CN113724655B

CN113724655B - 像素驱动电路和移动终端

Info

Publication number: CN113724655B
Application number: CN202111049457.8A
Authority: CN
Inventors: 洪吉童; 熊彬; 王帅
Original assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-08
Filing date: 2021-09-08
Publication date: 2022-11-01
Anticipated expiration: 2041-09-08
Also published as: CN113724655A

Abstract

本发明提供了像素驱动电路和移动终端，像素驱动电路包括电源单元、驱动单元、发光单元、侦测单元和获取单元，发光单元电性连接于电源单元和驱动单元之间，发光单元包括有机发光二极管，其中，本发明通过将侦测单元和有机发光二极管串联连接，且侦测单元具有和流经侦测单元的电荷量相关的参数，进一步的，获取单元电性连接于侦测单元以获取参数，再结合参数和流经侦测单元的电荷量的关系，可以得到相应的流经侦测单元的电荷量，本发明可以实时且直观地计算出流经有机发光二极管的电荷量，以进行有效的画面显示补偿，提高了AMOLED显示面板的画面显示质量。

Description

像素驱动电路和移动终端

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及像素驱动电路和移动终端。

背景技术

AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，主动矩阵有机发光二极管)显示面板具有高对比度、超轻薄、可折叠等优点，广泛应用于显示领域。

目前，随着发光时间的增加，AMOLED显示面板中不同颜色的发光材料发出的不同颜色的光线均会衰减，导致显示画面存在亮度下降和色偏的现象，为此，需要侦测流经发光材料的电荷量以对上述衰减做出相应的补偿；然而，现有的侦测流经发光材料的电荷量的手段为通过模拟单元来模拟流经发光材料的电荷量，但实际流经发光材料的电流受温度、画面、亮度等各种因素影响，导致模拟结果的准确性较低，以至于无法进行有效的画面显示补偿，造成AMOLED显示面板的画面显示质量仍然较低。

因此，目前的AMOLED显示面板的光线衰减的补偿方案中，对于流经发光材料的电荷量的确定方式存在缺陷，需要改进。

发明内容

本发明实施例提供像素驱动电路和移动终端，以解决现有的对于流经发光材料的电荷量的侦测结果准确性较低或者无法侦测，导致的无法进行有效的画面显示补偿而造成的AMOLED显示面板的画面显示质量较低的问题。

本发明实施例提供像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：

电源单元；

驱动单元；

发光单元，所述发光单元电性连接于所述电源单元和所述驱动单元之间，所述发光单元包括有机发光二极管；

侦测单元，所述侦测单元和所述有机发光二极管串联连接，所述侦测单元具有参数，所述参数和流经所述侦测单元的电荷量相关；

获取单元，所述获取单元电性连接于所述侦测单元，所述获取单元用于获取所述侦测单元的所述参数。

在一实施例中，所述侦测单元包括：

至少一忆阻器，所述参数包括其中一所述忆阻器的电阻值。

在一实施例中，所述侦测单元包括：

子侦测单元，所述子侦测单元包括反向串联连接的两所述忆阻器，所述子侦测单元具有第一子参数，所述参数包括所述第一子参数，所述第一子参数和流经所述子侦测单元的电荷量相关，所述第一子参数为其中一所述忆阻器的电阻值。

在一实施例中，所述侦测单元包括：

多个所述子侦测单元，多个所述子侦测单元并联连接，每一所述第一子参数和流经对应的所述子侦测单元的电荷量相关，流经所述侦测单元的电荷量等于流经多个所述子侦测单元的电荷量之和。

在一实施例中，所述子侦测单元中反向串联连接的两所述忆阻器相同，当有电流流经所述侦测单元和所述发光单元时，所述第一子参数与流经所述子侦测单元的电荷量的关系式如下：

其中，Q1为流经所述子侦测单元的电荷量，R_a1为其中一所述忆阻器的电阻值，D为对应的所述忆阻器的活性区的厚度，μ为对应的所述忆阻器中掺杂物的平均迁移率，R_off为忆阻器的关态电阻，R_on为忆阻器的开态电阻，R_a1大于R_on且不小于R_off。

在一实施例中，所述像素驱动电路还包括：

复位单元，所述复位单元电性连接于所述侦测单元，当R_a1等于R_off时，所述复位单元用于将R_a1更新为R_on。

在一实施例中，当R_a1等于R_off时，所述复位单元用于向所述侦测单元中传输复位电流，所述复位电流的流向与R_a1不等于R_off时流经所述忆阻器402的电流的方向相反。

在一实施例中，所述像素驱动电路还包括：

存储单元，所述存储单元电性连接于所述获取单元，所述存储单元用于存储R_a1和R_off相等的次数以及当前的R_a1。

在一实施例中，所述侦测单元包括：

多个所述忆阻器，多个所述忆阻器并联连接，所述忆阻器具有第二子参数，所述参数包括多个所述第二子参数，每一所述第二子参数和流经对应的所述忆阻器的电荷量相关，所述第二子参数为对应的所述忆阻器的电阻值，流经所述侦测单元的电荷量等于流经多个所述忆阻器的电荷量之和。

本发明实施例提供移动终端，所述移动终端包括终端主体部和显示面板，所述显示面板包括如上文任一所述的像素驱动电路，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。

本发明提供了像素驱动电路和移动终端，所述像素驱动电路包括电源单元；驱动单元；发光单元，所述发光单元电性连接于所述电源单元和所述驱动单元之间，所述发光单元包括有机发光二极管；侦测单元，所述侦测单元和所述有机发光二极管串联连接，所述侦测单元具有参数，所述参数和流经所述侦测单元的电荷量相关；获取单元，所述获取单元电性连接于所述侦测单元，所述获取单元用于获取所述侦测单元的所述参数。其中，本发明通过将具有和流经所述侦测单元的电荷量相关的参数的所述侦测单元和所述有机发光二极管串联连接，由于流经所述侦测单元和所述有机发光二极管的电流相同，则在一段时间内流经两者的电荷量也可以认为相同；进一步的，所述获取单元获取的参数，结合参数和流经所述侦测单元的电荷量的关系，可以得到相应的流经所述侦测单元的电荷量，也即获取了流经所述有机发光二极管的电荷量，可以进行有效的画面显示补偿，提高了AMOLED显示面板的画面显示质量。

附图说明

下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的像素驱动电路的框图；

图2为本发明实施例提供的一种侦测单元的示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种侦测单元的示意图；

图4为本发明实施例提供的再一种侦测单元的示意图；

图5为本发明实施例提供的侦测单元和复位单元电性连接的示意图；

图6为本发明实施例提供的像素驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“串联”、“并联”、“端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本发明实施例提供了像素驱动电路，所述像素驱动电路包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。

在一实施例中，如图1所示，所述像素驱动电路100包括：电源单元10；驱动单元20；发光单元30，所述发光单元30电性连接于所述电源单元10和所述驱动单元20之间，所述发光单元30包括有机发光二极管；侦测单元40，所述侦测单元40和所述有机发光二极管串联连接，所述侦测单元40具有参数，所述参数和流经所述侦测单元40的电荷量相关；获取单元50，所述获取单元50电性连接于所述侦测单元40，所述获取单元50用于获取所述侦测单元40的所述参数。

其中，所述驱动单元20为所述发光单元30提供工作电流，所述电源单元10为所述发光单元30提供接地电压。具体的，所述侦测单元40和所述发光单元30两者电性连接于所述驱动单元20和所述电源单元10之间，此处对所述侦测单元40和所述发光单元30的相对位置不做限制，只要所述侦测单元40和所述有机发光二极管串联连接即可，此处以所述侦测单元40电性连接于所述发光单元30和所述驱动单元20之间、所述发光单元30电性连接于所述侦测单元40和所述电源单元10之间为例进行说明。进一步的，所述有机发光二极管的阳极和阴极可以分别被配置为所述发光单元30的两端。

可以理解的，本方案中的所述侦测单元40和所述有机发光二极管串联连接，即任一时刻流经所述侦测单元40和所述有机发光二极管的电流相等，且任一时间段内流经所述侦测单元40和所述有机发光二极管的电荷量相等；并且，所述侦测单元40具有的所述参数和流经所述侦测单元40的电荷量相关，即通过所述获取单元50获取所述侦测单元40的所述参数，再结合所述参数和流经所述侦测单元40的电荷量之间的关系，可以得到流经所述侦测单元40的电荷量，也即得到了流经所述有机发光二极管的电荷量，以对所述有机发光二极管的发光进行补偿，进一步实现有效的画面显示补偿，提高了显示面板的画面显示质量。

在一实施例中，如图1所示，所述侦测单元40包括：至少一忆阻器，所述参数包括其中一所述忆阻器的电阻值。其中，所述忆阻器的阻值是由流经它的电荷量确定，通过测定所述忆阻器的阻值，便可知道流经它的电荷量，从而有记忆电荷量的作用。可以理解的，对于每一所述忆阻器而言，可以通过电阻表直接测量所述忆阻器的电阻值，或者通过电压表间接测量以计算出所述忆阻器的电阻值，进一步的，结合所述忆阻器的电阻值和流经所述忆阻器的电荷量的关系式，可以得到流经所述忆阻器的电荷量。

具体的，对于所述侦测单元中的任一忆阻器而言，所述忆阻器的电阻值计算公式如下：

R_Ma1＝R_offx_a+R_on(1-x_a)＝R_on+(R_off-R_on)x_a；

其中，R_Ma1为忆阻器实时的电阻值，R_off为忆阻器的关态电阻，R_on为忆阻器的开态电阻，R_Ma1大于R_on且不小于R_off，X_a为忆阻器的归一化厚度，是忆阻器的非掺杂区厚度与活性区厚度的比值，X_a随在流经忆阻器的电流和时间变化的，X_a变化率计算公式如下：

因此，所述忆阻器的电阻值与流经所述忆阻器的电荷量Q的关系为：

同样，也可以得到流经所述忆阻器的电荷量Q与所述忆阻器的电阻值R_Ma1的关系为：

进一步的，在向所述忆阻器中通入电流之前，X_a＝0，即此时的R_Ma1＝R_on，当所述忆阻器的电阻值达到最大值时，X_a＝1，即此时的R_Ma1＝R_off，因此，从向所述忆阻器通入电流至所述忆阻器的电阻值达到最大值的过程中，所述忆阻器的电阻值的变化量为(R_off-R_on)。

需要注意的是，当所述侦测单元40中包括多个所述忆阻器，也可以通过上述方式计算出流经所述忆阻器的电荷量，结合所述侦测单元40中的多个所述忆阻器的连接方式，根据电路原理，计算出流经所述侦测单元40的电荷量，也即得到了流经所述有机发光二极管的电荷量，以对所述有机发光二极管的发光进行补偿，进一步实现有效的画面显示补偿，提高了显示面板的画面显示质量。

在一实施例中，如图2所示，所述侦测单元40包括：子侦测单元401，所述子侦测单元401包括反向串联连接的两所述忆阻器402，所述子侦测单元401具有第一子参数，所述参数包括所述第一子参数，所述第一子参数和流经所述子侦测单元401的电荷量相关，所述第一子参数为其中一所述忆阻器402的电阻值。

具体的，任一所述忆阻器402的电阻值和流经所述忆阻器402的电流的关系式均相同，由于两所述忆阻器402反向串联连接，结合图1所示，所述驱动单元20和所述发光单元30之间可以串联两所述忆阻器402，当有电流流经所述子侦测单元401时，流经两所述忆阻器402的电流方向相反，那么，对于反向串联连接的两所述忆阻器402而言，其中一所述忆阻器402的电阻值逐渐增加，另一所述忆阻器401的电阻值逐渐减小，可以避免两者的电阻值同时增加或者同时减小，即可以避免在两所述忆阻器402的电阻值在同一时刻较大，导致总的电阻值过大而降低了所述有机发光二极管的亮度。

可以理解的，此时可以通过电阻表直接测量出或者通过电压表间接测量以计算出所述子侦测单元401中的其中一所述忆阻器402的电阻值，进一步的，结合所述忆阻器402的电阻值和流经所述忆阻器402的电荷量的关系式，可以得到流经所述忆阻器402的电荷量。同理，对于所述子侦测单元401而言，流经两所述忆阻器402的电流相同，那么，选取其中一所述忆阻器402的电阻值作为所述第一子参数，结合所述第一子参数和流经所述子侦测单元401或者其中任一所述忆阻器402的电荷量的关系，可以计算出流经所述子侦测单元401的电荷量。进一步的，当所述侦测单元40中还包括其它器件时，结合所述侦测单元40中的所述子侦测单元401和其它器件的连接方式，根据电路原理，计算出流经所述侦测单元40的电荷量，也即得到了流经所述有机发光二极管的电荷量，以对所述有机发光二极管的发光进行补偿，进一步实现有效的画面显示补偿，提高了显示面板的画面显示质量。

在一实施例中，如图1和图2所示，所述子侦测单元401中反向串联连接的两所述忆阻器402相同，当有电流流经所述侦测单元40和所述发光单元30时，所述第一子参数与流经所述子侦测单元的电荷量的关系式如下：

其中，Q1为流经所述子侦测单元401的电荷量，Ra1为其中一所述忆阻器402的电阻值，D为对应的所述忆阻器402的活性区的厚度，μ为对应的所述忆阻器中掺杂物的平均迁移率，R_off为忆阻器的关态电阻，R_on为忆阻器的开态电阻，R_a1大于R_on且不小于R_off。

其中，所述子侦测单元401中反向串联连接的两所述忆阻器402相同，可以理解为反向串联连接的两所述忆阻器402的各个参数可以相同，至少，两所述忆阻器402的活性区的厚度D相同，两所述忆阻器402中掺杂物的平均迁移率μ相同，两所述忆阻器402的关态电阻R_off相同，两所述忆阻器402的开态电阻R_on相同。具体的，根据关系式

可知，由于所述忆阻器402的活性区的厚度D、所述忆阻器402中掺杂物的平均迁移率μ、所述忆阻器402的关态电阻R_off、所述忆阻器402的开态电阻R_on均为常数，即流经所述子侦测单元401的电荷量只和其中一所述忆阻器402的电阻值R_a1相关，其中所述忆阻器402的电阻值R_a1可以由电阻表直接获取或者由电压表间接获取，可以理解的，可以测量电阻值随电荷量的增加而增加的所述忆阻器402的电阻值作为R_a1。

具体的，反向串联连接的两所述忆阻器402的电阻之和可以满足：R_a1+R_b1＝R_off+R_on，其中，在任一时刻，R_a1为其中一所述忆阻器402的电阻值，R_b1为另一所述忆阻器402的电阻值，即使反向串联连接的两所述忆阻器402的电阻每一时刻在变化，但反向串联连接的两所述忆阻器402的电阻之和为定值，同理，这样也可以避免所述子侦测单元401的总电阻在某一时刻过大而降低所述有机发光二极管的亮度。具体的，当采用电压表间接获取所述忆阻器402的电阻值R_a1时，可以包括如下步骤：测量位于同一支路上的两所述忆阻器402两端的电压之和；结合两所述忆阻器402总电阻值(R_off+R_on)计算处流经两所述忆阻器402的电流值；测量位于其中一所述忆阻器402两端的电压，结合流经两所述忆阻器402的电流值，计算对应的所述忆阻器402的电阻值。

在一实施例中，如图3所示，所述侦测单元40包括：多个所述子侦测单元401，多个所述子侦测单元401并联连接，每一所述第一子参数和流经对应的所述子侦测单元401的电荷量相关，流经所述侦测单元40的总电荷量等于流经多个所述子侦测单元401的电荷量之和。

具体的，对比图3和图2可知，本方案中的多个所述子侦测单元401并联连接，无论所述子侦测单元401中反向串联连接的两所述忆阻器402是否相同，本方案的多个所述子侦测单元401的总电阻值均小于单个所述子侦测单元401的总电阻值，结合图1所示，当并联的m个所述子侦测单元401的A端电性连接于所述驱动单元20且B端电性连接于所述发光单元30时，总电阻可以较小，可以进一步避免降低所述有机发光二极管的亮度。

在一实施例中，如图1所示，所述像素驱动电路100还包括：复位单元60，所述复位单元60电性连接于所述侦测单元40，当R_a1等于R_off时，所述复位单元60用于将R_a1复位为R_on。

需要注意的是，根据上文分析可知，由于所述子侦测单元401中的两所述忆阻器402反向串联，当有电流通过两所述忆阻器402一段时间后时其中一所述忆阻器402的电阻值可以减小至所述忆阻器402的开态电阻R_on，和/或另一所述忆阻器402的电阻值可以增加至所述忆阻器402的关态电阻R_off。此处由于R_a1为电阻值随电荷量的增加而增加的所述忆阻器402的电阻值，那么当R_a1等于R_off时，如果继续保持向所述忆阻器402流入相同方向的电流，那么所述忆阻器402的电阻值R_a1将不再变化，则无法继续得到变化的电阻值R_a1，导致无法测量流经所述有机发光二极管的电荷量。

可以理解的，每当R_a1等于R_off时，采用所述复位单元60用于将R_a1更新为R_on后，再保持向所述忆阻器402流入相同方向的电流，可以继续得到变化的电阻值Ra1，以得到相应的流经所述忆阻器402的电荷量Q₁，相当于得到相应的流经所述有机发光二极管的电荷量。同理，若采用电阻表直接获取或者由电压表间接获取电阻值随电荷量的增加而减小的所述忆阻器402的电阻值测量，那么当被测量的所述忆阻器402的电阻值等于R_on时，所述复位单元60也可以用于将所述忆阻器402的电阻值更新为R_on。

具体的，如图5所示，此处以流经所述侦测单元40和所述有机发光二极管的电流由所述侦测单元40的A端流向B端为例进行说明，所述复位单元60可以包括电性连接于所述侦测单元40的A端的第一晶体管T1、电性连接于所述侦测单元40的B端的第二晶体管T2，其中，所述第一晶体管T1可以接地，所述第二晶体管T2可以连接于一高电压。可以理解的，当R_a1等于R_off时，所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2开启，电流由所述侦测单元40的B端流向A端，以将对应的多个所述忆阻器402的电阻值由R_a1更新为R_on。需要注意的是，此处所述复位单元60只需满足使得流经对应的多个所述忆阻器402的电流的方向与R_a1不等于R_off时流经对应的多个所述忆阻器402的电流的方向相反即可。或者，所述复位单元60可以通过和显示驱动芯片相结合，控制时序，以分配一路反向的电流流经所述忆阻器模块即可实现复位。

在一实施例中，如图1所示，当R_a1等于R_off时，所述复位单元60用于向所述侦测单元40传输复位电流，所述复位电流的流向与R_a1不等于R_off时流经所述忆阻器402的电流的方向相反。根据上文论述可知，所述忆阻器402的阻值是由流经它的电荷量确定，进一步的，在本发明中，让电荷以第一方向流经所述忆阻器402，所述忆阻器402的电阻值会增加，让电荷以与第一方向相反的方向流经所述忆阻器402，所述忆阻器402的电阻值会减小。

具体的，根据上文分析可知，此处以采用电阻表直接获取或者由电压表间接获取电阻值随电荷量的增加而增加的所述忆阻器402的电阻值R_a1为例进行说明，当R_a1等于R_off时，即所述忆阻器402的电阻值已经增加至等于所述忆阻器402的关态电阻R_off，则此时向所述忆阻器402传输所述复位电流可以减小所述忆阻器402的电阻值R_a1，直至所述忆阻器402的电阻值R_a1降低为R_off。

在一实施例中，如图1所示，所述像素驱动电路100还包括：存储单元70，所述存储单元70电性连接于所述获取单元50，所述存储单元70用于存储R_a1和R_off相等的次数以及当前的R_a1。当R_a1等于R_off时，表示流经所述忆阻器402的电荷量已经使得所述忆阻器402的电阻值增加至等于所述忆阻器402的关态电阻R_off，此时向所述忆阻器402传输所述复位电流将所述忆阻器402的电阻值更新为R_on，再次根据测量的所述忆阻器402的电阻值可以得到新的流经所述忆阻器402的电荷量。

具体的，此处以所述侦测单元40包括一个所述子侦测单元401为例进行说明。根据

可知，每当R_a1等于R_off时，流经所述忆阻器402的电荷量Q₁等于

所述存储单元70记录一次次数。例如，当R_a1第一次等于R_off时，所述存储单元70记录次数为1，流经所述忆阻器402的电荷量Q₁等于

当R_a1第二次等于R_off时，所述存储单元70记录次数为2，流经所述忆阻器402的电荷量Q₁等于

……当R_a1第n次等于R_off时，所述存储单元70记录次数为n，流经所述忆阻器402的电荷量Q₁等于

在R_a1第n次等于R_off之后到R_a1第(n+1)次等于R_off之前的任一时刻，流经所述忆阻器402的电荷量Q₁等于

其中R_a1为当前所述忆阻器402的电阻值。

因此，所述存储单元70用于存储R_a1和R_off相等的次数以及当前的R_a1，结合流经所述忆阻器402的电荷量和所述忆阻器402的电阻值的关系，如上文所述，可以计算出流经对应的所述忆阻器402的电荷量，再根据所述侦测单元40中的电路，可以计算出流经所述有机发光二极管的电荷量。

进一步的，此处以所述侦测单元40包括并联的m个所述子侦测单元401，且每一所述子侦测单元401中的电路相同为例进行说明，需要注意的是，多个所述子侦测单元401中对应的所述忆阻器402的充电情况以及电阻值的情况相同。例如，当R_a1第一次等于R_off时，所述存储单元70记录次数为1，流经所述忆阻器402的电荷量Q₁等于

当R_a1第二次等于R_off时，所述存储单元70记录次数为2，流经所述侦测单元40的电荷量Q₁等于

……当R_a1第n次等于R_off时，所述存储单元70记录次数为n，流经所述侦测单元40的电荷量Q₁等于

在R_a1第n次等于R_off之后到R_a1第(n+1)次等于R_off之前的任一时刻，流经所述侦测单元40的电荷量Q₁等于

其中R_a1为当前测量的其中一所述忆阻器402的电阻值。可以理解的，如图3所示，当并联的m个所述子侦测单元401的A端电性连接于所述驱动单元20且B端电性连接于所述发光单元30时，流经所述侦测单元40的电荷量Q₁也即流经所述有机发光二极管的电荷量。

在一实施例中，如图4所示，所述侦测单元40包括：多个所述忆阻器402，多个所述忆阻器402并联连接，所述忆阻器具有第二子参数，所述参数包括多个所述第二子参数，每一所述第二子参数和流经对应的所述忆阻器的电荷量相关，所述第二子参数为对应的所述忆阻器的电阻值，流经所述侦测单元的电荷量等于流经多个所述忆阻器402的电荷量之和。

其中，与图3所示的方案相比较，本方案中每一支路中的所述忆阻器402的数目为1，结合上文论述可知，即表示流经每一支路的电荷量可以通过获取位于所述支路上的所述忆阻器402的电阻值而计算出，流经所述侦测单元40的电荷量等于流经多个支路的电荷量之和；同理，结合图1所示，当并联的多个所述忆阻器402的C端电性连接于所述驱动单元20且D端电性连接于所述发光单元30时，流经所述侦测单元40的电荷量也即流经所述有机发光二极管的电荷量；可以理解的，由于多个所述忆阻器402并联连接，即所述侦测单元40的总电阻可以较小，可以进一步避免降低所述有机发光二极管的亮度。

具体的，可以通过电阻表或者电压表获取每一所述忆阻器402的电阻值作为对应的所述第二参数，根据每一所述第二子参数和流经对应的所述忆阻器的电荷量的关系可以计算出流经对应的所述忆阻器的电荷量，再将流经多个所述忆阻器的对应的多个电荷量求和以得到流经所述有机发光二极管的电荷量。

其中，所述驱动单元20可以为但不限于7T1C电路、2T1C电路和3T1C电路，此处以7T1C电路为例进行说明，如图6所示，所述驱动单元20可以包括晶体管M1至M7、电容器C1，7T1C像素驱动电路可以利用Scan[n]、Scan[n-1]、XScan[n]、EM、Vi及Vdd等6个控制信号进行运作。

本发明实施例还提供了移动终端，所述移动终端包括终端主体部和显示面板，所述显示面板包括如上文任一所述的像素驱动电路，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。

以上对本发明实施例所提供的像素驱动电路和移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims

1.一种像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路包括：

电源单元；

驱动单元；

获取单元，所述获取单元电性连接于所述侦测单元，所述获取单元用于获取所述侦测单元的所述参数；

其中，所述侦测单元包括：

多个忆阻器，所述参数包括其中一所述忆阻器的电阻值；

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述侦测单元包括：

3.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述子侦测单元中反向串联连接的两所述忆阻器相同，当有电流流经所述侦测单元和所述发光单元时，所述第一子参数与流经所述子侦测单元的电荷量的关系式如下：

其中，Q1为流经所述子侦测单元的电荷量，R_a1为其中一所述忆阻器的电阻值，D为对应的所述忆阻器的活性区的厚度，µ为对应的所述忆阻器中掺杂物的平均迁移率，R_off为忆阻器的关态电阻，R_on为忆阻器的开态电阻，R_a1大于R_on且不小于R_off。

4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：

5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，当R_a1等于R_off时，所述复位单元用于向所述侦测单元中传输复位电流，所述复位电流的流向与R_a1不等于R_off时流经所述忆阻器的电流的流向相反。

6.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：

7.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体部和显示面板，所述显示面板包括如权利要求1至6任一所述的像素驱动电路，所述终端主体部和所述显示面板组合为一体。