CN113900473A - 一种高精度基准的产生方法及系统 - Google Patents

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    • G05F1/10Regulating voltage or current
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    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation

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Abstract

本发明提出了一种高精度基准的产生方法及系统,涉及半导体芯片领域。一种高精度基准的产生方法包括:根据数字电路的方法,调节内部基准源和/或偏置源,以实现高精度基准或偏置,内部设置内部控制变量采样、数字校准接口、数字校准处理器、数据存储器、补偿控制器、数字校准处理;将数字校准接口中对外增加模拟基准的校准信号,使其实现所需各工况下的高精度基准或偏置;当处于校准状态时,通过外部高精度基准对内部基准,在各工况下进行校正,当处于正常工作条件时,内部由数字处理进行实时补偿,达到高精度基准或偏置。此外本发明还提出了一种高精度基准的产生系统。

Description

一种高精度基准的产生方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体芯片领域,具体而言,涉及一种高精度基准的产生方法及系统。
背景技术
作为模拟或混合电路的基本模块,基准电压、电流源的主要功能就是为电路提供稳定的偏置,因此基准电压、电流源的性能将直接影响整个电路系统的精度和性能。随着集成电路规模的不断扩大,以及便携式电子系统的普遍应用,使基准电路在被广泛使用的同时,也对它的性能提出了更高的要求。
受电源、温度、负载,以及不同工况影响,基准源变化巨大。电源抑制比特性是基准源在高频和数模混合电路应用中的一个重要指标,这是因为电路闭环增益随频率的升高而下降以及电路存在容性通路,使来自电源电压的干扰信号得不到足够的抑制。同时,由于环境温度的变化和芯片工作时散发出的热量都会使得芯片的工作温度发生显著变化,而基准源必须在一定工作温度范围内基本保持不变。同时,负载的变化也会影响基准源的稳定性。如果是独立基准源,希望其在各个工况条件下极佳稳定性。基准源的电源抑制比和温度系数以及负载条件决定了整个芯片的电源电压波动范围和应用温度范围。
在集成电路中,很多模块都需要合适的偏置,而这些偏置都是由基准源产生的,如果是功能电路,为了让电路在不同条件下具有相同性能,需要基准源在各种条件下能够进行相应的调整。因此发明一个综合考虑温度,负载,电源的综合测量,并能从外部高精度修正的基准源是必须的。
在中国发明CN201310612504.4《高精度基准电压积分采样电路》中,公开了一种高精度基准电压积分采样电路,它包括单刀双掷开关、第三电阻、第二电阻、放大器和场效应管,其优点是电路结构简单,其利用闭环控制的恒流原理使恒流输出精度高,线调整和负载调整率优异。
在中国发明CN202010091655.X《电压基准源电路》中,公开了一种电压基准源电路,包括:用于产生一个第一参考电压的第一基准源电路单元,用于产生一个输出电压可调的第二参考电压的第二基准源电路单元,用于比较第一参考电压和第二参考电压的大小的电压比较器和控制电路。通过上述设计,实现了一种低功耗高精度基准源电路。
然而,由于半导体设计制造的非线性影响,无论补偿多么复杂,类似的专利都无法完全解决因电源波动、温度变化和负载变化等的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高精度基准的产生方法,其能够解决当前基准源由于温度、电源和负载等情况的精度偏差,通过综合考虑温度,负载,电源等的综合测量,建立高精度基准的数字校准接口和内部基准的高精度修正表,通过内部控制运算进而对基准进行补偿,以达到更高的精度,更低的温度系数,更高的电源抑制比和更低的负载调整率。同时,由于可以对基准进行非线性补偿,减小了基准设计难度。由于独立的调整模块的出现,满足了可移植性,通用性要求,具有广泛的应用前景。
本发明的另一目的在于提供一种高精度基准的产生系统,其能够运行一种高精度基准的产生方法。
本发明的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种高精度基准的产生方法,其包括根据数字电路的方法,调节内部基准源和/或偏置源,以实现高精度基准或偏置,内部设置内部控制变量采样、数字校准接口、数字校准处理器、数据存储器、补偿控制器、数字校准处理;
内部控制变量采样提供内部各个变量参数,通过数字校准接口输入到数字校准处理器中,与数据存储器ROM中的校准输入数据协同处理,输出到补偿控制执行补偿,使其实现所需各工况下的高精度基准或偏置;
当处于校准状态时,外部输入高精度标准信号,通过数字校准接口输出进入数字校准处理器中,参考内部控制变量采样数据输入,通过标准程序,得到标准校准数据,写入校准数据ROM。
在本发明的一些实施例中,上述内部控制变量采样包括:内部控制变量采样用以采集影响基准和/或偏置的变量,并进行数字化处理。
在本发明的一些实施例中,上述数字校准接口包括:IO口和内部采样处理独立作为数字校准接口,采用SPI接口负责接收控制变量以及外部的校准信号数据。
在本发明的一些实施例中,上述数字校准处理器包括:数字校准处理器对输出的基准、输入的校准信号以及采样控制信号进行处理,得到相应的补偿值。
在本发明的一些实施例中,上述数据存储器包括:数据存储器,由校准数据ROM以及内部设定值组成。
在本发明的一些实施例中,上述补偿控制器包括:补偿控制器采集来自数字校准接口的通信量,进行解码分析,在补偿控制器内计算得到实际的温度值、负载电压值、负载电流值和电源电压值,调用存储在数据存储器内部的修正表拟合计算,之后补偿控制器输出电压值给常规基准源。
在本发明的一些实施例中,上述数字校准处理包括:数字校准处理对各采样的各个变量以及校准数据ROM进行运算,得到基准或偏置的补偿控制量。
第二方面,本申请实施例提供一种高精度基准的产生系统,其包括高精度基准源模块,用于根据数字电路的方法,调节内部基准源和/或偏置源,以实现高精度基准或偏置,内部设置内部控制变量采样、数字校准接口、数字校准处理器、数据存储器、补偿控制器、数字校准处理;
增加模拟基准的校准信号模块,用于内部控制变量采样提供内部各个变量参数,通过数字校准接口输入到数字校准处理器中,与数据存储器ROM中的校准输入数据协同处理,输出到补偿控制执行补偿,使其实现所需各工况下的高精度基准或偏置;
校正及补偿模块,用于当处于校准状态时,外部输入高精度标准信号,通过数字校准接口输出进入数字校准处理器中,参考内部控制变量采样数据输入,通过标准程序,得到标准校准数据,写入校准数据ROM。
在本发明的一些实施例中,上述包括:用于存储计算机指令的至少一个存储器;与上述存储器通讯的至少一个处理器,其中当上述至少一个处理器执行上述计算机指令时,上述至少一个处理器使上述系统执行:高精度基准源模块、增加模拟基准的校准信号模块及校正及补偿模块。
第三方面,本申请实施例提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现如一种高精度基准的产生方法中任一项的方法。
相对于现有技术,本发明的实施例至少具有如下优点或有益效果:
对常规基准源进行了改进,解决当前基准源由于温度、电源和负载等情况的精度偏差,通过综合考虑温度,负载,电源等的综合测量,建立高精度基准的数字校准接口和内部基准的高精度修正表,通过内部控制运算进而对基准进行补偿,以达到更高的精度,更低的温度系数,更高的电源抑制比和更低的负载调整率。同时,由于可以对基准进行非线性补偿,减小了基准设计难度。由于独立的调整模块的出现,满足了可移植性,通用性要求,具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的高精度基准源结构示意图;
图2为本发明实施例提供的可控源理想结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种包含输出、电流控制电压源、补偿控制器的简单模拟结构示意图;
图4为本发明实施例提供的采用D/A输出的基准结构示意图;
图5a为本发明实施例提供的稳压管与电阻网络构成的稳压基准,外部电压Vs调整示意图;
图5b为本发明实施例提供的二极管与电阻网络构成的稳压基准、外部电压Vs调整示意图;
图5c为本发明实施例提供的多路恒流偏置、外部电压Vs设定示意图;
图6a为本发明实施例提供的一种温度采样例示意图;
图6b为本发明实施例提供的一种电流采样例示意图;
图7为本发明实施例提供的理想的补偿曲线示意图;
图8为本发明实施例提供的数字校准处理示意图;
图9为本发明实施例提供的一种数字校准接口及数字处理结构示意图;
图10为本发明实施例提供的校准流程及一维表格的建立方式示意图;
图11为本发明实施例提供的正常工作流程及一维表的使用方式示意图;
图12为本发明实施例提供的校准状态的一种判断方式示意图;
图13为本发明实施例提供的一种高精度基准的产生系统模块示意图;
图14为本发明实施例提供的一种电子设备。
图标:10-高精度基准源模块;20-增加模拟基准的校准信号模块;30-校正及补偿模块;101-存储器;102-处理器;103-通信接口。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
需要说明的是,术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的各个实施例及实施例中的各个特征可以相互组合。
实施例1
请参阅图1、图2、图3、图4、图5a、图5b、图6a、图6b、图7、图10,其如下所示:
本实施例的高精度基准源包括:由内部设置的常规基准源,内部控制变量采样,数字校准接口,数字校准处理,校准数据以及补偿控制器组成。
由内部设置的常规基准源。分为电压控制电流源,电流控制电流源,电压控制电压源,电流控制电压源,请参阅图2。模拟基准其组成可以是三极管,稳压管,MOS,以及相应的外围电阻组成。数字基准则可以直接由D/A变换产生,请参阅图4。通过内部进行设置电流、电压控制源,对输出电路、电压源等进行调节。内部设置可以是电流,电压或电阻,由于有数字校准功能,设置精度不需要非常准确。
补偿控制器。补偿内部由外部条件不同,产生的基准源偏差,可以是电流补偿,电压补偿,电阻补偿等等。通过数模转换对基准进行高精度控制,请参阅图3。在有些控制结构中,可以直接由D/A转换直接完成,请参阅图4。
内部控制变量采样用以采集影响基准或偏置的变量,并进行数字化处理(或A/D处理)。一般包括温度请参阅图6a,电源电压,输出电压,输出电流请参阅图6b等。
基准源与偏置源道理相同,下面用基准源的技术方案说明工作过程。同时,多维表的处理方式与一维表类似,用常规的温度变化补偿来说明基准源的高精度补偿过程。
在其它外部条件都确定的条件下,没有加补偿,常规基准源会随着温度的变化,呈现非线性的对应关系。模拟补偿器采用模拟线段的方式进行反向补偿。但由于基准源的非线性,补偿后的基准源总体精度虽然更加稳定,但精度依然不能达到很高的要求,同时由于引入了非线性,使得基准源的温度变化曲线更加复杂。而对于数字补偿而言,不存在补偿曲线复杂度的问题。
请参阅图5a及图5b,采用常规稳压管或二极管作为预稳定基准。此基准主要受到三种因素影响;电源电压变化影响,温度变化影响,输出电流影响。一般在基准输出增加基准的输出放大,比如如图所示运放输出。这样在系统内部负载为恒定可控值,对外部输入电压变化和温度变化影响可以做成二维补偿表。不考虑输入电压的影响条件下,补偿表就简化为一个一维表。由于具有数字补偿结构,对基准的要求不高。
为保证正常工作,器件正常工作前需要进行稳定性校正。请参阅图7为实际的补偿曲线。对同批次,同工艺的基准,如果精度没有苛刻要求,一次完整的校准参数,就可以满足几乎所有器件的使用要求,如果有高精度要求,则需要对每一个器件都进行校正。校正信号一般就是外部的高精度基准源,下面对应介绍一维温度补偿表的建立模拟电压补偿,建立高精度基准。
从最低温度开始,按照固定的温度梯度建立表格。记录下每一温度下预调基准,与外部高精度基准进行比较,记录差值。作为补偿值,记录到只读存储器中。随温度的逐渐变化,记录每一温度下的补偿电压,并通过D/A变换输出模拟电压用以微调输出,这一过程是一个逐次逼近的过程,取决于算法。校准流程请参阅图10,其中补偿值的调整好坏与否取决于算法。
实施例2
数字校准接口采用SPI接口,负责接收来自温度传感部分、负载处电压测量部分、负载处电流测量部分、电源电压测量部分的数字信号,并整合发送到补偿控制器,温度、电流采样电路请参阅图8所示。其中外部校准接口为模拟接口,可以不受芯片工作条件限制。
补偿控制器包括具有数据处理能力的中央处理器CPU、数据存储器RAM、程序存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器,补偿控制器采集来自数字校准接口的通信量,进行解码分析,在补偿控制器内计算得到实际的温度值、负载电压值、负载电流值和电源电压值,调用存储在数据存储器内部的修正表拟合计算,之后补偿控制器输出电压值给常规基准源,补偿控制器的结构图请参阅图8,一种补偿输出电路结构请参阅图3所示。
通过常规基准源、基准源外部温度传感装置、负载处电压测量装置、负载处电流测量装置和电源电压测量装置、数字校准接口和补偿控制器的协作,使得本发明所述的高精度基准源能够达到更高的精度,更低的温度系数,更高的电源抑制比和更低的负载调整率。
请参阅图10校准流程,此时,外部校准信号为不受环境干扰的理想稳定源。此流程是只考虑温度变化影响的校准工作流程。其它多因数的补偿校准与其相似。当外部温度条件产生变化时,比如调节温度从最低温度到最高温度变化时。对应每一梯度的电流变化,基准值于校准值进行比较,对差值进行分析运算,得到补偿值,补偿值用以调节内部基准。再与外部基准比较,经过短暂迭代,得到补偿值,并写入补偿表。
请参阅图11正常工作流程的一种方式。此时,外部校准信号不起作用。由内部温度传感器查找内部补偿表格,通过对补偿正偏差值,补偿负偏差值的内部拟合计算得出具体的补偿值。通过D/A转换,得到最终补偿输出。
请参阅图10、图11是一维补偿表的一种使用方式,很容易推广到多维表格的补偿。请参阅图12对校准状态和工作状态的一种判断方式。此判断一般在上电瞬间执行。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
实施例3
请参阅图13,图13为本发明实施例提供的一种高精度基准的产生系统模块示意图,其如下所示:
高精度基准源模块10,用于根据数字电路的方法,调节内部基准源和/或偏置源,以实现高精度基准或偏置,内部设置内部控制变量采样、数字校准接口、数字校准处理器、数据存储器、补偿控制器、数字校准处理;
增加模拟基准的校准信号模块20,用于将数字校准接口中对外增加模拟基准的校准信号,使其实现所需各工况下的高精度基准或偏置;
校正及补偿模块30,用于当处于校准状态时,通过外部高精度基准对内部基准,在各工况下进行校正,当处于正常工作。
如图14所示,本申请实施例提供一种电子设备,其包括存储器101,用于存储一个或多个程序;处理器102。当一个或多个程序被处理器102执行时,实现如上述第一方面中任一项的方法。
还包括通信接口103,该存储器101、处理器102和通信接口103相互之间直接或间接地电性连接,以实现数据的传输或交互。例如,这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。存储器101可用于存储软件程序及模块,处理器102通过执行存储在存储器101内的软件程序及模块,从而执行各种功能应用以及数据处理。该通信接口103可用于与其他节点设备进行信令或数据的通信。
其中,存储器101可以是但不限于,随机存取存储器101(Random Access Memory,RAM),只读存储器101(Read Only Memory,ROM),可编程只读存储器101(ProgrammableRead-Only Memory,PROM),可擦除只读存储器101(Erasable Programmable Read-OnlyMemory,EPROM),电可擦除只读存储器101(Electric Erasable Programmable Read-OnlyMemory,EEPROM)等。
处理器102可以是一种集成电路芯片,具有信号处理能力。该处理器102可以是通用处理器102,包括中央处理器102(Central Processing Unit,CPU)、网络处理器102(Network Processor,NP)等;还可以是数字信号处理器102(Digital Signal Processing,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露的方法及系统和方法,也可以通过其它的方式实现。以上所描述的方法及系统实施例仅仅是示意性的,例如,附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的方法及系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在有些作为替换的实现方式中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
另一方面,本申请实施例提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器102执行时实现如上述第一方面中任一项的方法。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器101(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器101(RAM,RandomAccess Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
综上所述,本申请实施例提供的一种高精度基准的产生方法及系统,对常规基准源进行了改进,解决当前基准源由于温度、电源和负载等情况的精度偏差,通过综合考虑温度,负载,电源等的综合测量,建立高精度基准的数字校准接口和内部基准的高精度修正表,通过内部控制运算进而对基准进行补偿,以达到更高的精度,更低的温度系数,更高的电源抑制比和更低的负载调整率。同时,由于可以对基准进行非线性补偿,减小了基准设计难度。由于独立的调整模块的出现,满足了可移植性,通用性要求,具有广泛的应用前景。
以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其它的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (10)

1.一种高精度基准的产生方法,其特征在于,包括:
根据数字电路的方法,调节内部基准源和/或偏置源,以实现高精度基准或偏置,内部设置内部控制变量采样、数字校准接口、数字校准处理器、校准数据ROM、补偿控制器、内部设置、数字校准处理;
内部控制变量采样提供内部各个变量参数,通过数字校准接口输入到数字校准处理器中,与数据存储器ROM中的校准输入数据协同处理,输出到补偿控制执行补偿,使其实现所需各工况下的高精度基准或偏置;
当处于校准状态时,外部输入高精度标准信号,通过数字校准接口输出进入数字校准处理器中,参考内部控制变量采样数据输入,通过标准程序,得到标准校准数据,写入校准数据ROM。
2.如权利要求1所述的一种高精度基准的产生方法,其特征在于,所述内部控制变量采样包括:
内部控制变量采样用以采集影响基准和/或偏置的变量,并进行数字化处理。
3.如权利要求1所述的一种高精度基准的产生方法,其特征在于,所述数字校准接口包括:
IO口和内部采样处理独立作为数字校准接口,采用SPI接口负责接收控制变量以及外部的校准信号数据。
4.如权利要求1所述的一种高精度基准的产生方法,其特征在于,所述数字校准处理器包括:
数字校准处理器对输出的基准、输入的校准信号以及采样控制信号进行处理,得到相应的补偿值。
5.如权利要求1所述的一种高精度基准的产生方法,其特征在于,所述数据存储器包括:
数据存储器,由校准数据ROM以及内部设定值组成。
6.如权利要求1所述的一种高精度基准的产生方法,其特征在于,所述补偿控制器包括:
补偿控制器采集来自数字校准接口的通信量,进行解码分析,在补偿控制器内计算得到实际的温度值、负载电压值、负载电流值和电源电压值,调用存储在数据存储器内部的修正表拟合计算,之后补偿控制器输出电压值给常规基准源。
7.如权利要求1所述的一种高精度基准的产生方法,其特征在于,所述数字校准处理包括:
数字校准处理对各采样的各个变量以及校准数据ROM进行运算,得到基准或偏置的补偿控制量。
8.一种高精度基准的产生系统,其特征在于,包括:
高精度基准源模块,用于根据数字电路的方法,调节内部基准源和/或偏置源,以实现高精度基准或偏置,内部设置内部控制变量采样、数字校准接口、数字校准处理器、数据存储器、补偿控制器、数字校准处理;
增加模拟基准的校准信号模块,用于内部控制变量采样提供内部各个变量参数,通过数字校准接口输入到数字校准处理器中,与数据存储器ROM中的校准输入数据协同处理,输出到补偿控制执行补偿,使其实现所需各工况下的高精度基准或偏置;
校正及补偿模块,用于当处于校准状态时,外部输入高精度标准信号,通过数字校准接口输出进入数字校准处理器中,参考内部控制变量采样数据输入,通过标准程序,得到标准校准数据,写入校准数据ROM。
9.如权利要求8所述的一种高精度基准的产生系统,其特征在于,包括:
用于存储计算机指令的至少一个存储器;
与所述存储器通讯的至少一个处理器,其中当所述至少一个处理器执行所述计算机指令时,所述至少一个处理器使所述系统执行:高精度基准源模块、增加模拟基准的校准信号模块及校正及补偿模块。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。
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