CN113948958A - 一种集成光源的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。

Description

一种集成光源的制备方法
技术领域
本发明涉及集成光源技术领域，特别是涉及一种集成光源的制备方法。
背景技术
随着移动互联网技术的发展，5G通信网络、智能物联网、自动驾驶、人工智能等新兴技术逐渐实用化，并慢慢走入人们的生活。以光互连技术为主导的新型网络互连技术因其具有大带宽、低延迟、低功耗等优异性能，近年来获得了广泛的关注。光互连技术中最受关注的是片上光互连技术。片上光互连技术，尤其是基于硅基材料平台的片上光互连技术，因为能有效结合传统的CMOS技术，适合制作大规模的集成光子芯片，具有制作工艺成熟，制作成本低廉，能大大提高网络带宽，网络速率，且可将电互连的能耗降低几个数量级等优异性能。相比于传统的电互连网络，片上光互连网络的成本及性能优势明显。硅基片上光互连技术现已成为突破当前电互连网络瓶颈的重要技术方向之一。
片上光互连是将各种光学功能器件，如光源、放大器、调制器、解调器、探测器，光开关，分路器等集成在一起，形成一个完整的具有综合功能的集成光网络。片上光互连技术具有损耗低、功耗小、速率高、抗干扰性强等诸多优点，是实现超高速、低功耗、低延时、抗干扰的全光互连网络的重要技术。能成熟商业化应用的片上光互连技术将有希望应用到云计算、5G通信前传回传模块、数据中心光互连模块等诸多商业领域。片上光互连网络是信息技术发展的必然趋势已成为当前业界的共识。
在实际应用中，往往更需要一种光源集成方法，以便于将光源与各种基底上芯片直接集成在微芯片系统中，使得无源器件与包括有源器件的其他器件相互光耦合，满足光源集成芯片多样化集成化的实际需求。所以如何提供一种集成光源的制备方法是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种集成光源的制备方法，可以将不同光学器件之间相互耦合。
为解决上述技术问题，本发明提供一种集成光源的制备方法，包括：
在激光芯片的出光口表面设置微透镜；
在待集成芯片表面设置光耦合部；
将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述光耦合部设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述光耦合部中预设位置相互对位；
将相互对位的所述激光芯片与所述待集成芯片相互键合以在所述激光芯片与所述待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使所述微透镜与所述待集成芯片之间具有光线传播间隙。
可选的，所述在待集成芯片表面设置光耦合部包括：
在待集成芯片表面设置一介质层，所述介质层背向所述待集成芯片一侧表面为斜面；
在所述斜面表面设置波导层；
在所述波导层表面刻蚀出耦合光栅；
所述将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述光耦合部设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述光耦合部中预设位置相互对位包括：
将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述耦合光栅设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述耦合光栅中预设位置相互对位。
可选的，所述斜面的倾角的取值范围为6°至12°，包括端点值。
可选的，所述在待集成芯片表面设置一介质层，所述介质层背向所述待集成芯片一侧表面为斜面包括：
在所述待集成芯片表面沉积一介质层；
对所述介质层进行刻蚀，以在所述介质层中预先划分的耦合区域形成斜面。
可选的，所述介质层厚度的取值范围为1μm至10μm，包括端点值。
可选的，所述在激光芯片的出光口表面设置微透镜包括：
在所述激光芯片的出光口表面旋涂溶胶凝胶层；
在所述溶胶凝胶层压紧一模板，使所述溶胶凝胶层溢进所述模板朝向所述溶胶凝胶层设置的微透镜凹槽，所述微透镜凹槽的形状对应所述微透镜；
在压紧所述模板之后，固化所述溶胶凝胶层，以形成所述微透镜。
可选的，所述溶胶凝胶层为溶胶凝胶感光层；
所述在压紧所述模板之后，固化所述溶胶凝胶层，以形成所述微透镜包括：
在压紧所述模板之后，对所述溶胶凝胶感光层进行曝光，以将所述溶胶凝胶感光层转换为玻璃态；
在对所述溶胶凝胶感光层进行曝光后剥离模板，以形成所述微透镜。
可选的，所述键合柱的高度与所述微透镜的焦距相互匹配。
可选的，所述键合柱的高度的取值范围为20um至1000um，包括端点值。
可选的，在所述在激光芯片的出光口表面设置微透镜之前，还包括：
对所述激光芯片进行清洗。
本发明所提供的一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。
通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种集成光源的制备方法的流程图；
图2为本发明实施例所提供的一种具体的集成光源的制备方法的流程图；
图3为通过图2中提供方法所制备而成的集成光源的结构示意图。
图中：1.激光芯片、2.微透镜、3.待集成芯片、4.介质层、5.波导层、6.耦合光栅、7.键合柱。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种集成光源的制备方法。在现有技术中，往往更需要一种光源集成方法，以便于将光源与各种基底上芯片直接集成在微芯片系统中，使得无源器件与包括有源器件的其他器件相互光耦合，满足光源集成芯片多样化集成化的实际需求。
而本发明所提供的一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。
通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例所提供的一种集成光源的制备方法的流程图。
参见图1，在本发明实施例中，集成光源的制备方法包括：
S101：在激光芯片的出光口表面设置微透镜。
在发明实施例中，需要预先准备好激光芯片以及待集成芯片，其中激光芯片通常为垂直腔面发射激光芯片VCSEL，使用VCSEL可以有效减少光源集成物理不可克隆函数器件的体积，增加其集成度。
在本步骤中，会在激光芯片的出光口表面设置微透镜，该微透镜至少需要覆盖部分出光口，通常需要覆盖整个出光口，从而使得微透镜可以对激光芯片从出光口射出的光线进行调制。具体的，上述微透镜需要具体为凸微透镜或凹微透镜，使得该微透镜可以对从出光口射出的光线进行整形。通常情况下，该微透镜需要对激光进行收束，从而可以将该激光增加集中的照射至光耦合部，增加光耦合部的耦合效率。有关在激光芯片的出光口表面设置微透镜的具体过程将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S102：在待集成芯片表面设置光耦合部。
该待集成芯片即需要接收上述激光芯片所发出激光的器件，该待集成芯片的具体结构可以根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。在本步骤中，会在待集成芯片表面设置光耦合部，上述激光芯片所发出的激光具体会通过该光耦合部耦合入所述待集成芯片。有关设置光耦合部的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S103：将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位。
需要说明的是，由于在本发明实施例中通过微透镜对从激光芯片射出的激光进行了整形，即该从激光芯片射出的激光的形状可调，因此在本步骤中对位时的对位精度可以显著降低。在本步骤中，主要用于将激光芯片与待集成芯片相互对位，以便在后步骤中将对位的激光芯片与待集成芯片相互键合。
S104：将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。
在本步骤中，具体会通过形成键合柱的方式将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合，此时键合柱的高度即激光芯片与待集成芯片之间的键合高度。具体的，在本步骤中需要在键合激光芯片与待集成芯片时，在微透镜与所述待集成芯片之间预留有光线传播间隙，该间隙用于使得从微透镜射出的光线可以在空间中传播从而在待集成芯片的入光侧表面形成预设大小的光斑。
通常情况下，在本发明实施例中所述键合柱的高度与所述微透镜的焦距相互匹配。即激光芯片与待集成芯片之间的键合高度需要与微透镜的焦距相互匹配，从而便于对光斑的形貌进行控制。通常情况下，在本发明实施例中上述键合柱的高度的取值范围为20um至1000um，包括端点值。即激光芯片与待集成芯片之间的键合高度的取值范围为20um至1000um，包括端点值。需要说明的是，通过键合柱键合激光芯片与待集成芯片，可以方便的调节激光芯片与待集成芯片之间的距离，只需要调整键合柱的高度即可。
本发明实施例所提供的一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。
通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
有关本发明所提供的一种集成光源的制备方法的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图2以及图3，图2为本发明实施例所提供的一种具体的集成光源的制备方法的流程图；图3为通过图2中提供方法所制备而成的集成光源的结构示意图。
参见图2以及图3，在本发明实施例中，集成光源的制备方法包括：
S201：对激光芯片进行清洗。
需要说明的是，在本步骤中清洗的激光芯片1具体可以为未进行解离的激光外延片，相应的可以在本步骤清洗之后，也可以是在后续制备完微透镜2之后，将激光外延片进行解离，以便后续将解离后的激光芯片1与待集成芯片3相互键合。
具体的，本步骤的清洗过程具体可以包括：将激光芯片1依次在丙酮溶液中利用20KHz-90KHz超声波清洗5min，在异丙醇溶液中利用20KHz-90KHz超声波清洗5min，再在去离子水中利用20KHz-90KHz超声波清洗10min，以此重复3次；然后，采用高纯氮气吹干。当然在本发明实施例中还可以通过其他溶液对激光芯片1进行清洗，其所使用的超声波频率以及清洗时长均可以根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。在本发明实施例中，上述激光芯片1的发光波长通常不小于1100nm。
S202：在激光芯片的出光口表面旋涂溶胶凝胶层。
在本步骤中，具体可以在激光芯片1的出光口表面旋涂sol-gel材料，从而形成溶胶凝胶层。此时，溶胶凝胶层具有一定的流动性，可以对其形状进行塑造。
S203：在溶胶凝胶层压紧模板，使溶胶凝胶层溢进模板朝向溶胶凝胶层设置的微透镜凹槽。
在本发明实施例中，微透镜凹槽的形状对应微透镜2。在本发明实施例中可以预先制作一模板，该模板中凹槽的形状具体对应上述微透镜2。在本步骤中，会将模板扣至溶胶凝胶层并压紧，从而使得溶胶凝胶层溢进微透镜凹槽，该微透镜凹槽需要在模板朝向溶胶凝胶层设置。上述模板具体可以为由PDMS(聚二甲基硅氧烷)制成的模板。有关模板的具体材质可以根据实际情况自行设置，在此不做具体限定。
S204：在压紧模板之后，固化溶胶凝胶层，以形成微透镜。
在本步骤中，会对压紧有模板的溶胶凝胶层进行固化，从而形成可用的微透镜2。具体的，在本发明实施例中上述溶胶凝胶层为溶胶凝胶感光层，即该溶胶凝胶层所使用的材料具体可以为sol-gel感光材料，该sol-gel感光材料可以经过曝光而固化。在本发明实施例中，sol-gel感光材料，即上述溶胶凝胶感光层的材料具体可以为HfO2与SiO2两种无机组分的光敏性混合溶胶，且其配比可调。典型的混合溶胶中采用Si∶Hf＝3∶1的摩尔比例进行混合，在室温环境中强力搅拌10小时。再将光敏剂以5wt％的比例加入到溶胶中，得到紫外线感光性能良好的HfO2/SiO2溶胶材料。
此时，本步骤可以具体为：在压紧所述模板之后，对所述溶胶凝胶感光层进行曝光，以将所述溶胶凝胶感光层转换为玻璃态；在对所述溶胶凝胶感光层进行曝光后剥离所述模板，以形成所述微透镜2。在本步骤中通常使用紫外曝光机对压紧模板的溶胶凝胶感光层进行曝光，此时溶胶凝胶感光层发生聚合反应成为玻璃态，其曝光时间通常为10min至60min，包括端点值。
再之后，需要将模板剥离，从而得到微透镜2。该微透镜2的焦距通常在20μm至1000um，包括端点值，且该微透镜2通常需要完全覆盖激光芯片1的发光孔。
需要说明的是，在本步骤中当具体是在未经过解离的激光外延片表面设置上述微透镜2之后，在本步骤可以再对激光外延片进行解离，从而可以使得解离出的单个激光芯片1的出光口表面均设置有对应的微透镜2。
S205：在待集成芯片表面设置一介质层。
在本发明实施例中，所述介质层4背向所述待集成芯片3一侧表面为斜面。即在本步骤中会在待集成芯片3表面设置一具有斜面的介质层4，在后续步骤中会在该斜面设置耦合光栅6形成光耦合部。则本步骤通常具体包括：在所述待集成芯片3表面沉积一介质层4；对所述介质层4进行刻蚀，以在所述介质层4中预先划分的耦合区域形成斜面。该介质层4的具体材质可以是SiO2，该介质层4的厚度的取值范围为1μm至10μm，包括端点值。
在本步骤中具体会先在待集成芯片3的表面沉积一层SiO2作为介质层4，之后再在该介质层4中刻蚀出斜面。具体的，在本步骤中可以采用化学气相沉积(CVD)方法沉积上述介质层4。
具体的，在本步骤中可以具体使用光刻工艺进行刻蚀，同时进一步同时刻蚀出对准图形，以便在后步骤中将激光芯片1与光耦合部相互对准。具体的，本步骤可以具体包括：在待集成芯片3的表面沉积一介质层4；在所述介质层4表面光刻出对准图形，并形成倾斜角光刻胶掩膜；之后根据所述倾斜角光刻胶掩膜刻蚀出具有预设倾角的斜面，最后需要去除光刻胶。在本发明实施例中，上述斜面的倾角的取值范围优选为6°至12°，包括端点值。当斜面的倾角处于6°至12°，包括端点值时，可以在有效减少光耦合部对激光的反射，增加光耦合部对激光的耦合效率。更为优选的，上述斜面的倾角的取值范围优选为8°至10°，包括端点值。
需要说明的是，上述激光芯片1的对准图形通常是预先设置在激光芯片1表面，从而便于将激光芯片1与光耦合部相互对位。在本发明实施例中，上述斜面所在区域即待集成芯片3的光耦合区。
S206：在斜面表面设置波导层。
在本步骤中，具体会在斜面沉积高折射率材料形成波导层5，该高折射率材料具体可以为Si、Si3N4、GaN等，当然在本发明实施例中还可以使用其他材料制成波导层5，视具体情况而定，在此不做具体限定。上述波导层5的厚度通常在100nm至400nm，包括端点值。
S207：在波导层表面刻蚀出耦合光栅。
在本步骤中，会在波导层5表面刻蚀出耦合光栅6，从而形成光耦合部。具体的，在本步骤中可以具体在波导层5表面电子束光刻预先设计好的光栅图形，之后采用干法刻蚀的方法形成耦合光栅6。上述对于波导层5进行刻蚀的刻蚀深度通常不超过波导层5厚度。上述耦合光栅6的光栅周期通常在400nm至600nm，包括端点值；上述耦合光栅6的占空比通常在0.3至0.6，包括端点值；耦合光栅6的宽度通常在5μm至100um，包括端点值；耦合光栅6的刻蚀深度通常在50nm至400nm，包括端点值。当然，有关耦合光栅6的具体尺寸可以根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。
S208：将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向耦合光栅设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与耦合光栅中预设位置相互对位。
在本步骤中，会将光芯片经所述微透镜2整形的光斑具体与上述耦合光栅6相互对位，具体可以是通过将激光芯片1中的对准图形与介质层4中的对准图形相互对位，从而实现激光芯片1经微透镜2整形的光斑与耦合光栅6中预设位置相互对位。有关对位图形的具体形状可以根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。
S209：将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。
本步骤与上述发明实施例中S104基本一致，详细内容已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
需要说明的是，本发明实施例多提供的方法中，当需要改变光斑大小以及改变键合高度时，仅仅需要改变键合柱5高度，以及调整模板中凹槽尺寸即可，其方式非常简单，同时可以降低对准要求，提升器件性能和稳定性，利于小型化集成化。使用微透镜2可以进一步实现光斑聚焦，为形成高效光耦合提供了先决条件，保证光斑能量集中特性。使用模板制作微透镜2，简化了微微透镜制备工艺，缩短制备周期，在降低生产成本的同时保证了微微透镜的质量。由于在本发明实施例中使用了键合高度与微透镜2焦距匹配的键合工艺，能够实现不同光斑要求下多种集成光源，实现差异化定制解决方案。通过设置斜面，并在斜面设置光栅进行耦合，在降低光反射的前提下，有效降低了光反射的影响，提高耦合效率。
本发明实施例所提供的一种集成光源的制备方法，通过在激光芯片1的出光口表面直接设置微透镜2，可以直接将激光芯片1产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种集成光源的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种集成光源的制备方法，其特征在于，包括：
在激光芯片的出光口表面设置微透镜；
在待集成芯片表面设置光耦合部；
将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述光耦合部设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述光耦合部中预设位置相互对位；
将相互对位的所述激光芯片与所述待集成芯片相互键合以在所述激光芯片与所述待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使所述微透镜与所述待集成芯片之间具有光线传播间隙。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在待集成芯片表面设置光耦合部包括：
在待集成芯片表面设置一介质层，所述介质层背向所述待集成芯片一侧表面为斜面；
在所述斜面表面设置波导层；
在所述波导层表面刻蚀出耦合光栅；
所述将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述光耦合部设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述光耦合部中预设位置相互对位包括：
将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述耦合光栅设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述耦合光栅中预设位置相互对位。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述斜面的倾角的取值范围为6°至12°，包括端点值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在待集成芯片表面设置一介质层，所述介质层背向所述待集成芯片一侧表面为斜面包括：
在所述待集成芯片表面沉积一介质层；
对所述介质层进行刻蚀，以在所述介质层中预先划分的耦合区域形成斜面。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层厚度的取值范围为1μm至10μm，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在激光芯片的出光口表面设置微透镜包括：
在所述激光芯片的出光口表面旋涂溶胶凝胶层；
在所述溶胶凝胶层压紧一模板，使所述溶胶凝胶层溢进所述模板朝向所述溶胶凝胶层设置的微透镜凹槽，所述微透镜凹槽的形状对应所述微透镜；
在压紧所述模板之后，固化所述溶胶凝胶层，以形成所述微透镜。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述溶胶凝胶层为溶胶凝胶感光层；
所述在压紧所述模板之后，固化所述溶胶凝胶层，以形成所述微透镜包括：
在压紧所述模板之后，对所述溶胶凝胶感光层进行曝光，以将所述溶胶凝胶感光层转换为玻璃态；
在对所述溶胶凝胶感光层进行曝光后剥离模板，以形成所述微透镜。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合柱的高度与所述微透镜的焦距相互匹配。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述键合柱的高度的取值范围为20um至1000um，包括端点值。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在激光芯片的出光口表面设置微透镜之前，还包括：
对所述激光芯片进行清洗。
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