CN113889516A - 显示装置 - Google Patents

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insulating layer
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安在宪
金彰洙
朴宰徹
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明提供显示装置。显示装置可以包括第一晶体管、第二晶体管、第一电极、第二电极、第一滤光器和第二滤光器。没有中间晶体管可以位于第一晶体管和第二晶体管之间。第一电极可以电连接到第一晶体管。第二电极可以电连接到第二晶体管。第一滤光器可以与第一电极重叠，并且在显示装置的平面图中可以具有第一圆形周界。第二滤光器可以与第二电极重叠，在显示装置的平面图中可以具有多边形周界，并且可以与第一滤光器间隔开。

Description

显示装置
技术领域
本技术领域涉及显示装置。
背景技术
显示装置可根据输入信号显示图像。当前的显示装置包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
显示装置可包括可不期望地阻挡光的部件。为了获得显示装置的令人满意的图像质量和/或能量效率，应当最小化不期望地被阻挡的光。
发明内容
一些实施例可以涉及包括滤光器和滤色器的显示装置。
根据实施例，显示装置包括第一基板、像素结构、第一滤光器和第二滤光器。像素结构设置在第一基板上。第一滤光器具有圆形形状，并且设置在像素结构上。第二滤光器具有多边形形状，并且设置在像素结构上同时与第一滤光器间隔开。
在实施例中，当在显示装置的平面图中观察时，第一滤光器的面积可以大于第二滤光器的面积。
在实施例中，显示装置可以进一步包括第三滤光器，第三滤光器设置在像素结构上同时与第一滤光器和第二滤光器中的每一个间隔开，并且在显示装置的平面图中观察时，第三滤光器可以具有圆形形状。
在实施例中，当在显示装置的平面图中观察时，第三滤光器的面积可以大于第二滤光器的面积。
在实施例中，第二滤光器可以被配置为透射第一颜色的第一光。第一滤光器可以被配置为将第一颜色的第二光转换为第二颜色的光。第三滤光器可以被配置为将第一颜色的第三光转换为第三颜色的光。
在实施例中，像素结构可以被配置为发射第一颜色的第四光。
在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在像素结构上的光阻挡构件，并且光阻挡构件可以包括在显示装置的平面图中观察时具有圆形形状的第一开口和在显示装置的平面图中观察时具有矩形形状的第二开口。
在实施例中，第一滤光器可以设置在第一开口中，并且第二滤光器可以设置在第二开口中。
在实施例中，当在显示装置的平面图中观察时，第一开口的面积可以大于第二开口的面积。
在实施例中，第二滤光器的一部分可以设置在光阻挡构件的底表面上。
在实施例中，第一滤光器的底表面的水平和第二滤光器的底表面的水平可以彼此不同。
在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在光阻挡构件的底表面上的第一保护绝缘层。
在实施例中，第一保护绝缘层可以设置在第一滤光器的底表面上而不设置在第二滤光器的底表面上。
在实施例中，第一保护绝缘层可以设置在第二开口内部而不设置在第一开口内部。
在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在第一滤光器和第二滤光器上的第二基板、设置在第二基板和第一滤光器之间的第一滤色器以及设置在第二基板和第二滤光器之间的第二滤色器。
在实施例中，第二滤色器可以与第二基板的底表面上的第二滤光器重叠，并且可以包括与其中设置第一滤光器的部分重叠的开口。
在实施例中，第一滤色器可以设置在第二滤色器的开口中，并且可以包括与其中第二滤光器设置在第二滤色器下面的部分重叠的开口。
在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在第一滤色器和第二滤色器与第一滤光器和第二滤光器之间的第二保护绝缘层。
在实施例中，第一保护绝缘层和第二保护绝缘层可以通过第一滤光器彼此间隔开，并且可以在第二滤色器和第二滤光器之间彼此接触。
在实施例中，像素结构可以包括设置在第一滤光器下面的第一下电极、设置在第二滤光器下面的第二下电极、设置在第一下电极和第二下电极上的发光层以及设置在发光层上的上电极。
在实施例中，当在显示装置的平面图中观察时，第一下电极可以具有圆形形状，并且当在显示装置的平面图中观察时，第二下电极可以具有矩形形状。
在实施例中，当在显示装置的平面图中观察时，第一滤光器和第一下电极可以彼此重叠，并且第二滤光器和第二下电极可以彼此重叠。
在实施例中，当在显示装置的平面图中观察时，第一下电极的面积可以大于第二下电极的面积。
在实施例中，第一滤光器可以通过使用喷墨工艺而形成，并且第二滤光器可以通过使用光刻工艺而形成。
实施例可以涉及显示装置。显示装置可以包括第一晶体管、第二晶体管、第一电极、第二电极、第一滤光器和第二滤光器。没有中间晶体管可以位于第一晶体管和第二晶体管之间。第一电极可以电连接到第一晶体管。第二电极可以电连接到第二晶体管。第一滤光器可以与第一电极重叠，并且在显示装置的平面图中具有第一圆形周界。第二滤光器可以与第二电极重叠，在显示装置的平面图中可以具有多边形周界，并且与第一滤光器间隔开。
在显示装置的平面图中，第一滤光器的面积可以大于第二滤光器的面积。
显示装置可以进一步包括第三晶体管、第三电极和第三滤光器。没有中间晶体管可以位于第二晶体管和第三晶体管之间。第三电极可以电连接到第三晶体管。第三滤光器可以与第三电极重叠，可以与第一滤光器和第二滤光器中的每一个间隔开，并且在显示装置的平面图中可以具有第二圆形周界。
在显示装置的平面图中，第三滤光器的面积可以大于第二滤光器的面积。
第二滤光器可以透射第一颜色的第一光。第一滤光器可以将第一颜色的第二光转换为第二颜色的光。第三滤光器可以将第一颜色的第三光转换为第三颜色的光。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以彼此不同。
显示装置的像素可以包括第一滤光器、第二滤光器和第三滤光器。像素可以发射第一颜色的第四光。
显示装置可以包括光阻挡构件。光阻挡构件可以包括至少一个开口。第一滤光器和第二滤光器中的至少一个可以至少部分地设置在至少一个开口内部。
至少一个开口可以包括第一开口和第二开口。第一滤光器可以至少部分地设置在第一开口内部。第二滤光器可以至少部分地设置在第二开口内部。
在显示装置的平面图中，第一开口的面积可以大于第二开口的面积。
光阻挡构件可以包括位于第一开口和第二开口之间的光阻挡部分。第二滤光器的一部分可以设置在第二开口的外部，并且可以与光阻挡部分重叠。
显示装置可以进一步包括第一基板。第一滤光器和第二滤光器中的每一个可以与第一基板重叠。第一滤光器的面可以面对第一基板。第二滤光器的面可以面对第一基板，并且可以位于比第一滤光器的面更接近或更远离第一基板的位置。
显示装置可以进一步包括第一基板和第一保护绝缘层。第一滤光器和第二滤光器中的每一个可以与第一基板重叠。光阻挡构件的面可以面对第一基板，并且可以直接接触第一保护绝缘层。
第一保护绝缘层的一部分可以设置在第一滤光器和第一基板之间，并且可以直接接触第一滤光器。第一保护绝缘层不设置在第二滤光器和第一基板之间，并且在垂直于第一基板的方向上，第一保护绝缘层的一部分与第二滤光器重叠。
第一保护绝缘层可以部分地设置在第二开口内部。
显示装置可以进一步包括以下元件：与第一滤光器和第二滤光器中的每一个重叠的第二基板；设置在第二基板和第一滤光器之间的第一滤色器；以及设置在第二基板和第二滤光器之间的第二滤色器。
第二滤色器可以与第二滤光器重叠并且可以包括第一滤色器开口。第一滤色器开口可以暴露第二基板的一部分。第二基板的该部分可以与第一滤光器重叠。
第一滤色器可以部分地设置在第一滤色器开口内部，并且可以包括第二滤色器开口。第二滤色器开口可以暴露第二滤色器的一部分。第二滤色器的该部分可以设置在第二滤色器开口和第二基板之间。
显示装置可以进一步包括第二保护绝缘层。第二保护绝缘层可以设置在第一滤色器和第一滤光器之间，并且可以设置在第二滤色器和第二滤光器之间。
第一保护绝缘层的第一部分和第二保护绝缘层的第一部分可以彼此重叠，并且可以通过第一滤光器彼此间隔开。第一保护绝缘层的第二部分和第二保护绝缘层的第二部分可以彼此直接接触，并且可以位于第二滤色器和第二滤光器之间。
显示装置可以进一步包括发光层和公共电极。发光层可以与第一电极和第二电极中的每一个重叠，可以设置在第一电极和第一滤光器之间，并且可以设置在第二电极和第二滤光器之间。公共电极可以与发光层重叠，可以设置在发光层和第一滤光器之间，并且可以设置在发光层和第二滤光器之间。
在显示装置的平面图中，第一电极可以具有圆形边界。在显示装置的平面图中，第二电极可以具有多边形边界。
在显示装置的平面图中，第一圆形周界可以围绕圆形边界，并且多边形周界可以围绕多边形边界。
在显示装置的平面图中，第一电极的面积可以大于第二电极的面积。
第一滤光器可以包括墨液材料。
显示装置包括在显示装置的平面图中各自具有圆形形状的第一滤光器和第三滤光器。由于基于预设面积圆的周长比多边形(例如，非对称多边形)的周长短，因此容纳第一滤光器和第三滤光器的光阻挡构件可以导致相对小的光损失。从显示装置的发光层发射的相对少量的光可以被光阻挡构件阻挡。有利地，显示装置可以具有令人满意的透光率和/或能量效率。
在实施例中，显示装置包括圆形的第一滤光器和第三滤光器以及矩形的第二滤光器。光阻挡构件的容纳第一滤光器、第二滤光器和第三滤光器的第一开口、第二开口和第三开口可以彼此充分分离，使得光阻挡构件的光阻挡部分可以充分宽。有利地，光阻挡构件的接触面积可以是充分的，并且光阻挡构件可以是牢固的并且可以不剥落。
在显示装置的制造方法中，滤色器可以彼此重叠以形成光阻挡构件。因此，不需要添加另外的光阻挡图案。有利地，可以最小化显示装置的制造成本。
位于开口之间的滤色器的部分可以充分宽。因此，光阻挡构件的工艺余量可以是充分的。有利地，可以最小化或基本上防止光阻挡构件的工艺缺陷。
第二滤光器可以通过使用利用相对便宜的负性光致抗蚀剂的光刻工艺而形成。有利地，可以最小化显示装置的制造成本。
附图说明
图1是根据实施例的示出显示装置的透视图。
图2是根据实施例的示出图1的显示装置的平面图。
图3是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的像素限定层的平面图。
图4是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的像素限定层和像素电极的平面图。
图5是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的光阻挡构件的平面图。
图6是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的光阻挡构件、第一滤光器、第二滤光器和第三滤光器的平面图。
图7是根据实施例的示出图5的‘A’区域的平面图。
图8是根据实施例的沿图2的线I-I’截取的截面图。
图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20是根据实施例的示出在显示装置的制造方法中形成的结构的截面图。
图21是根据实施例的示出显示装置的截面图。
图22是根据实施例的示出显示装置的截面图。
图23、图24、图25、图26、图27和图28是根据实施例的示出在显示装置的制造方法中形成的结构的截面图。
图29是根据实施例的示出显示装置的透视图。
图30是根据实施例的示出在图29的显示装置中包括的像素限定层的平面图。
图31是根据实施例的示出在图29的显示装置中包括的像素限定层和像素电极的平面图。
图32是根据实施例的示出在图29的显示装置中包括的光阻挡构件的平面图。
图33是根据实施例的示出在图29的显示装置中包括的光阻挡构件、第一滤光器、第二滤光器和第三滤光器的平面图。
图34是根据实施例的示出图32的‘B’区域的平面图。
具体实施方式
参考附图描述示例实施例。相同或相似的附图标记可以指代相同或相似的元件。
虽然术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一个元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可不需要或暗示第二元件或其它元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以用于区分元件的不同类别或集合。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一集合)”、“第二类别(或第二集合)”等。
术语“连接”可以意指“电连接”或“不通过中间晶体管电连接”。术语“绝缘”可以意指“电绝缘”或“电隔离”。术语“传导”可以意指“导电”。表达“透射第一颜色”可以意指“透射第一颜色的光”。表达“将第一颜色转换为第二颜色”可以意指“将第一颜色的光转换为第二颜色的光”。术语“下”和“上”可以指示两个相对的位置，而不要求“下”元件在“上”元件的下方。术语“底”和“顶”可以指示两个相对的位置，而不要求“底”元件在“顶”元件的下方。术语“半导体元件”可以意指“晶体管”。术语“图案”可以意指“构件”或“元件”。术语“宽度”可以意指“最大宽度”。术语“距离”可以意指“最小距离”。术语“表面”可以意指“面”。材料列表可以意指所列出的材料中的至少一种。开口与对象重叠的表达可以意指开口的位置与对象重叠和/或开口(至少部分地)暴露对象。
图1是根据实施例的示出显示装置的透视图。图2是根据实施例的示出图1的显示装置的平面图。图3是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的像素限定层的平面图。图4是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的像素限定层和像素电极的平面图。图5是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的光阻挡构件的平面图。图6是根据实施例的示出在图1的显示装置中包括的光阻挡构件、第一滤光器、第二滤光器和第三滤光器的平面图。
参考图1、图2、图3、图4、图5和图6，显示装置100可以包括下结构500和上结构600。下结构500和上结构600可以彼此直接接触，并且可以通过设置在显示装置100的最外周边上的密封构件彼此气密性地耦接。下结构500和上结构600可以彼此独立地制造，并且在上结构600位于下结构500上之后，上结构600和下结构500可以通过密封构件彼此气密性地耦接。
如图2中所示，显示装置100可以包括显示区域10和周边区域20。显示区域10可以包括多个像素区域30。像素区域30可以以矩阵的形式遍及整个显示区域10布置。像素区域30中的每一个可以包括第一子像素区域31、第二子像素区域32和第三子像素区域33。
在实施例中，在一个像素区域30中，第一子像素区域31和第二子像素区域32可以位于与显示装置100的顶表面平行的第一方向D1上。第一子像素区域31可以在与第一方向D1相反的第二方向D2上与第二子像素区域32间隔开。第三子像素区域33可以在与第一方向D1和第二方向D2正交的第三方向D3上与第二子像素区域32间隔开。一个像素区域30可以包括两个第二子像素区域32。两个第二子像素区域32中的一个可以在第一方向D1上与第一子像素区域31间隔开(并且在与第三方向D3相反的第四方向D4上与第三子像素区域33间隔开)，并且两个第二子像素区域32中的剩余一个可以在第三方向D3上与第一子像素区域31间隔开(并且在第二方向D2上与第三子像素区域33间隔开)。在实施例中，第一子像素区域31的位置和第三子像素区域33的位置可以彼此互换，并且第一子像素区域31和第三子像素区域33的位置可以与第二子像素区域32的位置互换。
在显示装置100的平面图中，第一子像素区域31的面积可以大于第二子像素区域32的面积，并且第三子像素区域33的面积可以大于第二子像素区域32的面积。第一子像素区域31的面积可以大于第三子像素区域33的面积。第一子像素区域31和第三子像素区域33中的每一个在平面图中可以具有圆形形状，并且第二子像素区域32在平面图中可以具有矩形形状。第一子像素区域31和第三子像素区域33中的一个在平面图中可以具有圆形形状，并且剩余的一个在平面图中可以具有基本上接近于圆的多边形形状。第一子像素区域31和第三子像素区域33中的一个在平面图中可以具有圆形形状，并且剩余的一个在平面图中可以具有矩形形状。
像素结构(包括半导体元件)可以设置在显示区域10中的第一子像素区域31、第二子像素区域32和第三子像素区域33中，并且光阻挡构件可以设置在显示区域10中的除了第一子像素区域31、第二子像素区域32和第三子像素区域33之外的剩余区域中。密封构件、信号线和电源线等可以设置在周边区域20中。
一个像素区域30可以具有一个第二子像素区域32或至少三个第二子像素区域32。
第一子像素区域31和第三子像素区域33中的每一个在平面图中可以具有轨道形状或椭圆形状。
显示区域10、周边区域20和第二子像素区域32中的每一个在平面图中可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道形状或椭圆形状。
如图3和图4中所示，下结构500可以包括第一基板110、像素限定层310、第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c等。第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c可以设置在第一基板110上，并且像素限定层310可以与第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c中的每一个部分地重叠。像素限定层310可以部分地暴露第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c中的每一个。像素限定层310可以包括第一圆形开口310a、矩形开口310b和第二圆形开口310c。第一圆形开口310a可以暴露第一像素电极290a的一部分，矩形开口310b可以暴露第二像素电极290b的一部分，并且第二圆形开口310c可以暴露第三像素电极290c的一部分。第一圆形开口310a可以对应于第一子像素区域31，矩形开口310b可以对应于第二子像素区域32，并且第二圆形开口310c可以对应于第三子像素区域33。第一圆形开口310a的尺寸可以与第一子像素区域31的尺寸基本上相同，矩形开口310b的尺寸可以与第二子像素区域32的尺寸基本上相同，并且第二圆形开口310c的尺寸可以与第三子像素区域33的尺寸基本上相同。由像素限定层310暴露的第一像素电极290a可以对应于第一子像素区域31，由像素限定层310暴露的第二像素电极290b可以对应于第二子像素区域32，并且由像素限定层310暴露的第三像素电极290c可以对应于第三子像素区域33。
在显示装置100的平面图中，第一像素电极290a和第三像素电极290c中的每一个可以具有圆形形状，并且第二像素电极290b可以具有矩形形状。第一像素电极290a和第三像素电极290c中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有基本上接近于圆的多边形形状。第一像素电极290a和第三像素电极290c中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
如图5和图6中所示，上结构600可以包括第二基板410、光阻挡构件420以及包括第一滤光器531、第二滤光器532和第三滤光器533的滤光器530等。光阻挡构件420可以设置在第二基板410的底表面上，并且光阻挡构件420可以包括第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c。
在显示装置100的平面图中(或从与第二基板410的顶表面垂直的方向看)，第一开口420a和第三开口420c中的每一个可以具有圆形形状，并且第二开口420b可以具有矩形形状。第一滤光器531可以设置在第一开口420a中，第二滤光器532可以设置在第二开口420b中，并且第三滤光器533可以设置在第三开口420c中。由于第一开口420a和第三开口420c中的每一个具有圆形形状，并且第二开口420b具有矩形形状，因此第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个也可以具有圆形形状，并且第二滤光器532也可以具有矩形形状。
第一开口420a和第三开口420c中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有基本上接近于圆的多边形形状。第一开口420a和第三开口420c中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
第一滤光器531和第三滤光器533中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有基本上接近于圆的多边形形状。第一滤光器531和第三滤光器533中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
在显示装置100的平面图中，第一滤光器531(或第一开口420a)的面积可以大于第二滤光器532(或第二开口420b)的面积，并且第三滤光器533(或第三开口420c)的面积可以大于第二滤光器532(或第二开口420b)的面积。第一滤光器531(或第一开口420a)的面积可以大于第三滤光器533(或第三开口420c)的面积。
第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c可以分别与第一子像素区域31(或第一圆形开口310a)、第二子像素区域32(或矩形开口310b)和第三子像素区域33(或第二圆形开口310c)重叠(或相对应)，并且第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c的尺寸可以分别大于第一子像素区域31(或第一圆形开口310a)、第二子像素区域32(或矩形开口310b)和第三子像素区域33(或第二圆形开口310c)的尺寸。
发光层可以设置在像素限定层310的第一圆形开口310a、矩形开口310b和第二圆形开口310c中。从发光层发射的光可以穿过设置在光阻挡构件420的第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c中的滤光器530，以在显示装置100的外部可见。
图7是示出图5的‘A’区域的平面图，并且图8是沿图2的线I-I’截取的截面图。
参考图7、图8、图12和图19，显示装置100可以包括下结构500和上结构600。
下结构500可以包括第一基板110、第一半导体元件250_1、第二半导体元件250_2、第三半导体元件250_3、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、像素结构200、像素限定层310和薄膜封装结构450等。像素结构200可以包括第一下电极290_1、第二下电极290_2、第三下电极290_3、发光层330和上电极340。第一下电极290_1、发光层330和上电极340被限定为第一子像素结构；第二下电极290_2、发光层330和上电极340被限定为第二子像素结构；并且第三下电极290_3、发光层330和上电极340被限定为第三子像素结构。第一半导体元件250_1可以包括第一有源层130_1、第一栅电极170_1、第一源电极210_1和第一漏电极230_1；第二半导体元件250_2可以包括第二有源层130_2、第二栅电极170_2、第二源电极210_2和第二漏电极230_2；并且第三半导体元件250_3可以包括第三有源层130_3、第三栅电极170_3、第三源电极210_3和第三漏电极230_3。薄膜封装结构450可以包括第一无机薄膜封装层451、有机薄膜封装层452和第二无机薄膜封装层453。如图3中所示，像素限定层310可以包括第一圆形开口310a、矩形开口310b和第二圆形开口310c。
上结构600可以包括第一保护绝缘层495、第二保护绝缘层490、滤光器530、中间层497、滤色器510、光阻挡构件420和第二基板410等。滤光器530可以包括第一滤光器531(例如，第一量子点图案)、第二滤光器532(例如，散射图案)和第三滤光器533(例如，第二量子点图案)。滤色器510可以包括第一滤色器511、第二滤色器512和第三滤色器513。
参考图2，第一子像素结构可以设置在第一子像素区域31中，第二子像素结构可以设置在第二子像素区域32中，并且第三子像素结构可以设置在第三子像素区域33中。显示装置100可以使用第一子像素结构至第三子像素结构来显示图像。
再次参考图8，第一基板110可以包括透明或不透明材料。第一基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟掺杂石英(F掺杂石英)基板、钠钙玻璃基板和无碱玻璃基板等中的至少一种。
第一基板110可以是具有柔性的透明树脂基板。透明树脂基板可以包括聚酰亚胺基板。聚酰亚胺基板可以具有包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层等的堆叠结构。
缓冲层可以设置在第一基板110上。缓冲层可以设置在整个第一基板110上面。缓冲层可以防止金属原子或杂质从第一基板110扩散到半导体元件和子像素结构，并且可以在用于形成有源层的结晶化工艺期间控制热传递速率以获得基本上均匀的有源层。如果第一基板110的表面不均匀，则缓冲层可以在第一基板110上面提供平坦的表面。根据第一基板110的类型，可以在第一基板110上提供至少两个缓冲层，或者可以不提供缓冲层。缓冲层可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。
第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3可以设置在第一基板110上并且可以彼此间隔开。第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3中的每一个可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)或有机半导体等，并且可以包括源区和漏区。
栅绝缘层150可以设置在第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3上。栅绝缘层150可以覆盖第一基板110上的第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3，并且可以设置在整个第一基板110上面。栅绝缘层150可以充分覆盖第一基板110上的第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不会在第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3周围造成台阶。栅绝缘层150可以沿着第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖第一基板110上的第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3。栅绝缘层150可以包括硅化合物或金属氧化物等。栅绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)或氧化钛(TiOx)等。栅绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。绝缘层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3可以设置在栅绝缘层150上并且可以彼此间隔开。第一栅电极170_1可以设置在栅绝缘层150上并且可以与第一有源层130_1重叠；第二栅电极170_2可以设置在栅绝缘层150上并且可以与第二有源层130_2重叠；并且第三栅电极170_3可以设置在栅绝缘层150上并且可以与第三有源层130_3重叠。第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它实施例中，第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。各金属层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
层间绝缘层190可以设置在第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3上。层间绝缘层190可以覆盖第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3，并且可以设置在栅绝缘层150的整个面上面。层间绝缘层190可以充分覆盖第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不会在第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3周围造成台阶。层间绝缘层190可以沿着第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3。层间绝缘层190可以包括硅化合物或金属氧化物等。层间绝缘层190可以具有包括多个绝缘层的多层结构。绝缘层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
第一源电极210_1、第一漏电极230_1、第二源电极210_2、第二漏电极230_2、第三源电极210_3和第三漏电极230_3可以设置在层间绝缘层190上，并且可以彼此间隔开。第一源电极210_1可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分而形成的接触孔连接到第一有源层130_1的源区，并且第一漏电极230_1可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分而形成的接触孔连接到第一有源层130_1的漏区。第二源电极210_2可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第三部分而形成的接触孔连接到第二有源层130_2的源区，并且第二漏电极230_2可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第四部分而形成的接触孔连接到第二有源层130_2的漏区。第三源电极210_3可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第五部分而形成的接触孔连接到第三有源层130_3的源区，并且第三漏电极230_3可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第六部分而形成的接触孔连接到第三有源层130_3的漏区。第一源电极至第三源电极210_1、210_2和210_3以及第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。第一源电极至第三源电极210_1、210_2和210_3以及第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。金属层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
第一半导体元件250_1可以包括第一有源层130_1、第一栅电极170_1、第一源电极210_1和第一漏电极230_1。第二半导体元件250_2可以包括第二有源层130_2、第二栅电极170_2、第二源电极210_2和第二漏电极230_2。第三半导体元件250_3可以包括第三有源层130_3、第三栅电极170_3、第三源电极210_3和第三漏电极230_3。
显示装置100可以在每个像素中具有包括多个晶体管和多个电容器的配置。
第一半导体元件至第三半导体元件250_1、250_2和250_3中的每一个可以具有底栅结构和/或双栅结构。
栅绝缘层150和层间绝缘层190可以被包括在第一半导体元件至第三半导体元件250_1、250_2和250_3中的每一个中。
平坦化层270可以设置在层间绝缘层190和第一半导体元件至第三半导体元件250_1、250_2和250_3上。平坦化层270可以充分厚以充分覆盖层间绝缘层190上的第一源电极至第三源电极210_1、210_2和210_3以及第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3。平坦化层270可以具有基本上平坦的顶表面。为了实施平坦化层270的平坦的顶表面，可以在平坦化层270上执行平坦化工艺。平坦化层270可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料等。平坦化层270可以包括有机绝缘材料。
第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3可以设置在平坦化层270上并且可以彼此间隔开。如图3和图4中所示，第一像素电极290a可以设置在平坦化层270上并且可以与像素限定层310的第一圆形开口310a重叠；第二像素电极290b可以设置在平坦化层270上并且可以与矩形开口310b重叠；并且第三像素电极290c可以设置在平坦化层270上并且可以与第二圆形开口310c重叠。在显示装置100的平面图中，第一像素电极290a可以具有圆形形状，第二像素电极290b可以具有矩形形状，并且第三像素电极290c可以具有圆形形状。在显示装置100的平面图中，第一像素电极290a和第三像素电极290c中的每一个的面积可以大于第二像素电极290b的面积。第一像素电极290a的面积可以大于第三像素电极290c的面积。
第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3可以突出到平坦化层270中以分别连接到第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3。第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3可以分别电连接到第一半导体元件至第三半导体元件250_1、250_2和250_3。第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等。例如，第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)或氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。各金属层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
像素限定层310可以部分地覆盖第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3以及平坦化层270中的每一个。像素限定层310可以覆盖第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个的外周边，并且可以暴露第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个的顶表面的一部分。像素限定层310可以包括分别暴露第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3的顶表面的一部分的第一圆形开口310a、矩形开口310b和第二圆形开口310c。在显示装置100的平面图中，如图3中所示，第一圆形开口310a可以具有圆形形状，矩形开口310b可以具有矩形形状，并且第二圆形开口310c可以具有圆形形状。在显示装置100的平面图中，第一圆形开口310a的面积和第二圆形开口310c的面积中的每一个可以大于矩形开口310b的面积。第一圆形开口310a的面积可以大于第二圆形开口310c的面积。
在显示装置100的平面图中，第一圆形开口310a和第二圆形开口310c中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有基本上接近于圆的多边形形状。在显示装置100的平面图中，第一圆形开口310a和第二圆形开口310c中的一个可以具有圆形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
像素限定层310可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。像素限定层310可以包括有机绝缘材料。像素限定层310可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂等。
发光层330可以设置在像素限定层310上以及第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个的由像素限定层310暴露的顶表面部分上。发光层330可以连续地设置在第一基板110上，并且可以一体地形成。发光层330可以由用于发射蓝光的发光材料形成。由于发光层330发射蓝光，因此穿过第二滤光器532以通过第二滤色器512被发射到外部的蓝光的光损失率可以基本上小。因此，可以最小化矩形开口310b的尺寸。
发光层330可以通过堆叠用于产生不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)以整体发射白光的多个发光材料层而形成。
上电极340可以设置在像素限定层310和发光层330上。上电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。上电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。金属层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
第一子像素结构可以包括第一下电极290_1、发光层330和上电极340；第二子像素结构可以包括第二下电极290_2、发光层330和上电极340；并且第三子像素结构可以包括第三下电极290_3、发光层330和上电极340。像素结构200可以包括第一下电极290_1、第二下电极290_2、第三下电极290_3、发光层330和上电极340。
第一无机薄膜封装层451可以设置在上电极340上。第一无机薄膜封装层451可以沿着上电极340的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖上电极340。第一无机薄膜封装层451可以防止像素结构200由于水分和氧气等的渗透而潜在地导致的劣化。第一无机薄膜封装层451也可以保护像素结构200免受外部冲击。第一无机薄膜封装层451可以包括具有柔性的无机绝缘材料。
有机薄膜封装层452可以设置在第一无机薄膜封装层451上。有机薄膜封装层452可以改善显示装置100的平坦度，并且可以保护像素结构200。有机薄膜封装层452可以包括具有柔性的有机绝缘材料。
第二无机薄膜封装层453可以设置在有机薄膜封装层452上。第二无机薄膜封装层453可以沿着有机薄膜封装层452的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖有机薄膜封装层452。第二无机薄膜封装层453可以防止像素结构200由于水分和氧气等的渗透而潜在地导致的劣化。与第一无机薄膜封装层451和有机薄膜封装层452一起，第二无机薄膜封装层453也可以保护像素结构200免受外部冲击。第二无机薄膜封装层453可以包括具有柔性的无机绝缘材料。
包括第一无机薄膜封装层451、有机薄膜封装层452和第二无机薄膜封装层453的薄膜封装结构450可以设置在中间层497和上电极340之间。薄膜封装结构450可以具有其中堆叠有第一薄膜封装层至第五薄膜封装层的五层结构，或者其中堆叠有第一薄膜封装层至第七薄膜封装层的七层结构。
下结构500可以包括第一基板110、第一半导体元件250_1、第二半导体元件250_2、第三半导体元件250_3、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、像素结构200、像素限定层310和薄膜封装结构450。
第二基板410可以设置在薄膜封装结构450上。第二基板410可以面对第一基板110(即，可以与第一基板110相对)。第二基板410和第一基板110可以包括基本上相同的材料。第二基板410可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟掺杂石英基板、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等。
第二滤色器512可以设置在第二基板410的底表面上。第二滤色器512可以设置在第二基板410和第二滤光器532之间，并且可以与第二滤光器532重叠。如图13中所示，第二滤色器512可以具有开口512a和512b。第二滤色器512可以设置在第二子像素区域32中，可以在第一方向至第四方向D1、D2、D3和D4上延伸，并且可以包括分别暴露第一滤光器531和第三滤光器533的开口512a和512b。第二滤色器512的与第二像素电极290b重叠的部分可以透射蓝光并且可以具有第一颜色(例如，蓝色)。
第一滤色器511可以设置在第二基板410和第二滤色器512下面。第一滤色器511可以设置在第二基板410和第一滤光器531之间，并且可以与第一滤光器531重叠。如图14中所示，第一滤色器511可以具有开口511a和511b。第一滤色器511可以设置在第二滤色器512的开口512a中(或者可以与第一滤光器531重叠)，并且可以在第一方向至第四方向D1、D2、D3和D4上延伸。开口511a可以暴露第二滤色器512的开口512b，并且可以部分地暴露或容纳第三滤光器533。开口511b可以暴露第二滤色器512的底表面的一部分，并且可以部分地暴露或容纳第二滤光器532。第一滤色器511的与第一像素电极290a重叠的部分可以透射红光并且可以具有第二颜色(例如，红色)。
第三滤色器513可以设置在第二基板410和第一滤色器511下面。第三滤色器513可以设置在第二基板410和第三滤光器533之间，并且可以与第三滤光器533重叠。第三滤色器513可以设置在第一滤色器511的开口511a中(或者可以与第三滤光器533重叠)，可以在第一方向至第四方向D1、D2、D3和D4上延伸，可以包括暴露第一滤色器511的开口511b并且部分地暴露或容纳第二滤光器532的第一开口，并且可以包括暴露第一滤色器511的底表面的一部分并且部分地暴露或容纳第一滤光器531的第二开口。第三滤色器513的与第三像素电极290c重叠的部分可以透射绿光并且可以具有第三颜色(例如，绿色)。
滤色器510可以包括第一滤色器511、第二滤色器512和第三滤色器513。参考图13、图14和图15，第二滤色器512的开口512a和第三滤色器513的第二开口被限定为滤色器510的第一开口510a；第一滤色器511的开口511b和第三滤色器513的第一开口被限定为滤色器510的第二开口510b；并且第二滤色器512的开口512b和第一滤色器511的开口511a被限定为滤色器510的第三开口510c。滤色器510可以包括光敏树脂或颜色光致抗蚀剂。
第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c可以由设置在第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c的侧部的第一滤色器511的一部分、第二滤色器512的一部分和第三滤色器513的一部分限定。由于第一滤色器511的一部分、第二滤色器512的一部分和第三滤色器513的一部分可以重叠以阻挡光，因此不需要添加限定第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c的光阻挡图案。
滤色器510可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。
可以根据实施例来配置滤色器510的布置和/或顺序。
如图7和图15中所示，第一开口510a可以具有第四宽度a2，第二开口510b可以具有第五宽度b2，并且第三开口510c可以具有第六宽度c2。第四宽度a2可以大于第五宽度b2，并且第六宽度c2可以大于第五宽度b2。第四宽度a2可以大于第六宽度c2。第四宽度a2可以是大约77微米，第五宽度b2可以是大约38微米，并且第六宽度c2可以是大约73微米。从第一开口510a到第三开口510c的间距d1可以是大约56微米，从第一开口510a到第二开口510b的间距可以大于大约40微米，并且从第三开口510c至第二开口510b的间距可以大于大约40微米。
第二保护绝缘层490可以设置在滤色器510下面。第二保护绝缘层490可以覆盖第二基板410的底表面上的滤色器510。第二保护绝缘层490可以沿着滤色器510的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖第二基板410的底表面上的滤色器510。第二保护绝缘层490可以充分覆盖第二基板410的底表面上的滤色器510，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不会在滤色器510周围造成台阶。第二保护绝缘层490可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第二保护绝缘层490可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料。第二保护绝缘层490可以具有包括多个绝缘层的多层结构。绝缘层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
折射率转换层可以设置在第二保护绝缘层490和滤光器530之间。已穿过滤光器530的光在穿过滤色器510之前可以穿过折射率转换层，并且光的折射率可以被改变。折射率转换层可以包括具有预定折射率的中空二氧化硅。
光阻挡构件420可以设置在第二保护绝缘层490的底表面上。光阻挡构件420可以设置在像素结构200上。如图16中所示，光阻挡构件420可以包括第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c。光阻挡构件420可以包括光阻挡部分以及包括第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c的开口部分。光阻挡部分可以与限定第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c的第一滤色器511的部分、第二滤色器512的部分和第三滤色器513的部分重叠。在显示装置100的平面图中，如图5和图6中所示，第一开口420a可以具有圆形形状，第二开口420b可以具有矩形形状，并且第三开口420c可以具有圆形形状。第一开口420a和第三开口420c中的每一个的面积可以大于第二开口420b的面积。第一开口420a的面积可以大于第三开口420c的面积。光阻挡构件420可以具有包括第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c的平面形状。滤色器510的第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c可以分别与光阻挡构件420的第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c重叠。
如图7和图16中所示，第一开口420a可以具有第一宽度a1，第二开口420b可以具有第二宽度b1，并且第三开口420c可以具有第三宽度c1。第一宽度a1可以大于第二宽度b1，并且第三宽度c1可以大于第二宽度b1。第一宽度a1可以大于第三宽度c1。第一宽度a1可以是大约113微米，第二宽度b1可以大于大约38微米，并且第三宽度c1可以是大约109微米。从第一开口420a到第三开口420c的间距d3可以是大约20微米，从第一开口420a到第二开口420b的间距d4可以是大约22微米，并且从第三开口420c到第二开口420b的间距可以是大约22微米。从第三开口510c到第二开口420b的间距d2可以大于大约40微米。
光阻挡构件420可以阻挡或吸收从外部入射的光。光阻挡构件420可以防止在滤光器530中可能发生的颜色混合现象。例如，如果显示装置100不包括光阻挡构件420，则入射在第三滤光器533上的光中的一部分可以入射在第一滤光器531上，并且该光中的其余部分可以入射在第二滤光器532上。可能发生颜色混合现象。
光阻挡构件420可以包括诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂的有机材料。光阻挡构件420可以是基本上不透明的。光阻挡构件420可以进一步包括用于吸收光的光阻挡材料。光阻挡材料可以包括炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花青黑、苯胺黑酸黑或黑树脂等。
第一滤光器531可以设置在第二保护绝缘层490的底表面上以及光阻挡构件420的第一开口420a中。第一滤光器531可以设置在像素结构200上并且可以与第一像素电极290a重叠。参考图6，由于第一滤光器531设置于在平面图中具有圆形形状的第一开口420a中，因此第一滤光器531在平面图中也可以具有圆形形状。第一滤光器531的面积可以大于第二滤光器532的面积。第一滤光器531可以与第一滤色器511重叠。第一滤光器531可以通过光阻挡构件420的光阻挡部分与第二滤光器532和第三滤光器533中的每一个间隔开。第一滤光器531可以将蓝光转换为红光。第一滤光器531可以包括配置为吸收蓝光并发射红光的多个量子点。
第三滤光器533可以设置在第二保护绝缘层490的底表面上以及光阻挡构件420的第三开口420c中。第三滤光器533可以设置在像素结构200上并且可以与第三像素电极290c重叠。参考图6，由于第三滤光器533设置于在平面图中具有圆形形状的第三开口420c中，因此第三滤光器533在平面图中也可以具有圆形形状。第三滤光器533的面积可以大于第二滤光器532的面积。第三滤光器533可以与第三滤色器513重叠。第三滤光器533可以通过光阻挡构件420的光阻挡部分与第一滤光器531和第二滤光器532中的每一个间隔开。第三滤光器533可以将蓝光转换为绿光。第三滤光器533可以包括配置为吸收蓝光并发射绿光的多个量子点。
第一滤光器531和第三滤光器533可以设置在同一层上(例如，各自直接接触第二保护绝缘层490的底表面)。第一滤光器531的底表面的水平和第三滤光器533的底表面的水平可以是共面的。
在第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个中包括的量子点可以包括硅(Si)类纳米晶、II-VI族类化合物半导体纳米晶、III-V族类化合物半导体纳米晶和IV-VI族类化合物半导体纳米晶当中的一种纳米晶或者它们的混合物。II-VI族类化合物半导体纳米晶可以是选自由以下组成的组中的一种：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe。III-V族类化合物半导体纳米晶可以是选自由以下组成的组中的一种：GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs。IV-VI族类化合物半导体纳米晶可以是SbTe。
即使当在第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个中包括的量子点包括相同的材料时，发射波长也可以根据量子点的尺寸而变化。随着量子点的尺寸减小，可以发射较短波长的光。可以通过调节在第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个中包括的量子点的尺寸来发射期望的可见光区域内的光。
在第一滤光器531和第三滤光器533中包括的量子点可以由相同的材料形成，并且在第一滤光器531中包括的量子点的(平均、最大或最小)尺寸可以大于在第三滤光器533中包括的量子点的(平均、最大或最小)尺寸。
第一保护绝缘层495可以直接设置在第一滤光器531、第三滤光器533、光阻挡构件420以及第二保护绝缘层490的一部分下面。第一保护绝缘层495可以覆盖第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420。第二保护绝缘层490和第一保护绝缘层495可以通过第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个彼此间隔开，并且第二保护绝缘层490和第一保护绝缘层495可以通过第二开口420b彼此直接接触。第一保护绝缘层495可以设置在第二开口420b内部，使得第一保护绝缘层495可以不设置在第二滤光器532的底表面上，并且第一保护绝缘层495可以不设置在第一开口420a和第三开口420c内部，使得第一保护绝缘层495可以不设置在第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个的顶表面上。第一保护绝缘层495可以沿着第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420。第一保护绝缘层495可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第一保护绝缘层495可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料。第一保护绝缘层495可以具有包括多个绝缘层的多层结构。绝缘层可以具有不同的厚度，和/或可以包括不同的材料。
第二滤光器532可以设置在第一保护绝缘层495的底表面上以及光阻挡构件420的第二开口420b中。第二滤光器532可以设置在像素结构200上并且可以与第二像素电极290b重叠。参考图6，由于第二滤光器532设置于在平面图中具有矩形形状的第二开口420b中，因此第二滤光器532在平面图中也可以具有矩形形状。在显示装置100的平面图中，第二滤光器532的面积可以小于第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个的面积。第二滤光器532可以与第二滤色器512重叠。第二滤光器532可以通过光阻挡构件420的光阻挡部分与第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个间隔开。第二滤光器532可以透射蓝光。第二滤光器532可以包括发射蓝光而没有显著颜色改变的散射材料。第二滤光器532可以不包括量子点。第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个可以进一步包括散射材料。在显示装置100的平面图中，第一滤光器531的圆形形状的周界可以围绕第一像素电极290a的圆形形状的边界，并且第二滤光器532的多边形形状的周界可以围绕第二像素电极290b的多边形形状的边界。
由于第二滤光器532设置在第一保护绝缘层495的底表面上，因此第二滤光器532的顶表面可以不与第一滤光器531的顶表面和第三滤光器533的顶表面中的任一个共面。第二滤光器532的底表面的水平可以不与第一滤光器531的底表面的水平和第三滤光器533的底表面的水平中的任一个共面。第二滤光器532的底表面可以比第一滤光器531的底表面和第三滤光器533的底表面中的每一个更接近薄膜封装结构450的顶表面。
第二滤光器532可以包括TiO、ZrO、AlO3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3或ITO等。第二滤光器532可以包括散射蓝光而不显著转换蓝光的颜色的材料。
可以根据实施例配置第一滤光器531、第三滤光器533和第二滤光器532的布置或顺序。
滤光器530可以包括第一滤光器531、第二滤光器532和第三滤光器533。
中间层497可以设置在第一保护绝缘层495和第二滤光器532下面。中间层497可以设置在第一保护绝缘层495的底表面上并且可以覆盖第二滤光器532。中间层497可以充分厚以充分覆盖第二滤光器532。中间层497可以设置在薄膜封装结构450上。中间层497可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料等。
密封构件可以设置在第一基板110和第二基板410之间的周边区域20中。密封构件可以基本上围绕显示区域10。密封构件可以与第二基板410的底表面和第一基板110的顶表面接触。至少一个绝缘层(例如，栅绝缘层150、层间绝缘层190、第一无机薄膜封装层451、第二无机薄膜封装层453等)可以介于密封构件的底表面和第一基板110的顶表面之间。
密封构件可以包括非传导材料。密封构件可以包括玻璃料等。密封构件可以另外包括光固化材料。密封构件可以包括有机材料和光固化材料的混合物，并且该混合物可以使用紫外线(UV)、激光或可见光等照射以被固化，使得可以获得密封构件。在密封构件中包括的光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯类树脂、聚酯丙烯酸酯类树脂、聚氨酯丙烯酸酯类树脂、聚丁二烯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸酯类树脂或烷基丙烯酸酯类树脂等。
激光可以照射到有机材料和光固化材料的混合物上。当照射激光时，混合物可以从固态改变为液态，并且液态的混合物可以在预定时间之后固化为固态。第二基板410可以耦接到第一基板110，并且可以根据混合物的状态改变相对于第一基板110被密封。
上结构600可以包括第二保护绝缘层490、第一保护绝缘层495、滤光器530、中间层497、滤色器510、光阻挡构件420和第二基板410。显示装置100可以包括图8中所示的下结构500和上结构600。
显示装置100可以是或包括液晶显示装置(LCD)、场发射显示装置(FED)、等离子体显示装置(PDP)或电泳显示装置(EPD)。其上设置滤光器530和滤色器510等的第二基板410可以是液晶显示装置、场发射显示装置、等离子体显示装置或电泳显示装置的第二基板。
在显示装置中，可以通过使用喷墨工艺在光阻挡构件的开口中形成滤光器(例如，量子点层)。由于需要用于设置墨液的最小体积余量，因此光阻挡构件的开口可以具有多边形形状。滤光器也可以具有多边形形状。考虑到其中形成滤光器的预设面积，光阻挡构件可导致不期望的大的光损失。因为基于相同面积多边形的周长相对长，所以从发光层发射的相对大量的光可以被围绕具有多边形形状的开口的光阻挡部分阻挡。如果显示装置的分辨率高，则子像素区域的尺寸可以基本上小，并且滤光器和光阻挡构件中的每一个的尺寸可以基本上小。在这种情况下，光阻挡构件的光阻挡部分的线宽(例如，位于相邻开口之间的光阻挡构件的宽度)可以基本上小，使得光阻挡构件可以具有小的接触面积并且可能会剥落。
显示装置100包括在平面图中具有圆形形状的第一滤光器531和第三滤光器533。因为基于预设面积圆的周长比多边形(例如，不对称多边形)的周长短，所以包括具有圆形形状的第一开口420a和第三开口430c的光阻挡构件420可导致相对小的光损失。从发光层330发射的仅相对少量的光可以被光阻挡构件420阻挡。有利地，显示装置100可以具有高透光率。
由于显示装置100包括具有圆形形状的第一滤光器531和第三滤光器533以及具有矩形形状的第二滤光器532，因此光阻挡构件420的第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c可以彼此充分分离，使得光阻挡构件420的光阻挡部分可以充分宽。有利地，光阻挡构件420的接触面积可以充分大，并且光阻挡构件420可以不剥落。
图9至图20是根据实施例的示出在显示装置的制造方法中形成的结构的截面图。
参考图9，可以提供包括透明或不透明材料的第一基板110。第一基板110可以是或包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟掺杂石英基板、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等。
第一基板110可以是具有柔性的透明树脂基板。可以用作第一基板110的透明树脂基板的示例可以包括聚酰亚胺基板。聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层等。聚酰亚胺基板可以具有其中第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层顺序地堆叠在刚性玻璃基板上的配置。在制造显示装置的方法中，在聚酰亚胺基板的第二聚酰亚胺层上形成绝缘层(例如，缓冲层)之后，可以在绝缘层上形成半导体元件和子像素结构等。在形成半导体元件和子像素结构之后，可以去除刚性玻璃基板。换句话说，由于聚酰亚胺基板是薄的和柔性的，因此可能难以在聚酰亚胺基板上直接形成半导体元件和子像素结构。考虑到这一点，在通过使用刚性玻璃基板形成半导体元件和子像素结构之后，可以去除刚性玻璃基板，使得聚酰亚胺基板可以被用作第一基板110。
缓冲层可以形成在第一基板110上。缓冲层可以设置在整个第一基板110上面。根据第一基板110的类型，可以在第一基板110上提供至少两个缓冲层，或者可以不形成缓冲层。可以通过使用有机材料或无机材料来形成缓冲层。
第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3可以形成在第一基板110上并且可以彼此间隔开。第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3中的每一个可以通过使用氧化物半导体、无机半导体或有机半导体等形成，并且可以包括源区和漏区。第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3可以通过使用相同的材料同时形成在同一层上。
栅绝缘层150可以形成在第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3上。栅绝缘层150可以覆盖第一基板110上的第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3，并且可以形成在整个第一基板110上面。栅绝缘层150可以充分覆盖第一基板110上的第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不会在第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3周围造成台阶。栅绝缘层150可以沿着第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖第一基板110上的第一有源层至第三有源层130_1、130_2和130_3。栅绝缘层150可以由硅化合物或金属氧化物等形成。栅绝缘层150可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx或TiOx等。
第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3可以形成在栅绝缘层150上并且可以彼此间隔开。第一栅电极170_1可以形成在栅绝缘层150的第一有源层130_1位于其下面的一部分上，第二栅电极170_2可以形成在栅绝缘层150的第二有源层130_2位于其下面的部分上，并且第三栅电极170_3可以形成在栅绝缘层150的第三有源层130_3位于其下面的部分上。第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3中的每一个可以通过使用金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3可以通过使用相同的材料同时形成在同一层上。
层间绝缘层190可以形成在第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3上。层间绝缘层190可以覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3，并且可以形成在整个栅绝缘层150上面。层间绝缘层190可以充分覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不会在第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3周围造成台阶。层间绝缘层190可以沿着第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极至第三栅电极170_1、170_2和170_3。层间绝缘层190可以由硅化合物或金属氧化物等形成。
第一源电极210_1、第一漏电极230_1、第二源电极210_2、第二漏电极230_2、第三源电极210_3和第三漏电极230_3可以形成在层间绝缘层190上，并且可以彼此间隔开。第一源电极210_1可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分而形成的接触孔连接到第一有源层130_1的源区，并且第一漏电极230_1可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分而形成的接触孔连接到第一有源层130_1的漏区。第二源电极210_2可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第三部分而形成的接触孔连接到第二有源层130_2的源区，并且第二漏电极230_2可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第四部分而形成的接触孔连接到第二有源层130_2的漏区。第三源电极210_3可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第五部分而形成的接触孔连接到第三有源层130_3的源区，并且第三漏电极230_3可以通过经去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第六部分而形成的接触孔连接到第三有源层130_3的漏区。第一源电极至第三源电极210_1、210_2和210_3以及第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3中的每一个可以由金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。第一源电极至第三源电极210_1、210_2和210_3以及第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3可以通过使用相同的材料同时形成在同一层上。
因此，可以形成包括第一有源层130_1、第一栅电极170_1、第一源电极210_1和第一漏电极230_1的第一半导体元件250_1，可以形成包括第二有源层130_2、第二栅电极170_2、第二源电极210_2和第二漏电极230_2的第二半导体元件250_2，并且可以形成包括第三有源层130_3、第三栅电极170_3、第三源电极210_3和第三漏电极230_3的第三半导体元件250_3。
参考图10，平坦化层270可以形成在层间绝缘层190以及第一半导体元件至第三半导体元件250_1、250_2和250_3上。平坦化层270可以具有相对厚的厚度以充分覆盖层间绝缘层190上的第一源电极至第三源电极210_1、210_2和210_3以及第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3。平坦化层270可以具有基本上平坦的顶表面。为了实施平坦化层270的这样的平坦的顶表面，可以在平坦化层270上另外执行平坦化工艺。平坦化层270可以由有机材料形成。
第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3可以形成在平坦化层270上并且可以彼此间隔开。如图4中所示，第一像素电极290a可以具有圆形形状，第二像素电极290b可以具有矩形形状，并且第三像素电极290c可以具有圆形形状。第一像素电极290a和第三像素电极290c中的每一个的面积可以大于第二像素电极290b的面积。第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3可以穿过平坦化层270以分别连接到第一漏电极至第三漏电极230_1、230_2和230_3。第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个可以由金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等形成。例如，第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个可以包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、含铝合金、AlNx、含银合金、WNx、含铜合金、含钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SrRuxOy、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx或IZO等。这些可以单独使用或彼此组合使用。第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3可以通过使用相同的材料同时形成在同一层上。
参考图3、图4和图11，像素限定层310可以形成在第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个的一部分以及平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3的两个侧部(例如，外周边)，并且可以暴露第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3中的每一个的顶表面的一部分。像素限定层310可以形成有分别暴露第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3的顶表面的一部分的第一圆形开口310a、矩形开口310b和第二圆形开口310c。第一圆形开口310a可以具有圆形形状，矩形开口310b可以具有矩形形状，并且第二圆形开口310c可以具有圆形形状。第一圆形开口310a和第二圆形开口310c中的每一个的面积可以大于矩形开口310b的面积。像素限定层310可以由有机绝缘材料形成。像素限定层310可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂等。
参考图12，发光层330可以形成在由像素限定层310暴露的第一下电极至第三下电极290_1、290_2和290_3上。发光层330可以连续地(或一体地)形成在第一基板110上。发光层330可以由用于发射蓝光的发光材料形成。可以通过堆叠用于产生诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色的光以整体上发射白光的多种发光材料来形成发光层330。
上电极340可以在显示区域10中形成在像素限定层310和发光层330上。上电极340可以由金属、合金、金属氮化物、传导金属氧化物或透明传导材料等形成。这些可以单独使用或彼此组合使用。
因此，可以形成包括第一下电极290_1、发光层330和上电极340的第一子像素结构，可以形成包括第二下电极290_2、发光层330和上电极340的第二子像素结构，并且可以形成包括第三下电极290_3、发光层330和上电极340的第三子像素结构。可以形成包括第一下电极290_1、第二下电极290_2、第三下电极290_3、发光层330和上电极340的像素结构200。
第一无机薄膜封装层451可以形成在上电极340上。第一无机薄膜封装层451可以沿着上电极340的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖上电极340。第一无机薄膜封装层451可以由具有柔性的无机绝缘材料形成。
有机薄膜封装层452可以形成在第一无机薄膜封装层451上。有机薄膜封装层452可以由具有柔性的有机绝缘材料形成。
第二无机薄膜封装层453可以形成在有机薄膜封装层452上。第二无机薄膜封装层453可以沿着有机薄膜封装层452的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖有机薄膜封装层452。第二无机薄膜封装层453可以由具有柔性的无机绝缘材料形成。
因此，可以形成包括第一无机薄膜封装层451、有机薄膜封装层452和第二无机薄膜封装层453的薄膜封装结构450，并且可以提供包括第一基板110、第一半导体元件250_1、第二半导体元件250_2、第三半导体元件250_3、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、像素结构200、像素限定层310和薄膜封装结构450的下结构500。
参考图13，可以提供第二基板410。第二基板410和第一基板110可以包括基本上相同的材料。第二基板410可以是或包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟掺杂石英基板、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等。
第二滤色器512可以形成在第二基板410的底表面上。第二滤色器512可以具有开口512a和512b。第二滤色器512可以透射蓝光，并且可以是具有蓝色的滤色器。
参考图14，第一滤色器511可以形成在第二基板410的底表面和第二滤色器512下面。第一滤色器511可以具有开口511a和511b。第一滤色器511可以透射红光，并且可以是具有红色的滤色器。
参考图15，第三滤色器513可以形成在第二基板410的底表面和第一滤色器511下面。第三滤色器513可以具有暴露第一滤色器511的开口511b的第一开口和第一滤色器511下面的暴露第一滤色器511的底表面的一部分的第二开口。第三滤色器513可以透射红光，并且可以是具有红色的滤色器。
因此，可以形成包括第一滤色器511、第二滤色器512和第三滤色器513的滤色器510。第二滤色器512的开口512a和第三滤色器513的第二开口被限定为滤色器510的第一开口510a，第一滤色器511的开口511b和第三滤色器513的第一开口被限定为滤色器510的第二开口510b，并且第二滤色器512的开口512b和第一滤色器511的开口511a被限定为滤色器510的第三开口510c。第一开口510a可以具有第四宽度a2，第二开口510b可以具有第五宽度b2，并且第三开口510c可以具有第六宽度c2。第四宽度a2可以大于第五宽度b2，并且第六宽度c2可以大于第五宽度b2。滤色器510可以由光敏树脂或颜色光致抗蚀剂形成。
参考图5和图16，第二保护绝缘层490可以形成在滤色器510下面。第二保护绝缘层490可以覆盖第二基板410的底表面上的滤色器510。第二保护绝缘层490可以沿着滤色器510的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖第二基板410的底表面上的滤色器510。第二保护绝缘层490可以充分覆盖第二基板410的底表面上的滤色器510，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不会在滤色器510周围造成台阶。第二保护绝缘层490可以由诸如氮化硅的无机绝缘材料形成。
光阻挡构件420可以形成在第二保护绝缘层490的底表面上。光阻挡构件420可以具有第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c。第一开口420a可以具有圆形形状，第二开口420b可以具有矩形形状，并且第三开口420c可以具有圆形形状。第一开口420a和第三开口420c中的每一个的面积可以大于第二开口420b的面积。光阻挡构件420可以具有包括第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c的平面形状。滤色器510的第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c可以分别与光阻挡构件420的第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c重叠。第一开口420a可以具有第一宽度a1，第二开口420b可以具有第二宽度b1，并且第三开口420c可以具有第三宽度c1。第一宽度a1可以大于第二宽度b1，并且第三宽度c1可以大于第二宽度b1。
光阻挡构件420可以由诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂的有机材料形成。光阻挡构件420可以是基本上不透明的。光阻挡构件420可以进一步包括用于吸收光的光阻挡材料。光阻挡材料可以包括炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花青黑、苯胺黑酸黑或黑树脂等。
参考图17，第一滤光器531可以形成在第二保护绝缘层490的底表面上以及光阻挡构件420的第一开口420a中。由于第一滤光器531形成在具有圆形形状的第一开口420a中，因此第一滤光器531也可以具有圆形形状。第一滤光器531可以与第一滤色器511重叠。第一滤光器531可以将蓝光转换为红光。第一滤光器531可以包括被配置为吸收蓝光并发射红光的多个量子点。可以通过使用喷墨工艺来形成第一滤光器531。
参考图18，第三滤光器533可以形成在第二保护绝缘层490的底表面上以及光阻挡构件420的第三开口420c中。由于第三滤光器533形成在具有圆形形状的第三开口420c中，因此第三滤光器533也可以具有圆形形状。第三滤光器533可以与第三滤色器513重叠。第三滤光器533可以将蓝光转换为绿光。第三滤光器533可以包括被配置为吸收蓝光并发射绿光的多个量子点。可以通过使用喷墨工艺来形成第三滤光器533。
在第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个中包括的量子点可以由硅(Si)类纳米晶、II-VI族类化合物半导体纳米晶、III-V族类化合物半导体纳米晶和IV-VI族类化合物半导体纳米晶当中的一种纳米晶或者以上材料中的一些的混合物形成。
第一保护绝缘层495可以形成在第二保护绝缘层490的一部分、第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420下面。第一保护绝缘层495可以覆盖第二保护绝缘层490的底表面上的第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420。第二保护绝缘层490和第一保护绝缘层495可以通过第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个彼此间隔开，并且第二保护绝缘层490和第一保护绝缘层495可以通过第二开口420b彼此接触。第一保护绝缘层495可以沿着第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖第二保护绝缘层490的底表面上的第一滤光器531、第三滤光器533和光阻挡构件420。第一保护绝缘层495可以由诸如氮化硅的无机绝缘材料形成。
参考图19，第二滤光器532可以形成在第一保护绝缘层495的底表面上以及光阻挡构件420的第二开口420b中。由于第二滤光器532形成在具有矩形形状的第二开口420b中，因此第二滤光器532也可以具有矩形形状。第二滤光器532的面积可以小于第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个的面积。第二滤光器532可以与第二滤色器512重叠。第二滤光器532可以通过光阻挡构件420与第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个间隔开。第二滤光器532可以透射蓝光。第二滤光器532可以包括发射蓝光而没有显著颜色改变的散射材料。第二滤光器532可以不包括量子点。
可以通过使用利用负性光致抗蚀剂的光刻工艺来形成第二滤光器532。可以通过在第一保护绝缘层495的底表面的整个面积上面形成负性光致抗蚀剂，并且将光照射到负性光致抗蚀剂的一部分来形成第二滤光器532。第二滤光器532的底表面可以与第一保护绝缘层495的最低表面对准。因此，第二滤光器532的底表面的水平可以不与第一滤光器531的底表面的水平和第三滤光器533的底表面的水平中的任一个共面。
第二滤光器532可以由TiO、ZrO、AlO3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3或ITO等形成。
因此，可以形成包括第一滤光器531、第二滤光器器532和第三滤光器533的滤光器530。
中间层497可以形成在第一保护绝缘层495和第二滤光器532下面。中间层497可以形成在第一保护绝缘层495的底表面上以覆盖第二滤光器532。中间层497可以具有相对厚的厚度，以充分覆盖第一保护绝缘层495的底表面上的第二滤光器532。中间层497可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料等形成。
因此，可以提供包括第二保护绝缘层490、第一保护绝缘层495、滤光器530、中间层497、滤色器510、光阻挡构件420和第二基板410的上结构600。
密封构件可以形成在第一基板110上的周边区域20中。密封构件可以形成在第二基板410上的周边区域20中。密封构件可以由非传导材料形成。密封构件可以包括玻璃料等。密封构件可以另外包括光固化材料。密封构件可以包括有机材料和光固化材料的混合物。在密封构件中包括的光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯类树脂、聚酯丙烯酸酯类树脂、聚氨酯丙烯酸酯类树脂、聚丁二烯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸酯类树脂或烷基丙烯酸酯类树脂等。
参考图8和图20，在形成密封构件之后，第二基板410的底表面可以与密封构件接触。下结构500和上结构600可以彼此耦接。
然后，紫外线、激光或可见光等可以被照射到密封构件上。激光可以被照射到密封构件上。当照射激光时，混合物可以从固态改变为液态，并且液态的混合物可以在预定时间之后固化为固态。第二基板410可以耦接到第一基板110，并且可以根据混合物的状态改变相对于第一基板110被密封。
因此，可以制造图1至图8中所示的显示装置100。
在显示装置100的制造方法中，第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c可以由分别形成在第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c中的每一个的两个侧部的第一滤色器511的一部分、第二滤色器512的一部分和第三滤色器513的一部分限定。换句话说，由于第一滤色器511的一部分、第二滤色器512的一部分和第三滤色器513的一部分分别形成在第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c中的每一个的两个侧部以限定第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c，因此不需要将限定第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c的光阻挡图案添加到根据本发明的显示装置100。因此，可以降低显示装置100的制造成本。
另外，由于分别形成在第一开口510a、第二开口510b和第三开口510c中的每一个的两个侧部的第一滤色器511的一部分、第二滤色器512的一部分和第三滤色器513的一部分中的每一个的宽度比光阻挡图案的宽度相对宽，因此可以相对增大光阻挡构件420的工艺余量。因此，可以最小化或基本上防止光阻挡构件420的工艺缺陷。
由于通过使用利用相对便宜的负性光致抗蚀剂的光刻工艺来形成第二滤光器532，因此可以最小化显示装置100的制造成本。
图21是根据实施例的示出显示装置的截面图。除了第二滤光器532的形状之外，图21中所示的显示装置700可以具有与参考图1至图8描述的显示装置100的结构基本上相同或相似的结构。
参考图21，显示装置700可以包括下结构500和上结构600。
下结构500可以包括第一基板110、第一半导体元件250_1、第二半导体元件250_2、第三半导体元件250_3、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、像素结构200、像素限定层310和薄膜封装结构450等。
上结构600可以包括第一保护绝缘层495、第二保护绝缘层490、滤光器530、中间层497、滤色器510、光阻挡构件420和第二基板410等。滤光器530可以包括第一滤光器531、第二滤光器532和第三滤光器533。滤色器510可以包括第一滤色器511、第二滤色器512和第三滤色器513。
第二滤光器532可以设置在第一保护绝缘层495的底表面上以及光阻挡构件420的第二开口420b中。第二滤光器532可以设置在像素结构200上以与第二像素电极290b重叠。参考图6，由于第二滤光器532设置在具有矩形形状的第二开口420b中，因此第二滤光器532也可以具有矩形形状。第二滤光器532的面积可以小于第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个的面积。第二滤光器532可以与第二滤色器512重叠。第二滤光器532可以通过光阻挡构件420的光阻挡部分与第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个间隔开。第二滤光器532可以透射蓝光。第二滤光器532可以包括发射蓝光而没有显著颜色改变的散射材料。第二滤光器532可以不包括量子点。第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个可以进一步包括散射材料。
由于第二滤光器532设置在第一保护绝缘层495的底表面上，因此第二滤光器532的顶表面可以不与第一滤光器531的顶表面和第三滤光器533的顶表面中的任一个共面。
第二滤光器532的一部分可以设置在光阻挡构件420的底表面上。可以通过使用利用负性光致抗蚀剂的光刻工艺来形成第二滤光器532。可以通过在第一保护绝缘层495的底表面的整个面积上面形成负性光致抗蚀剂，并且将光照射到负性光致抗蚀剂的一部分来形成第二滤光器532。在这种情况下，光可以被照射在相对宽的面积上面，使得第二滤光器532的一部分可以形成在光阻挡构件420的底表面上。第二滤光器532的底表面的水平可以与第一滤光器531的底表面的水平和第三滤光器533的底表面的水平中的任一个不同。第二滤光器532的底表面可以比第一滤光器531的底表面和第三滤光器533的底表面中的每一个更接近薄膜封装结构450的顶表面。
第二滤光器532可以包括TiO、ZrO、AlO3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3或ITO等。
图22是根据实施例的示出显示装置的截面图。除了第二滤光器532的形状之外，图22中所示的显示装置800可以具有与参考图1至图8描述的显示装置100的结构基本上相同或相似的结构。
参考图22，显示装置800可以包括下结构500和上结构600。
下结构500可以包括第一基板110、第一半导体元件250_1、第二半导体元件250_2、第三半导体元件250_3、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、像素结构200、像素限定层310和薄膜封装结构450等。
上结构600可以包括第一保护绝缘层495、第二保护绝缘层490、滤光器530、中间层497、滤色器510和第二基板410等。滤光器530可以包括第一滤光器531、第二滤光器532和第三滤光器533。滤色器510可以包括第一滤色器511、第二滤色器512和第三滤色器513。
第一滤光器531可以设置在第二保护绝缘层490的底表面上以及滤色器510的第一开口510a中。第一滤光器531可以设置在像素结构200上以与第一像素电极290a重叠。第一滤光器531可以具有圆形形状。第一滤光器531可以与第一滤色器511重叠。第一滤光器531可以与第二滤光器532和第三滤光器533中的每一个间隔开。第一滤光器531可以将蓝光转换为红光。第一滤光器531可以包括被配置为吸收蓝光并发射红光的多个量子点。
第三滤光器533可以设置在第二保护绝缘层490的底表面上以及滤色器510的第三开口510c中。第三滤光器533可以设置在像素结构200上以与第三像素电极290c重叠。第三滤光器533可以具有圆形形状。第三滤光器533可以与第三滤色器513重叠。第三滤光器533可以与第一滤光器531和第二滤光器532中的每一个间隔开。第三滤光器533可以将蓝光转换为绿光。第三滤光器533可以包括被配置为吸收蓝光并发射绿光的多个量子点。
第一保护绝缘层495可以设置在第一滤光器531、第三滤光器533和第二保护绝缘层490下面。第一保护绝缘层495可以覆盖第二保护绝缘层490的底表面上的第一滤光器531和第三滤光器533。第一保护绝缘层495可以在第一滤光器531和第三滤光器533之间的间隔空间中与第二保护绝缘层490接触，并且第二保护绝缘层490和第一保护绝缘层495可以通过滤色器510的第二开口510b彼此接触。第一保护绝缘层495可以沿着第一滤光器531和第三滤光器533的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖第二保护绝缘层490的底表面上的第一滤光器531和第三滤光器533。第一保护绝缘层495可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料。
第二滤光器532可以设置在第一保护绝缘层495的底表面上以及滤色器510的第二开口510b中。第二滤光器532可以设置在像素结构200上以与第二像素电极290b重叠。第二滤光器532可以覆盖第一滤光器531的两个侧部中的每一个和第三滤光器533的两个侧部中的每一个，并且可以具有分别暴露第一滤光器531的一部分和第三滤光器533的一部分的开口。从发光层330发射的光可以通过开口入射到第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个上。第二滤光器532也可以设置在第一滤光器531和第三滤光器533之间的间隔空间中。第二滤光器532也可以执行图8的光阻挡构件420的功能。第二滤光器532可以与第二滤色器512重叠。第二滤光器532可以透射蓝光。第二滤光器532可以包括发射蓝光而没有显著颜色改变的散射材料。第二滤光器532可以不包括量子点。第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个可以进一步包括散射材料。
由于第二滤光器532设置在第一保护绝缘层495的底表面上，因此第一保护绝缘层495可以设置在与第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个的层不同的层上。第二滤光器532的底表面的水平可以与第一滤光器531的底表面的水平和第三滤光器533的底表面的水平中的每一个不同。与第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个的底表面相比，第二滤光器532的底表面可以更接近薄膜封装结构450的顶表面。
第二滤光器532可以包括TiO、ZrO、AlO3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3或ITO等。
由于显示装置800包括具有圆形形状的第一滤光器531和第三滤光器533，因此从发光层330发射的相对少量的光可以被阻挡。有利地，显示装置800可以具有高透光率。
图23至图28是根据实施例的示出在显示装置的制造方法中形成的结构的截面图。图23至图28中所示的显示装置的制造方法可以具有与参考图9至图20描述的显示装置的制造方法的步骤基本上相同或相似的步骤。
参考图15和图23，第一滤光器531可以形成在第二保护绝缘层490的底表面上以及滤色层510的第一开口510a中。第一滤光器531可以具有圆形形状。第一滤光器531可以与第一滤色器511重叠。第一滤光器531可以将蓝光转换为红光。第一滤光器531可以包括被配置为吸收蓝光并发射红光的多个量子点。可以通过使用利用负性光致抗蚀剂的光刻工艺来形成第一滤光器531。可以通过在第二保护绝缘层490的底表面的整个面积上面形成负性光致抗蚀剂，并且将光照射到负性光致抗蚀剂的一部分来形成第一滤光器531。
参考图24，第三滤光器533可以形成在第二保护绝缘层490的底表面上以及滤色器510的第三开口510c中。第三滤光器533可以具有圆形形状。第三滤光器533可以与第三滤色器513重叠。第三滤光器533可以在第一方向D1上与第一滤光器531间隔开。第三滤光器533可以将蓝光转换为绿光。第三滤光器533可以包括被配置为吸收蓝光并发射绿光的多个量子点。可以通过使用利用负性光致抗蚀剂的光刻工艺来形成第三滤光器533。可以通过在第二保护绝缘层490的底表面的整个面积上面形成负性光致抗蚀剂，并且将光照射到负性光致抗蚀剂的一部分来形成第三滤光器533。
参考图25，第一保护绝缘层495可以形成在第一滤光器531、第三滤光器533和第二保护绝缘层490下面。第一保护绝缘层495可以覆盖第二保护绝缘层490的底表面上的第一滤光器531和第三滤光器533。第一保护绝缘层495可以在第一滤光器531和第三滤光器533之间的间隔空间中与第二保护绝缘层490接触，并且第二保护绝缘层490和第一保护绝缘层495可以通过滤色器510的第二开口510b彼此接触。第一保护绝缘层495可以沿着第一滤光器531和第三滤光器533的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖第二保护绝缘层490的底表面上的第一滤光器531和第三滤光器533。第一保护绝缘层495可以由诸如氮化硅的无机绝缘材料形成。
负性光致抗蚀剂534可以形成在第一保护绝缘层495的底表面的整个面积上面。在形成负性光致抗蚀剂534之后，可以利用光照射负性光致抗蚀剂534的一部分。
参考图26，第二滤光器532可以形成在第一保护绝缘层495的底表面上以及滤色器510的第二开口510b中。第二滤光器532可以覆盖第一滤光器531的两个侧部中的每一个和第三滤光器533的两个侧部中的每一个，并且可以具有分别暴露第一滤光器531的一部分和第三滤光器533的一部分的开口。第二滤光器532也可以形成在第一滤光器531和第三滤光器533之间的间隔空间中。第二滤光器532可以与第二滤色器512重叠。第二滤光器532可以透射蓝光。第二滤光器532可以包括发射蓝光而没有显著颜色改变的散射材料。第二滤光器532可以不包括量子点。
因此，可以形成包括第一滤光器531、第二滤光器器532和第三滤光器533的滤光器530。
参考图27，中间层497可以形成在第一保护绝缘层495和第二滤光器532下面。中间层497可以形成在第一保护绝缘层495的底表面上，以覆盖第二滤光器532。中间层497可以具有相对厚的厚度，以充分覆盖第一保护绝缘层495的底表面上的第二滤光器532。中间层497可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料等形成。
因此，可以提供包括第二保护绝缘层490、第一保护绝缘层495、滤光器530、中间层497、滤色器510和第二基板410的上结构600。
密封构件可以形成在第一基板110上的周边区域20中。密封构件可以形成在第二基板410上的周边区域20中。密封构件可以由非传导材料形成。密封构件可以包括玻璃料等。密封构件可以另外包括光固化材料。密封构件可以包括有机材料和光固化材料的混合物。在密封构件中包括的光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯类树脂、聚酯丙烯酸酯类树脂、聚氨酯丙烯酸酯类树脂、聚丁二烯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸酯类树脂或烷基丙烯酸酯类树脂等。
参考图22和图28，在形成密封构件之后，第二基板410的底表面可以与密封构件接触。下结构500和上结构600可以彼此耦接。
然后，紫外线、激光或可见光等可以被照射到密封构件上。激光可以被照射到密封构件上。当照射激光时，混合物可以从固态改变为液态，并且液态的混合物可以在预定时间之后固化为固态。第二基板410可以耦接到第一基板110，并且可以根据混合物的状态改变相对于第一基板110被密封。
因此，可以制造图22中所示的显示装置800。
在显示装置800的制造方法中，由于通过使用利用相对便宜的负性光致抗蚀剂的光刻工艺来形成滤光器530，因此可以降低显示装置800的制造成本。
另外，当与图8的显示装置100相比时，不形成光阻挡构件420，使得可以进一步降低显示装置800的制造成本。
图29是根据实施例的示出显示装置的透视图，并且图30是示出在图29的显示装置中包括的像素限定层的平面图。图31是示出其中在图29的显示装置中包括的像素限定层和像素电极彼此重叠的状态的平面图，并且图32是示出在图29的显示装置中包括的光阻挡构件的平面图。图33是示出其中在图29的显示装置中包括的光阻挡构件、第一滤光器、第二滤光器和第三滤光器彼此重叠的状态的平面图，并且图34是示出图32的‘B’区域的局部放大平面图。
除了像素限定层310的开口的形状、像素电极290a、290b和290c的形状、光阻挡构件420的开口的形状和滤光器530的形状之外，图29至图34中所示的显示装置900可以具有与参考图1至图8描述的显示装置100的结构基本上相同或相似的结构。
参考图29、图30、图31、图32和图33，显示装置900可以包括下结构500和上结构600。下结构500和上结构600可以彼此直接接触，并且可以通过设置在显示装置900的最外周边上的密封构件彼此气密性地耦接。
如图30和图31中所示，下结构500可以包括第一基板110、像素限定层310、第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c等。第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c可以设置在第一基板110上，并且像素限定层310可以与第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c中的每一个的一部分重叠。像素限定层310可以具有暴露第一像素电极290a、第二像素电极290b和第三像素电极290c中的每一个的一部分的开口。像素限定层310可以包括第一多边形开口310a、矩形开口310b和第二多边形开口310c。第一多边形开口310a可以暴露第一像素电极290a的一部分，矩形开口310b可以暴露第二像素电极290b的一部分，并且第二多边形开口310c可以暴露第三像素电极290c的一部分。
在显示装置900的平面图中，第一像素电极290a和第三像素电极290c中的每一个可以具有多边形形状，并且第二像素电极290b可以具有矩形形状。多边形可以包括关于多边形的中心对称或者基本上接近于圆的多边形(例如，正八边形等)。
第一像素电极290a和第三像素电极290c中的一个可以具有第一多边形的形状，并且剩余的一个可以具有与第一多边形不同的第二多边形的形状。第一像素电极290a和第三像素电极290c中的一个可以具有多边形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
如图32和图33中所示，上结构600可以包括第二基板410、光阻挡构件420和滤光器530(包括第一滤光器531、第二滤光器532和第三滤光器533)等。光阻挡构件420可以设置在第二基板410的底表面上，并且光阻挡构件420可以包括第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c。
在显示装置900的平面图中(或从与第二基板410的顶表面垂直的方向看)，第一开口420a和第三开口420c中的每一个可以具有多边形形状，并且第二开口420b可以具有矩形形状。第一滤光器531可以设置在第一开口420a中，第二滤光器532可以设置在第二开口420b中，并且第三滤光器533可以设置在第三开口420c中。由于第一开口420a和第三开口420c中的每一个具有多边形形状，并且第二开口420b具有矩形形状，因此第一滤光器531和第三滤光器533中的每一个也可以具有多边形形状，并且第二滤光器532也可以具有矩形形状。多边形可以包括关于多边形的中心对称或基本上接近于圆的多边形(例如，正八边形等)。
第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c可以分别与第一多边形开口310a、矩形开口310b和第二多边形开口310c重叠(或相对应)，并且第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c的尺寸可以分别大于第一多边形开口310a、矩形开口310b和第二多边形开口310c的尺寸。
发光层可以设置在像素限定层310的第一多边形开口310a、矩形开口310b和第二多边形开口310c中，并且从发光层发射的光可以穿过设置在光阻挡构件420的第一开口420a、第二开口420b和第三开口420c中的每一个中的滤光器530，以发射到显示装置900的外部。
第一开口420a和第三开口420c中的一个可以具有第一多边形的形状，并且剩余的一个可以具有与第一多边形不同的第二多边形的形状。第一开口420a和第三开口420c中的一个可以具有多边形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
第一滤光器531和第三滤光器533中的一个可以具有第一多边形的形状，并且剩余的一个可以具有与第一多边形不同的第二多边形的形状。第一滤光器531和第三滤光器533中的一个可以具有多边形形状，并且剩余的一个可以具有矩形形状。
参考图8、图15、图16和图34，第一开口420a可以具有第一宽度a1，第二开口420b可以具有第二宽度b1，并且第三开口420c可以具有第三宽度c1。第一宽度a1可以大于第二宽度b1，并且第三宽度c1可以大于第二宽度b1。第一宽度a1可以大于第三宽度c1。第一宽度a1可以是大约113微米，第二宽度b1可以是大约38微米，并且第三宽度c1可以是大约109微米。从第一开口420a到第三开口420c的间距d3可以是大约20微米，从第一开口420a到第二开口420b的间距d4可以是大约22微米，并且从第三开口420c到第二开口420c的间距可以是大约22微米。
第一开口510a可以具有第四宽度a2，第二开口510b可以具有第五宽度b2，并且第三开口510c可以具有第六宽度c2。第四宽度a2可以大于第五宽度b2，并且第六宽度c2可以大于第五宽度b2。第四宽度a2可以大于第六宽度c2。第四宽度a2可以是大约77微米，第五宽度b2可以是大约38微米，并且第六宽度c2可以是大约73微米。从第一开口510a到第三开口510c的间距d1可以是大约56微米，从第一开口510a到第二开口510b的间距可以是大约40微米，并且从第三开口510c到第二开口510b的间距可以是大约40微米。
由于显示装置900包括具有基本上接近于圆的多边形形状的第一滤光器531和第三滤光器533，因此基于预设面积接近于圆的多边形的周长比对称多边形的周长短，使得包括具有基本上接近于圆的多边形形状的第一开口420a和第三开口430c的光阻挡构件420(其中第一滤光器531和第三滤光器533分别设置在第一开口420a和第三开口430c中)可导致相对小的光损失。从发光层330发射的相对少量的光可以被光阻挡构件420阻挡。有利地，显示装置900可以具有高透光率。
实施例可以应用于各种电子装置。
虽然已经描述了示例实施例，但是在示例实施例中许多修改是可能的。因此，旨在将所有这样的修改包括在权利要求限定的范围内。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第一电极，电连接到所述第一晶体管；
第二电极，电连接到所述第二晶体管；
第一滤光器，与所述第一电极重叠并且在所述显示装置的平面图中具有第一圆形周界；以及
第二滤光器，与所述第二电极重叠，在所述显示装置的所述平面图中具有多边形周界，并且与所述第一滤光器间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第一滤光器的面积大于所述第二滤光器的面积。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，进一步包括：
第三晶体管；
第三电极，电连接到所述第三晶体管；
第三滤光器，与所述第三电极重叠，与所述第一滤光器和所述第二滤光器中的每一个间隔开，并且在所述显示装置的所述平面图中具有第二圆形周界。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第三滤光器的面积大于所述第二滤光器的面积。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二滤光器被配置为透射第一颜色的第一光，
其中，所述第一滤光器被配置为将所述第一颜色的第二光转换为第二颜色的光，
其中，所述第三滤光器被配置为将所述第一颜色的第三光转换为第三颜色的光，并且
其中，所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色彼此不同。
6.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：
发光层，与所述第一电极和所述第二电极中的每一个重叠，设置在所述第一电极和所述第一滤光器之间，并且设置在所述第二电极和所述第二滤光器之间；以及
公共电极，与所述发光层重叠，设置在所述发光层和所述第一滤光器之间，并且设置在所述发光层和所述第二滤光器之间，
其中，所述第一电极、所述第二电极、所述发光层和所述公共电极被限定为像素结构，并且所述像素结构被配置为发射所述第一颜色的第四光。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第一电极具有圆形边界，并且
其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第二电极具有多边形边界。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第一圆形周界围绕所述圆形边界，并且
其中，所述多边形周界围绕所述多边形边界。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。
10.根据权利要求1或2所述的显示装置，进一步包括：
光阻挡构件，包括至少一个开口，
其中，所述第一滤光器和所述第二滤光器中的至少一个至少部分地设置在所述至少一个开口内部。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述至少一个开口包括第一开口和第二开口，
其中，所述第一滤光器至少部分地设置在所述第一开口内部，并且
其中，所述第二滤光器至少部分地设置在所述第二开口内部。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在所述显示装置的所述平面图中，所述第一开口的面积大于所述第二开口的面积。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述光阻挡构件包括被放置在所述第一开口和所述第二开口之间的光阻挡部分，并且
其中，所述第二滤光器的一部分设置在所述第二开口外部，并且与所述光阻挡部分重叠。
14.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
第一基板，
其中，所述第一滤光器和所述第二滤光器中的每一个与所述第一基板重叠，
其中，所述第一滤光器的面面对所述第一基板，并且
其中，所述第二滤光器的面面对所述第一基板，并且被放置得比所述第一滤光器的所述面更接近所述第一基板。
15.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
第一基板，其中，所述第一滤光器和所述第二滤光器中的每一个与所述第一基板重叠；以及
第一保护绝缘层，其中，所述光阻挡构件的面面对所述第一基板，并且直接接触所述第一保护绝缘层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一保护绝缘层的一部分设置在所述第一滤光器和所述第一基板之间，并且直接接触所述第一滤光器，并且
其中，所述第一保护绝缘层不设置在所述第二滤光器和所述第一基板之间，并且在垂直于所述第一基板的方向上，所述第一保护绝缘层的一部分与所述第二滤光器重叠。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一保护绝缘层部分地设置在所述第二开口内部。
18.根据权利要求17所述的显示装置，进一步包括：
第二基板，与所述第一滤光器和所述第二滤光器中的每一个重叠；
第一滤色器，设置在所述第二基板和所述第一滤光器之间；以及
第二滤色器，设置在所述第二基板和所述第二滤光器之间。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二滤色器与所述第二滤光器重叠并且包括第一滤色器开口，
其中，所述第一滤色器开口暴露所述第二基板的一部分，并且
其中，所述第二基板的所述部分与所述第一滤光器重叠。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一滤色器部分地设置在所述第一滤色器开口内部，并且包括第二滤色器开口，
其中，所述第二滤色器开口暴露所述第二滤色器的一部分，并且
其中，所述第二滤色器的所述部分设置在所述第二滤色器开口和所述第二基板之间。
21.根据权利要求20所述的显示装置，进一步包括：
第二保护绝缘层，设置在所述第一滤色器和所述第一滤光器之间，并且设置在所述第二滤色器和所述第二滤光器之间。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述第一保护绝缘层的第一部分和所述第二保护绝缘层的第一部分彼此重叠，并且通过所述第一滤光器彼此间隔开，并且
其中，所述第一保护绝缘层的第二部分和所述第二保护绝缘层的第二部分彼此直接接触，并且位于所述第二滤色器和所述第二滤光器之间。
23.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述第一滤光器通过使用喷墨工艺而形成，并且
其中，所述第二滤光器通过使用光刻工艺而形成。
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