CN113644399A - 一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，包括两个结构相同的集成基片耦合间隙波导，集成基片耦合间隙波导包括过孔层介质板和间隙层介质板；过孔层介质板的上表面印刷第一金属地层，下表面印刷第一耦合微带线以及第一圆形金属贴片，第一耦合微带线包括第一矩形段和第一直线段，间隙层介质板的上表面印刷第二耦合微带线，下表面印刷第二金属地层，第二金属地层具有多个耦合缝隙，第二耦合微带线包括第二矩形段和第二直线段，耦合缝隙位于第二矩形段的正下方；过孔层介质板的下表面与间隙层介质板的上表面紧密贴合，两个结构相同的集成基片耦合间隙波导旋转180度后相对设置。本发明能够同时实现宽带宽和较高的隔离度。
Description
技术领域
本发明涉及毫米波器件领域，特别是涉及一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器。
背景技术
定向耦合器是一种重要的微波毫米波器件，可用于信号的隔离、分离和混合，如功率的监测、源输出功率稳幅、信号源隔离、传输和反射的扫频测试等。耦合器的形式主要包括金属波导耦合器和微带耦合器。随着5G通信系统的发展，对于微波毫米波设备的频率要求越来越高，然而，传统的金属波导耦合器结构不易于集成，微带耦合器应用在高频时损耗较大，限制了其在高频的应用。
基片集成波导(Substrate IntegratedWaveguide,SIW)可以较好地解决了金属波导耦合器和微带耦合器应用在高频问题，平面化的集成基片波导其传输特性类似于传统的矩形金属波导，且克服了金属波导结构笨重不易于集成的问题，同时由于该波导属于自封装类型，避免了空间辐射导致的损耗。SIW为了集成需与微带线外接微带线，而SIW在波导中传输的为TE模，而微带在传输的为准TEM因此在传输过程中穿在模式转换的问题。
2009年，一种更适用于高频的波导结构被提出来，即间隙波导(Gap Waveguide,GW)。间隙波导包括两层结构：PEC层和PEC/PMC层，两层结构被小于1/4波长的空气间隙隔开。在PEC/PMC层中，高阻抗的EBG(Electromagnetic Band Gap，电磁场带隙)结构围绕着金属脊，准TEM模式可以沿着金属脊传播。间隙波导相比其他波导的主要优势是低损耗，不需要电连接，具有良好的金属屏蔽作用。2016年提出的集成基片间隙波导结构，实现了间隙波导的平面化，同时利用介质间隙代替空气间隙，实现更稳定的传输结构。集成基片间隙波导结构，具不但备间隙波导的低损耗和没有空间辐射等优点他且实现了结构的平面化，使之具有小型化等优势。
目前的耦合器的类型主要以分支线耦合以及孔(缝隙)耦合为主，通过分支线耦合实现的耦合器，其带宽相对较窄，且通过级联分支线，结构相对复杂。而通过孔(缝隙)实现的耦合器，其可以通过多缝隙实现带宽的扩展，实现相对简单。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，能够克服现有耦合器的不足，同时实现宽带宽和较高的隔离度。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，包括两个结构相同的集成基片耦合间隙波导，所述集成基片耦合间隙波导包括过孔层介质板1和间隙层介质板2；
所述过孔层介质板1的上表面印刷有第一金属地层11，下表面印刷有第一耦合微带线12以及第一圆形金属贴片13，所述第一耦合微带线12包括第一矩形段121以及连接所述第一矩形段121的第一直线段122，所述第一圆形金属贴片13位于第一耦合微带线12的两侧，所述第一耦合微带线12设有第一金属过孔123，所述第一圆形金属贴片13设有第二金属过孔131，所述第一金属过孔123和第二金属过孔131均贯穿过孔层介质板1；
所述间隙层介质板2的上表面印刷有第二耦合微带线22，下表面印刷有第二金属地层21，所述第二金属地层21具有多个耦合缝隙23，所述第二耦合微带线22包括第二矩形段221以及连接所述第二矩形段221的第二直线段222，所述耦合缝隙23位于第二矩形段221的正下方；
所述过孔层介质板1的下表面与间隙层介质板2的上表面紧密贴合，所述第一矩形段121和第二矩形段221形状相同且对齐重合；
所述两个结构相同的集成基片耦合间隙波导旋转180度后相对设置，且两个所述集成基片耦合间隙波导的第二金属地层21紧密贴合，耦合缝隙23对齐重合。
可选的，所述耦合缝隙23包括矩形缝隙231以及位于矩形中央的圆形缝隙232，所述矩形缝隙231和圆形缝隙232构成一体结构。
可选的，所述第一圆形金属贴片13周期性排列在第一耦合微带线12的两侧。
可选的，所述第一金属过孔123在第一耦合微带线12上呈周期性排列。
可选的，所述第一矩形段121和第一直线段122相连的边为弧线边。
可选的，所述第一金属过孔123和第二金属过孔131的尺寸相同。
可选的，所述第一矩形段121和耦合缝隙23的数量相同。
可选的，所述第一矩形段121和耦合缝隙23的数量和大小均可以调节。
可选的，所述过孔层介质板1采用介电常数为3.48、损耗角正切为0.004的介质材料。
可选的，所述间隙层介质板2采用介电常数为2.2、损耗角正切为0.0009的介质材料。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提供的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器：1)解决了传统微带耦合器在高频应用高损耗的问题；2)尺寸小，易集成，耦合系数可调；3)具有较高的隔离度；4)具有较宽的带宽。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器的结构示意图；
图2是本发明实施例多缝耦合定向耦合器的透视示意图；
图3是本发明实施例多缝耦合定向耦合器的过孔层介质板的俯视示意图；
图4是本发明实施例多缝耦合定向耦合器的过孔层介质板的仰视示意图；
图5是本发明实施例多缝耦合定向耦合器的间隙层介质板的俯视示意图；
图6是本发明实施例多缝耦合定向耦合器的间隙层介质板的仰视示意图；
图7是本发明实施例多缝耦合定向耦合器在耦合端口衰减3dB时S参数仿真结果示意图；
图8是本发明实施例多缝耦合定向耦合器在耦合端口衰减6dB时S参数仿真结果示意图；
图9是本发明实施例多缝耦合定向耦合器在耦合端口衰减8dB时S参数仿真结果示意图；
图10是本发明实施例多缝耦合定向耦合器在耦合端口衰减12dB时S参数仿真结果示意图；
图11是本发明实施例多缝耦合定向耦合器直通端口与耦合端口的相位差仿真结果示意图。
符号说明：1-过孔层介质板，2-间隙层介质板，11-第一金属地层，12-第一耦合微带线，13-第一圆形金属贴片，21-第二金属地层，22-第二耦合微带线，23-耦合缝隙，121-第一矩形段，122-第一直线段，123-第一金属过孔，131-第二金属过孔，221-第二矩形段，222-第二直线段，231-矩形缝隙，232-圆形缝隙，D1-第一端口，D2-第二端口，D3-第三端口，D4-第四端口。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，能够克服现有耦合器的不足，同时实现宽带宽和较高的隔离度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参阅图1至图6，本发明实施例的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器包括两个结构相同的集成基片耦合间隙波导，集成基片耦合间隙波导包括过孔层介质板1和间隙层介质板2。
过孔层介质板1的上表面印刷有第一金属地层11，下表面印刷有第一耦合微带线12以及周期性排列的第一圆形金属贴片13。第一耦合微带线12包括第一矩形段121以及连接第一矩形段121的第一直线段122，第一矩形段121和第一直线段122相连的四条边为弧线边。第一耦合微带线12上打有第一金属过孔123，第一圆形金属贴片13周期性排列在第一耦合微带线12的两侧。第一圆形金属贴片13上设有第二金属过孔131，第一金属过孔123和第二金属131过孔均贯穿过孔层介质板1。这样第一圆形金属贴片13和第二金属过孔131构成蘑菇形EBG结构。
在本实施例中，第一金属过孔123在第一耦合微带线12上呈周期性排列，第一金属过孔123贯穿过孔层介质板1，并与第一金属地层11连接。第一金属过孔123和第二金属过孔131尺寸相同。
间隙层介质板2的上表面印刷有第二耦合微带线22，下表面印刷有第二金属地层21第二金属地层21具有多个耦合缝隙23。第二耦合微带线22包括第二矩形段221和连接第二矩形段221的第二直线段222，第二矩形段221和第二直线段222相连的四条边同样为弧线边。耦合缝隙23包括矩形缝隙231以及位于矩形缝隙231中央的圆形缝隙232，矩形缝隙231和圆形缝隙232构成一体结构。第一矩形段121和耦合缝隙23的数量相同，且每一个耦合缝隙23位于每一个第一矩形段121的正下方，通过同时调整第一矩形段121、第二矩形段221和耦合缝隙23的数量和大小可以实现不同耦合值的耦合器。
对于每个集成基片耦合间隙波导，过孔层介质板1的下表面和间隙层介质板2的上表面紧密贴合，第一耦合微带线12和第二耦合微带线22形状相同且对齐重合，第一矩形段121和第二矩形段221形状相同且对齐重合。
两个集成基片耦合间隙波导旋转180度后相对设置，且两个集成基片耦合间隙波导的第二金属地层21互相紧密贴合、耦合缝隙23对齐重合。两个集成基片耦合间隙波导互相连接后，形成多缝耦合定向耦合器。
本实施例中，通过同时调整第一耦合微带线12、第二耦合微带线22以及耦合缝隙23的数量和大小，可以得到不同耦合值的耦合器，如9个缝隙实现3dB，7个缝隙实现6dB，调整数量的同时也需要调整矩形段和耦合缝隙的大小。
在一个具体应用中，过孔层介质板1采用介电常数为3.48、损耗角正切为0.004的介质材料；间隙层介质板2采用介电常数为2.2、损耗角正切为0.0009的介质材料。本实施例中，本发明提供的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器通过9个缝隙实现3dB和6dB，通过7个缝隙实现8dB，通过5个缝隙实现12dB。
如图1所示，本实施例的多缝耦合定向耦合器在工作时，该耦合器上的第一耦合微带线12、第二耦合微带线22和耦合缝隙23构成耦合区，实现耦合功能。当第一端口D1输入信号时，第二端口D2为直通端口，第三端口D3为耦合端口，第四端口D4为隔离端口，没有信号输出；第一端口D1的输入信号通过耦合区耦合到第三端口D3输出，第二端口D2的输出信号与第三端口D3的输出信号相差90度。
通过对本实施例的多缝耦合定向耦合器进行仿真，得到仿真结果如图7至图10所示。
如图7所示，通过9个缝隙实现耦合端口衰减3dB时，在28.35GHz～35.49GHz频段内回波损耗S11均低于-20dB，传输特性S12为-3±1dB，耦合特性S13为-3±1dB，隔离特性S14在频段内均低于-20dB，图11所示的直通端口和耦合端口的相位差结果表明，该缝隙耦合定向耦合器是正交的。
如图8所示，通过9个缝隙实现耦合端口衰减6dB时，在24.22GHz～33.25GHz频段内回波损耗S11均低于-20dB,耦合特性S13为-6±1dB，隔离特性S14在频段内均低于-20dB，图11所示的直通端口和耦合端口的相位差结果表明，该缝隙耦合定向耦合器是正交的。
如图9所示，通过7个缝隙实现耦合端口衰减8dB时，在27.12GHz～35.16GHz频段内回波损耗S11均低于-20dB,耦合特性S13为-8±1dB，隔离特性S14在频段内均低于-20dB，图11所示的直通端口和耦合端口的相位差结果表明，该缝隙耦合定向耦合器是正交的。
如图10所示，通过5个缝隙实现耦合端口衰减12dB时，在24.14GHz～31.5GHz频段内回波损耗S11均低于-20dB,耦合特性S13为-12±1dB，隔离特性S14在频段内均低于-20dB，图11所示的直通端口和耦合端口的相位差结果表明，该缝隙耦合定向耦合器是正交的。
综上所述：本发明公开了基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，该耦合器包括两个结构相同的ISGW耦合波导结构，耦合波导包括过孔层介质板和间隙层介质板。过孔层介质板一面印刷有金属地层，另一面印刷有周期性的圆形金属贴片和“鱼骨型”耦合微带线，且在圆形金属贴片和耦合微带线上均打有金属过孔；间隙层介质板一面印刷有耦合微带线，另一面印刷金属地层，在金属地层上开有多个由矩形和圆形构成耦合缝隙的；一块间隙层介质板的上表面与一块过孔层介质板的下表面紧密连接，形成耦合波导；两个耦合波导相对旋转180度后，对齐耦合缝隙紧密连接。本发明适用于毫米波段同时实现宽带宽和较高的隔离度，具有易集成、尺寸小、耦合系数可调、宽带宽和较高隔离等优点。
此外，本发明还公开了如下技术效果：
1、与单缝隙相比，本发明采用多个缝隙可以有效的提高耦合器的工作带宽。
2、本发明通过调整耦合缝隙的数量和大小可以实现不同耦合值的耦合器。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，包括两个结构相同的集成基片耦合间隙波导，所述集成基片耦合间隙波导包括过孔层介质板(1)和间隙层介质板(2)；
所述过孔层介质板(1)的上表面印刷有第一金属地层(11)，下表面印刷有第一耦合微带线(12)以及第一圆形金属贴片(13)，所述第一耦合微带线(12)包括第一矩形段(121)以及连接所述第一矩形段(121)的第一直线段(122)，所述第一圆形金属贴片(13)位于第一耦合微带线(12)的两侧，所述第一耦合微带线(12)设有第一金属过孔(123)，所述第一圆形金属贴片(13)设有第二金属过孔(131)，所述第一金属过孔(123)和第二金属过孔(131)均贯穿过孔层介质板(1)；
所述间隙层介质板(2)的上表面印刷有第二耦合微带线(22)，下表面印刷有第二金属地层(21)，所述第二金属地层(21)具有多个耦合缝隙(23)，所述第二耦合微带线(22)包括第二矩形段(221)以及连接所述第二矩形段(221)的第二直线段(222)，所述耦合缝隙(23)位于第二矩形段(221)的正下方；
所述过孔层介质板(1)的下表面与间隙层介质板(2)的上表面紧密贴合，所述第一矩形段(121)和第二矩形段(221)形状相同且对齐重合；
所述两个结构相同的集成基片耦合间隙波导旋转180度后相对设置，且两个所述集成基片耦合间隙波导的第二金属地层(21)紧密贴合，耦合缝隙(23)对齐重合。
2.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述耦合缝隙(23)包括矩形缝隙(231)以及位于矩形中央的圆形缝隙(232)，所述矩形缝隙(231)和圆形缝隙(232)构成一体结构。
3.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述第一圆形金属贴片(13)周期性排列在第一耦合微带线(12)的两侧。
4.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述第一金属过孔(123)在第一耦合微带线(12)上呈周期性排列。
5.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述第一矩形段(121)和第一直线段(122)相连的边为弧线边。
6.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述第一金属过孔(123)和第二金属过孔(131)的尺寸相同。
7.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述第一矩形段(121)和耦合缝隙(23)的数量相同。
8.根据权利要求1或7所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述第一矩形段(121)和耦合缝隙(23)的数量和大小均可以调节。
9.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述过孔层介质板(1)采用介电常数为3.48、损耗角正切为0.004的介质材料。
10.根据权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的多缝耦合定向耦合器，其特征在于，所述间隙层介质板(2)采用介电常数为2.2、损耗角正切为0.0009的介质材料。
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| CN115986347A (zh) * | 2022-11-23 | 2023-04-18 | 中山大学 | 一种双频半封闭超表面腔体滤波器及传输零点控制方法 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211112 |
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