CN113793891A - 一种复合膜片、背光模组以及显示装置 - Google Patents

一种复合膜片、背光模组以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113793891A
CN113793891A CN202111082031.2A CN202111082031A CN113793891A CN 113793891 A CN113793891 A CN 113793891A CN 202111082031 A CN202111082031 A CN 202111082031A CN 113793891 A CN113793891 A CN 113793891A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
conversion layer
light conversion
backlight module
composite membrane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111082031.2A
Other languages
English (en)
Inventor
骆意勇
李必兴
管子豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Funa Technology Co ltd
Original Assignee
Hefei Funa Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Funa Technology Co ltd filed Critical Hefei Funa Technology Co ltd
Priority to CN202111082031.2A priority Critical patent/CN113793891A/zh
Publication of CN113793891A publication Critical patent/CN113793891A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了一种复合膜片、背光模组及显示装置,所述复合膜片应用于背光模组,包括层叠设置的第一光转换层和第二光转换层,所述第一光转换层的入光面靠近所述背光模组上的光源一侧,经过所述第一光转换层且被转换的光无法被所述第二光转换层转换;所述背光模组的光源发出的光依次经过所述第一光转换层和所述第二光转换层转换成不同波长的光线发射出去,本发明可以提高背光源的利用和转换效率,并且应用在背光模组中,可以大大提高背光模组稳定输出优质白光的性能。

Description

一种复合膜片、背光模组以及显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域,特别是一种复合膜片、背光模组以及显示装置。
背景技术
现有的普通LCD显示背光源通常采用蓝色LED背光加上黄色荧光粉组合,在蓝色LED的照射下,黄色荧光粉发出黄光,与蓝光混合后即可形成白光背光。
量子点显示技术主要分为光致发光显示技术和电致发光显示技术,由于电致发光显示技术还不成熟,前者光致发光显示技术是目前运用最广泛的,光致发光量子点显示结构是基于现有LCD显示结构的改进,其结构主要由液晶显示模块、红绿量子点薄膜QDEF、LED背光源等组成。
量子点是一种半导体纳米晶体,当收到光线刺激时,量子点会发出有色光线,光线颜色由量子点组成材料及大小决定,使得量子点具有改变光线颜色的特性,同时量子点发光材料还具有窄的发光峰、较高的色纯度等优点。
光致量子点显示技术将黄色荧光粉替换为红绿量子点薄膜QDEF,同样是在蓝光LED的照射下,红绿量子点分别发出红光和绿光,与蓝光混合后形成白光,相较于普通的LCD显示背光源,使用光致量子点显示技术发出的白光背光使得显示器具有较高的色纯度,有效避免了偏色现象。然而红绿量子点混合后制作的量子点薄膜,在蓝光激发下,绿光量子点发出的绿光可能会被红光量子点吸收再激发,如此导致蓝光的利用率下降,进一步可能影响色准等。
发明内容
本发明的目的是提供一种复合膜片、背光模组以及显示装置,以解决现有技术中的不足。
本发明第一方面提供了一种复合膜片:
包括层叠设置的第一光转换层和第二光转换层,所述第一光转换层的入光面靠近所述背光模组上的光源一侧,经过所述第一光转换层且被转换的光无法被所述第二光转换层转换;
所述背光模组的光源发出的光依次经过所述第一光转换层和所述第二光转换层转换成不同波长的光线发射出去。
进一步的,所述第一光转换层中含有第一光转换材料,所述第二光转换层中含有第二光转换材料。
进一步的,所述第一光转换材料和所述第二光转换材料包括量子点材料和/或有机荧光材料。
进一步的,所述第一光转换材料和所述第二光转换材料为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、钙钛矿、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、一元和Ⅳ-Ⅵ族量子点其中一种、两种或两种以上的组合。
进一步的,所述第一光转换材料为红光InP量子点,所述第二光转换材料为绿光CsPbBr3钙钛矿量子点。
进一步的,所述第一光转换材料受激后发出的光的波长为610-650nm,半峰宽20-25nm;所述第二光转换材料受激后发出的光的波长为520-540nm,半峰宽20-22nm。
进一步的,所述复合膜片的厚度为50-60μm。
本发明第二方面提供了一种背光模组,
所述背光模组包括复合膜片,所述复合膜片为上述实施例中任一项所述的复合膜片。
进一步的,所述背光模组还包括发光LED、导光板和反射片,所述导光板设置于所述反射片的上方,所述发光LED设置于所述导光板的侧边,所述复合膜片设置于所述导光板的上方;所述发光LED发出的光线依次经过所述导光板和所述复合膜片,转换成不同波长的光线发射出去。
本发明第三方面提供了一种显示装置,
包括如上述实施例中任一项所述的背光模组。
本发明提供的复合膜片,相对于现有技术,本发明采用层叠设置的第一光转换层和第二光转换层,第一光转换层的入光面靠近所述背光模组上的光源一侧,经过所述第一光转换层且被转换的光无法被所述第二光转换层转换;背光模组的光源发出的光依次经过所述第一光转换层和所述第二光转换层转换成不同波长的光线发射出去;相对现有技术采用混合的光转换层,本方案无需考虑两种波长发光材料的匹配程度以及配置比例,并且由于经过所述第一光转换层且被转换的光无法被所述第二光转换层转换,可以大大提高背光源的利用效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种复合膜片的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种背光模组的结构示意图。
具体实施方式
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,全文中出现的“和/或”的含义,包括三个并列的方案,以“A和/或B”为例,包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明的实施例提供了一种复合膜片100,附图1所示,应用于背光模组200,包括层叠设置的第一光转换层110和第二光转换层120,所述第一光转换层110的入光面靠近所述背光模组200上的光源210一侧,经过所述第一光转换层110且被转换的光无法被所述第二光转换层120转换;所述背光模组200的光源210发出的光依次经过所述第一光转换层110和所述第二光转换层120转换成不同波长的光线发射出去。
本发明提供的复合膜片,相对于现有技术,本发明采用层叠设置的第一光转换层110和第二光转换层120,第一光转换层110的入光面靠近所述背光模组200上的光源210一侧,经过所述第一光转换层110且被转换的光无法被所述第二光转换层转换120;背光模组200的光源210发出的光依次经过所述第一光转换层110和所述第二光转换层120转换成不同波长的光线发射出去;相对现有技术采用混合的光转换层,本方案无需考虑两种波长发光材料的匹配程度以及配置比例,并且由于经过所述第一光转换层110且被转换的光无法被所述第二光转换层120转换,可以大大提高背光源的利用效率。
具体的,当前光致量子点膜中具有混合的红绿量子点,根据本发明方案,件红绿量子点分开,波长较长的红光量子点设置于第一光转换层110中,而波长较短的绿光量子点设置于第二光转化层120中,因此蓝光芯片发出的蓝光被红光吸收转换成红光后,红光不会被后置的绿光量子点吸收并转换,从而避免了光的二次转换,进而提高光的利用效率。
进一步的,所述第一光转换层110中含有第一光转换材料,所述第二光转换层120中含有第二光转换材料。
所述第一光转换材料和所述第二光转换材料包括量子点材料和/或有机荧光材料,由于量子点相对于有机荧光材料具有更高的色纯度,因此第一光转换材料和第二光转换材料均优选量子点材料,具体的,所述第一光转换材料和所述第二光转换材料为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、钙钛矿、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、一元和Ⅳ-Ⅵ族量子点其中一种、两种或两种以上的组合。
量子点按照功能分,主要分为红、绿、蓝三色量子点。按照具体的材料分,可以分为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、钙钛矿、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、一元和Ⅳ-Ⅵ族量子点。
具体的,具备量子点材料包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地,II-VI半导体的纳米晶,比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物;III-V族半导体的纳米晶,比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物。所述的量子点发光层材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体;具体地,所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3,其中A为Cs+离子,M为二价金属阳离子,包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+,X为卤素阴离子,包括但不限于Cl-、Br-、I-;所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3,其中B为有机胺阳离子,包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH32+(n≥2)。当n=2时,无机金属卤化物八面体MX64-通过共顶的方式连接,金属阳离子M位于卤素八面体的体心,有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内,形成无限延伸的三维结构;当n>2时,以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX64-在二维方向延伸形成层状结构,层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺),有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构;M为二价金属阳离子,包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+;X为卤素阴离子,包括但不限于Cl-、Br-、I。
目前不同颜色、不同结构的量子点发展并不均衡,例如普通的红光量子点,可以采用Ⅱ-Ⅵ族CdSe量子点,具有不错的光效及稳定性,而绿光量子点目前最好的是钙钛矿量子点。而不同结构或者颜色的量子点在一起混合的难度较大,因此,进一步的:
第一光转换材料选用的红光量子点,使用CdSe量子点或者绿色无毒的InP量子点,而绿光采用成熟的钙钛矿量子点。
本发明还提供了一种背光模组200,如图2所示,所述背光模组200包括上述的复合膜片100。所述背光模组200可以大大提高背光源的利用效率,避免光的二次转换,并且可以根据不同颜色、不同结构量子点分别选取合适的量子点材料,提高背光模组稳定进行光转换的性能。
具体的,所述背光模组还包括光源210、导光板220和反射片230,所述导光板220设置于所述反射片230的上方,所述光源210设置于所述导光板220的侧边,所述复合膜片100设置于所述导光板220的上方;所述光源210发出的光线依次经过所述导光板220和所述复合膜片100,转换成不同波长的光线发射出去。
本发明还提供了一种显示器(图中未示出),包括上述背光模组200,使用该背光模组200的显示器,无论是色准、性能、寿命都将大幅提升。
以上依据图式所示的实施例详细说明了本发明的构造、特征及作用效果,以上所述仅为本发明的较佳实施例,但本发明不以图面所示限定实施范围,凡是依照本发明的构想所作的改变,或修改为等同变化的等效实施例,仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时,均应在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种复合膜片,应用于背光模组,其特征在于,包括层叠设置的第一光转换层和第二光转换层,所述第一光转换层的入光面靠近所述背光模组上的光源一侧,经过所述第一光转换层且被转换的光无法被所述第二光转换层转换;
所述背光模组的光源发出的光依次经过所述第一光转换层和所述第二光转换层转换成不同波长的光线发射出去。
2.根据权利要求1所述的复合膜片,其特征在于,所述第一光转换层中含有第一光转换材料,所述第二光转换层中含有第二光转换材料。
3.根据权利要求2所述的复合膜片,其特征在于,所述第一光转换材料和所述第二光转换材料包括量子点材料和/或有机荧光材料。
4.根据权利要求3所述的复合膜片,其特征在于,所述第一光转换材料和所述第二光转换材料为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、钙钛矿、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、一元和Ⅳ-Ⅵ族量子点其中一种、两种或两种以上的组合。
5.根据权利要求4所述的复合膜片,其特征在于,所述第一光转换材料为红光InP量子点,所述第二光转换材料为绿光CsPbBr3钙钛矿量子点。
6.根据权利要求5所述的复合膜片,其特征在于,所述第一光转换材料受激后发出的光的波长为610-650nm,半峰宽20-25nm;所述第二光转换材料受激后发出的光的波长为520-540nm,半峰宽20-22nm。
7.根据权利要求1所述的复合膜片,其特征在于,所述复合膜片的厚度为50-60μm。
8.一种背光模组,其特征在于,所述背光模组包括复合膜片,所述复合膜片为如权利要求1-7任一项所述的复合膜片。
9.根据权利要求8所述的背光模组,其特征在于,所述背光模组还包括发光LED、导光板和反射片,所述导光板设置于所述反射片的上方,所述发光LED设置于所述导光板的侧边,所述复合膜片设置于所述导光板的上方;所述发光LED发出的光线依次经过所述导光板和所述复合膜片,转换成不同波长的光线发射出去。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8-9任一项所述的背光模组。
CN202111082031.2A 2021-09-15 2021-09-15 一种复合膜片、背光模组以及显示装置 Pending CN113793891A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111082031.2A CN113793891A (zh) 2021-09-15 2021-09-15 一种复合膜片、背光模组以及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111082031.2A CN113793891A (zh) 2021-09-15 2021-09-15 一种复合膜片、背光模组以及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113793891A true CN113793891A (zh) 2021-12-14

Family

ID=78878450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111082031.2A Pending CN113793891A (zh) 2021-09-15 2021-09-15 一种复合膜片、背光模组以及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113793891A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103487857A (zh) * 2013-10-11 2014-01-01 张家港康得新光电材料有限公司 量子点薄膜及背光模组
CN103852817A (zh) * 2014-03-14 2014-06-11 宁波激智科技股份有限公司 一种应用于背光模组的量子点膜
CN106501888A (zh) * 2015-09-03 2017-03-15 迎辉科技股份有限公司 光学膜,及含有该光学膜的发光装置与显示器
CN106905624A (zh) * 2017-03-20 2017-06-30 厦门玻尔科技有限公司 一种高水氧阻隔能力的量子点膜及其制备方法
CN107053780A (zh) * 2017-04-24 2017-08-18 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种应用于背光模组中的量子点膜及其制备方法
CN107121841A (zh) * 2017-05-04 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备
CN107210346A (zh) * 2015-01-31 2017-09-26 株式会社Lg化学 光转换装置和包括其的显示装置
CN107656330A (zh) * 2016-08-19 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 具有多层结构的量子点光学膜、其制备方法和用途
CN108488758A (zh) * 2018-02-26 2018-09-04 惠州市华星光电技术有限公司 一种光学膜片、背光模组及显示装置
CN108666404A (zh) * 2018-05-02 2018-10-16 向爱双 低镉含量的量子点膜及其制备方法和应用
CN112285809A (zh) * 2020-11-23 2021-01-29 深圳扑浪创新科技有限公司 一种光学膜片及其制备方法和应用

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103487857A (zh) * 2013-10-11 2014-01-01 张家港康得新光电材料有限公司 量子点薄膜及背光模组
CN103852817A (zh) * 2014-03-14 2014-06-11 宁波激智科技股份有限公司 一种应用于背光模组的量子点膜
CN107210346A (zh) * 2015-01-31 2017-09-26 株式会社Lg化学 光转换装置和包括其的显示装置
CN106501888A (zh) * 2015-09-03 2017-03-15 迎辉科技股份有限公司 光学膜,及含有该光学膜的发光装置与显示器
CN107656330A (zh) * 2016-08-19 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 具有多层结构的量子点光学膜、其制备方法和用途
CN106905624A (zh) * 2017-03-20 2017-06-30 厦门玻尔科技有限公司 一种高水氧阻隔能力的量子点膜及其制备方法
CN107053780A (zh) * 2017-04-24 2017-08-18 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种应用于背光模组中的量子点膜及其制备方法
CN107121841A (zh) * 2017-05-04 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于背光模组的光转换膜、背光模组及显示设备
CN108488758A (zh) * 2018-02-26 2018-09-04 惠州市华星光电技术有限公司 一种光学膜片、背光模组及显示装置
CN108666404A (zh) * 2018-05-02 2018-10-16 向爱双 低镉含量的量子点膜及其制备方法和应用
CN112285809A (zh) * 2020-11-23 2021-01-29 深圳扑浪创新科技有限公司 一种光学膜片及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106597753B (zh) 一种背光模组
KR101581762B1 (ko) 백라이트유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
US9868901B2 (en) Lighting devices with prescribed colour emission
JP4653662B2 (ja) 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法
KR101604339B1 (ko) 광 변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치
EP2426745B1 (en) Wavelength conversion configuration for a light emitting device
US8541800B2 (en) Light emitting device package, backlight unit, display device and lighting device
KR101660163B1 (ko) 광 변환 부재, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
EP2560217B1 (en) Phosphor-converted single-color led including a long-wavelength pass filter
US20090224177A1 (en) Color conversion member and light emitting apparatus using the color conversion member
CN106501999A (zh) 光学膜组和背光模块
CN108828831B (zh) 量子点偏光片、显示装置及量子点偏光片的制作方法
JP2019021890A (ja) Led発光装置
KR20120018490A (ko) 양자점 광 변환층을 이용한 백색광 led 백라이트 유닛
CN109301056B (zh) 一种led光源及其制备方法、背光源、显示装置
CN114114754B (zh) 量子点背光模组和电视机
US10268072B2 (en) Backlight module and liquid crystal display
CN111103728A (zh) 背光单元及具有背光单元的显示设备
CN109143438A (zh) 一种基于微纳米多孔结构的量子点彩色滤光膜
US8710533B2 (en) Multicolored light converting LED with minimal absorption
CN113625491A (zh) 一种量子点光转换和光扩散复合膜片及背光模组
CN113793891A (zh) 一种复合膜片、背光模组以及显示装置
CN112130379B (zh) 量子点膜片、背光模组和显示器
CN113782660A (zh) 一种多功能光学材料结构
KR20130050819A (ko) 양자점을 포함하는 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20211214