CN113872528A - 一种增益可变放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种增益可变放大器，包括：带隙基准，产生基准电流和基准电压并输出至可变偏置电压电路；可变偏置电压电路，在n位增益控制信号的控制下将基准电流和基准电压转换为电流电压偏置电路所需的第一可变偏置电压；电流电压偏置电路，将第一可变偏置电压转换为输出级所需的输出级可变偏置电压，并转换为输入级偏置镜像模块所需的可变偏置电流；输入级偏置镜像模块，在可变偏置电流的控制下产生第二可变偏置电压并输出至输入级；输入级，在所述第二可变偏置电压的控制下完成射频信号初步放大；输出级，在输出级可变偏置电压控制下，将经输入级放大的射频信号放大得到射频输出信号；低压差稳压电路，产生稳定电压供给输入级和输出级。

Description

一种增益可变放大器
技术领域
本发明涉及一种放大器，特别是涉及一种增益可变的放大器。
背景技术
放大器系统作为信号接收关键模块，高增益决定接收最小信号灵敏度，低增益影响接收最大信号及线性度，因而增益功耗可编程设计对接收系统灵敏度及动态范围至关重要。故放大器进行增益可编程优化设计，可改善系统动态范围、简化系统设计、降低系统成本。同时增益可编程设计能够优化增益功耗能效比、降低系统功耗，延长续航。
如图1所示，传统射频放大器由带隙基准(BGR)10、偏置镜像模块20、输入级30、输出级40和偏置电路50组成。其中，带隙基准(Band-Gap Reference)用于产生基准电流Iref并输出至偏置镜像模块20；偏置镜像模块20由输入偏置NMOS管Ninb和第一栅极隔离电阻Rg组成，用于在基准电流Iref的控制下产生稳定的偏置电压VgNin并输出至输入级30的栅极；输入级30为电感负反馈(inductive-degenerated)共源结构，由输入匹配电感Lg、输入匹配电容Cg、输入NMOS放大管Nin和发射极负反馈电感Ls组成，用于完成射频信号RFin的初步放大；输出级40为共栅结构，由输出负载电感Ld、输出耦合电容Co、输出NMOS放大管Mo、栅极退耦电容Cb和第二栅极隔离电阻Rb组成，用于将经输入级30放大的射频信号RFin进一步放大得到射频输出信号RFout；偏置电路50，用于给输出级40提供所需的偏置电压VgMo。
然而，由图1可见，传统射频放大器采用固定偏置电流及电压电路，功耗固定，增益固定，不具备可变增益，且功耗能效比不可调。
发明内容
为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种增益可变放大器，实现了放大器输入输出级偏置可编程、增益可编程调节控制及功耗数字化编程控制下的优化高效增益功耗能效比。
为达上述及其它目的，本发明提出一种增益可变放大器，包括：
带隙基准，用于产生基准电流(Iref)和基准电压(Vref)并输出至可变偏置电压电路；
可变偏置电压电路，用于在n位增益控制信号(CT[1:n])的控制下将所述基准电流(Iref)和基准电压(Vref)转换为电流电压偏置电路所需的第一可变偏置电压(Vpc)；
电流电压偏置电路，用于将所述可变偏置电压电路输出的第一可变偏置电压(Vpc)转换为输出级所需的输出级可变偏置电压(Vpcb)，同时将所述第一可变偏置电压(Vpc)转换为输入级偏置镜像模块所需的可变偏置电流(Ipcb)；
输入级偏置镜像模块，用于在所述电流电压偏置电路输出的可变偏置电流(Ipcb)的控制下产生第二可变偏置电压(VgNin)并输出至输入级；
输入级，用于在所述第二可变偏置电压(VgNin)的控制下完成射频信号(RFin)的初步放大；
输出级，用于在所述输出级可变偏置电压(Vpcb)的控制下，将经所述输入级放大的射频信号(RFin)进一步放大得到射频输出信号(RFout)；
低压差稳压电路，用于产生稳定电压(Va)供给所述输入级和输出级以获得更稳定的增益控制效果。
优选地，所述可变偏置电压电路将n位数字控制信号(CT[1:n])通过数字化控制调节电阻反馈比可变实现所述第一可变偏置电压(Vpc)可变。
优选地，所述可变偏置电压电路包括误差放大器(Amp1)、第三可变分压电阻(R3)、第四可变分压电阻(R4)和第五NMOS偏置管(MN5)，所述带隙基准的输出基准电流(Iref)连接至所述误差放大器(Amp1)的控制输入端，所述基准电压(Vref)连接至误差放大器(Amp1)的反相输入端，误差放大器(Amp1)的输出所述第一可变偏置电压(Vpc)连接所述第三可变分压电阻(R3)的一端以及所述电流电压偏置电路，所述第三可变分压电阻(R3)的另一端与第四可变分压电阻(R4)的一端相连组成分压输出节点连接至所述误差放大器(Amp1)的同相输入端，所述第四可变分压电阻(R4)的另一端连接所述第五NMOS偏置管(MN5)的漏极和栅极，所述第五NMOS偏置管(MN5)的源极和衬底接地，n位增益控制信号(CT[1:n])连接至所述第三可变分压电阻(R3)、第四可变分压电阻(R4)的控制端。
优选地，所述误差放大器(Amp1)包括第一NMOS偏置管(MN1)、第二NMOS偏置管(MN2)、第三NMOS放大管(MN3)、第四NMOS放大管(MN4)、第一PMOS偏置管(MP1)、第二PMOS偏置管(MP2)和第三PMOS放大输出管(MP3)，所述第三NMOS放大管(MN3)的栅极为所述误差放大器(Amp1)的反相输入端，第四NMOS放大管(MN4)的栅极为所述误差放大器Amp1)的同相输入端，第一NMOS偏置管(MN1)的漏极和栅极为所述误差放大器(Amp1)的控制输入端，第三PMOS放大输出管(MP3)的漏极为误差放大器(Amp1)的输出端即输出所述第一可变偏置电压(Vpc)；所述带隙基准的输出基准电流(Iref)连接至第一NMOS偏置管(MN1)的漏极和栅极以及第二NMOS偏置管(MN2)的栅极，所述基准电压(Vref)连接至第三NMOS放大管(MN3的栅极，第二NMOS偏置管(MN2)的漏极连接至第三NMOS放大管(MN3)的源极和衬底以及第四NMOS放大管(MN4)的源极和衬底，第三NMOS放大管(MN3)的漏极与第一PMOS偏置管(MP1)的漏极相连并连接至第三PMOS放大输出管(MP3)的栅极，第四NMOS放大管(MN4)的漏极与第二PMOS偏置管(MP2)漏极和栅极以及第一PMOS偏置管(MP1)的栅极相连，第三PMOS放大输出管(MP3)的漏极与第三可变分压电阻(R3)的一端相连组成所述第一可变偏置电压节点(Vpc)，第三可变分压电阻(R3)的另一端与第四可变分压电阻(R4)的一端相连并连接至第四NMOS放大管(MN4)的栅极；第一NMOS偏置管(MN1)的源极和衬底、第二NMOS偏置管(MN2)的源极和衬底接地，第一PMOS偏置管(MP1)的源极和衬底、第二PMOS偏置管(MP2)的源极和衬底以及第三PMOS放大输出管(MP3)的源极和衬底接输入电源(Vdd)。
优选地，所述电流电压偏置电路包括第四PMOS偏置管(MP4)、第五PMOS偏置管(MP5)、第一分压电阻(R1)和第二分压电阻(R2)，第四PMOS偏置管(MP4)的栅极以及第五PMOS偏置管(MP5)的栅极连接所述误差放大器(Amp1)的输出，所述第四PMOS偏置管(MP4)的漏极即可变偏置电流节点(Ipcb)连接至所述输入级偏置镜像模块，第五PMOS偏置管(MP5)的漏极连接至第一分压电阻(R1)的一端，第一分压电阻(R1)的另一端与第二分压电阻(R2)的一端连接组成输出级可变偏置电压节点(Vpcb)，所述输出级可变偏置电压节点(Vpcb)连接至所述输出级，第二分压电阻(R2)的另一端接地。
优选地，所述输入级偏置镜像模块包括第三NMOS偏置管(Ninb)和第一栅极隔离电阻(Rg)，该可变偏置电流节点(Ipcb)连接至所述第三NMOS偏置管(Ninb)的漏极和栅极以及第一隔离电阻(Rg)的一端，第三NMOS偏置管(Ninb)的源极接地，第一隔离电阻(Rg)的另一端连接至所述输入级。
优选地，所述输入级采用电感负反馈共源结构。
优选地，所述输入级包括输入匹配电感(Lg)、输入匹配电感(Cg)、输入NMOS放大管(Nin)和发射极负反馈电感(Ls)，所述输入NMOS放大管(Nin)的源极和输入匹配电容(Cg)的一端连接第一隔离电阻(Rg)，所述输入匹配电容(Cg)的另一端通过输入匹配电感(Lg)连接至输入射频信号(RFin)，所述输入NMOS放大管(Nin)的源极通过发射极负反馈电感(Ls)接地，所述输入NMOS放大管(Nin)的漏极连接所述输出级。
优选地，所述输出级采用共栅结构。
优选地，所述输出级包括输出负载电感(Ld)、输出耦合电容(Co)、输出NMOS放大管(Mo)、栅极退耦电容(Cb)和第二栅极隔离电阻(Rb)，所述输出NMOS放大管(Mo)的源极和衬底连接所述输入NMOS放大管(Nin)的漏极，第二栅极隔离电阻(Rb)的一端连接所述输出级可变偏置电压节点(Vpcb)，另一端连接至所述输出NMOS放大管(Mo)的栅极和栅极退耦电容(Cb)的一端，所述输出NMOS放大管(Mo)的漏极连接输出负载电感(Ld)的一端和输出耦合电容(Co)的一端，输出耦合电容(Co)的另一端即射频输出信号(RFout)。
与现有技术相比，本发明一种增益可变放大器通过其可变偏置电压电路利用基准电压Vref与电流Iref，由输入数字控制信号CT[1:n]进行数字化控制调节实现偏置电压Vpc可变，并通过电流电压偏置电路利用可变偏置电压Vpc产生放大器输入级偏置镜像电流Ipcb及输出级可变偏置电压Vpcb，从而实现了放大器输入输出级偏置可变调节、增益可变调节控制及功耗数字化可变控制下的优化高效增益功耗能效比。
附图说明
图1为传统的射频放大器的电路结构图；
图2为本发明一种增益可变放大器的电路结构图；
图3为本发明具体实施例中增益可变放大器(n位)的电路结构图；
图4为本发明具体实施例中误差放大器Amp1的细部结构图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
图2为本发明一种增益可变放大器的电路结构图。如图2所示，本发明一种增益可变放大器，实现n-bits(n位)可变增益放大器功耗控制，包括带隙基准(BGR)10、可变偏置电压电路20、电流电压偏置电路30、偏置镜像模块40、输入级50、输出级60和低压差稳压电路(LDO)70组成。
其中，带隙基准(BGR，Band-Gap Reference)10用于产生基准电流Iref和基准电压Vref并输出至可变偏置电压电路20,具体地，该基准电流Iref用于为误差放大器提供偏置，基准电压Vref用于提供误差放大比较基准；可变偏置电压电路20由误差放大器Amp1、第三可变分压电阻R3、第四可变分压电阻R4和第五NMOS偏置管MN5组成，用于在增益控制信号CT[1:n]的控制下将基准电流Iref和基准电压Vref转换为电流电压偏置电路30所需的可变偏置电压Vpc，在本发明具体实施例中，可变偏置电压电路20利用基准电压Vref与电流Iref，由输入数字控制信号CT[1:n]进行数字化控制调节实现偏置电压Vpc可变，数字控制信号CT[1:n]通过数字化控制调节电阻反馈比可变实现偏置电压Vpc可变；电流电压偏置电路30由第四PMOS偏置管MP4、第五PMOS偏置管MP5、第一分压电阻R1和第二分压电阻R2组成，用于将可变偏置电压电路20输出的可变偏置电压Vpc转换为输出级60所需的输出级可变偏置电压Vpcb，同时将可变偏置电压Vpc转换为输入级偏置镜像模块40所需的可变偏置电流Ipcb；输入级偏置镜像模块40由输入偏置NMOS管Ninb和第一栅极隔离电阻Rg组成，用于在电流电压偏置电路30输出的可变电流Ipcb的控制下产生可变的偏置电压VgNin并输出至输入级50的栅极；输入级50为电感负反馈(inductive-degenerated)共源结构，由输入匹配电感Lg、输入匹配电容Cg、输入NMOS放大管Nin和发射极负反馈电感Ls组成，用于完成射频信号RFin的初步放大；输出级60为共栅结构，由输出负载电感Ld、输出耦合电容Co、输出NMOS放大管Mo、栅极退耦电容Cb和第二栅极隔离电阻Rb组成，用于在输出级可变偏置电压Vpcb的控制下，将经输入级50放大的射频信号RFin进一步放大得到射频输出信号RFout；低压差稳压电路(LDO)70，用于产生稳定电压Va供给射频输入级50和射频输出级60以获得更稳定的增益控制效果。
图3为本发明具体实施例中增益可变放大器(n位)的电路结构图。在本发明具体实施例中，数字控制信号CT[1:n]通过数字化控制调节电阻反馈比可变实现偏置电压Vpc可变，具体地，可变偏置电压电路20包括误差放大器Amp1、第三可变分压电阻R3、第四可变分压电阻R4和第五NMOS偏置管MN5，用于在增益控制信号CT[1:n]的控制下将基准电流Iref和基准电压Vref转换为电流电压偏置电路30所需的可变偏置电压Vpc，可变偏置电压Vpc由误差放大器输出可变电阻串与自偏置NMOS调节负载产生，具体地，带隙基准(BGR)10的输出基准电流Iref连接至误差放大器Amp1的控制输入端，基准电压Vref连接至误差放大器Amp1的反相输入端，误差放大器Amp1的输出即可变偏置电压Vpc连接第三可变分压电阻R3的一端和第四PMOS偏置管MP4的栅极以及第五PMOS偏置管MP5的栅极，第三可变分压电阻R3的另一端与第四可变分压电阻R4的一端相连组成分压输出节点连接至误差放大器Amp1的同相输入端，第四可变分压电阻R4的另一端连接第五NMOS偏置管MN5的漏极和栅极，第五NMOS偏置管MN5的源极和衬底接地，增益控制信号CT[1:n]连接至第三可变分压电阻R3、第四可变分压电阻R4的控制端；
第四PMOS偏置管MP4的漏极即可变偏置电流Ipcb节点连接至输入偏置NMOS管Ninb的漏极和栅极以及第一隔离电阻Rg的一端，输入偏置NMOS管Ninb的源极接地；
第五PMOS偏置管MP5的漏极连接至第一分压电阻R1的一端，第一分压电阻R1的另一端与第二分压电阻R2的一端组成输出级可变偏置电压Vpcb节点，该输出级可变偏置电压Vpcb节点连接至第二隔离电阻Rb的一端，第二分压电阻R2的另一端接地；
第一隔离电阻Rg的另一端连接至输入NMOS放大管Nin的栅极和输入匹配电容Cg的一端，输入匹配电容Cg的另一端通过输入匹配电感Lg连接至输入射频信号RFin，NMOS放大管Nin的源极通过发射极负反馈电感Ls接地，NMOS放大管Nin的漏极连接输出NMOS放大管Mo的源极和衬底；
第二隔离电阻Rb的另一端连接至输出NMOS放大管Mo的栅极和栅极退耦电容Cb的一端，输出NMOS放大管Mo的漏极连接输出负载电感Ld的一端和输出耦合电容Co的一端，输出耦合电容Co的另一端即射频输出信号RFout。
输入电源Vdd连接至带隙基准(BGR)10的电源端、误差放大器Amp1的电源端、第四PMOS偏置管MP4的源极和衬底、第五PMOS偏置管MP5的源极和衬底以及低压差稳压电路(LDO)70的输入端，栅极退耦电容Cb的另一端和输出负载电感Ld的另一端接低压差稳压电路(LDO)70的输出端即电源Va。
图4为本发明具体实施例中误差放大器Amp1的细部结构图。如图4所示，误差放大器Amp1由第一NMOS偏置管MN1、第二NMOS偏置管MN2、第三NMOS放大管MN3、第四NMOS放大管MN4、第一PMOS偏置管MP1、第二PMOS偏置管MP2和第三PMOS放大输出管MP3组成，第三NMOS放大管MN3的栅极为误差放大器Amp1的反相输入端，第四NMOS放大管MN4的栅极为误差放大器Amp1的同相输入端，第一NMOS偏置管MN1的漏极和栅极是误差放大器Amp1的控制输入端，第三PMOS放大管MP3的漏极为误差放大器Amp1的输出端即可变偏置电压Vpc；带隙基准(BGR)10的输出基准电流Iref连接至第一NMOS偏置管MN1的漏极和栅极以及第二NMOS偏置管MN2的栅极，基准电压Vref连接至第三NMOS放大管MN3的栅极，第二NMOS偏置管MN2的漏极连接至第三NMOS放大管MN3的源极和衬底以及第四NMOS放大管MN4的源极和衬底，第三NMOS放大管MN3的漏极与第一PMOS偏置管MP1的漏极相连并连接至第三PMOS放大输出管MP3的栅极，第四NMOS放大管MN4的漏极与第二PMOS偏置管MP2漏极和栅极以及第一PMOS偏置管MP1的栅极相连，第三PMOS放大输出管MP3的漏极与第三可变分压电阻R3的一端相连组成可变偏置电压Vpc节点，第三可变分压电阻R3的另一端与第四可变分压电阻R4的一端相连并连接至第四NMOS放大管MN4的栅极；第一NMOS偏置管MN1的源极和衬底、第二NMOS偏置管MN2的源极和衬底接地，第一PMOS偏置管MP1的源极和衬底、第二PMOS偏置管MP2的源极和衬底以及第三PMOS放大输出管MP3的源极和衬底接输入电源Vdd。
可见，本发明通过其可变偏置电压电路利用基准电压Vref与电流Iref，由输入数字控制信号CT[1:n]进行数字化控制调节实现偏置电压Vpc可变，并通过电流电压偏置电路利用可变偏置电压Vpc产生放大器输入级偏置镜像电流Ipcb及输出级可变偏置电压Vpcb，从而实现了放大器输入输出级偏置可变调节、增益可变调节控制及功耗数字化可变控制下的优化高效增益功耗能效比。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (10)

1.一种增益可变放大器，包括：
带隙基准，用于产生基准电流(Iref)和基准电压(Vref)并输出至可变偏置电压电路；
可变偏置电压电路，用于在n位增益控制信号(CT[1:n])的控制下将所述基准电流(Iref)和基准电压(Vref)转换为电流电压偏置电路所需的第一可变偏置电压(Vpc)；
电流电压偏置电路，用于将所述可变偏置电压电路输出的第一可变偏置电压(Vpc)转换为输出级所需的输出级可变偏置电压(Vpcb)，同时将所述第一可变偏置电压(Vpc)转换为输入级偏置镜像模块所需的可变偏置电流(Ipcb)；
输入级偏置镜像模块，用于在所述电流电压偏置电路输出的可变偏置电流(Ipcb)的控制下产生第二可变偏置电压(VgNin)并输出至输入级；
输入级，用于在所述第二可变偏置电压(VgNin)的控制下完成射频信号(RFin)的初步放大；
输出级，用于在所述输出级可变偏置电压(Vpcb)的控制下，将经所述输入级放大的射频信号(RFin)进一步放大得到射频输出信号(RFout)；
低压差稳压电路，用于产生稳定电压(Va)供给所述输入级和输出级以获得更稳定的增益控制效果。
2.如权利要求1所述的一种增益可变放大器，其特征在于，所述可变偏置电压电路将n位数字控制信号(CT[1:n])通过数字化控制调节电阻反馈比可变实现所述第一可变偏置电压(Vpc)可变。
3.如权利要求2所述的一种增益变放大器，其特征在于，所述可变偏置电压电路包括误差放大器(Amp1)、第三可变分压电阻(R3)、第四可变分压电阻(R4)和第五NMOS偏置管(MN5)，所述带隙基准的输出基准电流(Iref)连接至所述误差放大器(Amp1)的控制输入端，所述基准电压(Vref)连接至误差放大器(Amp1)的反相输入端，误差放大器(Amp1)的输出端输出所述第一可变偏置电压(Vpc)并连接所述第三可变分压电阻(R3)的一端以及所述电流电压偏置电路，所述第三可变分压电阻(R3)的另一端与第四可变分压电阻(R4)的一端相连组成分压输出节点连接至所述误差放大器(Amp1)的同相输入端，所述第四可变分压电阻(R4)的另一端连接所述第五NMOS偏置管(MN5)的漏极和栅极，所述第五NMOS偏置管(MN5)的源极和衬底接地，n位增益控制信号(CT[1:n])连接至所述第三可变分压电阻(R3)、第四可变分压电阻(R4)的控制端。
4.如权利要求3所述的一种增益可变放大器，其特征在于：所述误差放大器(Amp1)包括第一NMOS偏置管(MN1)、第二NMOS偏置管(MN2)、第三NMOS放大管(MN3)、第四NMOS放大管(MN4)、第一PMOS偏置管(MP1)、第二PMOS偏置管(MP2)和第三PMOS放大输出管(MP3)，所述第三NMOS放大管(MN3)的栅极为所述误差放大器(Amp1)的反相输入端，第四NMOS放大管(MN4)的栅极为所述误差放大器(Amp1)的同相输入端，第一NMOS偏置管(MN1)的漏极和栅极为所述误差放大器(Amp1)的控制输入端，第三PMOS放大输出管(MP3)的漏极为误差放大器(Amp1)的输出端即输出所述第一可变偏置电压(Vpc)；所述带隙基准的输出基准电流(Iref)连接至第一NMOS偏置管(MN1)的漏极和栅极以及第二NMOS偏置管(MN2)的栅极，所述基准电压(Vref)连接至第三NMOS放大管(MN3)的栅极，第二NMOS偏置管(MN2)的漏极连接至第三NMOS放大管(MN3)的源极和衬底以及第四NMOS放大管(MN4)的源极和衬底，第三NMOS放大管(MN3)的漏极与第一PMOS偏置管(MP1)的漏极相连并连接至第三PMOS放大输出管(MP3)的栅极，第四NMOS放大管(MN4)的漏极与第二PMOS偏置管(MP2)漏极和栅极以及第一PMOS偏置管(MP1)的栅极相连，第三PMOS放大输出管(MP3)的漏极与第三可变分压电阻(R3)的一端相连组成所述第一可变偏置电压节点(Vpc)，第三可变分压电阻(R3)的另一端与第四可变分压电阻(R4)的一端相连并连接至第四NMOS放大管(MN4)的栅极；第一NMOS偏置管(MN1)的源极和衬底、第二NMOS偏置管(MN2)的源极和衬底接地，第一PMOS偏置管(MP1)的源极和衬底、第二PMOS偏置管(MP2)的源极和衬底以及第三PMOS放大输出管(MP3)的源极和衬底接输入电源(Vdd)。
5.如权利要求4所述的一种增益可变放大器，其特征在于：所述电流电压偏置电路包括第四PMOS偏置管(MP4)、第五PMOS偏置管(MP5)、第一分压电阻(R1)和第二分压电阻(R2)，第四PMOS偏置管(MP4)的栅极以及第五PMOS偏置管(MP5)的栅极连接所述误差放大器(Amp1)的输出，所述第四PMOS偏置管(MP4)的漏极即可变偏置电流节点(Ipcb)连接至所述输入级偏置镜像模块，第五PMOS偏置管(MP5)的漏极连接至第一分压电阻(R1)的一端，第一分压电阻(R1)的另一端与第二分压电阻(R2)的一端连接组成输出级可变偏置电压节点(Vpcb)，所述输出级可变偏置电压节点(Vpcb)连接至所述输出级，第二分压电阻(R2)的另一端接地。
6.如权利要求5所述的一种增益可变放大器，其特征在于：所述输入级偏置镜像模块包括第三NMOS偏置管(Ninb)和第一栅极隔离电阻(Rg)，该可变偏置电流节点(Ipcb)连接至所述第三NMOS偏置管(Ninb)的漏极和栅极以及第一隔离电阻(Rg)的一端，第三NMOS偏置管(Ninb)的源极接地，第一隔离电阻(Rg)的另一端连接至所述输入级。
7.如权利要求6所述的一种增益可变放大器，其特征在于：所述输入级采用电感负反馈共源结构。
8.如权利要求7所述的一种增益变放大器，其特征在于：所述输入级包括输入匹配电感(Lg)、输入匹配电感(Cg)、输入NMOS放大管(Nin)和发射极负反馈电感(Ls)，所述输入NMOS放大管(Nin)的源极和输入匹配电容(Cg)的一端连接第一隔离电阻(Rg)，所述输入匹配电容(Cg)的另一端通过输入匹配电感(Lg)连接至输入射频信号(RFin)，所述输入NMOS放大管(Nin)的源极通过发射极负反馈电感(Ls)接地，所述输入NMOS放大管(Nin)的漏极连接所述输出级。
9.如权利要求8所述的一种增益可变放大器，其特征在于：所述输出级采用共栅结构。
10.如权利要求9所述的一种增益可变放大器，其特征在于：所述输出级包括输出负载电感(Ld)、输出耦合电容(Co)、输出NMOS放大管(Mo)、栅极退耦电容(Cb)和第二栅极隔离电阻(Rb)，所述输出NMOS放大管(Mo)的源极和衬底连接所述输入NMOS放大管(Nin)的漏极，第二栅极隔离电阻(Rb)的一端连接所述输出级可变偏置电压节点(Vpcb)，另一端连接至所述输出NMOS放大管(Mo)的栅极和栅极退耦电容(Cb)的一端，所述输出NMOS放大管(Mo)的漏极连接输出负载电感(Ld)的一端和输出耦合电容(Co)的一端，输出耦合电容(Co)的另一端即射频输出信号(RFout)。
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