CN113690324A - 一种新型hit电池片及其制作方法与组件制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型HIT电池片及其制作方法与组件制作方法,通过在HIT电池制作的电极印刷段置入焊丝,在组件制作时仅需对两片电池片的焊丝端口进行焊接。HIT电池的转换效率更高,但是因其制作工艺必须使用低温浆料进行电极印刷,烘干温度仅为150~200℃,而传统组件焊接需要在250‑350℃的温度范围内进行焊接,所以传统焊接方式限制了HIT电池在组件端应用。通过本发明既保留了HIT电池制作的低温要求,又不需要对组件端进行大幅度改造,简单可行,可直接进行产业化使用。

Description

一种新型HIT电池片及其制作方法与组件制作方法
技术领域
本发明属于光伏组件领域,具体涉及一种新型HIT电池片及其制作方法与组件制作方法。
背景技术
HIT作为异质结电池,其效率比常规的同质结电池转换效率高,工艺流程简单,但是其制作工艺必须使用低温浆料进行电极印刷,烘干温度仅为150~200℃,而传统组件焊接使用镀锡铜带,需要在250-350℃的温度范围内进行焊接,所以传统焊接方式会破坏HIT电池本身的结构,因此也限制了HIT电池在组件端应用。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中HIT电池低温工艺要求与组件高温焊接的技术冲突,提供一种新型HIT电池片及其制作方法与组件制作方法,实现HIT电池连接的同时不会破坏HIT电池本身的结构。
为解决现有技术问题,本发明公开了一种新型HIT电池片,包括:N型硅片基底,所述N型硅片基底的正面依次设有正面TCO膜层、第一层正电极浆料、正电极、正电极焊丝和第二层正电极浆料,其中,所述第一层正电极浆料和第二层正电极浆料用于将所述正电极焊丝固定在正电极上,所述正电极焊丝的一端与所述N型硅片基底、正面TCO膜层、第一层正电极浆料和第二层正电极浆料相齐平,另一端设有第一引出端,所述第一引出端凸出于所述N型硅片基底、正面TCO膜层、第一层正电极浆料和第二层正电极浆料所在平面;
所述N型硅片基底的背面依次设有背面TCO膜层、第一层背电极浆料、背电极、背电极焊丝和第二层背电极浆料,其中,所述第一层背电极浆料和第二层背电极浆料用于将背电极焊丝固定在背电极上,所述背电极焊丝的一端与所述N型硅片基底、背面TCO膜层、第一层背电极浆料和第二层背电极浆料相齐平,另一端设有第二引出端,所述第二引出端凸出于所述N型硅片基底、背面TCO膜层、第一层背电极浆料和第二层背电极浆料所在平面。
进一步地,
所述第一引出端与第二引出端的凸出方向相反。
进一步地,
所述第一引出端与第二引出端的凸出长度的范围为0.2-3mm。
进一步地,
所述正电极焊丝的宽度小于或等于正电极的宽度。
进一步地,
所述背电极焊丝的宽度小于或等于背电极的宽度。
进一步地,一种新型HIT电池片的制作方法,包括:
步骤一、对N型硅片基底的正面和背面进行TCO镀膜;
步骤二、在镀膜后的N型硅片基底的背面印刷一层背电极,背电极上放置焊丝并进行第一次浆料印刷,焊丝与背电极在一条线上,焊丝一端与背电极起始端齐平,另一端超出N型硅片基底边缘;
步骤三、对已有焊丝的背电极进行第二次浆料印刷,浆料完全包裹住焊丝;
步骤四、对背电极进行烘干;
步骤五、翻转N型硅片基底,依次印刷正电极的副栅及主栅;
步骤六、在正电极上放置焊丝,焊丝与正电极的主栅在一条线上,焊丝一端与正电极起始端齐平,另一端超出N型硅片基底边缘;
步骤七、对已有焊丝的正电极主栅进行第二次印刷,浆料完全包裹住焊丝;
步骤八、对正电极进行烘干。
进一步地,上述的一种新型HIT电池片的组件制作方法,包括:
将若干块HIT电池片连接,其中相邻的两块HIT电池片通过第一引出端和第二引出端焊接。
本发明具有的有益效果:
本发明的一种新型HIT电池片能够不改变传统的组件高温焊接方式,又不影响HIT电池片对低温工艺的要求,利于效率更高的HIT组件得到更广泛的应用,且实施方案方便可行,便于大规模应用。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图;
图2为本发明实施例的表面示意图。
附图标记
1:N型硅片基底;2:正面TCO膜层;3:第一层正电极浆料;4:正电极焊丝;5:第二层正电极浆料;6:背面TCO膜层;7:第一层背电极浆料;8:背电极焊丝;9:第二层背电极浆料;10:第一引出端;11:第二引出端。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1-2所示,本发明的一种新型HIT电池片,包括:N型硅片基底1,所述N型硅片基底1的正面依次设有正面TCO膜层2、第一层正电极浆料3、正电极、正电极焊丝4和第二层正电极浆料5,其中,所述第一层正电极浆料3和第二层正电极浆料5用于将所述正电极焊丝4固定在正电极上,所述正电极焊丝4的一端与所述N型硅片基底1、正面TCO膜层2、第一层正电极浆料3和第二层正电极浆料5相齐平,另一端设有第一引出端10,所述第一引出端10凸出于所述N型硅片基底1、正面TCO膜层2、第一层正电极浆料3和第二层正电极浆料5所在平面;所述N型硅片基底1的背面依次设有背面TCO膜层6、第一层背电极浆料7、背电极、背电极焊丝8和第二层背电极浆料9,其中,所述第一层背电极浆料7和第二层背电极浆料9用于将背电极焊丝8固定在背电极上,所述背电极焊丝8的一端与所述N型硅片基底1、背面TCO膜层6、第一层背电极浆料7和第二层背电极浆料9相齐平,另一端设有第二引出端11,所述第二引出端11凸出于所述N型硅片基底1、背面TCO膜层6、第一层背电极浆料7和第二层背电极浆料9所在平面。在进行HIT电池片组件连接时相邻的两块电池片仅需将第一引出端10和第二引出端11焊接即可,便捷高效,利于大规模应用。
具体地,所述第一引出端10与第二引出端11的凸出方向相反,便于识别,布局也更为合理;所述第一引出端10与第二引出端11的凸出长度的范围为0.2-3mm,满足焊接需求;所述正电极焊丝4的宽度小于或等于正电极的宽度,所述背电极焊丝8的宽度小于或等于背电极的宽度,具备良好的导电性。
本发明的一种新型HIT电池片的制作方法,包括:
步骤一、对N型硅片基底的正面和背面进行TCO镀膜;
步骤二、在镀膜后的N型硅片基底的背面印刷一层背电极,背电极上放置焊丝并进行第一次浆料印刷,焊丝与背电极在一条线上,焊丝一端与背电极起始端齐平,另一端超出N型硅片基底边缘;
步骤三、对已有焊丝的背电极进行第二次浆料印刷,浆料完全包裹住焊丝;
步骤四、对背电极进行烘干;
步骤五、翻转N型硅片基底,依次印刷正电极的副栅及主栅;
步骤六、在正电极上放置焊丝,焊丝与正电极的主栅在一条线上,焊丝一端与正电极起始端齐平,另一端超出N型硅片基底边缘;
步骤七、对已有焊丝的正电极主栅进行第二次印刷,浆料完全包裹住焊丝;
步骤八、对正电极进行烘干。
实施例1
一种新型HIT电池片的制作方法及组件的制作方法,使用166mm×166mm尺寸N型硅片进行HIT电池制作,并制作组件,步骤如下:
(1)TCO镀膜后的电池先进行背电极印刷,先印刷一层银浆背电极,宽度为1.6mm;
(2)在印刷后的背电极上直接放上焊丝,焊丝为扁平状,宽度为0.6mm,焊丝位置与背电极在一条线上,焊丝一端与背电极起始端齐平,另一端焊丝超出电池片边缘1.5mm;
(3)再对已有焊丝的背电极进行第二次浆料印刷,浆料做到完全包裹住焊丝;
(4)对背电极进行烘干;
(5)对电池片进行翻转,先印刷正电极的副栅及第一层主栅,主栅宽度0.7mm;
(6)在正电极上放置焊丝,焊丝为扁平状,宽度为0.6mm,焊丝位置与正电极主栅在一条线上,焊丝一端与正电极起始端齐平,另一端焊丝超出电池片边缘1.5mm;
(7)再对已有焊丝的正电极主栅进行第二次印刷,浆料做到完全包裹住焊丝;
(8)对正电极进行烘干,电池片制作完成;
(9)下一步进行组件制作,对电池片进行串焊,对于相邻的电池片,第一片的正电极焊丝引出端与第二片背电极焊丝引出端重叠0.5mm,两片电池片间距2mm,对重叠部分进行常规焊接即可;
(10)焊接完成后,进行常规层叠、层压、固化、装框、测试等常规工序。
制备完成的组件功率为480W,其中电池片转换效率24.3%。
对比例
使用传统设计及方案制备光伏组件,使用166mm×166mm尺寸N型电池片,电池片转换效率23.3%,制备同样规格的组件,其组件功率为460W。
因此,相比使用传统设计及方案制备光伏组件,本发明的新型HIT电池片组件在功率和转换效率上都有显著提升。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。同时在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。且在本发明的附图中,填充图案只是为了区别图层,不做其他任何限定。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种新型HIT电池片,其特征在于,包括:N型硅片基底(1),所述N型硅片基底(1)的正面依次设有正面TCO膜层(2)、第一层正电极浆料(3)、正电极、正电极焊丝(4)和第二层正电极浆料(5),其中,所述第一层正电极浆料(3)和第二层正电极浆料(5)用于将所述正电极焊丝(4)固定在正电极上,所述正电极焊丝(4)的一端与所述N型硅片基底(1)、正面TCO膜层(2)、第一层正电极浆料(3)和第二层正电极浆料(5)相齐平,另一端设有第一引出端(10),所述第一引出端(10)凸出于所述N型硅片基底(1)、正面TCO膜层(2)、第一层正电极浆料(3)和第二层正电极浆料(5)所在平面;
所述N型硅片基底(1)的背面依次设有背面TCO膜层(6)、第一层背电极浆料(7)、背电极、背电极焊丝(8)和第二层背电极浆料(9),其中,所述第一层背电极浆料(7)和第二层背电极浆料(9)用于将背电极焊丝(8)固定在背电极上,所述背电极焊丝(8)的一端与所述N型硅片基底(1)、背面TCO膜层(6)、第一层背电极浆料(7)和第二层背电极浆料(9)相齐平,另一端设有第二引出端(11),所述第二引出端(11)凸出于所述N型硅片基底(1)、背面TCO膜层(6)、第一层背电极浆料(7)和第二层背电极浆料(9)所在平面。
2.根据权利要求1所述的一种新型HIT电池片,其特征在于:
所述第一引出端(10)与第二引出端(11)的凸出方向相反。
3.根据权利要求1所述的一种新型HIT电池片,其特征在于:
所述第一引出端(10)与第二引出端(11)的凸出长度的范围为0.2-3mm。
4.根据权利要求1所述的一种新型HIT电池片,其特征在于:
所述正电极焊丝(4)的宽度小于或等于正电极的宽度。
5.根据权利要求1所述的一种新型HIT电池片,其特征在于:
所述背电极焊丝(8)的宽度小于或等于背电极的宽度。
6.一种新型HIT电池片的制作方法,其特征在于,包括:
步骤一、对N型硅片基底的正面和背面进行TCO镀膜;
步骤二、在镀膜后的N型硅片基底的背面印刷一层背电极,背电极上放置焊丝并进行第一次浆料印刷,焊丝与背电极在一条线上,焊丝一端与背电极起始端齐平,另一端超出N型硅片基底边缘;
步骤三、对已有焊丝的背电极进行第二次浆料印刷,浆料完全包裹住焊丝;
步骤四、对背电极进行烘干;
步骤五、翻转N型硅片基底,依次印刷正电极的副栅及主栅;
步骤六、在正电极上放置焊丝,焊丝与正电极的主栅在一条线上,焊丝一端与正电极起始端齐平,另一端超出N型硅片基底边缘;
步骤七、对已有焊丝的正电极主栅进行第二次印刷,浆料完全包裹住焊丝;
步骤八、对正电极进行烘干。
7.如权利要求1-5任一所述的一种新型HIT电池片的组件制作方法,其特征在于,包括:
将若干块HIT电池片连接,其中相邻的两块HIT电池片通过第一引出端(10)和第二引出端(11)焊接。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2880989A1 (fr) * 2005-01-20 2006-07-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
JP2013055294A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN104350604A (zh) * 2012-06-29 2015-02-11 三洋电机株式会社 太阳能电池组件和太阳能电池组件的制造方法
JP2016146373A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 長州産業株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN107771360A (zh) * 2015-06-17 2018-03-06 株式会社钟化 晶体硅太阳能电池模块及其制造方法
CN207441731U (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 君泰创新(北京)科技有限公司 异质结太阳能电池
KR20190113913A (ko) * 2017-02-28 2019-10-08 아토비무 유겐가이샤 태양전지 및 태양전지의 제조방법
KR20210013950A (ko) * 2019-07-29 2021-02-08 한국생산기술연구원 슁글드 태양광 패널용 태양전지 셀의 제조방법 및 이를 이용한 태양광 패널
CN113097325A (zh) * 2021-03-26 2021-07-09 福斯特(嘉兴)新材料有限公司 太阳能电池组件

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2880989A1 (fr) * 2005-01-20 2006-07-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
JP2013055294A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN104350604A (zh) * 2012-06-29 2015-02-11 三洋电机株式会社 太阳能电池组件和太阳能电池组件的制造方法
JP2016146373A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 長州産業株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN107771360A (zh) * 2015-06-17 2018-03-06 株式会社钟化 晶体硅太阳能电池模块及其制造方法
KR20190113913A (ko) * 2017-02-28 2019-10-08 아토비무 유겐가이샤 태양전지 및 태양전지의 제조방법
CN207441731U (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 君泰创新(北京)科技有限公司 异质结太阳能电池
KR20210013950A (ko) * 2019-07-29 2021-02-08 한국생산기술연구원 슁글드 태양광 패널용 태양전지 셀의 제조방법 및 이를 이용한 태양광 패널
CN113097325A (zh) * 2021-03-26 2021-07-09 福斯特(嘉兴)新材料有限公司 太阳能电池组件

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