CN113866617A - 光耦继电器寿命的检测方法、装置、终端设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种光耦继电器寿命的检测方法、装置、终端设备及存储介质，其中，光耦继电器寿命的检测方法包括步骤：确定待测光耦继电器的初始参数；在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，过程参数并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况；测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型；根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间。本申请能够实现便于检测光耦继电器寿命。
Description
技术领域
本申请涉及电子器件测试领域，具体而言，涉及一种光耦继电器寿命的检测方法、装置、终端设备及存储介质。
背景技术
电网是国民经济领域重要的基础设施，对可靠性有极高要求。光耦继电器是一种光电耦合器件，它作为变电系统电平隔离的关键组件，其稳定性对整个系统的平稳运行起着至关重要的作用。因此，有必要对光耦的退化机理与寿命进行研究，以便明确光耦继电器运行状态，从而分析其老化情况，为制定运维措施(如预防性更换)及设备的全生命周期管理(如健康状态监控)提供技术支撑。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种一种光耦继电器寿命的检测方法、装置、终端设备及存储介质，用以便于检测光耦继电器寿命。
为此本申请第一方面公开一种光耦继电器寿命的检测方法，所述方法包括：
确定待测光耦继电器的初始参数；
在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况过程参数；
测试所述待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；
根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数构建退化模型；
根据所述退化模型、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
在本申请实施例中，通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命。
在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数构建退化模型，包括：
根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数拟合成所述待测光耦继电器的参数退化曲线；
将所述待测光耦继电器的参数退化曲线作为所述退化模型。
在本可选的实施方式中，通过初始参数、过程参数和试验后的参数能够拟合成待测光耦继电器的参数退化曲线，进而能够将待测光耦继电器的参数退化曲线作为退化模型。
在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述根据所述退化模型、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间，包括：
根据所述待测光耦继电器的参数退化曲线、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
在本可选的实施方式中，根据待测光耦继电器的参数退化曲线、初始参数能够计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，在所述确定待测光耦继电器的初始参数之后，所述根据预设的温度和湿度对所述待测光耦继电器进行加电偏置之前，所述方法还包括：
在所述待测光耦继电器的所能承受的温度上下限范围内确定所述加电偏置试验的试验温度；
在所述待测光耦继电器的所能承受的湿度上下限确定所述试验湿度。
在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况的过程参数，以得到所述待测光耦继电器的开启电压的过程参数，包括：
在温度为50℃、相对湿度为60RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第一组测试结果；
在温度85℃、相对湿度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第二组测试结果；
在温度100℃、相对湿度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第三组测试结果；
在温度110℃、相对湿度100RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第四组测试结果；
根据所述第一组测试结果、第二组测试结果、第三组测试结果、第四组测试结果确定所述待测光耦继电器的开启电压的退化情况。
在本可选的实施方式中，通过多组实验条件能够确定所述待测光耦继电器的开启电压的过程参数限。
在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述确定待测光耦继电器的初始参数，包括：
监测所述待测光耦继电器在被施加扫描电压时，所述待测光耦继电器的电流值，当所述待测光耦继电器的电流值由mA级增大到A级时，确定所述待测光耦继电器的开启电压，并作为所述待测光耦继电器的初始参数。
在本可选的实施方式中，通过监测所述待测光耦继电器在被施加扫描电压时，所述待测光耦继电器的电流值，可确定待测光耦继电器的初始参数。
本申请第二方面公开一种光耦继电器寿命的检测装置，所述装置包括：
确定模块，用于确定待测光耦继电器的初始参数；
第一计算模块，用于在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况的过程参数；
第二计算模块，用于测试所述待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；
构建模块，用于根根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数构建退化模型；
第三计算模块，根据所述退化模型、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
本申请第二方面的装置通过执行光耦继电器寿命的检测方法，能够通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命。
在本申请第二方面中，作为一种可选的实施方式，所述构建模块包括：
拟合子模块，用于根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数拟合成所述待测光耦继电器的参数退化曲线；
构建子模块，用于将所述待测光耦继电器的参数退化曲线作为所述退化模型。
在本可选的实施方式中，通过初始参数、过程参数和试验后的参数能够拟合成待测光耦继电器的参数退化曲线，进而能够将待测光耦继电器的参数退化曲线作为退化模型。
本申请第三方面公开一种终端设备，所述终端设备包括：
存储有可执行程序代码的存储器；
与所述存储器耦合的处理器；
所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行本申请第一方面的光耦继电器寿命的检测方法。
本申请第三方面的终端设备通过执行光耦继电器寿命的检测方法，能够通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命过程参数过程参数。
本申请第四方面公开一种存储介质，所述存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令被调用时，用于执行本申请第一方面公开的光耦继电器寿命的检测方法。
本申请第四方面的存储介质通过执行光耦继电器寿命的检测方法，能够通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命过程参数过程参数。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本申请实施例公开的一种光耦继电器寿命的检测方法的流程示意图；
图2是本申请实施例公开的一种光耦继电器寿命的检测装置的结构示意图；
图3是本申请实施例公开的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1，图1是本申请实施例公开的一种光耦继电器寿命的检测方法的流程示意图。如图1所示，本申请实施例的方法包括步骤：
101、确定待测光耦继电器的初始参数；
102、在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况过程参数；
103、测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；
104、根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型；
105、根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
在本申请实施例中，待测光耦继电器可以主流的继电器厂家的一款常用光耦继电器。
在本申请实施例中，通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命过程参数过程参数。
在本申请实施例，作为一种可选的实施方式，步骤104：根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，包括以下子步骤：
根据初始参数、过程参数和试验后的参数拟合成待测光耦继电器的参数退化曲线；
将待测光耦继电器的参数退化曲线作为退化模型。
在本可选的实施方式中，通过初始参数、过程参数和试验后的参数能够拟合成待测光耦继电器的参数退化曲线，进而能够将待测光耦继电器的参数退化曲线作为退化模型。
在本申请实施例中，作为一种可选的实施方式，步骤105：根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，包括以下子步骤：
根据待测光耦继电器的参数退化曲线、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
在本可选的实施方式中，根据待测光耦继电器的参数退化曲线、初始参数能够计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
在本申请实施例中，作为一种可选的实施方式，在步骤101：确定待测光耦继电器的初始参数之后，步骤102：在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况之前，本申请实施例的方法还包括：
在所述待测光耦继电器的所能承受的温度上下限范围内确定所述加电偏置试验的试验温度；
在所述待测光耦继电器的所能承受的湿度上下限确定所述试验湿度。
在本可选的实施方式中，通过待测光耦继电器的所能承受的温度上限和湿度上限可确定加电偏置试验的试验温度和试验湿度。
在本申请实施例中，作为一种可选的实施方式，步骤102：在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况过程参数，包括以下子步骤：
在温度为50℃、相对湿度为60RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第一组试验结果；
在温度85℃、相对湿；度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第二组试验结果；
在温度100℃、相对湿度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第三组试验结果；
在温度110℃、相对湿度100RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验并获取生成的第四组试验结果；
根据所述第一组试验结果、第二组试验结果、第三组试验结果、第四组试验结果确定所述待测光耦继电器的开启电压的过程参数。
在本可选的实施方式中，通过多组试验条件能够确定待测光耦继电器的开启电压的过程参数。
在本可选的实施方式中，在温度为50℃、相对湿度为60RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验作为A组试验，在温度85℃、相对湿；度85 RH％的条件下对所述待测光耦继电器作为B组试验，在温度100℃、相对湿度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验作为C组试验，而在温度 110℃、相对湿度100RH％的条件下对所述待测光耦继电器试验作为D组试验，其中，A组试验的试验时间为3000h，B组试验的试验时间为2000h，C组试验的试验时间为1000h，D组试验的试验时间为500h。
在本申请实施例中，作为一种可选的实施方式，步骤101：确定待测光耦继电器的初始参数，包括：
监测待测光耦继电器在被施加扫描电压时，待测光耦继电器的电流值，当待测光耦继电器的电流值由mA级增大到A级时，确定待测光耦继电器的开启电压，并作为待测光耦继电器的初始参数。
在本可选的实施方式，向待测光耦继电器施加的扫描电压的具体数值可以根据光耦继电器的规格书确定，例如根据规格书，可确定待测光耦继电器施加的扫描电压为15V。进一步地，，可在光耦继电器两个节点之间施加扫描电压，进而当光耦继电器两个节点之间的电流由mA级增大到A级时，确定待测光耦继电器的开启电压。
在本可选的实施方式中，作为一种可选的方式，在0V-15V范围内，扫描电压以0.1V为梯度增量，施加在待测光耦继电器上，直至待测光耦继电器的电流值由mA级增大到A级。
在本可选的实施方式中，通过监测待测光耦继电器在被施加扫描电压时，待测光耦继电器的电流值，可确定待测光耦继电器的初始参数。
实施例二
请参阅图2，图2是本申请实施例公开的一种光耦继电器寿命的检测装置的结构示意图。如图2所示，本申请实施例的光耦继电器寿命的检测装置包括：
确定模块201，用于确定待测光耦继电器的初始参数；
第一计算模块202，用于在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况的过程参数；
第二计算模块203，用于测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；
构建模块204，用于根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型；
第三计算模块205，用于根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
本申请实施例的装置通过执行光耦继电器寿命的检测方法，能够通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命过程参数过程参数。
在本申请实施例中，作为一种可选的实施方式，构建模块204包括以下子模块：
拟合子模块，用于根据初始参数、过程参数和试验后的参数拟合成待测光耦继电器的参数退化曲线；
构建子模块，用于将待测光耦继电器的参数退化曲线作为退化模型。
在本可选的实施方式中，通过初始参数、过程参数和试验后的参数能够拟合成待测光耦继电器的参数退化曲线，进而能够将待测光耦继电器的参数退化曲线作为退化模型。
实施例三
请参阅图3，图3是本申请实施例公开的一种终端设备的结构示意图。如图3所示，本申请实施例的终端设备包括：
存储有可执行程序代码的存储器301；
与存储器301耦合的处理器302；
处理器302调用存储器301中存储的可执行程序代码，执行本申请实施例一的光耦继电器寿命的检测方法。
本申请实施例的终端设备通过执行光耦继电器寿命的检测方法，能够通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命过程参数过程参数。
实施例四
本申请实施例公开一种存储介质，存储介质存储有计算机指令，计算机指令被调用时，用于执行本申请实施例一公开的光耦继电器寿命的检测方法。
本申请实施例的存储介质通过执行光耦继电器寿命的检测方法，能够通过确定待测光耦继电器的初始参数，进而能够在一定加电偏置试验的试验温度和试验湿度条加下对待测光耦继电器进行加电偏置，进而能够得到待测光耦继电器的开启电压的退化情况，进而能够测试待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数，进而能够根据初始参数、过程参数和试验后的参数构建退化模型，进而能够根据退化模型、初始参数计算待测光耦继电器退化至失效所需的时间，最终根据待测光耦继电器退化至失效所需的时间确定待测光耦继电器的寿命过程参数过程参数。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
需要说明的是，功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器 (Read-Only Memory，ROM)随机存取存储器(Random Access Memory， RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种光耦继电器寿命的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
确定待测光耦继电器的初始参数；
在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况的过程参数；
测试所述待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；
根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数构建退化模型；
根据所述退化模型、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数构建退化模型，包括：
根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数拟合成所述待测光耦继电器的参数退化曲线；
根据所述待测光耦继电器的参数退化曲线建立所述退化模型。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述退化模型、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间，包括：
根据所述待测光耦继电器的参数退化曲线、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述确定待测光耦继电器的初始参数之后，所述根据预设的温度和湿度对所述待测光耦继电器进行加电偏置之前，所述方法还包括：
在所述待测光耦继电器的所能承受的温度上下限范围内确定所述加电偏置试验的试验温度。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况的过程参数，以得到所述待测光耦继电器的开启电压的退化情况，包括：
在温度为50℃、相对湿度60RH％的条件下对所述待测光耦继电器测试并获取生成的第一组测试结果；
在温度85℃、相对湿、度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器测试并获取生成的第二组测试结果；
在温度100℃、相对湿度85RH％的条件下对所述待测光耦继电器测试并获取生成的第三组测试结果；
在温度110℃、相对湿度100RH％的条件下对所述待测光耦继电器测试并获取生成的第四组测试结果；
根据所述第一组测试结果、第二组测试结果、第三组测试结果、第四组测试结果确定所述待测光耦继电器的开启电压的退化情况。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定待测光耦继电器的初始参数，包括：
监测所述待测光耦继电器在被施加扫描电压时，所述待测光耦继电器的电流值，当所述待测光耦继电器的电流值由mA级增大到A级时，确定所述待测光耦继电器的开启电压，并作为所述待测光耦继电器的初始参数。
7.一种光耦继电器寿命的检测装置，其特征在于，所述装置包括：
确定模块，用于确定待测光耦继电器的初始参数；
第一计算模块，用于在一定的温度和湿度条件下对待测光耦继电器进行加电偏置试验，并在试验过程中监测光耦继电器开启电压的退化情况的过程参数；
第二计算模块，用于测试所述待测光耦继电器在加电偏置结束时的开启电压，并作为试验后的参数；
构建模块，用于根根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数构建退化模型；
第三计算模块，根据所述退化模型、所述初始参数计算所述待测光耦继电器退化至失效所需的时间。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述构建模块包括：
拟合子模块，用于根据所述初始参数、所述过程参数和所述试验后的参数拟合成所述待测光耦继电器的参数退化曲线；
构建子模块，用于将所述待测光耦继电器的参数退化曲线作为所述退化模型。
9.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：
存储有可执行程序代码的存储器；
与所述存储器耦合的处理器；
所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行如权利要求1-6任一项所述的光耦继电器寿命的检测方法。
10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令被调用时，用于执行如权利要求1-6任一项所述的光耦继电器寿命的检测方法。
Priority Applications (1)
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2021
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