CN113913755B - 薄膜制备系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄膜制备系统，包括：储存装置、蒸发控制装置、薄膜沉积装置；储存装置，用于储存待蒸发前驱体材料；蒸发控制装置，位于储存装置内部，用于在真空环境下控制待蒸发前驱体材料蒸发形成前驱体分子；薄膜沉积装置，与储存装置相连通，用于接收前驱体分子，并在真空环境下利用前驱体分子制备薄膜。蒸发控制装置包括：温度控制装置，位于储存装置的底部，用于蒸发待蒸发前驱体材料；控制机构，设置在储存装置的上部，用于控制待蒸发前驱体材料的蒸发速率。

Description

薄膜制备系统
技术领域
本发明涉及薄膜材料制备领域，尤其涉及一种基于真空环境的薄膜制备系统。
背景技术
近些年随着材料制备技术的提高，越来越多的材料制备依赖真空环境。目前用于真空材料生长的方法主要有以下几种：1)分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)及各种蒸发设备；2)磁控溅射；3)激光辅助沉积；4)化学气相沉积；5)原子层沉积等。
目前真空环境下制备蒸发材料的方法主要有以下特征：1)生长的材料主要以高蒸汽压的原子或分子为主，即蒸发温度大于200℃的材料，目前在分子束外延设备中K-cell蒸发源的设计也主要适用于蒸汽压较高的材料，对较低蒸气压的材料或分子，其流量的控制相对较差，这极大程度限制了很多新材料的制备。尤其是近些年比较流行的量子材料，很多需要利用低蒸气压的分子来制备；2)很多分子在空气中或制备后稳定性较差，需要一体化的制备技术来辅助完成；3)目前利用K-cell蒸发速率控制容易，对于传统材料蒸发，其蒸发方法已经实现自动化和智能化；4)用于原位监测材料生长数据的设备还依赖传统的材料化学反应，其结构复杂，且准确度较差，亟待利用新型材料来制造监测设备。
目前的蒸发装置主要以固体和纯气体材料为主，这些材料一般可以通过热蒸发、电子束轰击以及分子裂解来产生。目前这类装置被广泛应用于各种真空环境下的薄膜材料和纳米材料的制备中。当前固体蒸发装置存在以下问题：1)没有可靠稳定的用于低蒸汽压分子的蒸发源，这使得很多材料和元素都无法使用；2)无法精确调控样品的蒸发和吸收的分子量；3)整体装置易发生损坏。
发明内容
有鉴于此，为了实现在高真空或超高真空领域中利用低蒸汽压固液态分子制备薄膜材料，本发明提供一种薄膜制备系统。
本发明提供一种薄膜制备系统，该薄膜制备系统包括：
储存装置，用于储存待蒸发前驱体材料；
蒸发控制装置，位于储存装置内部，用于在真空环境下控制待蒸发前驱体材料蒸发形成前驱体分子；蒸发控制装置包括：温度控制装置，位于储存装置的底部，用于蒸发待蒸发前驱体材料；控制机构，设置在储存装置的上部，用于控制待蒸发前驱体材料的蒸发速率；
薄膜沉积装置，与储存装置相连通，用于接收前驱体分子，并在真空环境下利用前驱体分子制备薄膜。
在一些实施例中，控制机构上还设置有温度调节装置，用于调控控制机构的温度。
在一些实施例中，储存装置上还设置有第一监测装置，用于监测储存装置内的待蒸发前驱体材料的状态。
在一些实施例中，薄膜制备系统还包括：废料回收装置，与储存装置、薄膜沉积装置中的至少一个相连通，用于吸收残余的前驱体分子。
在一些实施例中，废料回收装置包括：低温冷阱装置，用于将储存装置、薄膜沉积装置中的至少一个中的残余的前驱体分子吸收至废料回收装置；第一加热装置，用于对吸收至废料回收装置中的残余的前驱体分子进行加热；集中吸收泵组，用于吸收废料回收装置内的残余的前驱体分子。
在一些实施例中，薄膜制备系统还包括：前驱体制备装置，与储存装置连通，用于制备待蒸发前驱体材料，并将待蒸发前驱体材料传输至储存装置。
在一些实施例中，储存装置与薄膜沉积装置通过第一管路连通；前驱体制备装置与储存装置通过第二管路连通。
在一些实施例中，薄膜制备系统还包括：分子流量监测装置，设置在第一管路上，用于监测第一管路上的前驱体分子的蒸发速率。
在一些实施例中，分子流量监测装置包括：快门装置，用于控制分子流量监测装置的开启或关闭；石墨烯探测片，用于吸附前驱体分子，响应于吸附的前驱体分子的含量变化，石墨烯探测片的电阻发生变化；累计测量和联合控制装置，用于测量石墨烯探测片的电阻变化值，控制蒸发控制装置内的控制机构的开关；以及真空测量装置，用于测量分子流量监测装置内的压强变化。
在一些实施例中，分子流量监测装置还包括气体脱附器，用于对吸附有前驱体分子的石墨烯探测片进行脱吸附。
在一些实施例中，第一管路上设置有第二加热装置，以防止第一管路中的前驱体分子在传输过程中发生凝聚。
在一些实施例中，薄膜制备系统还包括：真空泵组，真空泵组通过真空管道分别与储存装置、分子流量监测装置和薄膜沉积装置连通，用于将储存装置、分子流量监测装置和薄膜沉积装置控制在预设真空条件。
根据本发明上述实施例的薄膜制备系统，利用储存装置和蒸发控制装置可以实现待蒸发前驱体材料的稳定蒸发，即利用蒸发控制装置中的温度控制装置蒸发待蒸发前驱体材料，利用控制机构控制待蒸发材料的蒸发速率，控制前驱体分子通过第一管路传输至薄膜沉积装置的流量，进而控制薄膜的制备速率，由此可以实现在真空环境中利用低蒸汽压固液态分子制备薄膜材料。
附图说明
图1为本发明实施例提供的薄膜制备系统的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的储存装置和蒸发控制装置的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的废料回收装置的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的分子流量监测装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的设置有第二加热装置的第一管路的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的第一管路与薄膜沉积装置相连通的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用煤炭制作得到的石墨烯的扫描电镜图；
图8为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用煤炭制作得到的石墨烯的拉曼光谱；
图9为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用五氯吡啶制作得到的有序氮掺杂石墨烯材料的扫描隧道显微镜图；
图10为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用氯气制作得到的单晶铜氯合金薄膜材料的扫描隧道显微镜图；以及
图11为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用二氧化氮分子制备氧化氮掺杂石墨烯，二氧化氮分子沉积量的测量结果图。
【附图标记说明】
1-前驱体制备装置；
2-储存装置；
21-第一监测装置；
3-前驱体提纯装置；
4-废料回收装置；
41-低温冷阱装置；
42-第一加热装置；
43-集中吸收泵组；
5-蒸发控制装置；
51-温度控制装置；
52-控制机构；
6-第一管路；
61-第二加热装置；
7-分子流量监测装置；
71-快门装置；
72-石墨烯探测片；
73-累计测量和联合控制装置；
74-真空测量装置；
75-气体脱附器；
8-薄膜沉积装置；
9-真空泵组；
10-第二管路
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
本发明的实施例提供一种应用于高真空或超高真空领域中基于低蒸气压固液态分子制备薄膜材料的薄膜制备系统。
图1为本发明实施例提供的薄膜制备系统的结构示意图。图2为本发明实施例提供的储存装置和蒸发控制装置的结构示意图。
如图1和图2所示，本发明的实施例提供的薄膜制备系统包括：储存装置2，蒸发控制装置5，薄膜沉积装置8。
在一种实施例中，储存装置2用于储存待蒸发前驱体材料；蒸发控制装置5位于储存装置2内部，用于在真空环境下控制待蒸发前驱体材料蒸发形成前驱体分子；蒸发控制装置5包括：温度控制装置51，位于储存装置2的底部，用于蒸发待蒸发前驱体材料；控制机构52，设置在储存装置2的上部，用于控制待蒸发前驱体材料的蒸发速率；薄膜沉积装置8与储存装置2相连通，用于接收前驱体分子，并在真空环境下利用前驱体分子制备薄膜。
根据本发明的实施例，温度控制装置51可以控制储存装置2的温度保持在-150～300℃之间，实现不同待蒸发前驱体材料的蒸发。
根据本发明的实施例，控制机构52可以是挡板，控制挡板的开启或者开启大小，可以控制储存装置2中的前驱体分子传输至薄膜沉积装置8的流速，即可以控制前驱体分子的蒸发速率。
根据本发明的实施例，温度控制装置51可以控制储存装置2的温度保持在-150～300℃之间，通过控制作为控制机构52的挡板的开启大小以及温度控制装置51的加热温度，可以控制前驱体分子的蒸发速率在0.1埃每秒至5埃每秒的范围之间。
根据本发明的实施例，控制机构52上还设置有温度调节装置(图中未示出)，用于调控控制机构52的温度。控制机构52上设置温度调节装置，可以使控制机构52保持在一定的温度下，防止储存装置2内的温度变化引起前驱体分子冷凝在控制机构52表面，降低控制机构52的开关灵敏度。
根据本发明的实施例，储存装置2上还设置有第一监测装置21，用于监测储存装置2内的待蒸发前驱体材料的状态。
根据本发明的实施例，第一监测装置21可以为真空计，真空计通过监测储存装置2内的真空度变化，来计算储存装置2内的前驱体分子的含量变化。
根据本发明的实施例，薄膜制备系统还包括：废料回收装置4，与储存装置2、薄膜沉积装置8中的至少一个相连通，用于吸收残余的前驱体分子。
图3为本发明实施例提供的废料回收装置的结构示意图。
如图3所示，废料回收装置4包括：低温冷阱装置41，用于将储存装置2、薄膜沉积装置8中的至少一个中的残余的前驱体分子吸收至废料回收装置7；第一加热装置42，用于对吸收至废料回收装置2中的残余的前驱体分子进行加热；集中吸收泵组43，用于吸收废料回收装置2内的残余的前驱体分子。
根据本发明的实施例，利用废料回收装置4中的低温冷阱装置41将蒸发结束后储存装置2、薄膜沉积装置8及传输管路中残余的前驱体分子吸收并冷凝到废料回收装置4内，关闭废料回收装置4的阀门，利用第一加热装置42将冷凝的残余的前驱体分子加热蒸发并吸附到集中吸收泵组43。
根据本发明的实施例，通过设置废料回收装置，在蒸发结束和薄膜制备结束后，废料回收装置对传输管路、储存装置及薄膜沉积装置中残余的前驱体分子进行回收，可以防止对薄膜制备系统的真空环境造成污染，提高制备得到的薄膜的纯度，延长了薄膜制备系统的使用寿命，提高了薄膜制备系统的使用效率。
根据本发明的实施例，薄膜制备系统还包括前驱体提纯装置3。在薄膜制备结束后，残余的前驱体分子经前驱体提纯装置3提纯后，可传输至储存装置2内再次利用。
根据本发明的实施例，薄膜制备系统还包括：前驱体制备装置1，与储存装置2连通，用于制备待蒸发前驱体材料，并将待蒸发前驱体材料传输至储存装置2。
根据本发明的实施例，前驱体制备装置1实现前驱体制备的方法包括蒸馏、萃取等。根据本发明的实施例，前驱体制备装置1可以为蒸发冷凝器，蒸馏获得的液态分子流入储存装置2。
根据本发明的实施例，储存装置2与薄膜沉积装置8通过第一管路6连通；前驱体制备装置1与储存装置2通过第二管路10连通。
根据本发明的实施例，薄膜制备系统还包括：分子流量监测装置7，设置在第一管路6上，用于监测第一管路6上的前驱体分子的蒸发速率。
图4为本发明实施例提供的分子流量监测装置的结构示意图。
根据本发明的实施例，如图4所示，分子流量监测装置7包括：快门装置71，用于控制分子流量监测装置7的开启或关闭；石墨烯探测片72，用于吸附前驱体分子，响应于吸附的前驱体分子的含量变化，石墨烯探测片72的电阻发生变化；累计测量和联合控制装置73，用于测量石墨烯探测片72的电阻变化值，并控制蒸发控制装置2内的控制机构52的开关；以及真空测量装置74，用于测量分子流量监测装置7内的压强变化。
根据本发明的实施例，累计测量装置是通过程序编写的用于统计累计的真空度的变化值以及记录石墨烯探测片72的电阻变化值，以用于分析气体吸附的剂量。联合控制装置主要是利用分子流量监测装置7获得的剂量数据，程序控制蒸发控制装置5中用于调控蒸发速度的控制机构52的开关，从而精确控制前驱体分子通过第一管路6通入薄膜沉积装置8的剂量。
需要说明的是，石墨烯二维材料本身化学特性稳定，其材料本身不容易发生化学变化，其较大的表面积使得材料的物理吸附特性大幅度增强，分子间电荷转移通过电阻的方式得以呈现。采用物理吸附仅依赖材料分子自身的电子和轨道特性，因此不受凝结等问题影响。通过电荷转移使二维材料化学势发生偏移，从而改变探测材料的电阻。克服了传统的基于化学反应的气体探测器，由于蒸汽压较低的固态分子和液态分子在检测时易发生凝结，导致化学反应速率降低，使得基于化学吸附的气体探测器的测量精度较差。
根据本发明的实施例，分子流量监测装置7是基于二维材料的物理吸附来构造的一种监测装置，通过测量气体吸附后二维材料的电阻变化，从而计算通过分子流量监测装置7的气体分子的流量，相比于基于化学吸附的气体探测器提高了测量的灵敏度。
根据本发明的实施例，分子流量监测装置7还包括气体脱附器75，用于对吸附有前驱体分子的石墨烯探测片72进行脱吸附。
图5为本发明实施例提供的设置有第二加热装置的第一管路的结构示意图。图6为本发明实施例提供的第一管路与薄膜沉积装置相连通的结构示意图。
如图5所示，第一管路6上设置有第二加热装置61，以防止第一管路6中的前驱体分子在传输过程中发生凝聚，避免污染第一管路6。
根据本发明的实施例，薄膜制备系统还包括：真空泵组9，真空泵组9通过真空管道分别与储存装置2、分子流量监测装置7和薄膜沉积装置8连通，用于将储存装置2、分子流量监测装置7和薄膜沉积装置8控制在预设真空条件。
本发明利用储存装置2和蒸发控制装置5可以实现待蒸发前驱体材料的稳定蒸发，即利用蒸发控制装置5中的温度控制装置51蒸发待蒸发前驱体材料，利用控制机构52控制待蒸发材料的蒸发速率，控制前驱体分子通过第一管路6传输至薄膜沉积装置8的流量，进而控制薄膜的制备速率。
本发明还提供一种利用上述的薄膜制备系统制备薄膜的方法，包括：将待蒸发前驱体材料储存至储存装置2内；利用蒸发控制装置5控制待蒸发前驱体材料蒸发，并形成前驱体分子；通过第一管路6将前驱体分子传输至薄膜沉积装置8形成薄膜。
根据本发明的实施例，采用薄膜沉积装置8利用前驱体分子形成薄膜的方式包括：化学气相沉积法或分子束外延法。化学气相沉积是通过边加热边沉积的方式制备薄膜，分子束外延是通过先沉积后加热的方法制备薄膜，在实际制备薄膜的过程中，可以通过对薄膜沉积装置8上的生长温度和前驱体分子流量进行调控，以实现化学气相沉积和分子束外延不同生长方式的切换。
根据本发明的实施例，位于储存装置2内的蒸发控制装置5的温度控制装置51用于对低蒸汽压前驱体材料加热，提高其饱和蒸汽压，以达到薄膜制备的浓度要求，可以实现基于低蒸气压固液态前驱体材料在真空环境下制备薄膜。
根据本发明的实施例，薄膜制备系统用于在真空环境下控制待蒸发前驱体材料蒸发形成前驱体分子，利用前驱体分子在真空环境下形成薄膜。待蒸发前驱体材料包括：低蒸气压固态材料、液态材料、高沸点温度的气态分子、通过蒸馏得到的液态小分子。
根据本发明的实施例，低蒸气压固态材料的蒸发温度为20～200℃，真空度为100Pa～10-7Pa。
根据本发明的实施例，高沸点温度的气态分子为沸点在0℃以上的气态分子。
本发明的实施例提供一种应用于高真空或超高真空领域中基于低蒸汽压固液态分子制备单层或多层薄膜材料、以及纳米结构的薄膜制备系统，可以广泛应用于低维度的半导体材料、量子材料、功能材料的开发和制造中。
本发明的实施例利用储存装置和蒸发控制装置可以实现待蒸发前驱体材料的稳定蒸发，即利用蒸发控制装置中的温度控制装置蒸发待蒸发前驱体材料，利用控制机构控制待蒸发材料的蒸发速率，控制前驱体分子通过第一管路传输至薄膜沉积装置的流量，进而控制薄膜的制备速率，提高了前驱体分子的使用效率。
为了更清楚地阐述本发明的实施特点，将结合一种基于低蒸汽压固液态分子的蒸发设备的实例对本发明实施例的薄膜制备系统作进一步说明。
实例1
采用煤炭作为原料，生成待蒸发前驱体材料液态苯，并利用液态苯制造石墨烯，其中液态苯为低蒸汽压液态材料。具体地，如图1所示，利用前驱体制备装置，即蒸馏装置，将煤炭生成待蒸发前驱体材料液态苯，液态苯通过第二管路流入储存装置，利用蒸发控制装置的温度控制装置将液态苯蒸发形成气态苯分子，利用控制机构控制气态苯分子通过第一管路通入薄膜沉积装置的速率，其中，薄膜沉积装置为化学气相沉积设备。利用化学气相沉积设备将气态苯分子制备为石墨烯薄膜。其中，控制化学气相沉积设备生长石墨烯薄膜的生长参数：氢气流量为50sccm，生长温度为1060℃，压强为1.1Pa，生长时长为3h，最终得到石墨烯薄膜。传统方法利用煤炭作为原材料制备石墨烯由于缺少基于低蒸汽压固液态材料蒸发的系统，只能通过甲烷作为前驱体材料，其危险程度较高。采用本发明的基于低蒸汽压固液态材料蒸发的薄膜制备系统利用液态苯作为前驱体材料，可以极大程度避免风险。
对化学气相沉积设备生长得到的石墨烯产品进行扫描电镜测试和拉曼测试。图7为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用煤炭制作得到的石墨烯的扫描电镜图。图8为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用煤炭制作得到的石墨烯的拉曼光谱。测试结果如图7和图8所示，拉曼光谱证明利用本发明实施例的薄膜制备系统可以得到高质量的石墨烯材料。
实例2
利用本发明实施例的薄膜制备系统，采用分子束外延薄膜沉积装置利用低蒸气压五氯吡啶材料制备出有序氮掺杂石墨烯材料。
由于五氯吡啶材料的蒸发温度在真空环境下小于室温，利用传统的分子束外延方法无法直接通过k-cell蒸发源蒸发控制，且凝结后的五氯吡啶分子破坏真空腔体。利用本发明的薄膜制备系统，通过储存装置的温度控制装置对五氯吡啶材料进行热处理，通过蒸发控制装置控制五氯嘧啶分子的蒸发速率，五氯吡啶分子在室温下直接吸附在Cu(111)表面上，并在超高真空环境下(本底真空优于1×10-7Pa)通过化学气相沉积法和分子束外延法，在衬底加热200℃，真空为1×10-4Pa，反应10分钟后，合成出如图9所示的石墨烯有序氮掺杂的材料。
实例3
利用本发明实施例的薄膜制备系统，其中薄膜沉积装置采用分子束外延薄膜沉积装置，利用氯分子在室温且在超高真空环境下(本底真空优于1×10-7Pa)通入至Cu(111)衬底上(真空为1×10-5Pa，5分钟)，室温制备Cl/Cu(111)合金材料。在室温超高真空环境中，氯分子接近液态。传统的气体释放方法控制困难，利用本发明的薄膜制备系统的储存装置和蒸发控制装置可以精确控制释放在超高真空环境下的氯分子剂量(可以精确控制在5×10-7至1×10-1Pa范围内)，制备得到的Cl/Cu(111)合金材料的扫描电镜图如图10所示，提高了Cl/Cu合金薄膜的成膜质量。
实例4
图11为本发明实施例提供的薄膜制备系统利用二氧化氮分子制备氧化氮掺杂石墨烯，二氧化氮分子沉积量的测量结果图。
利用本发明实施例的薄膜制备系统中的分子流量监测装置监测二氧化氮分子的流量。具体地，待蒸发前驱体材料二氧化氮分子储存在储存装置内，蒸发控制装置控制二氧化氮分子通过第一管路传输至分子流量监测装置。测量二氧化氮分子通入时间与石墨烯探测片的电阻变化值的关系曲线。得到如图11所示的二氧化氮分子流量的测试结果。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.薄膜制备系统，其特征在于，包括：
储存装置，用于储存待蒸发前驱体材料；
蒸发控制装置，位于所述储存装置内部，用于在真空环境下控制所述待蒸发前驱体材料蒸发形成前驱体分子；所述蒸发控制装置包括：温度控制装置，位于所述储存装置的底部，用于蒸发所述待蒸发前驱体材料；以及控制机构，所述控制机构为挡板，设置在所述储存装置的上部，用于控制所述待蒸发前驱体材料的蒸发速率；所述控制机构上还设置有温度调节装置，用于调控所述控制机构的温度；以及薄膜沉积装置，与所述储存装置相连通，用于接收所述前驱体分子，并在真空环境下利用所述前驱体分子制备薄膜；
所述储存装置与所述薄膜沉积装置通过第一管路连通；
分子流量监测装置，设置在所述第一管路上，用于监测所述第一管路上的所述前驱体分子的蒸发速率；
所述分子流量监测装置包括：
快门装置，用于控制所述分子流量监测装置的开启或关闭；
石墨烯探测片，用于吸附所述前驱体分子，响应于吸附的所述前驱体分子的含量变化，所述石墨烯探测片的电阻发生变化；
累计测量和联合控制装置，用于测量所述石墨烯探测片的电阻变化值，控制所述蒸发控制装置的所述控制机构的开关；以及真空测量装置，用于测量所述分子流量监测装置内的压强变化。
2.根据权利要求1所述的薄膜制备系统，其特征在于，所述控制机构上还设置有温度调节装置，用于调控所述控制机构的温度；
所述储存装置上还设置有第一监测装置，用于监测所述储存装置内的所述待蒸发前驱体材料的状态。
3.根据权利要求1所述的薄膜制备系统，其特征在于，还包括：
废料回收装置，与所述储存装置、所述薄膜沉积装置中的至少一个相连通，用于吸收残余的前驱体分子；
所述废料回收装置包括：
低温冷阱装置，用于将所述储存装置、所述薄膜沉积装置中的至少一个中的残余的前驱体分子吸收至所述废料回收装置；
第一加热装置，用于对吸收至所述废料回收装置中的所述残余的前驱体分子进行加热；以及集中吸收泵组，用于吸收所述废料回收装置内的所述残余的前驱体分子。
4.根据权利要求1所述的薄膜制备系统，其特征在于，还包括：
前驱体制备装置，与所述储存装置连通，用于制备所述待蒸发前驱体材料，并将所述待蒸发前驱体材料传输至所述储存装置。
5.根据权利要求4所述的薄膜制备系统，其特征在于，所述前驱体制备装置与所述储存装置通过第二管路连通。
6.根据权利要求1所述的薄膜制备系统，其特征在于，所述分子流量监测装置还包括气体脱附器，用于对吸附有所述前驱体分子的所述石墨烯探测片进行脱吸附。
7.根据权利要求1所述的薄膜制备系统，其特征在于，所述第一管路上设置有第二加热装置，以防止所述第一管路中的所述前驱体分子在传输过程中发生凝聚。
8.根据权利要求1所述的薄膜制备系统，其特征在于，还包括：
真空泵组，所述真空泵组通过真空管道分别与所述储存装置、所述分子流量监测装置和所述薄膜沉积装置连通，用于将所述储存装置、所述分子流量监测装置和所述薄膜沉积装置控制在预设真空条件。
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