CN113904121B - 一种超宽带的低散射透波结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种超宽带的低散射透波结构,包括无耗层、两层低散射层和支撑层。无耗层和低散射层均以介质板为基底,基底上下表面刻蚀金属贴片。无耗层用于不同频段电磁波的功能选择;低散射层用于吸收和散射不同频段电磁波;支撑层用于提高整体结构的机械强度。低散射层上下表面金属贴片通过金属化过孔连接,金属贴片间有电阻元件,第一低散射层的金属贴片、过孔和电阻构成闭合回路,第二低散射层的金属贴片、过孔和电阻构成开路十字结构。本发明在超宽频带范围内具有低散射特性,且中间频带透波;能够满足对超宽带多极化天线系统在超宽频带内实现低散射设计,使得天线系统正常收发电磁波的同时,保证超宽频带内天线系统的低散射性能。

Description

一种超宽带的低散射透波结构
技术领域
本发明属于人工电磁超材料领域,具体涉及一种超宽带的低散射透波结构。
背景技术
近年来,针对微波频段的低散射技术已经受到了科学界广泛的关注,相关研究成果已经成功应用于军事装备。低散射技术中一项关键的技术挑战在于如何降低装备天线系统的雷达散射截面(Radar-Cross Section,RCS)。不同于常规的低散射设计方案,针对天线系统的低散射设计,需要满足天线正常收发电磁波的同时,保证天线系统整体的低散射性能。
传统天线系统的低散射设计,实现的主要途径是在天线系统加载共形的频率选择表面(Frequency selective surface,FSS),使得天线工作频带内的透过,频带外电磁波被反射到其他方向,实现单站RCS缩减,但双站RCS并未有效缩减。随着雷达组网技术的发展,该设计原理已经不能被有效的应用。另有极化选择技术、有源对消技术和宽带天线匹配技术等,这些技术会大大增加天线系统的复杂性,并制约天线性能。超材料由于其能对宽频带内电磁波进行任意的调控,受到了学术界和工业界的广泛关注。低散射透波结构作为一类新兴的超材料结构,若加载于天线系统,可以在宽频带内实现天线系统的低散射性能。目前,绝大多数已经报道的低散射透波结构,透过带宽和低散射带宽较窄,且极化敏感、角度稳定性差,难以满足超宽带多极化天线系统的需求。
因此,从应用角度出发亟需探索一种具有超宽带、极化不敏感、角度稳定性好的低散射透波结构设计方案,拓展装备天线系统的工作带宽和工作模式。
发明内容
发明目的:本发明旨在提供一种低散射透波结构,用以改善传统低散射透波结构带宽窄、极化敏感的问题,使其应用于超宽带多极化天线系统或其他低散射应用场景。
技术方案:为实现上述发明目的,本发明提供的一种超宽带的低散射透波结构,由下至上包括无耗层、第一支撑层、第一低散射层、第二支撑层和第二低散射层;所述无耗层用于不同频段电磁波的功能选择;所述支撑层用于提高整体结构的机械强度;
所述第一低散射层和第二低散射层均包括介质基板、基板上下表面的金属贴片、连接金属贴片的金属化过孔以及用于损耗电磁能量的电阻;
所述第一低散射层的一个结构单元中,条带状金属贴片和金属化过孔分布于方形介质基板的上下表面的边沿位置,方形介质基板同一边上,中间分布密度大于两侧分布密度,四个电阻分布于边沿的斜角位置;金属贴片、金属化过孔和电阻构成闭合回路;闭合回路绕着结构单元的中心旋转90°、180°、270°能完全重合;
所述第二低散射层的一个结构单元中,条带状金属贴片位于方形介质基板的上下表面的中心轴线位置,通过金属化通孔连接中心轴线上的金属贴片,四个电阻分布于十字交叉中心轴线的四个方向上,金属贴片、金属化过孔和电阻构成开路十字结构,靠近十字结构中心的金属贴片分布密度大于两侧分布密度;开路十字结构,绕着结构单元的中心旋转90°、180°、270°能完全重合。
作为优选,所述第一低散射层的金属贴片包括L型和长方形金属条带;L型金属条带在上下表面朝向相反,并通过金属化过孔相连,在俯视投影面上形成弯折形状的条带。
进一步优选,所述第一低散射层的一个结构单元中,方形闭合回路的四个边长中心是多个L型金属条带,在上下两面交替排布,L型金属条带在上下面朝向相反,一面L型金属条短边与另一面L型金属条的长边,通过金属化过孔连接;方形闭合回路的两边的金属条带关于中心轴对称,方形回路一条边的一侧在上下面各有一个L形金属条带,两面的L型金属条短边与长边中间通过金属化过孔连接;边长两端有一个长方形金属条带,外侧45°切角,与相邻边两端的长方形金属条带构成缝隙,缝隙上贴装电阻元件。
作为优选,所述第二低散射层的一个结构单元中,基板中心的金属贴片组成多层嵌套圆环,最外侧圆环沿中心轴线上四个方向向外延伸,四个电阻位于多层嵌套圆环外侧。
进一步优选,所述第二低散射层的一个结构单元中,基板中心是一个圆形金属贴片和三个圆环嵌套依次排列,第二个圆环位于下表面,其他位于上表面,在圆环轴线中心开缝,缝隙处使用金属条带和金属化过孔连接相邻圆环;第三个圆环外端有短金属条带和金属化过孔连接下表面;下表面连接有长方形金属条带,长方形金属条带间留有缝隙,在缝隙间贴装电阻元件。
作为优选,所述第二低散射层的一个结构单元中,基板上表面的两条中心轴线分割的四个象限内分别设有包含半开口环的工字形状金属贴片。
进一步优选,所述第二低散射层的结构单元中,基板上表面的工字形状金属贴片中心分布在方形介质基板四个45°对称轴的1/4位置处,一个结构单元中工字形状的金属贴片同时倾斜朝向45°或-45°。
作为优选,所述无耗层包括至少三层金属贴片,中间用介质基板隔开,无耗层的一个结构单元中,采用两层方形金属贴片之间间隔一层十字形金属条带的结构。
作为优选,所述支撑层采用泡沫材料。
作为另一种实施方式,所述第一低散射层和第二低散射层的位置也可进行调换,第一低散射层位于第二低散射层的上方。
有益效果:与现有技术相比,本发明提供的超宽带的低散射透波结构具有如下优点:
1、金属化过孔延长了电磁波在结构中的感应电流路径,可以将超宽频带内的电磁波耦合到结构单元中,并加入损耗因素,实现超宽带吸波。密度较大的金属条带通过金属化过孔连接,具有较强的感性因素,降低结构的品质因数,能有效拓展透波谐振频带的带宽。两层低散射层组合相对于单层设计,提高了角度稳定性,并对宽频带内电磁波保持较好的低散射特性。
2、本发明的结构可以有效降低天线系统宽频带内的电磁散射强度,同时具有在天线工作频段超低插入损耗、超宽低散射带宽、极化不敏感、角度稳定性好的特性。
3、本发明超宽带的低散射透波结构能满足超宽带多极化天线系统的需求。结构可用常规的PCB工艺加工,易于集成到现有的天线系统。
4、针对目标工作频段的不同,等比例缩放或适当调整所述低散射透波结构的关键参数,可灵活设计所述低散射超表面装置的工作频段,具有较好的应用前景。
附图说明
图1是本发明实施例中整体中一个单元的示意图。
图2是本发明实施例中整体结构的侧视图。
图3是本发明实施例中无耗层的第一金属层结构示意图。
图4是本发明实施例中无耗层的第二金属层的结构示意图。
图5是本发明实施例中第一低散射层的平面结构示意图。
图6是本发明实施例中第一低散射层的第三金属层平面结构示意图。
图7是本发明实施例中第一低散射层的第四金属层平面结构示意图。
图8是本发明实施例中第二低散射层透视的平面结构示意图。
图9是本发明实施例中第二低散射层的第五金属层平面结构示意图。
图10是本发明实施例中第二低散射层的第六金属层平面结构示意图。
图11(a)是本发明实施例中低散射透波结构,TE极化电磁波以0°和30°入射时的透射系数。
图11(b)是本发明实施例中低散射透波结构,TE极化电磁波以0°和30°入射时的反射系数。
图12(a)是本发明实施例中低散射透波结构,TM极化电磁波以0°和30°入射时的透射系数。
图12(b)是本发明实施例中低散射透波结构,TM极化电磁波以0°和30°入射时的反射系数。
图标:1-无耗层的第一金属层;2-无耗层的第二金属层;3-第一低散射层的第三金属层;4-第一低散射层的第四金属层;5-第二低散射层的第五金属层;6-第二低散射层的第六金属层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方案对本发明的技术方案作进一步详细地说明。
本发明实施例提供的一种超宽带的低散射透波结构,是一种多层复合的周期性超材料结构,主要包括无耗层、两层低散射层和支撑层。低散射透波结构在超宽频带范围内具有低散射特性,且中间频带透波。无耗层用于不同频段电磁波的功能选择,低散射层用于吸收和散射不同频段电磁波,支撑层用于超宽频带范围内的性能稳定,提高整体结构的机械强度。
无耗层和低散射层均以方形介质板为基底,支撑层采用低耗泡沫材料;无耗层和低散射层的上下表面包含金属贴片;低散射层包含与金属贴片相连接的电阻。
如图1和2所示,是一具体实施例的整体结构的单元示意图和侧视图,本实施例包括在双层基板上印制的无耗层,包含第一金属层和第二金属层;单层基板上印制的第一低散射层,包含第三金属层和第四金属层;以及单层基板上印制的第二低散射层,包含第五金属层和第六金属层;中间填充有低耗的泡沫材料。
无耗层的下层介质基板厚度h01,无耗层的下层介质基板的介电常数为j01;无耗层的上层介质基板厚度h02,无耗层的上层介质基板的介电常数为j02。
0.5mm≤h01≤3mm,0.5mm≤h02≤3mm,1≤j01≤5,1≤j02≤5。第一低散射层的第三金属层与无耗层的距离是h03,填充的低耗泡沫材料介电常数是j03;第一低散射层的厚度h04,介质基板的介电常数为j04。0.5mm≤h04≤3mm,5mm≤h03≤15mm,1.05≤j03≤1.2,1≤j04≤5。第二低散射层的第五金属层与第一低散射层的第四金属层的距离是h05,填充的低耗泡沫材料介电常数是j05;第二低散射层的厚度h06,介质基板的介电常数为j06。5mm≤h05≤15mm,0.5mm≤h06≤3mm,1.05≤j05≤1.2,1≤j06≤5。所述材料的损耗角正切均小于0.005。本例中h01=1.5mm,j01=3.5,h02=1.5mm,j02=3.5,h03=8.7mm,j03=1.1,h04=1mm,j04=2.2,h05=4mm,j05=1.1,h06=1mm,j06=2.2,损耗角正切均为0.001。
无耗层用于不同频段电磁波的功能选择,实现对特定频段透波,带外频段反射的带通频率选择功能。可采用缝隙型或多层级联的频率选择表面单元。频率选择表面的图案多种多样,如栅格形、方形、环形、耶路撒冷形、十字形、Y形等。本实施例中无耗层的结构为:在n(n>1)层介质基板上分别周期性的印制有n+1层金属方形贴片和栅格条带交替的形状,中间用介质基板隔开。贴片和栅格具有相同的几何中心,旋转90°、180°、270°能完全重合。本例中,无耗层是由双层基板,印制三层金属图案组成。基板上下两面印制方形金属贴片,中间层印制金属栅格条带。
如图3所示,无耗层的第一金属层是方形贴片,方形贴片边长a11,相邻方形金属贴片间中心点间的距离为p11。2mm≤a11≤10mm,2mm≤p11≤12mm,且p11>a11。基板的介电常数、厚度、贴片边长和中心间距与低散射透波结构的透波频率有关。本例中a11=3.75mm,p11=5mm。
如图4所示,无耗层的第三金属层是栅格形,栅格宽度为aw11,相邻栅格中心点间的距离为p12。0.1mm≤aw11≤2mm,4mm≤p12≤12mm。基板的介电常数、厚度、栅格宽度和中心间距与低散射透波结构的透波频率有关。本例中aw11=0.7mm,p12=5mm。
两层低散射层用于吸收和散射不同频段电磁波,均包括介质基板、基板上下表面的金属贴片、连接金属贴片的金属化过孔以及用于损耗电磁能量的电阻。第一低散射层的一个结构单元中,条带状金属贴片和金属化过孔分布于方形介质基板的上下表面的边沿位置。方形介质基板同一边沿位置金属条带中间分布密度大于两侧分布密度,四个电阻分布于边沿的斜角位置;金属贴片、金属化过孔和电阻构成闭合回路;闭合回路绕着结构单元的中心旋转90°、180°、270°能完全重合。第二低散射层的一个结构单元中,条带状金属贴片位于方形介质基板的上下表面的中心轴线位置,通过金属化通孔连接中心轴线上的金属贴片,四个电阻分布于十字交叉中心轴线的四个方向上,金属贴片、金属化过孔和电阻构成开路十字结构,靠近十字结构中心的金属贴片分布密度大于两侧分布密度;开路十字结构,绕着结构单元的中心旋转90°、180°、270°能完全重合。第一低散射层是方形回路结构,有较长的电流路径,主要对2-4GHz电磁波有吸收作用;第二低散射层的中心轴开路结构,电流路径较短,主要对4-8GHz电磁波有吸收作用;第二低散射层有四个位于45°对称轴的1/4位置处的半开口环工字形金属单元,将半开口环工字形金属单元朝向为+45°或-45°随机排列,可降低12GHz以上的背向散射强度。第一低散射层和第二低散射层可调换位置,组合后以本例中排列性能最佳。
本例中,第一低散射层是由单层基板上印制双面金属图案组成。方形基板单元上印制有类似方形的闭合环路,由金属条带、金属化过孔组成。方形回路的四个边长中心是密集的L型金属条带,在上下两面交替排布,L型金属条带在上下表面朝向相反,一面L型金属条短边与另一面L型金属条的长边,通过金属化过孔连接。方形回路的两边的金属条带较为稀疏,关于中心轴对称。方形回路一条边的一侧在上下面各有一个L形金属条带,两面的L型金属条短边与长边中间通过金属化过孔连接。边长两端有一个长方形金属条带,外侧45°切角,与相邻边两端的长方形金属条带构成缝隙,缝隙上贴装电阻元件。环形回路可以通过对单边的条带绕基板中心点旋转90°、180°和270°,复制得到。
图5是第一低散射层的平面结构,参考图6第三金属层平面结构示意图和图7第四金属层平面结构示意图。结构需构成方形回路,且图案样式类似,金属条带布局合理。结构的金属化过孔直径rv21,每个过孔对应固定圆形金属片的直径rv22。相邻结构间的中心距离为p22,外侧边轮廓的边长a21。两边金属条带宽度lw20,中间密集金属条带的宽度lw21。0.2mm≤rv21≤0.5mm,
0.4mm≤rv22≤0.5mm,10mm≤p22≤25mm,9mm≤a21≤24mm,
0.1mm≤lw20≤2mm,0.1mm≤lw21≤0.4mm,且a21<p22。上下面的中间位置分别有两个密集分布的L型金属条带,上下面的L型金属条带朝向相反,一面L型金属条短边与另一面L型金属条的长边通过金属化过孔交替连接,短边长度为l21,长边长度为l22。有一短金属条带连接中间和两边金属条带,长l23。
0.3mm≤l21≤2mm,0.5mm≤l22≤2.5mm,0.5mm≤l23≤2.5mm。两边金属条带关于中心轴对称,其中一边的上下面各有一个L形金属条带,两面的L型金属条短边与长边中间通过金属化过孔连接,短边长度为l24,长边长度为l25。焊接电阻的缝隙两侧长方形金属条带长度l26,外侧切45°角,与邻边的条带构成的中间缝隙长l27。0.5mm≤l24≤3mm,1mm≤l25≤4mm,2mm≤l26≤6mm,0.3mm≤l27≤1mm。环形回路通过对单边的条带绕基板中心点旋转90°、180°和270°,并复制得到。缝隙中间电阻为r21欧姆,50ohm≤r21≤400ohm。本例中rv21=0.4mm,rv22=0.6mm,p22=15mm,a21=14mm,lw20=0.6mm,lw21=0.2mm,l21=0.8mm,l22=1.1mm,l23=1.8mm,l24=1mm,l25=2.8mm,l26=2.55mm,l27=0.7mm,r21=200ohm。
本例中,第二低散射层的方形基板单元上中心轴印制有开路十字型金属条带。开路十字型金属条带的中心是一个圆形金属贴片和三个圆环嵌套依次排列,第二个圆环位于下表面,其他位于上表面。在圆环轴线中心开缝,缝隙处使用短细的金属条带和金属化过孔连接相邻圆环。第三个圆环外端有短金属条带和金属化过孔连接下表面。下表面连接有长方形金属条带,长方形金属条带间留有缝隙,在缝隙间贴装电阻元件。电阻外侧有两个位于上下表面的金属条带,使用金属化过孔相连。
图8是第二低散射层透视的平面结构,参考图9第五金属层平面结构示意图和图9第六金属层平面结构示意图。结构的金属化过孔直径rv31,每个过孔对应固定圆形金属片的直径rv32。0.2mm≤rv31≤1mm,0.4mm≤rv32≤1.2mm。
第二低散射层相邻单元结构的中心距离为p32,10mm≤p32≤25mm。结构需构成开路十字图形,且图案样式类似,金属条带布局合理。一部分是分布于基板两面中心轴线的开路金属条带,从中心到外的多层圆环型排布,上表面有直径为φ30的圆形金属贴片,外径φ31、宽度w31的圆环,以及外径φ33、宽度w33的圆环;下表面有外径φ32、宽度w32圆环。0.3mm≤φ30≤1mm,
0.8mm≤φ31≤2mm,0.1mm≤w31≤0.5mm,0.8mm≤φ32≤2mm,
0.1mm≤w32≤0.5mm,0.8mm≤φ33≤3mm,0.1mm≤w33≤0.5mm,且φ31<φ32≤φ33。圆环在轴线中心处开了宽度为c31的缝隙,并在缝隙处使用cw31宽的短细金属条带连接相邻圆环,位于不同表面的金属结构使用金属化过孔连接。0.1mm≤c31≤0.5mm,0.1mm≤cw31≤0.5mm。轴线中心圆环的两个方向两端有短金属线,宽度均为lw30,0.1mm≤lw30≤1.5mm。有一短金属条带连接中心和两边金属条带,长度为l30的短金属线。通过金属化过孔在第五金属层,两边的金属条带间有四个长度为l31的缝隙,在该位置加载电阻元件,电阻值r31欧姆。0.1mm≤l30≤1.5mm,0.1mm≤lw30≤2mm,10ohm≤r31≤400ohm。电阻元件外侧有短金属线和金属化过孔,连接第六金属层长度为l32的长方形金属条带,另通过金属化过孔连接第五金属层长度为l33的长方形金属条带。
1mm≤l32≤3mm,1mm≤l33≤3mm。本例中rv31=0.2mm,rv32=0.3mm,p32=15mm,φ30=0.4mm,φ31=1.3mm,w31=0.2mm,φ32=1.95mm,w32=0.2mm,φ33=2.6mm,w33=0.2mm,c31=0.5mm,cw31=0.1mm,lw30=0.5mm,l30=0.3mm,l31=1mm,r31=65ohm,l32=1.4mm,l33=1.3mm。
参考图8和图10,第二低散射层的第六金属层平面,另有四个位于45°对称轴的1/4位置处,有四个半开口环工字形金属单元,且与正方形基板中心对称。半开口环工字形中间长方形金属条带长度和环的内径为l35,长方形金属条带的宽度和环的宽度都是lw31,圆环的缝隙宽度为l36。1.5mm≤l35≤4mm,0.2mm≤lw31≤2mm,0.2mm≤l36≤2mm,工字形金属单元朝45°或-45°方向。本例中l35=2.65mm,lw31=0.5mm,l36=1mm。
本发明图1是结构单元示意图,整体低散射结构以结构单元为基本元素,自由进行周期性复制延拓,根据应用场景,自由选择整体结构的大小。为保证低散射性能,所述第二低散射层朝向+45°和-45°的半开口环的工字形金属单元个数相同,且在整体结构中随机分布。
本发明所述的低散射透波结构在工作时,外界电磁波从第二低散射层入射到无耗层,非透波频段的电磁波被吸收或漫散射,透波频段的电磁波可以低损耗透过。内部发射的透波频段电磁波从无耗层入射到第二低散射层,低损耗透过。
图11(a)(b)和图12(a)(b)是本发明实施例的低散射透波结构从第二低散射层以0°和30°入射角入射时,在两个正交极化TE和TM情况下传输系数和反射系数性能曲线图。横坐标是频率,纵坐标是传输系数或反射系数的分贝值。本发明在电磁波0°入射时的传输系数大于-1dB的频带范围是8GHz-12GHz,相对带宽40%;平均反射系数低于-10dB的频带范围是2GHz-17.8GHz,频带范围内最高反射系数是-8.2dB,总相对带宽160%。在电磁波以0和30°的TE和TM极化入射时,性能基本稳定,保持了超宽带的低散射和超宽带的透过性能。
本发明实现了低散射透波结构的超宽带透波和低散射性能,且极化不敏感、角度稳定性好,性能优于目前公开报道的相关资料。该低散射透波结构可用于超宽带多极化天线系统或其他低散射应用。
以上所述,仅为本发明的优选实施例,同样的低散射透波结构可以通过等比例缩放或改变结构的关键尺寸,灵活设计所述低散射透波结构的工作频段,甚至可直接扩展到毫米波波段、红外、太赫兹以及可见光波段。并不能以此限定本发明实施的范围,即凡依本发明权利要求及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆应仍属于本发明专利覆盖的范围。

Claims (10)

1.一种超宽带的低散射透波结构,其特征在于,由下至上包括无耗层、第一支撑层、第一低散射层、第二支撑层和第二低散射层;所述无耗层用于不同频段电磁波的功能选择;所述支撑层用于提高整体结构的机械强度;
所述第一低散射层和第二低散射层均包括介质基板、基板上下表面的金属贴片、连接金属贴片的金属化过孔以及用于损耗电磁能量的电阻;
所述第一低散射层的一个结构单元中,金属贴片为条带状,介质基板为方形,金属贴片和金属化过孔分布于介质基板的上下表面的边沿位置,介质基板同一边上,中间分布密度大于两侧分布密度,四个电阻分布于边沿的斜角位置;金属贴片、金属化过孔和电阻构成闭合回路;闭合回路绕着结构单元的中心旋转90°、180°、270°能完全重合;
所述第二低散射层的一个结构单元中,金属贴片为条带状,介质基板为方形,金属贴片位于介质基板的上下表面的中心轴线位置,通过金属化通孔连接中心轴线上的金属贴片,四个电阻分布于十字交叉中心轴线的四个方向上,金属贴片、金属化过孔和电阻构成开路十字结构,靠近十字结构中心的金属贴片分布密度大于两侧分布密度;开路十字结构,绕着结构单元的中心旋转90°、180°、270°能完全重合。
2.根据权利要求1所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第一低散射层的金属贴片包括L型和长方形金属条带;L型金属条带在上下表面朝向相反,并通过金属化过孔相连,在俯视投影面上形成弯折形状的条带。
3.根据权利要求2所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第一低散射层的一个结构单元中,方形闭合回路的四个边长中心是多个L型金属条带,在上下两面交替排布,L型金属条带在上下面朝向相反,一面L型金属条短边与另一面L型金属条的长边,通过金属化过孔连接;方形闭合回路的两边的金属条带关于中心轴对称,方形回路一条边的一侧在上下面各有一个L形金属条带,两面的L型金属条短边与长边中间通过金属化过孔连接;边长两端有一个长方形金属条带,外侧45°切角,与相邻边两端的长方形金属条带构成缝隙,缝隙上贴装电阻元件。
4.根据权利要求1所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第二低散射层的一个结构单元中,基板中心的金属贴片组成多层嵌套圆环,最外侧圆环沿中心轴线上四个方向向外延伸,四个电阻位于多层嵌套圆环外侧。
5.根据权利要求4所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第二低散射层的一个结构单元中,基板中心是一个呈圆形的金属贴片和三个圆环嵌套依次排列,第二个圆环位于下表面,其他位于上表面,在圆环轴线中心开缝,缝隙处使用金属条带和金属化过孔连接相邻圆环;第三个圆环外端有短金属条带和金属化过孔连接下表面;下表面连接有长方形金属条带,长方形金属条带间留有缝隙,在缝隙间贴装电阻元件。
6.根据权利要求1所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第二低散射层的一个结构单元中,基板上表面的两条中心轴线分割的四个象限内分别设有包含半开口环的呈工字形状的金属贴片。
7.根据权利要求6所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第二低散射层的结构单元中,基板上表面的呈工字形状的金属贴片中心分布在介质基板四个45°对称轴的1/4位置处,一个结构单元中工字形状的金属贴片同时倾斜朝向45°或-45°。
8.根据权利要求1所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述无耗层包括至少三层金属贴片,中间用介质基板隔开,无耗层的一个结构单元中,采用两层呈方形的金属贴片之间间隔一层十字形金属条带的结构。
9.根据权利要求1所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述支撑层采用泡沫材料。
10.根据权利要求1所述的超宽带的低散射透波结构,其特征在于,所述第一低散射层和第二低散射层的位置调换,第一低散射层位于第二低散射层的上方。
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