所示的仿真结果，其中，纳米孔的直径60nm<D<100nm，
如图4所示，采用高度为500nm、600nm、800nm与1000nm的纳米孔在周期间距为100-400nm的条件下进行吸收仿真研究，结果表明随着周期间距增加，光吸收峰呈现一种蓝移趋势，而当周期间距达到P＝400nm时，吸收率在最大处能达到90％。
如图5所示，在仿真过程中继续增加纳米孔高度，以便使光吸收率继续增加，图5中纳米孔的范围为2μm<H<8μm。由仿真结果可知，当纳米孔高度达到6μm，直径为70nm时，吸收率最大处能稳定在99.5％左右，达到了所需要的光吸收值。
利用上述仿真结果，可以获得对不同激光波长高效吸收的材料，进而指导薄膜制备，大大节省薄膜制备时间及材料成本。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体实施方式对本发明进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及装置，其仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法，其特征在于，所述方法包括：
建立铝合金基底模型；
设置仿真精度、入射激光光源参数及边界条件()；
将所述铝合金基底模型作为二维仿真模型，对所述铝合金基底模型进行网格划分；
基于各网格进行仿真模拟，直至达到稳定收敛，输出铝合金基底模型参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝合金基底模型由三层具有不同功能的膜层构成，表层为透光封闭层，中层为吸收层、底层为隔离层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表层为二氧化硅；所述中层为含纳米孔的阳极氧化铝，并且纳米孔洞中嵌入有硒化镉纳米量子点；所述底层为铝合金。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硒化镉纳米量子点的直径为3nm-10nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置仿真精度包括：
采用二维仿真模型(x，y)，x方向仿真区域为-0.15μm-0.15μm，y方向仿真区域为-5μm-5μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置射激光光源参数及边界条件包括：
激光光源为平面电磁波，入射方向为y轴正方向，距离xoy平面为0.1μm；x方向采用周期性边界条件，y方向采用完美匹配边界条件。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述铝合金基底模型进行网格划分包括：
将所述铝合金基底模型y方向的网格划分为1nm，x方向的网格划分为10-4nm。
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述基于各网格进行仿真模拟包括：
设置铝合金基底模型参数包括：阳极氧化铝纳米孔的直径D、高度H和孔之间的间距P、掺杂粒子种类；
改变铝合金基底模型参数计算各网格在所述入射激光光源参数下的光学吸收率；
测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率；
根据仿真计算得到的光学吸收率及测量得到的实际光学吸收率，确定是否达到稳定收敛；如果是，则输出铝合金基底模型参数；否则继续仿真过程。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述计算各网格在所述入射激光光源参数下的光学吸收率包括：
基于时域有限差分模型，采用并矢格林函数方法计算各网络在入射激光光源参数下的光学吸收率。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率包括：
测量得到所述网格在所述入射激光光源参数下的透射率和反射率；
根据所述透射率和反射率计算得到所述网格在所述入射激光光源参数下的实际光学吸收率。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111287185.5A CN113987886B (zh) | 2021-11-02 | 2021-11-02 | 铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111287185.5A CN113987886B (zh) | 2021-11-02 | 2021-11-02 | 铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113987886A true CN113987886A (zh) | 2022-01-28 |
| CN113987886B CN113987886B (zh) | 2024-05-07 |
Family
ID=79745705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111287185.5A Active CN113987886B (zh) | 2021-11-02 | 2021-11-02 | 铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113987886B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120330630A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Shin-Wook Yi | Hybrid apparatus and methods for analyzing electromagnetic waves |
| WO2015095785A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | University Of Louisville Research Foundation, Inc. | Multi-scale mesh modeling software products and controllers |
| CN110569542A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-12-13 | 西北工业大学 | 一种激光立体成形闭环仿真方法 |
| CN112329298A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-05 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种高方向性矩形波导定向耦合器的仿真优化方法及装置 |
-
2021
- 2021-11-02 CN CN202111287185.5A patent/CN113987886B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120330630A1 (en) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | Shin-Wook Yi | Hybrid apparatus and methods for analyzing electromagnetic waves |
| WO2015095785A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | University Of Louisville Research Foundation, Inc. | Multi-scale mesh modeling software products and controllers |
| CN110569542A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-12-13 | 西北工业大学 | 一种激光立体成形闭环仿真方法 |
| CN112329298A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-05 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种高方向性矩形波导定向耦合器的仿真优化方法及装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 梁迎春;盆洪民;白清顺;卢礼华;: "基于桥域理论的Cu单晶纳米切削跨尺度仿真研究", 物理学报, no. 10, 15 October 2011 (2011-10-15) * |
| 马良;黄卫东;于君;王波;杨海欧;: "金属激光立体成形热应力场参数化有限元模型", 中国激光, no. 12, 10 December 2009 (2009-12-10) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113987886B (zh) | 2024-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10336055B2 (en) | Systems and methods for fabricating three-dimensional objects | |
| Lalanne et al. | Numerical analysis of a slit-groove diffraction problem | |
| JP2021170123A (ja) | リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法 | |
| JP6772169B2 (ja) | リソグラフィーおよび他の用途において極紫外線と使用するための材料、コンポーネントおよび方法 | |
| US11874480B2 (en) | Plasmonic lithography for patterning high aspect-ratio nanostructures | |
| Ye et al. | High power laser antireflection subwavelength grating on fused silica by colloidal lithography | |
| KR20160134783A (ko) | 광학 부품 및/또는 웨이퍼의 미리 정해진 3차원 윤곽을 생성하는 방법 및 장치 | |
| Ware et al. | Method for attaining dimensionally accurate conditions for high-resolution three-dimensional printing ceramic composite structures using MicroCLIP process | |
| Chen et al. | An anti-reflective 1D rectangle grating on GaAs solar cell using one-step femtosecond laser fabrication | |
| Zhang et al. | Functional nanostructured surfaces in hybrid sol–gel glass in large area for antireflective and super-hydrophobic purposes | |
| CN113987886A (zh) | 铝基功能梯度薄膜激光吸收率仿真方法 | |
| Bauhofer et al. | Neural networks for trajectory evaluation in direct laser writing | |
| Ray et al. | Designer metasurfaces for antireflective applications enabled by advanced nanoparticle technology | |
| Pistor et al. | Extreme ultraviolet mask defect simulation: low-profile defects | |
| Danilov et al. | Formation of Nanogratings on the Surface of Nanoporous Glass irradiated by Femtosecond visible laser pulses | |
| Park et al. | Direct fabrication of micropatterns and three-dimensional structures using nanoreplication-printing (nRP) process | |
| Du et al. | Laser-induced damage properties of subwavelength antireflective grating on fused silica | |
| Jiang | Accelerating fabrication speed in two-laser beam stereolithography system using adaptive crosshatch technique | |
| Kozik et al. | Investigation of surface roughness influence on hyperbolic metamaterial performance | |
| Lai et al. | Fabrication of two-and three-dimensional photonic crystals and photonic quasi-crystals by interference technique | |
| Jing et al. | Near-field distribution of broadband antireflective nanostructure arrays | |
| Lu et al. | Optical properties of high-order band gaps in one-dimensional photonic crystal | |
| Vaccari et al. | A parallel computational FDTD approach to the analysis of the light scattering from an opal photonic crystal | |
| US20230219312A1 (en) | Optical element and method of fabricating the same | |
| Gorelik et al. | Optical properties of mesoporous one-dimensional photonic crystals |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |