CN113707762A - 一种tbc太阳能电池及其制作方法 - Google Patents
一种tbc太阳能电池及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113707762A CN113707762A CN202110922544.3A CN202110922544A CN113707762A CN 113707762 A CN113707762 A CN 113707762A CN 202110922544 A CN202110922544 A CN 202110922544A CN 113707762 A CN113707762 A CN 113707762A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type doped
- doped region
- silicon nitride
- layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 13
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012720 thermal barrier coating Substances 0.000 description 42
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
提供了一种TBC太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：提供N型硅片衬底，在所述N型硅片衬底的正面形成绒面结构；在所述N型硅片衬底的背面上依次形成层叠的氧化硅层和多晶硅层；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层上形成第一氮化硅减反射层，且在所述绒面结构上形成第二氮化硅减反射层；在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极，以获得所述TBC太阳能电池。本发明所提供的TBC太阳能电池的制作方法，简化了TBC太阳能电池的生产过程，有利于提高量产能力和市场竞争力，还有利于提高电池的效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体地讲，涉及一种TBC太阳能电池及其制作方法。
背景技术
现有技术中有关TBC太阳能电池(Tunneling oxide passivated contact BackContact，隧穿氧化层钝化接触背接触电池)的制备工艺几乎均需要二十多道工艺步骤，存在流程较长、制作成本较高等问题，而且整个工艺过程中还存在多种不稳定的因素，例如由于制备过程中包含有各种化学清洗工艺，容易引起钝化层破坏、正负极短路漏电等问题，严重影响了效率的提升和量产的稳定性，导致目前还没有适用于量产的成熟简易稳定的TBC太阳能电池的制备工艺。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种TBC太阳能电池及其制作方法。
根据本发明实施例的一方面提供的一种TBC太阳能电池的制作方法，其包括：提供N型硅片衬底，在所述N型硅片衬底的正面形成绒面结构；在所述N型硅片衬底的背面上依次形成层叠的氧化硅层和多晶硅层；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层上形成第一氮化硅减反射层，且在所述绒面结构上形成第二氮化硅减反射层；在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极，以获得所述TBC太阳能电池。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区，具体包括：在所述多晶硅层上形成第一氮化硅掩膜，并在所述第一氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第一开槽区；
在所述第一开槽区内进行硼扩散处理，以在所述多晶硅层内形成P型掺杂区；
在所述第一氮化硅掩膜上形成第二氮化硅掩膜，并在所述第二氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第二开槽区；
在所述第二开槽区内进行磷扩散处理，以在所述多晶硅层内形成与所述P型掺杂区依次交替呈直线排列的N型掺杂区。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述N型掺杂区的宽度为50um～300um，且所述N型掺杂区与所述P型掺杂区的宽度比为2：1～3：1。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，相邻的所述N型掺杂区与所述P型掺杂区之间还设有隔离区，所述隔离区的宽度为5um～100um。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述N型掺杂区和所述P型掺杂区的方阻均为50Ω.sq～650Ω.sq。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述第一氮化硅掩膜和所述第二氮化硅掩膜的厚度均为30nm～90nm。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述氧化硅层的厚度为1nm～20nm，所述多晶硅层的厚度为5nm～200nm。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述第一氮化硅减反射层和所述第二氮化硅减反射层的厚度均为60nm～90nm。
在上述一方面提供的TBC太阳能电池的制作方法中，所述在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极的方法包括：通过丝网印刷分别在所述第一氮化硅减反射层上形成与所述N型掺杂区形成欧姆接触的负电极和与所述P型掺杂区形成欧姆接触的正电极。
根据本发明实施例的另一方面提供的一种TBC太阳能电池，其由上述的制作方法制作形成。
有益效果：本发明的TBC太阳能电池及其制作方法，该制作方法降低了TBC太阳能电池的制作工艺步骤，简化了TBC太阳能电池的生产过程，有利于提高TBC太阳能电池的量产能力和市场竞争力，并且，在制作过程中避免了由于化学清洗引起的破坏钝化层、漏电大等风险，有利于提高电池的效率，是一种适用于量产的成熟、简易、稳定的TBC太阳能电池的制作方法。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明实施例的TBC太阳能电池的制备方法的流程图；
图2是根据本发明实施例的TBC太阳能电池的结构图。
附图中，10-N型硅片衬底、20-倒金字塔绒面、30-氧化硅层、40-多晶硅层、50-P型掺杂区、60-N型掺杂区、70-隔离区、80-第一氮化硅减反射层、90-第二氮化硅减反射层、100-正电极、110-负电极。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的具体实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
如本文中使用的，术语“包括”及其变型表示开放的术语，含义是“包括但不限于”。术语“基于”、“根据”等表示“至少部分地基于”、“至少部分地根据”。术语“一个实施例”和“一实施例”表示“至少一个实施例”。术语“另一个实施例”表示“至少一个其他实施例”。术语“第一”、“第二”等可以指代不同的或相同的对象。下面可以包括其他的定义，无论是明确的还是隐含的。除非上下文中明确地指明，否则一个术语的定义在整个说明书中是一致的。
如背景技术中所述，由于现有技术中TBC太阳能电池的制备工艺存在流程较长、制作成本较高以及存在多种不稳定因素等问题，导致目前还没有适用于量产的成熟简易稳定的TBC太阳能电池的制备工艺，因此，为了提高TBC太阳能电池的效率和量产的稳定性，根据本发明的实施例提供了一种TBC太阳能电池及其制作方法。
所述制作方法降低了TBC太阳能电池的制作工艺步骤，简化了TBC太阳能电池的生产过程，有利于提高TBC太阳能电池的量产能力和市场竞争力，并且，在制作过程中还避免了由于化学清洗引起的破坏钝化层、漏电大等风险，进而有利于提高电池的效率。
以下将结合附图来详细描述根据本发明的实施例的TBC太阳能电池及其制作方法。图1是根据本发明的实施例的TBC太阳能电池的制作方法的流程图。
参阅图1，在步骤S110中，提供N型硅片衬底10，在所述N型硅片衬底10的正面形成绒面结构，所述绒面结构为倒金字塔绒面20。
在一个示例中，在所述N型硅片衬底10的正面形成绒面结构之前，所述制作方法还包括：对所述N型硅片衬底10进行双面抛光；其中，使用SDE清洗工艺对所述N型硅片衬底10进行双面抛光，以去除衬底表面的机械损伤和金属离子等杂质。
在本实施例中，利用槽式制绒设备或干法制绒设备对进行双面抛光后的所述N型硅片衬底10进行正面制绒，以在所述N型硅片衬底10的正面形成倒金字塔绒面20，从而降低衬底表面的反射率，提高电池的入射光利用率。
在优选的示例中，选择干法制绒设备对所述N型硅片衬底10进行正面制绒，以提高制绒的一致性并且有利于获得更低的反射率。
本发明的制作方法仅在对所述N型硅片衬底10进行双面抛光和正面制绒的过程中需要使用化学清洗设备，从而保障了后续沉积的多晶硅层40不会受到化学药液的腐蚀，避免了由于化学腐蚀的可控性差导致电池的漏电风险和不稳定性的增加。
在步骤S120中，在所述N型硅片衬底10的背面上依次形成层叠的氧化硅层30和多晶硅层40。其中，利用多晶硅沉积设备在所述N型硅片衬底10的背面上依次形成层叠的氧化硅层30和多晶硅层40，以提高电池片的钝化，减少载流子复合。
在优选的示例中，选择在真空低压的环境中沉积氧化硅层30和多晶硅层40。
在一个示例中，所述氧化硅层30的厚度为1nm～20nm，所述多晶硅层40的厚度为5nm～200nm。
在步骤S130中，在所述N型硅片衬底10的所述多晶硅层40内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区50和N型掺杂区60，具体包括：
第一步：在所述多晶硅层40上形成第一氮化硅掩膜，并在所述第一氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第一开槽区。
在一个示例中，利用氮化硅沉积设备形成所述第一氮化硅掩膜，所述第一氮化硅掩膜的厚度为30nm～90nm；利用激光开槽设备在在所述第一氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽。
在另一个示例中，所述第一氮化硅掩膜和所述第一开槽区可以不存在，在这种情况下，第一步可以被省略。
第二步：在所述第一开槽区内进行硼扩散处理，以在所述多晶硅层内形成P型掺杂区50；其中，利用高温扩散炉设备或者离子注入设备进行硼扩散处理。
在优选的实施例中，利用离子注入设备进行硼扩散处理，可以实现更加均匀的掺杂，掺杂的一致性更好，并且掺杂的表面浓度和结深更加稳定可控。
在另一个示例中，当所述第一氮化硅掩膜和所述第一开槽区不存在时，第二步中，直接在所述多晶硅层40的预定位置上进行硼扩散处理，以形成所述P型掺杂区50；此时，对进行硼扩散处理的控制精度具有更高的要求。
第三步：在所述第一氮化硅掩膜上形成第二氮化硅掩膜，并在所述第二氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，形成第二开槽区。
在一个示例中，利用氮化硅沉积设备形成所述第二氮化硅掩膜，所述第二氮化硅掩膜的厚度为30nm～90nm；利用激光开槽设备在在所述第二氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽。
第四步：在所述第二开槽区内进行磷扩散处理，以在所述多晶硅层40内形成与所述P型掺杂区依次交替呈直线排列的N型掺杂区60；其中，利用高温扩散炉设备进行磷扩散处理。
通过先形成P型掺杂区50对应的第一开槽区，可以避免N型掺杂区60中的掺杂源被二次高温推进，P型掺杂区50的掺杂源扩散推进的难度较大，受到的影响较小。
所述P型掺杂区50和N型掺杂区60的上表面略高于或齐平于所述多晶硅层40的上表面；并且在形成所述P型掺杂区50和N型掺杂区60的过程中，在高温下部分掺杂源会穿透隧穿氧化层(氧化硅层30)进入所述N型硅片衬底10的表面。
在一个示例中，所述N型掺杂区60的宽度为50um～300um，所述N型掺杂区60与所述P型掺杂区50的宽度比为2：1～3：1，并且，所述N型掺杂区60与所述P型掺杂区50的方阻均为50Ω.sq～650Ω.sq。
在本实施例中，相邻的所述N型掺杂区60与所述P型掺杂区50之间还设有隔离区70，所述隔离区70的宽度为5um～100um。
在进行开槽的过程中，在形成隔离区70的预定位置处不进行激光开槽处理，由于掺杂源在开槽区内进行扩散处理形成掺杂区，因此，隔离区70内不会形成掺杂，从而避免了所述P型掺杂区50和N型掺杂区60直接相通。
在所述多晶硅层40的内部，所述隔离区70由所述多晶硅层40未进行掺杂的部分直接形成，在所述多晶硅层40的表面，所述隔离区70是在利用激光开槽设备进行开槽的时候保留一部分的氮化硅掩膜而形成。
通过在所述N型掺杂区60与所述P型掺杂区50之间预留有隔离区70，避免了使用腐蚀浆料印刷等印刷手段进行P型掺杂区50和N型掺杂区60的分开隔离，进而避免了在后续步骤中容易导致的印刷浆料线型不稳定的问题。
在步骤S140中，对所述N型硅片衬底10的正面和四周进行刻蚀，以去除正面和四周的扩散绕扩层。其中，利用激光设备或者干法刻蚀设备刻蚀去除所述N型硅片衬底10的正面和四周的扩散绕扩层，避免漏电风险。
在优选的示例中，利用激光设备刻蚀去除所述N型硅片衬底10的正面和四周的扩散绕扩层，可以减少对衬底表面造成损伤。
在另一个示例中，所述步骤S140可以被省略。
在步骤S150中，在所述N型硅片衬底10的所述多晶硅层40上形成第一氮化硅减反射层80，且在所述绒面结构20上形成第二氮化硅减反射层90。
在一个示例中，所述第一氮化硅减反射层80和所述第二氮化硅减反射层90的厚度为60nm～90nm。
通过形成氮化硅减反射层，有利于降低衬底表面的反射率，提高电池的入射光利用率。
在步骤S160中，在所述N型硅片衬底10的背面分别形成正电极100和负电极110，以获得所述TBC太阳能电池。其中，通过高精度丝网印刷设备分别形成与所述N型掺杂区60形成欧姆接触的金属负电极110和与所述P型掺杂区50形成欧姆接触的金属正电极100。
在一个示例中，在所述N型硅片衬底10的背面分别形成正电极100和负电极110的方法具体包括：
步骤一、在所述N型硅片衬底10的背面的P型掺杂区50，和/或N型掺杂区60印刷第一浆料，然后在第一烧结温度下进行烧结，以形成第一细栅线。
在一个示例中，所述第一细栅线，由等间隔呈直线排列的圆点印刷形成，其中，圆点的直径为10um～50um，以相邻圆点的圆心之间的距离为计，相邻圆点之间的间距为20um～200um。
在另一个示例中，所述第一细栅线，也可以由等间隔呈直线排列的线段印刷形成，其中，线段的线宽为15um～35um，长度为15um～100um，相邻线段的间距为30um～300um。
在本实施例中，所述第一烧结温度不低于500℃，且可根据浆料的特性进行决定；所述第一浆料为烧穿型浆料，烧穿型浆料中含有的玻璃粉或铅含量较高，能够腐蚀所述第一氮化硅减反射层80，从而可以使所述第一细栅线穿透过所述第一氮化硅减反射层80，与所述N型掺杂区60，和/或P型掺杂区50形成欧姆接触，其中，所述第一细栅线均要形成欧姆接触，否则易导致电池的填充因子FF(fill factor，表示最大输出功率Im·Vm与极限输出功率Isc·Voc之比，即FF＝(Im·Vm)/(Isc·Voc))过低。
步骤二、在所述N型硅片衬底10的背面的P型掺杂区50，和/或N型掺杂区60印刷第二浆料，且所述第二浆料覆盖所述第一浆料，然后在第二烧结温度下进行烧结，以形成第二细栅线。
在一个示例中，所述第二细栅线的线宽为20um～100um。
在本实施例中，所述第二烧结温度不低于500℃，且可根据浆料的特性进行决定；所述第二浆料为非烧穿型浆料，非烧穿型浆料中含有的玻璃粉或铅含量较低，不会对所述第一氮化硅减反射层80造成腐蚀。
步骤三、在所述N型硅片衬底10背面印刷绝缘浆料，然后在第一烘干温度下进行烘干。
在一个示例中，所述刷绝缘浆料，印刷的宽度为0.1mm～1mm，长度0.2mm～5mm。
在本实施例中，所述第一烘干温度不低于200℃，且可根据浆料的特性进行决定，以能够将所述绝缘浆料烘干的温度为准；所述绝缘浆料间隔印刷在所述第二细栅线的上方，且位于后续印刷的主栅线的下方，以实现细栅线和主栅线的间隔隔离。
步骤四、在所述N型硅片衬底10背面的P型掺杂区50和N型掺杂区60印刷第三浆料，然后在第二烘干温度下进行烘干，以形成主栅线。
在一个示例中，所述第三浆料印刷的宽度为0.05mm～2mm，所述主栅线包括正电极主栅线和负电极主栅线，所述主栅线垂直于所述细栅线，且不需要形成欧姆接触。
在本实施例中，所述第三浆料主要包括银浆以及树脂等有机成分，所述第二烘干温度不低于200℃，且可根据浆料的特性进行决定，以能够将所述第三浆料烘干的温度为准。
在一个示例中，所述细栅线的根数为100～1000根，所述正电极主栅线(负电极主栅线)的根数为3～100根。
图2是根据本发明的实施例的TBC太阳能电池的结构图。图2所示的TBC太阳能电池为利用上述的制备方法(即图1所示的制备方法)制备得到的TBC太阳能电池。参照图2，所述N型选择性发射极太阳能电池包括：第二氮化硅减反射层90、倒金字塔绒面20、N型硅片衬底10、氧化硅层30、多晶硅层40、P型掺杂区50、N型掺杂区60、隔离区70、第一氮化硅减反射层80、正电极100、负电极110。
综上所述，根据本发明的实施例的TBC太阳能电池及其制作方法，该制作方法降低了TBC太阳能电池的制作工艺步骤，简化了TBC太阳能电池的生产，有利于提高TBC太阳能电池的量产能力和市场竞争力，并且，该制作方法使用的均是成熟稳定的设备，生产成本低，工艺稳定性好；此外，工艺过程制作中避免了由于化学清洗引起的钝化层破坏、漏电大等风险，有利于提高电池的效率，因此，该制作方法是一种适用于量产的成熟、简易、稳定的TBC太阳能电池制作方法。
上述对本发明的特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。
在整个本说明书中使用的术语“示例性”、“示例”等意味着“用作示例、实例或例示”，并不意味着比其它实施例“优选”或“具有优势”。出于提供对所描述技术的理解的目的，具体实施方式包括具体细节。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实施这些技术。在一些实例中，为了避免对所描述的实施例的概念造成难以理解，公知的结构和装置以框图形式示出。
以上结合附图详细描述了本发明的实施例的可选实施方式，但是，本发明的实施例并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的实施例的技术构思范围内，可以对本发明的实施例的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的实施例的保护范围。
本说明书内容的上述描述被提供来使得本领域任何普通技术人员能够实现或者使用本说明书内容。对于本领域普通技术人员来说，对本说明书内容进行的各种修改是显而易见的，并且，也可以在不脱离本说明书内容的保护范围的情况下，将本文所定义的一般性原理应用于其它变型。因此，本说明书内容并不限于本文所描述的示例和设计，而是与符合本文公开的原理和新颖性特征的最广范围相一致。
Claims (10)
1.一种TBC太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供N型硅片衬底，在所述N型硅片衬底的正面形成绒面结构；
在所述N型硅片衬底的背面上依次形成层叠的氧化硅层和多晶硅层；
在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区；
在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层上形成第一氮化硅减反射层，且在所述绒面结构上形成第二氮化硅减反射层；
在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极，以获得所述TBC太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型硅片衬底的所述多晶硅层内形成依次交替呈直线排列的P型掺杂区和N型掺杂区，具体包括：
在所述多晶硅层上形成第一氮化硅掩膜，并在所述第一氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第一开槽区；
在所述第一开槽区内进行硼扩散处理，以在所述多晶硅层内形成P型掺杂区；
在所述第一氮化硅掩膜上形成第二氮化硅掩膜，并在所述第二氮化硅掩膜的预定位置上进行开槽，以形成第二开槽区；
在所述第二开槽区内进行磷扩散处理，以在所述多晶硅层内形成与所述P型掺杂区依次交替呈直线排列的N型掺杂区。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂区的宽度为50um～300um，且所述N型掺杂区与所述P型掺杂区的宽度比为2：1～3：1。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，相邻的所述N型掺杂区与所述P型掺杂区之间还设有隔离区，所述隔离区的宽度为5um～100um。
5.根据权利要求1～4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂区和所述P型掺杂区的方阻均为50Ω.sq～650Ω.sq。
6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一氮化硅掩膜和所述第二氮化硅掩膜的厚度均为30nm～90nm。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1nm～20nm，所述多晶硅层的厚度为5nm～200nm。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氮化硅减反射层和所述第二氮化硅减反射层的厚度均为60nm～90nm。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅减反射层上分别形成正电极和负电极的方法包括：通过丝网印刷分别在所述第一氮化硅减反射层上形成与所述N型掺杂区形成欧姆接触的负电极和与所述P型掺杂区形成欧姆接触的正电极。
10.一种由权利要求1～9任一项所述的制作方法得到的TBC太阳能电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110922544.3A CN113707762A (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 一种tbc太阳能电池及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110922544.3A CN113707762A (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 一种tbc太阳能电池及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113707762A true CN113707762A (zh) | 2021-11-26 |
Family
ID=78652567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110922544.3A Pending CN113707762A (zh) | 2021-08-12 | 2021-08-12 | 一种tbc太阳能电池及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113707762A (zh) |
-
2021
- 2021-08-12 CN CN202110922544.3A patent/CN113707762A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108666393B (zh) | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
| CN110838536A (zh) | 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102468365B (zh) | 双面太阳能电池的制造方法 | |
| JP2006516830A (ja) | 改良された光起電電池及びその製造 | |
| CN111739982B (zh) | 一种选择性发射极的制备方法和太阳能电池 | |
| WO2011024264A1 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
| US9685581B2 (en) | Manufacturing method of solar cell | |
| CN210778636U (zh) | 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池 | |
| WO2024000399A1 (zh) | 太阳能电池结构及其制作方法 | |
| WO2014206211A1 (zh) | 背钝化太阳能电池及其制作方法 | |
| CN114430000A (zh) | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
| JP2015118979A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
| CN210897302U (zh) | 太阳能电池 | |
| CN115132852A (zh) | 一种N型TOPCon太阳能电池及其制作方法 | |
| KR101849400B1 (ko) | 태양전지 소자의 제조 방법 및 태양전지 소자 | |
| KR101000556B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN117059681B (zh) | 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 | |
| KR101160116B1 (ko) | 후면 접합 태양전지의 제조방법 | |
| JP2014007284A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| CN112466967A (zh) | 一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法 | |
| CN115692516A (zh) | 一种新型topcon电池及其制作方法 | |
| CN102683504B (zh) | 通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法 | |
| CN114695593B (zh) | 背接触电池的制备方法及背接触电池 | |
| CN111200039B (zh) | 单晶硅电池及其制备方法 | |
| CN113707762A (zh) | 一种tbc太阳能电池及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |