CN113823897A - 两低四高多端口基站天线 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种两低四高多端口基站天线，由上至下依次为第一低频辐射阵列、第三高频辐射阵列、第四高频辐射阵列以及第二低频辐射阵列；其中，第一低频辐射阵列和第一高频辐射阵列叠合布设，第二低频辐射阵列和第二高频辐射阵列叠合布设，在缩小天线尺寸的同时，有效降低水平波束宽度，提高前后比，可覆盖低频790‑960MHz、高频覆盖1710‑2170MHz。

Description

两低四高多端口基站天线

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种两低四高多端口基站天线。

背景技术

随着移动通信系统的迅速发展，天线作为其重要组成部分也面临着严峻的考验。近年来，多种网络制式共存共站，使得站址资源日益紧张，多端口、多制式天线能极大节省天面空间、建设资源、维护成本，多端口天线逐渐成为发展趋势。

目前，低频多端口天线设计一般采用2列或者3列以上低频直线阵列肩并肩排列，通过缩小两列直线阵之间的距离来实现小型化，同时辅以一些特殊的边界来减少阵元之间的互耦，但这种布设方式对于天线指标提升有限。

发明内容

本发明提供一种两低四高多端口基站天线，用以解决现有技术中多端口基站天线的性能不良的问题。

本发明提供一种两低四高多端口基站天线，包括：第一低频辐射阵列、第二低频辐射阵列、第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列以及第四高频辐射阵列；

所述第一低频辐射阵列包括多个第一低频振子，所述第二低频辐射阵列包括多个第二低频振子，所述第一高频辐射阵列包括多个第一高频振子，所述第二高频辐射阵列包括多个第二高频振子，所述第三高频辐射阵列包括多个第三高频振子，所述第四高频辐射阵列包括多个第四高频振子；

其中，位于尾端的两个所述第一低频振子相对于其余的所述第一低频振子偏移布置；

位于首端的一个所述第三高频振子相对于其余的所述第三高频振子偏移布置，偏移布置的所述第三高频振子位于两个所述第一低频振子之间；

位于尾端的一个所述第四高频振子相对于其余的所述第四高频振子偏移布置，偏移布置的所述第四高频振子位于两个所述第二低频振子之间；

位于尾端的两个所述第二低频振子相对于其余的所述第二低频振子偏移布置；

位于尾端的所述第一高频振子相对于其余的所述第一高频振子偏移布置，部分所述第一高频振子嵌设于所述第一低频振子；

位于首端的所述第二高频振子相对于其余的所述第二高频振子偏移布置，部分所述第二高频振子嵌设于所述第二低频振子。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，位于末端的所述第一高频振子嵌设于所述第一低频振子，且等间隔布置的多个所述第一高频振子均嵌设于所述第一低频振子；

位于首端的所述第二高频振子嵌设于所述第二低频振子，且等间隔布置的多个所述第二高频振子均嵌设于所述第二低频振子。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，相邻的两个所述第一低频振子之间的距离为d1，位于尾端的两个所述第一低频振子的偏移距离为S2；

相邻的两个所述第二低频振子之间的距离为d1，位于首端的两个所述第二低频振子的偏移距离为S2；

位于首端的所述第一低频振子和位于尾端的所述第二低频振子之间的距离为S1；

其中，S1＝0.5～0.66λ₁，S2＝0.15～0.25λ₁，d1＝0.7～0.9λ₁；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，相邻的两个所述第一高频振子之间的距离为d2，位于尾端的所述第一高频振子的偏移距离为S2；

相邻的两个所述第二高频振子之间的距离为d2，位于首端的所述第一高频振子的偏移距离为S2；

位于首端的所述第一高频振子和位于尾端的所述第二高频振子之间的距离为S1；

其中，S1＝0.5～0.66λ₁，S2＝0.15～0.25λ₁，d2＝0.7～0.9λ₂；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长，λ₂为第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列或第四高频辐射阵列的中心频率对应的波长。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，相邻的两个所述第三高频振子之间的距离为d3，位于首端的一个所述第三高频振子的偏移距离为S3；

相邻的两个所述第四高频振子之间的距离为d3，位于尾端的一个所述第四高频振子的偏移距离为S3；

位于首端的所述第四高频振子和位于尾端的所述第三高频振子之间的距离为S4；

其中，S3＝0.5～0.66λ₂，S4＝0.5～0.66λ₂，d3＝0.7～0.9λ₂；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长，λ₂为第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列或第四高频辐射阵列的中心频率对应的波长。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，还包括第一高频边界、第二高频边界、第三高频边界；

第一高频边界位于所述第一高频阵列和所述第三高频阵列之间，第二高频边界位于所述第二高频阵列和所述第四高频阵列之间，第三高频边界位于所述第三高频阵列和所述第四高频阵列四之间。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，还包括第四高频边界、第五高频边界、第六高频边界和第七高频边界；

位于首端的两个所述第三高频振子位于所述第四高频边界和所述第五高频边界之间，位于尾端的两个所述第四高频振子位于所述第六高频边界和所述第七高频边界之间。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，还包括耦合电桥，所述耦合电桥分别与相互对齐的一个所述第一低频振子和一个所述第二低频振子连通。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，还包括反射板，未嵌入所述第一低频振子的所述第一高频振子与所述反射板绝缘连接；未嵌入所述第二低频振子的所述第二高频振子与所述反射板绝缘连接；所述第三高频振子和所述第四高频振子与所述反射板绝缘连接。

根据本发明提供的一种两低四高多端口基站天线，未嵌入所述第一低频振子的所述第一高频振子的上方设有引相片；未嵌入所述第二低频振子的所述第二高频振子的上方设有引相片；所述第三高频振子和所述第四高频振子的上方均设有引相片。

本发明提供的两低四高多端口基站天线，由上至下依次为第一低频辐射阵列、第三高频辐射阵列、第四高频辐射阵列以及第二低频辐射阵列；其中，第一低频辐射阵列和第一高频辐射阵列叠合布设，第二低频辐射阵列和第二高频辐射阵列叠合布设，在缩小天线尺寸的同时，有效降低水平波束宽度，提高前后比，可覆盖低频790-960MHz、高频覆盖1710-2170MHz。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的两低四高多端口基站天线的结构示意图之一；

图2是本发明提供的两低四高多端口基站天线的结构示意图之二；

图3是本发明提供的两低四高多端口基站天线的结构示意图之三；

图4是本发明提供的两低四高多端口基站天线的结构示意图之四；

附图标记：

1：第一个第一低频振子； 2：第二个第一低频振子；

3：第七个第一低频振子； 4：第一个第二低频振子；

5：第六个第二低频振子； 6：第七个第二低频振子；

7：第一个第一高频振子； 8：第二个第一高频振子；

9：第九个第一高频振子； 10：第九个第二高频振子；

11：第八个第二高频振子； 12：第一个第二高频振子；

13：第十个第三高频振子； 14：第九个第三高频振子；

15：第一个第三高频振子； 16：第一个第四高频振子；

17：第二个第四高频振子； 18：第十个第四高频振子；

19：反射板。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面结合图1至图4描述本发明的两低四高多端口基站天线。

如图1所示，本发明实施例的两低四高多端口基站天线，包括：第一低频辐射阵列、第二低频辐射阵列、第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列以及第四高频辐射阵列。

第一低频辐射阵列包括多个第一低频振子，第二低频辐射阵列包括多个第二低频振子，第一高频辐射阵列包括多个第一高频振子，第二高频辐射阵列包括多个第二高频振子，第三高频辐射阵列包括多个第三高频振子，第四高频辐射阵列包括多个第四高频振子。

其中，位于尾端的两个第一低频振子相对于其余的第一低频振子偏移布置；

位于首端的一个第三高频振子相对于其余的第三高频振子偏移布置，偏移布置的第三高频振子位于两个第一低频振子之间；

位于尾端的一个第四高频振子相对于其余的第四高频振子偏移布置，偏移布置的第四高频振子位于两个第二低频振子之间；

位于尾端的两个第二低频振子相对于其余的第二低频振子偏移布置；

位于尾端的第一高频振子相对于其余的第一高频振子偏移布置，部分第一高频振子嵌设于第一低频振子；

位于首端的第二高频振子相对于其余的第二高频振子偏移布置，部分第二高频振子嵌设于第二低频振子。

以下以第一低频阵列包括七个第一低频振子、第二低频阵列包括七个第二低频振子、第一高频阵列包括九第一高频振子、第二高频阵列包括九个第二高频振子、第三高频阵列包括十个第三高频振子以及第四高频阵列包括十个第四高频振子为例进行说明。

由左至右依次为第一个第一低频振子1、第二个第一低频振子2、第三个第一低频振子、第四个第一低频振子、第五个第一低频振子、第六个第一低频振子和第七个第一低频振子3；

其中，第一个第一低频振子1和第二个第一低频振子2位于同一直线上，第三个第一低频振子、第四个第一低频振子、第五个第一低频振子、第六个第一低频振子和第七个第一低频振子3位于同一直线上。

由左至右依次为第一个第二低频振子4、第二个第二低频振子、第三个第二低频振子、第四个第二低频振子、第五个第二低频振子、第六个第二低频振子5和第七个第二低频振子6；

其中，第一个第二低频振子4、第二个第二低频振子、第三个第二低频振子、第四个第二低频振子和第五个第二低频振子位于同一直线上，第六个第二低频振子5和第七个第二低频振子6位于同一直线上。

其中，第一个第一低频振子1和第二个第一低频振子2朝向第二低频阵列偏移，第六个第二低频振子5和第七个第二低频振子6朝向第一低频阵列偏移。

由左至右依次为第一个第一高频振子7、第二个第一高频振子8、第三个第一高频振子、第四个第一高频振子、第五个第一高频振子、第六个第一高频振子、第七个第一高频振子、第八个第一高频振子和第九个第一高频振子9。

其中，第二个第一高频振子8、第三个第一高频振子、第四个第一高频振子、第五个第一高频振子、第六个第一高频振子、第七个第一高频振子、第八个第一高频振子和第九个第一高频振子9位于同一直线上，第一个第一高频振子7嵌设于第二个第一低频振子2，第三个第一高频振子嵌设于第三个第一低频振子，第九个第一高频振子9嵌设于第六个第一低频振子，第四个第一高频振子设于第三个第一低频振子和第四个第一低频振子的正中间。

由左至右依次为第一个第二高频振子12、第二个第二高频振子、第三个第二高频振子、第四个第二高频振子、第五个第二高频振子、第六个第二高频振子、第七个第二高频振子、第八个第二高频振子11和第九个第二高频振子10。

其中，第一个第二高频振子12、第二个第二高频振子、第三个第二高频振子、第四个第二高频振子、第五个第二高频振子、第六个第二高频振子、第七个第二高频振子、第八个第二高频振子11位于同一直线上，

第九个第二高频振子10嵌设于第六个第二低频振子5，第一个第二高频振子12嵌设于第二个第二低频振子，第七个第二高频振子嵌设于第五个第二低频振子，第六个第二高频振子设于第五个第二低频振子和第四个第二低频振子的正中间。

由左至右依次为第一个第三高频振子15、第二个第三高频振子、第三个第三高频振子、第四个第三高频振子、第五个第三高频振子、第六个第三高频振子、第七个第三高频振子、第八个第三高频振子和第九个第三高频振子14。

第一个第三高频振子15、第二个第三高频振子、第三个第三高频振子、第四个第三高频振子、第五个第三高频振子、第六个第三高频振子、第七个第三高频振子、第八个第三高频振子和第九个第三高频振子14位于第一直线，第九个第三高频振子14和第十个第三高频振子13位于第二直线，第一直线和第二直线相垂直。

其中，第十个第三高频振子13位于第六个第一低频振子和第七个第一低频振子3的正中间，第一个第三高频振子15和第二个第一高频振子8对齐。

由左至右依次为第二个第四高频振子17、第三个第四高频振子、第四个第四高频振子、第五个第四高频振子、第六个第四高频振子、第七个第四高频振子、第八个第四高频振子、第九个第四高频振子和第十个第四高频振子18。

第二个第四高频振子17、第三个第四高频振子、第四个第四高频振子、第五个第四高频振子、第六个第四高频振子、第七个第四高频振子、第八个第四高频振子、第九个第四高频振子和第十个第四高频振子18位于第三直线，第二个第四高频振子17和第一个第四高频振子16位于第二直线，第一直线和第二直线相垂直。

其中，第一个第四高频振子16位于第一个第二低频振子4和第二个第一低频振子的正中间，第十个第四高频振子18和第八个第二高频振子11对齐。

需要说明的是，由上至下依次为第一低频辐射阵列、第三高频辐射阵列、第四高频辐射阵列以及第二低频辐射阵列；其中，第一低频辐射阵列和第一高频辐射阵列叠合布设，第二低频辐射阵列和第二高频辐射阵列叠合布设，在缩小天线尺寸的同时，有效降低水平波束宽度，提高前后比，可覆盖低频790-960MHz、高频覆盖1710-2170MHz。

在可选的实施例中，位于末端的第一高频振子嵌设于第一低频振子，且等间隔布置的多个第一高频振子均嵌设于第一低频振子；

位于首端的第二高频振子嵌设于第二低频振子，且等间隔布置的多个第二高频振子均嵌设于第二低频振子。

也就是说，第一个第一低频振子1、第二个第一低频振子2、第三个第一低频振子、第四个第一低频振子、第五个第一低频振子、第六个第一低频振子和第七个第一低频振子3等间隔布置；

第一个第二低频振子4、第二个第二低频振子、第三个第二低频振子、第四个第二低频振子、第五个第二低频振子、第六个第二低频振子5和第七个第二低频振子6等间隔布置；

第一个第一高频振子7、第二个第一高频振子8、第三个第一高频振子、第四个第一高频振子、第五个第一高频振子、第六个第一高频振子、第七个第一高频振子、第八个第一高频振子和第九个第一高频振子9等间隔布置；

第一个第二高频振子12、第二个第二高频振子、第三个第二高频振子、第四个第二高频振子、第五个第二高频振子、第六个第二高频振子、第七个第二高频振子、第八个第二高频振子11和第九个第二高频振子10等间隔布置；

第一个第三高频振子15、第二个第三高频振子、第三个第三高频振子、第四个第三高频振子、第五个第三高频振子、第六个第三高频振子、第七个第三高频振子、第八个第三高频振子和第九个第三高频振子14等间隔布置；

第二个第四高频振子17、第三个第四高频振子、第四个第四高频振子、第五个第四高频振子、第六个第四高频振子、第七个第四高频振子、第八个第四高频振子、第九个第四高频振子和第十个第四高频振子18等间隔布置。

在可选的实施例中，如图2所示，相邻的两个第一低频振子之间的距离为d1，位于尾端的两个第一低频振子的偏移距离为S2；

相邻的两个第二低频振子之间的距离为d1，位于首端的两个第二低频振子的偏移距离为S2；

位于首端的第一低频振子和位于尾端的第二低频振子之间的距离为S1；

其中，S1＝0.5～0.66λ₁，S2＝0.15～0.25λ₁，d1＝0.7～0.9λ₁；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长。

也就是说，第一个第一低频振子1和第二个第一低频振子2之间的距离为d1，第二个第一低频振子2和第二个第一低频振子之间的偏移距离为S2。

第一低频辐射阵列和第二低频辐射阵列的中心频率均为f1。

在可选的实施例中，如图3所示，相邻的两个第一高频振子之间的距离为d2，位于尾端的第一高频振子的偏移距离为S2；

相邻的两个第二高频振子之间的距离为d2，位于首端的第一高频振子的偏移距离为S2；

位于首端的第一高频振子和位于尾端的第二高频振子之间的距离为S1；

其中，S1＝0.5～0.66λ₁，S2＝0.15～0.25λ₁，d2＝0.7～0.9λ₂；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长，λ₂为第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列或第四高频辐射阵列的中心频率对应的波长。

也就是说，第二个第一高频振子8和第三个第一高频振子之间的距离为d2，第一个第一高频振子7相对于第二个第一高频振子8的偏移距离为S2；

第二个第一高频振子8和第二个第二高频振子对齐，第二个第一高频振子8和第二个第二高频振子之间的距离为S1。

在可选的实施例中，如图4所示，相邻的两个第三高频振子之间的距离为d3，位于首端的一个第三高频振子的偏移距离为S3；

相邻的两个第四高频振子之间的距离为d3，位于尾端的一个第四高频振子的偏移距离为S3；

位于首端的第四高频振子和位于尾端的第三高频振子之间的距离为S4；

其中，S3＝0.5～0.66λ₂，S4＝0.5～0.66λ₂，d3＝0.7～0.9λ₂；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长，λ₂为第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列或第四高频辐射阵列的中心频率对应的波长。

也就是说，第一个第三高频振子15和第二个第三高频振子之间的距离为d3，第十个第三高频振子13相对于第九个第三高频振子14的偏移距离为S3；

第一个第三高频振子15和第四个第四高频振子对齐，第一个第三高频振子15和第四个第四高频振子之间的距离为S4。

在可选的实施例中，还包括第一高频边界、第二高频边界、第三高频边界；

第一高频边界位于第一高频阵列和第三高频阵列之间，第二高频边界位于第二高频阵列和第四高频阵列之间，第三高频边界位于第三高频阵列和第四高频阵列四之间。

也就是说，第一高频边界由第一个第三高频振子15延伸至第八个第三高频振子；第二高频边界由第三个第四高频振子延伸至第十个第四高频振子18；

第三高频边界由第一个第三高频振子15延伸至第七个第三高频振子。

第八个第三高频振子和第九个第二高频振子10之间设有第八高频边界；

第一个第一高频振子7和第三个第四高频振子之间设有第九高频边界。

在可选的实施例中，还包括第四高频边界、第五高频边界、第六高频边界和第七高频边界；

位于首端的两个第三高频振子位于第四高频边界和第五高频边界之间，位于尾端的两个第四高频振子位于第六高频边界和第七高频边界之间。

也就是说，第九个第三高频振子14和第十个第三高频振子13位于第四高频边界和第五高频边界之间；第一个第四高频振子16和第二个第四高频振子17位于第六高频边界和第七高频边界之间。

在可选的实施例中，还包括耦合电桥，耦合电桥分别与相互对齐的一个第一低频振子和一个第二低频振子连通。

例如，耦合电桥分别与第一个第一低频振子1和第一个第二低频振子4，用于收敛低频水平面波束宽度。

在可选的实施例中，还包括反射板，未嵌入第一低频振子的第一高频振子与反射板19绝缘连接；未嵌入第二低频振子的第二高频振子与反射板绝缘连接；第三高频振子和第四高频振子与反射板19绝缘连接。

也就是说，第二个第一高频振子8、第四个第一高频振子、第六个第一高频振子和第八个第一高频振子与反射板19绝缘连接；

第二个第二高频振子、第四个第二高频振子、第六个第二高频振子和第八个第二高频振子11与反射板19绝缘连接；

在反射板19上开孔，也就是说，在第二个第一高频振子8、第四个第一高频振子、第六个第一高频振子、第八个第一高频振子、第二个第二高频振子、第四个第二高频振子、第六个第二高频振子、第八个第二高频振子11、第三高频振子和第四高频振子的下方开孔，从而提升第一低频辐射阵列和第二低频辐射阵列前后比指标；

所有的第三高频振子和所有的第四高频振子与反射板19绝缘连接。

在可选的实施例中，未嵌入第一低频振子的第一高频振子的上方设有引相片；未嵌入第二低频振子的第二高频振子的上方设有引相片；第三高频振子和第四高频振子的上方均设有引相片。

也就是说，第二个第一高频振子8、第四个第一高频振子、第六个第一高频振子和第八个第一高频振子的上方均设有引相片；

第二个第二高频振子、第四个第二高频振子、第六个第二高频振子和第八个第二高频振子11的上方均设有引相片；

所有的第三高频振子和所有的第四高频振子的上方均设有引相片。

引相片用于改善第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列和第四高频辐射阵列的水平面波束宽度和增益。

第一低频振子和第二低频振子分别设有5-7个，均为“碗状”形式的铝合金压铸振子，第一高频振子、第二高频振子、第三高频振子和第四高频振子均分别设有7～11个，均为“半波”形式的铝合金压铸振子。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种两低四高多端口基站天线，其特征在于，包括：第一低频辐射阵列、第二低频辐射阵列、第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列以及第四高频辐射阵列；

所述第一低频辐射阵列包括多个第一低频振子，所述第二低频辐射阵列包括多个第二低频振子，所述第一高频辐射阵列包括多个第一高频振子，所述第二高频辐射阵列包括多个第二高频振子，所述第三高频辐射阵列包括多个第三高频振子，所述第四高频辐射阵列包括多个第四高频振子；

其中，位于尾端的两个所述第一低频振子相对于其余的所述第一低频振子偏移布置；

位于首端的一个所述第三高频振子相对于其余的所述第三高频振子偏移布置，偏移布置的所述第三高频振子位于两个所述第一低频振子之间；

位于尾端的一个所述第四高频振子相对于其余的所述第四高频振子偏移布置，偏移布置的所述第四高频振子位于两个所述第二低频振子之间；

位于尾端的两个所述第二低频振子相对于其余的所述第二低频振子偏移布置；

位于尾端的所述第一高频振子相对于其余的所述第一高频振子偏移布置，部分所述第一高频振子嵌设于所述第一低频振子；

位于首端的所述第二高频振子相对于其余的所述第二高频振子偏移布置，部分所述第二高频振子嵌设于所述第二低频振子。

2.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，位于末端的所述第一高频振子嵌设于所述第一低频振子，且等间隔布置的多个所述第一高频振子均嵌设于所述第一低频振子；

位于首端的所述第二高频振子嵌设于所述第二低频振子，且等间隔布置的多个所述第二高频振子均嵌设于所述第二低频振子。

3.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，相邻的两个所述第一低频振子之间的距离为d1，位于尾端的两个所述第一低频振子的偏移距离为S2；

相邻的两个所述第二低频振子之间的距离为d1，位于首端的两个所述第二低频振子的偏移距离为S2；

位于首端的所述第一低频振子和位于尾端的所述第二低频振子之间的距离为S1；

其中，S1＝0.5～0.66λ₁，S2＝0.15～0.25λ₁，d1＝0.7～0.9λ₁；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长。

4.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，相邻的两个所述第一高频振子之间的距离为d2，位于尾端的所述第一高频振子的偏移距离为S2；

相邻的两个所述第二高频振子之间的距离为d2，位于首端的所述第一高频振子的偏移距离为S2；

位于首端的所述第一高频振子和位于尾端的所述第二高频振子之间的距离为S1；

其中，S1＝0.5～0.66λ₁，S2＝0.15～0.25λ₁，d2＝0.7～0.9λ₂；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长，λ₂为第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列或第四高频辐射阵列的中心频率对应的波长。

5.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，相邻的两个所述第三高频振子之间的距离为d3，位于首端的一个所述第三高频振子的偏移距离为S3；

相邻的两个所述第四高频振子之间的距离为d3，位于尾端的一个所述第四高频振子的偏移距离为S3；

位于首端的所述第四高频振子和位于尾端的所述第三高频振子之间的距离为S4；

其中，S3＝0.5～0.66λ₂，S4＝0.5～0.66λ₂，d3＝0.7～0.9λ₂；

λ₁为第一低频辐射阵列或第二低频辐射阵列的中心频率对应的波长，λ₂为第一高频辐射阵列、第二高频辐射阵列、第三高频辐射阵列或第四高频辐射阵列的中心频率对应的波长。

6.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，还包括第一高频边界、第二高频边界、第三高频边界；

第一高频边界位于所述第一高频阵列和所述第三高频阵列之间，第二高频边界位于所述第二高频阵列和所述第四高频阵列之间，第三高频边界位于所述第三高频阵列和所述第四高频阵列四之间。

7.根据权利要求6所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，还包括第四高频边界、第五高频边界、第六高频边界和第七高频边界；

位于首端的两个所述第三高频振子位于所述第四高频边界和所述第五高频边界之间，位于尾端的两个所述第四高频振子位于所述第六高频边界和所述第七高频边界之间。

8.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，还包括耦合电桥，所述耦合电桥分别与相互对齐的一个所述第一低频振子和一个所述第二低频振子连通。

9.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，还包括反射板，未嵌入所述第一低频振子的所述第一高频振子与所述反射板绝缘连接；未嵌入所述第二低频振子的所述第二高频振子与所述反射板绝缘连接；所述第三高频振子和所述第四高频振子与所述反射板绝缘连接。

10.根据权利要求1所述的两低四高多端口基站天线，其特征在于，未嵌入所述第一低频振子的所述第一高频振子的上方设有引相片；未嵌入所述第二低频振子的所述第二高频振子的上方设有引相片；所述第三高频振子和所述第四高频振子的上方均设有引相片。

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