CN113903874A - 制备qled器件的方法、qled器件及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了制备QLED器件的方法，QLED器件和显示装置，包括：提供基板，在基板一侧形成图案化层，在图案化层远离基板的一侧形成发光层，自发光层远离图案化层的一侧，对基板上的预设区域进行光照处理，令预设区域内的图案化层的溶解性发生改变，去除基板上非预设区域或预设区域内的图案化层和发光层，以获得QLED器件，其中，形成图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。由此，通过一种较为简便的方法制备高分辨率的QLED器件。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体地，涉及制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置。
背景技术
AMOLED被公认为最有希望取代LCD的下一代显示产品，但是随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为了显示产品的重点发展方向，而高分辨的AMOLED产品很难同LCD相竞争。即便采用印刷和打印的方法取代掩模蒸发制备有机发光层的工艺，所得到的显示面板的分辨率也是极其有限的。高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，商品价格高等问题。而随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes,QLED)的研究日益深入，QLED器件已成为了高分辨率显示器件的未来趋势，利用量子点进行图案化设计，制备高分辨率QLED已经成为一项重要的议题。
因此，目前的制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置仍有待改进。
发明内容
本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本申请的一个方面，本发明提出了一种制备QLED器件的方法，包括：提供基板，在所述基板一侧形成图案化层，在所述图案化层远离所述基板的一侧形成发光层，自所述发光层远离所述图案化层的一侧，对所述基板上的预设区域进行光照处理，令所述预设区域内的所述图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上非预设区域或所述预设区域内的所述图案化层和所述发光层，以获得所述QLED器件，其中，形成所述图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。由此，通过一种较为简便的方法制备高分辨率的QLED器件。
根据本发明的实施例，在所述基板的一侧形成所述图案化层之前，进一步包括：在所述基板的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离基板的一侧形成所述图案化层。由此，可利用图案化层实现降低电子传输速率的效果，进一步提高器件性能。
根据本发明的实施例，形成所述QLED器件的步骤包括形成第一颜色QLED器件、第二颜色QLED器件、第三颜色QLED器件的步骤，所述方法进一步包括：在所述基板一侧形成第一图案化层，在所述第一图案化层远离所述基板的一侧形成第一颜色发光层，自所述第一颜色发光层远离所述第一图案化层的一侧，对所述基板上的第一预设区域进行光照处理，令所述第一预设区域内的所述第一图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第一非预设区域内的所述第一图案化层和所述第一颜色发光层，以获得所述第一颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第二图案化层，所述第二图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件和所述第一非预设区域，在第二图案化层远离所述基板的一侧形成第二颜色发光层，自所述第二颜色发光层远离所述第二图案化层的一侧，对所述基板上的第二预设区域进行光照处理，令所述第二预设区域内的所述第二图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第二非预设区域内的所述第二图案化层和所述第二颜色发光层，以获得所述第二颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第三图案化层，所述第三图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件、和所述第一非预设区域，在第三图案化层远离所述基板的一侧形成第三颜色发光层，自所述第三颜色发光层远离所述第三图案化层的一侧，对所述基板上的第三预设区域进行光照处理，令所述第三预设区域内的所述第三图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第三非预设区域内的所述第三图案化层和所述第三颜色发光层，以获得所述第三颜色QLED器件；其中，所述第一颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第二颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第三颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第一图案化层、所述第二图案化层和所述第三图案化层的材料均为所述小分子交联材料。由此，可利用小分子交联材料依次制备不同颜色的QLED器件，最终制得一种具有多种颜色显示的、高分辨率的QLED器件。
根据本发明的实施例，形成所述QLED器件的步骤包括形成第四颜色QLED器件、第五颜色QLED器件、第六颜色QLED器件的步骤，所述方法进一步包括：在所述基板一侧形成第四图案化层，在所述第四图案化层远离所述基板的一侧形成第四颜色发光层，自所述第四颜色发光层远离所述第四图案化层的一侧，对所述基板上的第四预设区域进行光照处理，令所述第四预设区域内的所述第一图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第四预设区域内的所述第四图案化层和所述第四颜色发光层，以获得所述第四颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第五图案化层，所述第五图案化层覆盖所述第四颜色QLED器件和所述第四预设区域，在第五图案化层远离所述基板的一侧形成第五颜色发光层，自所述第五颜色发光层远离所述第五图案化层的一侧，对所述基板上的第五预设区域进行光照处理，令所述第五预设区域内的所述第五图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第五预设区域内的所述第五图案化层和所述第五颜色发光层，以获得所述第五颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第六图案化层，所述第六图案化层覆盖所述第四颜色QLED器件、和所述第四预设区域，在第六图案化层远离所述基板的一侧形成第六颜色发光层，自所述第六颜色发光层远离所述第六图案化层的一侧，对所述基板上的第六预设区域进行光照处理，令所述第六预设区域内的所述第六图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第六预设区域内的所述第六图案化层和所述第六颜色发光层，以获得所述第六颜色QLED器件；其中，所述第四颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第五颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第六颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第四图案化层、所述第五图案化层和所述第六图案化层的材料均为所述聚合物分解材料。由此，可利用聚合物分解材料依次制备不同颜色的QLED器件，最终制得一种具有多种颜色显示的、高分辨率的QLED器件。
根据本发明的实施例，所述小分子交联材料为有机物，所述有机物为醇溶性材料，所述有机物具有双键、三键以及环氧基中的至少之一。由此，可将未发生聚合反应的小分子交联材料通过醇溶性溶剂去除。
根据本发明的实施例，所述有机物包括烯烃、炔烃、酯类化合物、醛类化合物、羰基类化合物、叠氮、氰类化合物、环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷和环氧戊烷中的至少之一。由此，可进一步提高QLED的图案化程度。
根据本发明的实施例，所述聚合物分解材料为油溶性材料。由此，可将发生光解反应的聚合物通过非油溶性溶剂去除。
根据本发明的实施例，所述聚合物分解材料包括聚砜、聚对苯二酸酯、聚氨酯、聚苯乙烯、脂肪族聚酯、纤维素酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚烯烃和乙烯基聚合物中的至少之一。由此，可进一步提高QLED的图案化程度。
根据本发明的实施例，形成所述发光层的材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、ZnSe、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge以及C中至少之一。由此，可实现多种颜色的QLED器件的制备。
根据本发明的实施例，所述光照处理的波长为360nm～440nm，时间为1s～60s。由此，可通过光照处理使小分子交联材料发生交联反应或使聚合物分解材料发生交联反应，从而使其溶解性发生变化，便于去除。
根据本发明的实施例，去除所述基板上所述非预设区域或所述预设区域内的所述图案化层和所述发光层所采用的溶剂为醇溶剂。由此，可简便的去除未设计QLED器件区域内的图案化层和发光层。
根据本发明的实施例，所述醇溶剂包括甲醇、乙醇、异丁醇以及正丁醇中的至少之一。由此，可较为完整的去除未设计QLED器件区域内的图案化层和发光层。
在本申请的又一个方面，本发明提出了一种QLED器件，所述QLED器件是通过前面所述的方法制备的QLED器件。由此，该QLED器件具有高分辨率、无串色的优点。
在本申请的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，包括前面所述的QLED器件。由此，该显示装置具有前面所述的QLED器件所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的制备QLED器件的流程示意图；
图2显示了根据本发明又一个实施例的制备QLED器件的流程示意图；
图3显示了根据本发明一个实施例的制备第一颜色QLED器件的流程示意图；
图4显示了根据本发明一个实施例的制备第二颜色QLED器件的流程示意图；
图5显示了根据本发明一个实施例的制备第三颜色QLED器件的流程示意图；
图6显示了根据本发明一个实施例的制备第四颜色QLED器件的流程示意图；
图7显示了根据本发明一个实施例的制备第五颜色QLED器件的流程示意图；
图8显示了根据本发明一个实施例的制备第六颜色QLED器件的流程示意图；
图9显示了根据本发明一个实施例的QLED器件的结构示意图；
图10显示了根据本发明又一个实施例的QLED器件的结构示意图。
附图标记说明：
100：基板：110：电子传输层；210：第一图案化层；211：第一聚合物层；220：第二图案化层；221：第二聚合物层；230：第三图案化层；231：第三聚合物层；240：第四图案化层；241：第四低聚物层；250：第五图案化层；251：第五低聚物层；260：第六图案化层；261：第六低聚物层；310：第一颜色发光层；320：第二颜色发光层；330：第三颜色发光层；340：第四颜色发光层；350：第五颜色发光层；360：第六颜色发光层；400：遮光板。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本申请的一个方面，本发明提出了一种制备QLED器件的方法，通过该方法制备的单一QLED器件所占面积较小，制备过程中的工艺精准度高，最终制得的器件产品良率和分辨率较高，不易发生串色现象。
为了方便理解，下面对该制备方法可以实现上述有益效果的原理进行简单说明：
发明人发现，相关技术中，OLED器件中的有机发光层通常采用真空蒸镀与掩模版遮盖相结合的方法制备，但是掩模版开孔精度有限，不利于实现较小面积的有机发光层的制备，并且在真空蒸镀时，对于掩模版与基板对位时的对位精准度要求极高，否则极易出现蒸镀不均匀、相邻子像素间串色等现象，最终获得OLED器件良品率较低，制备成本较高。无法实现更小面积发光的缺陷，无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求。
在本申请中，发明人提出了一种利用有机材料形成的图案化层制备高分辨率QLED器件的方法，通过小分子交联材料在特定位置上的光照交联、或者聚合物分解材料在特定位置上的光照分解，从而在特定位置上的形成面积较小的发光层。并且，由于光照对于遮光板的精度要求较低，且光照处理时不会出现真空蒸镀工艺中的有机发光层材料在非预定位置处沉积的想象，进而还可以避免串色的发生。在本申请中，通过图案化层的制备，起到了图案化发光层的作用，并且，由于图案化层具有一定的厚度，还可以在QLED器件中起到阻挡电子、平衡载流子的作用，进一步提升QLED器件的性能。此外，本申请中制备QLED器件的方法适用于倒置结构发光二极管、正置结构发光二极管、顶发射QLED器件以及底发射QLED器件，适用范围广泛，器件性能提升效果显著。
具体地，参考图1，制备QLED器件的方法包括以下步骤：
S100：提供基板
根据本发明的一些实施例，在该步骤提供基板，基板的种类不受特别限制，例如形成基板的材料可以为导电玻璃。
S200：在基板一侧形成图案化层
根据本发明的一些实施例，在该步骤形成整层的图案化层，形成图案化层的材料不受特别限制，例如，形成图案化层的材料包括小分子交联材料或者聚合物分解材料中的至少之一。
S300：在图案化层远离基板的一侧形成发光层
根据本发明的一些实施例，在该步骤形成整层的发光层，形成发光层的材料不受特别限制，只要其不含镉即可，因为镉为重金属材料，不符合RoHS标准的约定，采用无重金属的量子点可以显著提高QLED器件制备工艺和产品的环保程度。例如，形成发光层的材料可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、ZnSe、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge以及C中至少之一。通过选择不同的发光层材料，可以制得具有不同颜色的QLED器件。
根据本发明的一些实施例，形成发光层的材料也可以多种材料的混合物，例如，形成发光层的材料可以包括CdS和ZnS的混合物、CdSe和ZnS的混合物、InP和ZnS的混合物、PbS和ZnS的混合物中的至少之一。
根据本发明的一些实施例，形成发光层的材料的形貌不受特别限制，例如，形成发光层的材料可以为纳米棒或纳米片。
S400：自发光层远离图案化层的一侧，对基板上的预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，在该步骤通过光照处理令预设区域内的图案化层的溶解性发生改变，光照处理的区域不受特别限制，例如，当形成图案化层的材料为小分子交联材料时，进行光照处理的预设区域为基板上设计有QLED器件的区域，其余区域可通过遮光板进行遮挡；当形成图案化层的材料为聚合物分解材料时，进行光照处理的预设区域为基板上未设计QLED器件的区域，其余区域可通过遮光板进行遮挡。
S500：去除基板上非预设区域或预设区域内的图案化层和发光层
根据本发明的一些实施例，在该步骤通过剥离液将基板上未设计有QLED器件的区域内的图案化层及其上方的发光层一同去除，以形成所需要的QLED器件。
根据本发明的一些实施例，当形成图案化层的材料为小分子交联材料时，剥离液去除的是未预设区域内的图案化层及其上方的发光层；当形成图案化层的材料为聚合物分解材料时，剥离液去除的是预设区域内的图案化层及其上方的发光层。
制备QLED器件的方法不受特别限制，例如，参考图2，在基板的一侧形成图案化层之前，还可以进一步包括：
S110：在基板的一侧形成电子传输层
根据本发明的一些实施例，在基板的一侧形成图案化层之前，还可以进一步包括：先在基板的一侧形成电子传输层，再在电子传输层远离基板的一侧形成图案化层，并进行后续的制备步骤。由于图案化层具有一定的厚度，当在电子传输层与发光层之间插入图案化层之后，图案化层还可以起到电子阻挡层的作用，降低阴极的电子注入，提高器件的载流子平衡，进而提高器件性能。
需要特别说明的是，第一颜色QLED器件、第二颜色QLED器件和第三颜色QLED器件为发光颜色不同的三种QLED器件，三种QLED器件的发光颜色不受特别限制，本领域技术人员可根据实际情况对于三种QLED器件的发光颜色进行选择，例如，第一颜色可以为红色、第二颜色可以为绿色、第三颜色可以为蓝色。
类似地，第四颜色QLED器件、第五颜色QLED器件、第六颜色QLED器件为发光颜色不同的三种QLED器件，三种QLED器件的发光颜色不受特别限制，本领域技术人员可根据实际情况对于三种QLED器件的发光颜色进行选择，例如，第四颜色可以为红色、第五颜色可以为绿色、第六颜色可以为蓝色。
当QLED器件包括第一颜色QLED器件、第二颜色QLED器件、第三颜色QLED器件的步骤，其中，第一颜色QLED器件在基板上的正投影、第二颜色QLED器件在基板上的正投影和第三颜色QLED器件在基板上的正投影没有重叠区域，且形成第一图案化层、第二图案化层和第三图案化层的材料均为小分子交联材料时，
具体地，参考图3，制备第一颜色QLED器件的方法包括以下步骤：
S210：在基板一侧形成第一图案化层
根据本发明的一些实施例，参考图3中的(a)，在基板100的一侧形成第一图案化层210之前，可先在基板100的一侧形成电子传输层110，再在电子传输层110远离基板100的一侧表面形成第一图案化层210，进而可利用后续形成的聚合物层起到电子阻挡层的作用，提高器件整体性能。
根据本发明的一些实施例，形成第一图案化层的材料为小分子交联材料，小分子交联材料在光照处理的条件下会发生交联反应，进而发生溶解性的改变，例如，醇溶性的小分子交联材料在发生光照交联之后所形成聚合物是未非醇溶性的，由此，即可利用醇类溶剂将未发生交联反应的小分子交联材料去除，而发生交联反应产生的聚合物则不会被醇类溶剂溶解剥离。
根据本发明的一些实施例，小分子交联材料的种类不受特别限制，只要其能在光照处理条件下发生交联反应即可，例如，小分子交联材料可以为有机物，且该有机物为醇溶性材料，具体地，该醇溶性有机物可以具有双键、三键以及环氧基中的至少之一。当具有上述官能团的醇溶性有机物受到光照处理时，即会发生交联反应，继而产生非醇溶性的聚合物。
根据本发明的一些实施例，醇溶性有机物的种类不受特别限制，例如，有机物可以包括烯烃、炔烃、酯类化合物、醛类化合物、羰基类化合物、叠氮、氰类化合物、环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷和环氧戊烷中的至少之一。
S310：在第一图案化层远离基板的一侧形成第一颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图3中的(b)，在该步骤中，在第一图案化层210远离基板100的一侧形成第一颜色发光层310，形成第一颜色发光层310的材料可以为前面所述的形成发光层的材料，在此不再赘述，总言之，在该步骤可以形成具有特定发光颜色的发光层。
S410：自第一颜色发光层远离第一图案化层的一侧，对基板上的第一预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，参考图3中的(c)，在该步骤中，自第一颜色发光层310远离第一图案化层210的一侧，对基板100上的第一预设区域内进行光照处理(hv)，从而令第一预设区域内的第一图案化层210的溶解性发生改变，具体地，可对整个基板100进行光照处理，而非第一预设区域内的第一图案化层210可利用遮光板400进行遮挡，由此，使得第一预设区域内的第一图案化层210中的小分子交联材料发生光交联反应，进而生成第一聚合物层211，第一聚合物层211表现为非醇溶性，而非第一预设区域内的第一图案化层210则仍为原本的小分子交联材料，仍表现为醇溶性。
根据本发明的一些实施例，光照处理的波长和时间不受特别限制，例如，光照处理的波长可以为360-440nm，时间可以为1-60s。当光照处理的波长不位于上述范围内时，无法令小分子交联材料发生交联反应。当光照处理的时间小于1s时，光照处理的时间过短，小分子交联材料所发生交联反应不完全，使得形成的聚合物层中仍存在醇溶性的小分子交联材料，通过醇溶液进行剥离时会破坏聚合物层的结构，使其结构坍塌，图案化程度降低；当光照处理的时间大于60s时，小分子交联材料的交联反应已反应完全，造成多余的能耗。
S510：去除基板上第一非预设区域内的第一图案化层和第一颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图3中的(d)，在该步骤中去除基板100上第一非预设区域内的第一图案化层和第一颜色发光层，非预设区域即进行前述光照处理时，遮光板所遮挡的区域，由于非预设区域内的小分子交联材料未经光照处理，故其仍表现为醇溶性，通过醇类溶液浸泡即可将其及其上方的发光层一同从基板上剥离，进而获得第一颜色QLED器件，第一颜色QLED器件包括第一聚合物层211及其上方的第一颜色发光层310。
根据本发明的一些实施例，浸泡用的醇溶液的种类不受特别限制，例如，醇溶液可以包括醇、乙醇、异丁醇以及正丁醇中的至少之一。
在形成完第一颜色QLED器件之后，可继续形成第二颜色QLED器件，具体地，参考图4，制备第二颜色QLED器件的方法包括以下步骤：
S220：在基板一侧形成第二图案化层
根据本发明的一些实施例，参考图4中的(e)，在该步骤中，在基板100的一侧形成第二图案化层220，其中，第二图案化层220覆盖第一颜色QLED器件和第一非预设区域，即覆盖基板100上的第一颜色发光层310和第一非预设区域内的电子传输层110。
根据本发明的一些实施例，形成第二图案化层的材料可以与形成第一图案化层的材料保持一致，在此不再赘述。
S320：在第二图案化层远离基板的一侧形成第二颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图4中的(f)，在该步骤中，在第二图案化层220远离基板100的一侧形成第二颜色发光层320，形成第二颜色发光层320的材料可以为前面所述的形成发光层的材料，在此不再赘述，总言之，在该步骤可以形成具有特定发光颜色的发光层。
S420：自第二颜色发光层远离第二图案化层的一侧，对基板上的第二预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，参考图4中的(g)，在该步骤中，自第二颜色发光层320远离第二图案化层220的一侧，对基板100上的第二预设区域内进行光照处理(hv)，从而令第二预设区域内的第二图案化层220的溶解性发生改变，具体地，可对整个基板100进行光照处理，而非第二预设区域内的第二图案化层220可利用遮光板400进行遮挡，由此，使得第二预设区域内的第二图案化层220中的小分子交联材料发生光交联反应，进而生成第二聚合物层221，第二聚合物层221表现为非醇溶性，而非第二预设区域内的第二图案化层220则仍为原本的小分子交联材料，仍表现为醇溶性。
根据本发明的一些实施例，光照处理的波长和时间不受特别限制，具体地，可以与形成第一颜色QLED器件的参数保持一致，在此不再赘述。
S520：去除基板上第二非预设区域内的第二图案化层和第二颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图4中的(h)，在该步骤中去除基板100上第二非预设区域内的第二图案化层和第二颜色发光层，非预设区域即进行前述光照处理时，遮光板所遮挡的区域，由于非预设区域内的小分子交联材料未经光照处理，故其仍表现为醇溶性，通过醇类溶液浸泡即可将其及其上方的发光层一同从基板上剥离，进而获得第二颜色QLED器件，第二颜色QLED器件包括第二聚合物层221及其上方的第二颜色发光层320。
根据本发明的一些实施例，醇溶液的种类不受特别限制，具体地，可以与形成第一颜色QLED器件中的醇溶液保持一致，在此不再赘述。
在形成完第二颜色QLED器件之后，可继续形成第三颜色QLED器件，具体地，参考图5，制备第三颜色QLED器件的方法包括以下步骤：
S230：在基板一侧形成第三图案化层
根据本发明的一些实施例，参考图5中的(i)，在该步骤中，在基板100的一侧形成第三图案化层230，其中，第三图案化层230覆盖第一颜色QLED器件和第一非预设区域，即覆盖基板100上的第一颜色发光层310、第二颜色发光层320以及第一非预设区域在基板100的正投影和第二非预设区域在基板上的正投影的重合区域内的电子传输层110。
根据本发明的一些实施例，形成第三图案化层的材料可以与形成第一图案化层的材料保持一致，在此不再赘述。
S330：在第三图案化层远离基板的一侧形成第三颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图5中的(j)，在该步骤中，在第三图案化层230远离基板100的一侧形成第三颜色发光层330，形成第三颜色发光层330的材料可以为前面所述的形成发光层的材料，在此不再赘述，总言之，在该步骤可以形成具有特定发光颜色的发光层。
S430：自第三颜色发光层远离第三图案化层的一侧，对基板上的第三预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，参考图5中的(k)，在该步骤中，自第三颜色发光层330远离第三图案化层230的一侧，对基板100上的第三预设区域内进行光照处理(hv)，从而令第三预设区域内的第三图案化层230的溶解性发生改变，具体地，可对整个基板100进行光照处理，而非第三预设区域内的第三图案化层230可利用遮光板400进行遮挡，由此，使得第三预设区域内的第三图案化层230中的小分子交联材料发生光交联反应，进而生成第三聚合物层231，第三聚合物层231表现为非醇溶性，而非第三预设区域内的第三图案化层230则仍为原本的小分子交联材料，仍表现为醇溶性。
根据本发明的一些实施例，光照处理的波长和时间不受特别限制，具体地，可以与形成第一颜色QLED器件的参数保持一致，在此不再赘述。
S530：去除基板上第三非预设区域内的第三图案化层和第三颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图5中的(l)，在该步骤中去除基板100上第三非预设区域内的第三图案化层和第三颜色发光层，非预设区域即进行前述光照处理时，遮光板所遮挡的区域，由于非预设区域内的小分子交联材料未经光照处理，故其仍表现为醇溶性，通过醇类溶液浸泡即可将其及其上方的发光层一同从基板上剥离，进而获得第三颜色QLED器件，第三颜色QLED器件包括第三聚合物层231及其上方的第三颜色发光层330。
根据本发明的一些实施例，醇溶液的种类不受特别限制，具体地，可以与形成第一颜色QLED器件中的醇溶液保持一致，在此不再赘述。
因此，由于第一颜色QLED器件在基板上的正投影、第二颜色QLED器件在基板上的正投影和第三颜色QLED器件在基板上的正投影没有重叠区域，且由于光照处理的精度较高，剥离操作也较为简单，通过上述步骤可制得一种包括三种发光颜色的QLED器件，该QLED器件具有载流子平衡度高、产品良率高、显示分辨率高等优点。
当QLED器件包括第四颜色QLED器件、第五颜色QLED器件、第六颜色QLED器件，其中，第四颜色QLED器件在基板上的正投影、第五颜色QLED器件在基板上的正投影和第六颜色QLED器件在基板上的正投影没有重叠区域，且形成第四图案化层、第五图案化层和第六图案化层的材料均为聚合物分解材料时，
具体地，参考图6，制备第四颜色QLED器件的方法包括以下步骤：
S240：在基板一侧形成第四图案化层
根据本发明的一些实施例，参考图6中的(a)，在基板100的一侧形成第四图案化层240之前，可先在基板100的一侧形成电子传输层110，再在电子传输层110远离基板100的一侧表面形成第四图案化层240，进而可利用后续形成的图案化层起到电子阻挡层的作用，提高器件整体性能。
根据本发明的一些实施例，形成第四图案化层的材料为聚合物分解材料，聚合物分解材料在光照处理的条件下会发生分解反应，进而发生溶解性的改变，例如，油溶性的聚合物分解材料在发生光照分解之后会醇溶性的低聚物，由此，即可利用醇类溶剂将发生分解反应的聚合物分解材料去除，而未发生分解反应的聚合物分解材料则不会被醇类溶剂溶解剥离。
根据本发明的一些实施例，聚合物分解材料的种类不受特别限制，只要其能在光照处理条件下发生分解反应即可，例如，聚合物分解材料可以为油溶性材料。由此，可将发生光解反应的聚合物通过非油溶性溶剂去除。具体地，聚合物分解材料可以包括聚砜、聚对苯二酸酯、聚氨酯、聚苯乙烯、脂肪族聚酯、纤维素酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚烯烃和乙烯基聚合物中的至少之一。当上述的聚合物分解材料受到光照处理时，即会发生分解反应，继而产生醇溶性或水溶性的低聚物材料。具体地，根据本发明的一个实施例，聚甲基丙烯酸甲酯为油溶性材料，可溶于油溶性溶剂氯苯，经光照处理后，聚甲基丙烯酸甲酯会发生光分解反应，由油溶性变为醇溶性或水溶性。相对分子质量约为200万的聚甲基丙烯酸甲酯，经光照分解后，得到的低聚物的相对分子质量范围为几千到几万之间，此时生成的低聚物材料的溶解性即由原来油溶性变为水溶性或醇溶性。
S340：在第四图案化层远离基板的一侧形成第四颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图6中的(b)，在该步骤中，在第四图案化层240远离基板100的一侧形成第四颜色发光层340，形成第四颜色发光层340的材料可以为前面所述的形成发光层的材料，在此不再赘述，总言之，在该步骤可以形成具有特定发光颜色的发光层。
S440：自第四颜色发光层远离第四图案化层的一侧，对基板上的第四预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，参考图6中的(c)，在该步骤中，自第四颜色发光层340远离第四图案化层240的一侧，对基板100上的第一预设区域内进行光照处理(hv)，从而令第四预设区域内的第四图案化层210的溶解性发生改变，具体地，可对整个基板100进行光照处理，而非第四预设区域内的第四图案化层210可利用遮光板400进行遮挡，由此，使得第四预设区域内的第四图案化层210中的聚合物分解材料发生光分解反应，进而生成第四低聚物层241，第四低聚物层241表现为醇溶性或水溶性，而非第一预设区域内的第四图案化层240则仍为原本的聚合物分解材料，仍表现为油溶性。
根据本发明的一些实施例，光照处理的波长和时间不受特别限制，例如，光照处理的波长可以为360-440nm，时间可以为1-60s。当光照处理的波长不位于上述范围内时，无法聚合物分解发生交联反应。当光照处理的时间小于1s时，光照处理的时间过短，聚合物分解材料所发生的分解反应不完全，使得形成的低聚物层中仍存在非醇溶性的聚合物分解材料，利用醇溶液进行剥离时会出现剥离不完全的现象，导致器件表面不平整。图案化程度降低；当光照处理的时间大于60s时，聚合物分解材料的分解反应已反应完全，造成多余的能耗。
S540：去除基板上第四预设区域内的第四图案化层和第四颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图6中的(d)，在该步骤中去除基板100上第四预设区域内的第四低聚物层和第四颜色发光层，预设区域即进行前述光照处理时，未使用遮光板遮挡的区域，由于预设区域内的聚合物分解材料经光照处理后发生分解反应，故其表现为醇溶性或水溶性，通过醇类溶液或水溶液浸泡即可将其及其上方的发光层一同从基板100上剥离，进而获得第四颜色QLED器件，第四颜色QLED器件包括第四图案化层240及其上方的第四颜色发光层340。
根据本发明的一些实施例，醇溶液的种类不受特别限制，例如，醇溶液可以包括甲醇、乙醇、异丁醇以及正丁醇中的至少之一。
在形成完第四颜色QLED器件之后，可继续形成第五颜色QLED器件，具体地，参考图7，制备第五颜色QLED器件的方法包括以下步骤：
S250：在基板一侧形成第五图案化层
根据本发明的一些实施例，参考图7中的(e)，在该步骤中，在基板100的一侧形成第五图案化层250，其中，第五图案化层250覆盖第四颜色QLED器件和第四预设区域，即覆盖基板100上的第四颜色发光层340和第四预设区域内的电子传输层110。
根据本发明的一些实施例，形成第五图案化层的材料可以与形成第四图案化层的材料保持一致，在此不再赘述。
S350：在第五图案化层远离基板的一侧形成第五颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图7中的(f)，在该步骤中，在第五图案化层250远离基板100的一侧形成第五颜色发光层350，形成第五颜色发光层350的材料可以为前面所述的形成发光层的材料，在此不再赘述，总言之，在该步骤可以形成具有特定发光颜色的发光层。
S450：自第五颜色发光层远离第五图案化层的一侧，对基板上的第五预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，参考图7中的(g)，在该步骤中，自第五颜色发光层350远离第五图案化层250的一侧，对基板100上的第五预设区域内进行光照处理(hv)，从而令第五预设区域内的第五图案化层250的溶解性发生改变，具体地，可对整个基板100进行光照处理，而非第五预设区域内的第五图案化层250可利用遮光板400进行遮挡，由此，使得第五预设区域内的第五图案化层250中的聚合物分解材料发生光分解反应，进而生成第五低聚物层251，第五低聚物层251表现为醇溶性，而非第五预设区域内的第五图案化层250则仍为原本的聚合物分解材料，仍表现为油溶性。
根据本发明的一些实施例，光照处理的波长和时间不受特别限制，具体地，可以与形成第四颜色QLED器件的参数保持一致，在此不再赘述。
S550：去除基板上第五预设区域内的第五图案化层和第五颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图7中的(h)，在该步骤中去除基板100上第五预设区域内的第五低聚物层和第五颜色发光层，预设区域即进行前述光照处理时，遮光板未遮挡的区域，由于预设区域内的聚合物分解材料经光照处理后分解为低聚物材料，故其表现为醇溶性或水溶性，通过醇类溶液或水溶性浸泡即可将其及其上方的发光层一同从基板上剥离，进而获得第五颜色QLED器件，第五颜色QLED器件包括第五图案化层250及其上方的第五颜色发光层350。
根据本发明的一些实施例，醇溶液的种类不受特别限制，具体地，可以与形成第四颜色QLED器件中的醇溶液保持一致，在此不再赘述。
在形成完第五颜色QLED器件之后，可继续形成第六颜色QLED器件，具体地，参考图8，制备第六颜色QLED器件的方法包括以下步骤：
S260：在基板一侧形成第六图案化层
根据本发明的一些实施例，参考图8中的(i)，在该步骤中，在基板100的一侧形成第六图案化层260，其中，第六图案化层260覆盖第四颜色QLED器件和第四预设区域，即覆盖基板100上的第四颜色发光层340、第五颜色发光层350以及第四预设区域在基板100的正投影和第五预设区域在基板上的正投影的重合区域内的电子传输层110。
根据本发明的一些实施例，形成第六图案化层的材料可以与形成第五图案化层的材料保持一致，在此不再赘述。
S360：在第六图案化层远离基板的一侧形成第六颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图8中的(j)，在该步骤中，在第六图案化层260远离基板100的一侧形成第六颜色发光层360，形成第六颜色发光层360的材料可以为前面所述的形成发光层的材料，在此不再赘述，总言之，在该步骤可以形成具有特定发光颜色的发光层。
S460：自第六颜色发光层远离第六图案化层的一侧，对基板上的第六预设区域进行光照处理
根据本发明的一些实施例，参考图8中的(k)，在该步骤中，自第六颜色发光层360远离第六图案化层260的一侧，对基板100上的第六预设区域内进行光照处理(hv)，从而令第六预设区域内的第六图案化层260的溶解性发生改变，具体地，可对整个基板100进行光照处理，而非第六预设区域内的第六图案化层260可利用遮光板400进行遮挡，由此，使得第六预设区域内的第六图案化层260中的聚合物分解材料发生光分解反应，进而生成第六低聚物层261，第六低聚物层261表现为醇溶性，而非第六预设区域内的第六图案化层260则仍为原本的聚合物分解材料，仍表现为油溶性。
根据本发明的一些实施例，光照处理的波长和时间不受特别限制，具体地，可以与形成第五颜色QLED器件的参数保持一致，在此不再赘述。
S560：去除基板上第六预设区域内的第六图案化层和第六颜色发光层
根据本发明的一些实施例，参考图8中的(l)，在该步骤中去除基板100上第六预设区域内的第六低聚物层和第六颜色发光层，预设区域即进行前述光照处理时，遮光板未遮挡的区域，由于预设区域内的聚合物分解材料经光照处理后分解为低聚物材料，故其表现为醇溶性或水溶性，通过醇类溶液或水溶性浸泡即可将其及其上方的发光层一同从基板上剥离，进而获得第六颜色QLED器件，第六颜色QLED器件包括第六图案化层260及其上方的第六颜色发光层360。3
根据本发明的一些实施例，醇溶液的种类不受特别限制，具体地，可以与形成第四颜色QLED器件中的醇溶液保持一致，在此不再赘述。
因此，由于第四颜色QLED器件在基板上的正投影、第五颜色QLED器件在基板上的正投影和第六颜色QLED器件在基板上的正投影没有重叠区域，且由于光照处理的精度较高，剥离操作也较为简单，通过上述步骤可制得一种包括三种发光颜色的QLED器件，该QLED器件具有载流子平衡度高、产品良率高、显示分辨率高等优点。
在本申请的又一个方面，本发明提出了一种QLED器件，QLED器件是通过前述的方法制备的QLED器件。由此，该QLED器件具有高分辨率、无串色的优点。
在本申请的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，包括前述的QLED器件。由此，该显示装置具有前述的QLED器件所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
下面通过具体的实施例对本申请的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本申请，而不应视为限定本申请的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
实验例1：
1、在基板上形成阴极，基板为导电玻璃，形成阴极的材料为ITO。
2、在基板上具有阴极的一侧形成电子传输层，形成电子传输层的材料为氧化锌纳米粒子，具体地，将100微升的20mg/mL的氧化锌纳米粒子滴加至上述基板上，设置匀胶机转速为1500rpm并旋涂成膜。
3、制备红色QLED器件包括：
在电子传输层远离基板的一侧形成第一图案化层，形成第一图案化层的材料结构式如式(1)
在第一图案化层远离基板的一侧形成第一颜色发光层，具体地，第一颜色为红色，形成第一颜色发光层的材料为碳量子点，对第一预设区域内的第一图案化层进行光照处理，光照处理的波长为440nm，时间为30s，去除非第一预设区域内的第一图案化层，将上述基板置于乙醇溶液中进行剥离。
4，制备绿色QLED器件包括：重复步骤3，所不同的是，形成第二图案化层和第二颜色发光层，具体地，第二颜色为绿色，对第二预设区域内的第二图案化层进行光照处理，去除非第二预设区域内的第二图案化层。
5，制备蓝色QLED器件包括：重复步骤3，所不同的是，形成第三图案化层和第三颜色发光层，具体地，第三颜色为绿色，对第三预设区域内的第三图案化层进行光照处理，去除非第三预设区域内的第三图案化层。
6、在红色QLED器件远离基板的一侧通过旋涂的方式形成空穴传输层，空穴传输层覆盖第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层。
7、在空穴传输层远离基板的一侧通过蒸镀的方式形成空穴注入层，
8、在空穴注入层远离空穴传输层的一侧形成阳极，形成阳极的材料为IZO，形成阳极的工艺为真空蒸镀。
9、按照常规工艺完成后续封装。
结果表明，该QLED器件的制备方法的产品良率较高，获得的QLED器件具有较高的分辨率，未出现串色的现象。
实验例2：
1、在基板上形成阴极，基板为导电玻璃，形成阴极的材料为ITO。
2、在基板上具有阴极的一侧形成电子传输层，形成电子传输层的材料为氧化锌溶胶凝胶，具体地，将2g醋酸锌加入至含有10mL乙醇胺和10mL正丁醇的混合溶剂中，旋涂成膜，转速3000rpm，并于200℃热台加热成膜。
3、制备红色QLED器件包括：
在电子传输层远离基板的一侧形成第四图案化层，形成第四图案化层的材料结构式如式(2)
在第四图案化层远离基板的一侧形成第四颜色发光层，具体地，第四颜色为红色，形成第四颜色发光层的材料为碳量子点，对第四预设区域内的第四图案化层进行光照处理，光照处理的波长为440nm，时间为30s，去除第四预设区域内的第四低聚物层，将上述基板置于乙醇溶液中进行剥离。
4，制备绿色QLED器件包括：重复步骤3，所不同的是，形成第五图案化层和第五颜色发光层，具体地，第五颜色为绿色，对第五预设区域内的第五图案化层进行光照处理，去除第五预设区域内的第五低聚物层。
5，制备蓝色QLED器件包括：重复步骤3，所不同的是，形成第六图案化层和第六颜色发光层，具体地，第六颜色为绿色，对第六预设区域内的第六图案化层进行光照处理，去除第六预设区域内的第六低聚物层。
6、在红色QLED器件远离基板的一侧通过旋涂的方式形成空穴传输层，空穴传输层覆盖第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层。
7、在空穴传输层远离基板的一侧通过蒸镀的方式形成空穴注入层，
8、在空穴注入层远离空穴传输层的一侧形成阳极，形成阳极的材料为IZO，形成阳极的工艺为真空蒸镀。
9、按照常规工艺完成后续封装。
结果表明，该QLED器件的制备方法的产品良率较高，获得的QLED器件具有较高的分辨率，未出现串色的现象。
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (14)
1.一种制备QLED器件的方法，其特征在于，包括：
提供基板，
在所述基板的一侧形成图案化层，
在所述图案化层远离所述基板的一侧形成发光层，
自所述发光层远离所述图案化层的一侧，对所述基板上的预设区域进行光照处理，令所述预设区域内的所述图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上非预设区域或所述预设区域内的所述图案化层和所述发光层，以获得所述QLED器件，
其中，形成所述图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基板的一侧形成所述图案化层之前，进一步包括：在所述基板的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离基板的一侧形成所述图案化层。
3.根据利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述QLED器件的步骤包括形成第一颜色QLED器件、第二颜色QLED器件、第三颜色QLED器件的步骤，所述方法进一步包括：
在所述基板一侧形成第一图案化层，
在所述第一图案化层远离所述基板的一侧形成第一颜色发光层，
自所述第一颜色发光层远离所述第一图案化层的一侧，对所述基板上的第一预设区域进行光照处理，令所述第一预设区域内的所述第一图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上所述第一非预设区域内的所述第一图案化层和所述第一颜色发光层，以获得所述第一颜色QLED器件；
在所述基板一侧形成第二图案化层，所述第二图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件和所述第一非预设区域，
在第二图案化层远离所述基板的一侧形成第二颜色发光层，
自所述第二颜色发光层远离所述第二图案化层的一侧，对所述基板上的第二预设区域进行光照处理，令所述第二预设区域内的所述第二图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上所述第二非预设区域内的所述第二图案化层和所述第二颜色发光层，以获得所述第二颜色QLED器件；
在所述基板一侧形成第三图案化层，所述第三图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件、和所述第一非预设区域，
在第三图案化层远离所述基板的一侧形成第三颜色发光层，
自所述第三颜色发光层远离所述第三图案化层的一侧，对所述基板上的第三预设区域进行光照处理，令所述第三预设区域内的所述第三图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上所述第三非预设区域内的所述第三图案化层和所述第三颜色发光层，以获得所述第三颜色QLED器件；
其中，所述第一颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第二颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第三颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第一图案化层、所述第二图案化层和所述第三图案化层的材料均为所述小分子交联材料。
4.根据利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述QLED器件的步骤包括形成第四颜色QLED器件、第五颜色QLED器件、第六颜色QLED器件的步骤，所述方法进一步包括：
在所述基板一侧形成第四图案化层，
在所述第四图案化层远离所述基板的一侧形成第四颜色发光层，
自所述第四颜色发光层远离所述第四图案化层的一侧，对所述基板上的第四预设区域进行光照处理，令所述第四预设区域内的所述第一图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上所述第四预设区域内的所述第四图案化层和所述第四颜色发光层，以获得所述第四颜色QLED器件；
在所述基板一侧形成第五图案化层，所述第五图案化层覆盖所述第四颜色QLED器件和所述第四预设区域，
在第五图案化层远离所述基板的一侧形成第五颜色发光层，
自所述第五颜色发光层远离所述第五图案化层的一侧，对所述基板上的第五预设区域进行光照处理，令所述第五预设区域内的所述第五图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上所述第五预设区域内的所述第五图案化层和所述第五颜色发光层，以获得所述第五颜色QLED器件；
在所述基板一侧形成第六图案化层，所述第六图案化层覆盖所述第四颜色QLED器件、和所述第四预设区域，
在第六图案化层远离所述基板的一侧形成第六颜色发光层，
自所述第六颜色发光层远离所述第六图案化层的一侧，对所述基板上的第六预设区域进行光照处理，令所述第六预设区域内的所述第六图案化层的溶解性发生改变，
去除所述基板上所述第六预设区域内的所述第六图案化层和所述第六颜色发光层，以获得所述第六颜色QLED器件；
其中，所述第四颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第五颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第六颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第四图案化层、所述第五图案化层和所述第六图案化层的材料均为所述聚合物分解材料。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述小分子交联材料为有机物，所述有机物为醇溶性材料，所述有机物具有双键、三键以及环氧基中的至少之一。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述有机物包括烯烃、炔烃、酯类化合物、醛类化合物、羰基类化合物、叠氮、氰类化合物、环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷和环氧戊烷中的至少之一。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述聚合物分解材料为油溶性材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述聚合物分解材料包括聚砜、聚对苯二酸酯、聚氨酯、聚苯乙烯、脂肪族聚酯、纤维素酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚烯烃和乙烯基聚合物中的至少之一。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述发光层的材料包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、ZnSe、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge以及C中至少之一。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光照处理的波长为360nm～440nm，时间为1s～60s。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述基板上所述非预设区域或所述预设区域内的所述图案化层和所述发光层所采用的溶剂为醇溶剂。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述醇溶剂包括甲醇、乙醇、异丁醇以及正丁醇中的至少之一。
13.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件是通过权利要求1-12任一项所述的方法制备的QLED器件。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的QLED器件。
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