CN113604886A - 晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，包括扩散炉主体，扩散炉主体的前侧设有两左右对称设置的炉口组，炉口组包括圆形炉口，圆形炉口的外侧配合安装有炉盖，炉盖与扩散炉主体铰接，通过第一搭扣与扩散炉主体活动连接，炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，统一封盖组件包括封盖板，封盖板与扩散炉主体铰接，通过搭扣组与扩散炉主体活动连接，封盖板上均布有炉盖口，炉盖口与炉盖外形相适配，并与封盖板远离扩散炉主体中部的一侧连通，封盖板的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。本发明在保留原有各炉盖可单独启闭的功能下，可实现整体炉盖同时启闭，适应了加工过程中的不同需要。

Description

晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉
技术领域
本发明涉及扩散炉技术领域，尤其涉及晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉。
背景技术
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，扩散炉由控制系统、进出舟系统、炉体加热系统和气体控制系统等组成。目前，现有的扩散炉的各个炉口都单独配备了炉盖，在使用时需要分别单独开启，一定程度上影响了工艺进行的效率。
发明内容
为解决上述问题，本发明公开了晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，在保留原有各炉盖可单独启闭的功能下，可实现整体炉盖同时启闭，适应了加工过程中的不同需要。
具体方案如下：
一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：包括扩散炉主体，所述扩散炉主体的前侧设有两左右对称设置的炉口组，所述炉口组包括自上而下均匀分布的圆形炉口，所述圆形炉口的外侧配合安装有炉盖，所述炉盖为与圆形炉口相适配的圆形结构，其靠近扩散炉主体中部的一侧与扩散炉主体铰接，另一侧通过第一搭扣与扩散炉主体活动连接，所述炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，所述统一封盖组件包括封盖板，所述封盖板为矩形板状结构，其靠近扩散炉主体中部的一侧与扩散炉主体铰接，另一侧通过搭扣组与扩散炉主体活动连接，所述封盖板上自上而下均布有炉盖口，所述封盖板上的炉盖口数量与炉盖数量相同，且位置相对应，所述炉盖口与炉盖外形相适配，并与封盖板远离扩散炉主体中部的一侧连通，所述封盖板的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。
作为本发明的进一步改进，所述炉盖卡扣组件包括设置在炉盖外侧的固定套，所述固定套为竖直设置的圆筒状结构，其靠近第一搭扣一侧，所述固定套内配合穿插有可上下滑动的L型插销，所述封盖板的外侧设有L型插销定位件，所述L型插销定位件置于L型插销的上部，包括两上下设置的定位套，所述定位套的中部通孔与L型插销相适配，且L型插销可上下滑动的置于定位套中。
作为本发明的进一步改进，所述炉口组中包括自上而下均匀分布的四个圆形炉口。
作为本发明的进一步改进，所述炉盖口有四个，其中，炉盖口由圆形口和条形口组成，所述圆形口与炉盖的外形相适配。
作为本发明的进一步改进，所述搭扣组包括自上而下均匀分布的第二搭扣。
作为本发明的进一步改进，所述搭扣组中的第二搭扣有三个。
作为本发明的进一步改进，扩散炉主体上设有与第一搭扣数量相同且位置相对应的第一搭头，所述第一搭头与第一搭扣相适配。
作为本发明的进一步改进，扩散炉主体上设有与第二搭扣数量相同且位置相对应的第二搭头，所述第二搭头与第二搭扣相适配。
本发明的有益效果在于：采用了统一封盖组件，在保留原有各炉盖可单独启闭的功能下，可实现整体炉盖同时启闭，适应了加工过程中的不同需要。
附图说明
图1为本发明晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉的结构示意图。
图2为图1中炉盖的放大图。
附图标记列表：
1-扩散炉主体，2-炉盖，3-第一搭扣，4-封盖板，5-固定套，6-L型插销，7-定位套，8-第二搭扣。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
如图所示，一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，包括扩散炉主体1，所述扩散炉主体1的前侧设有两左右对称设置的炉口组，所述炉口组包括自上而下均匀分布的圆形炉口，所述圆形炉口的外侧配合安装有炉盖2，所述炉盖2为与圆形炉口相适配的圆形结构，其靠近扩散炉主体1中部的一侧与扩散炉主体1铰接，另一侧通过第一搭扣3与扩散炉主体1活动连接，所述炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，所述统一封盖组件包括封盖板4，所述封盖板4为矩形板状结构，其靠近扩散炉主体1中部的一侧与扩散炉主体1铰接，另一侧通过搭扣组与扩散炉主体1活动连接，所述封盖板4上自上而下均布有炉盖口，所述封盖板4上的炉盖口数量与炉盖2数量相同，且位置相对应，所述炉盖口与炉盖2外形相适配，并与封盖板4远离扩散炉主体1中部的一侧连通，所述封盖板4的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。
在本实施例中，所述炉盖卡扣组件包括设置在炉盖2外侧的固定套5，所述固定套5为竖直设置的圆筒状结构，其靠近第一搭扣3一侧，所述固定套5内配合穿插有可上下滑动的L型插销6，所述封盖板4的外侧设有L型插销定位件，所述L型插销定位件置于L型插销6的上部，包括两上下设置的定位套7，所述定位套7的中部通孔与L型插销6相适配，且L型插销6可上下滑动的置于定位套中。
在本实施例中，所述炉口组中包括自上而下均匀分布的四个圆形炉口。
在本实施例中，所述炉盖口有四个，其中，炉盖口由圆形口和条形口组成，所述圆形口与炉盖2的外形相适配。
在本实施例中，所述搭扣组包括自上而下均匀分布的第二搭扣8。
在本实施例中，所述搭扣组中的第二搭扣8有三个。
在本实施例中，扩散炉主体1上设有与第一搭扣数量相同且位置相对应的第一搭头，所述第一搭头与第一搭扣3相适配；扩散炉主体1上设有与第二搭扣数量相同且位置相对应的第二搭头，所述第二搭头与第二搭扣8相适配。
本发明采用了统一封盖组件，在保留原有各炉盖可单独启闭的功能下，可实现整体炉盖同时启闭，适应了加工过程中的不同需要。
本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：包括扩散炉主体（1），所述扩散炉主体（1）的前侧设有两左右对称设置的炉口组，所述炉口组包括自上而下均匀分布的圆形炉口，所述圆形炉口的外侧配合安装有炉盖（2），所述炉盖（2）为与圆形炉口相适配的圆形结构，其靠近扩散炉主体（1）中部的一侧与扩散炉主体（1）铰接，另一侧通过第一搭扣（3）与扩散炉主体（1）活动连接，所述炉口组的外侧还配合安装有统一封盖组件，所述统一封盖组件包括封盖板（4），所述封盖板（4）为矩形板状结构，其靠近扩散炉主体（1）中部的一侧与扩散炉主体（1）铰接，另一侧通过搭扣组与扩散炉主体（1）活动连接，所述封盖板（4）上自上而下均布有炉盖口，所述封盖板（4）上的炉盖口数量与炉盖（2）数量相同，且位置相对应，所述炉盖口与炉盖（2）外形相适配，并与封盖板（4）远离扩散炉主体（1）中部的一侧连通，所述封盖板（4）的前侧外自上而下均布有与炉盖口数量相同且位置相对应的炉盖卡扣组件。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述炉盖卡扣组件包括设置在炉盖（2）外侧的固定套（5），所述固定套（5）为竖直设置的圆筒状结构，其靠近第一搭扣（3）一侧，所述固定套（5）内配合穿插有可上下滑动的L型插销（6），所述封盖板（4）的外侧设有L型插销定位件，所述L型插销定位件置于L型插销（6）的上部，包括两上下设置的定位套（7），所述定位套（7）的中部通孔与L型插销（6）相适配，且L型插销（6）可上下滑动的置于定位套中。
3.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述炉口组中包括自上而下均匀分布的四个圆形炉口。
4.根据权利要求3所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述炉盖口有四个，其中，炉盖口由圆形口和条形口组成，所述圆形口与炉盖（2）的外形相适配。
5.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述搭扣组包括自上而下均匀分布的第二搭扣（8）。
6.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：所述搭扣组中的第二搭扣（8）有三个。
7.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：扩散炉主体（1）上设有与第一搭扣数量相同且位置相对应的第一搭头，所述第一搭头与第一搭扣（3）相适配。
8.根据权利要求1所述的一种晶硅电池扩散低表面深结工艺用扩散炉，其特征在于：扩散炉主体（1）上设有与第二搭扣数量相同且位置相对应的第二搭头，所述第二搭头与第二搭扣（8）相适配。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080031720A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Siltron, Inc. Apparatus and method for supplying solid raw material to single crystal grower
US20120269226A1 (en) * 2009-04-16 2012-10-25 Tp Solar, Inc. Diffusion Furnaces Employing Ultra Low Mass Transport Systems and Methods of Wafer Rapid Diffusion Processing
CN205398771U (zh) * 2016-03-03 2016-07-27 徐州中辉光伏科技有限公司 一种太阳能电池用硅片扩散炉
CN205645843U (zh) * 2016-04-05 2016-10-12 温州巨亮光伏科技有限公司 一种新型扩散炉
CN111470784A (zh) * 2020-06-01 2020-07-31 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种高透过宽色系盖板玻璃
CN212051727U (zh) * 2020-03-27 2020-12-01 无锡松煜科技有限公司 扩散炉工艺腔室炉口结构
CN212384583U (zh) * 2020-04-24 2021-01-22 优浦帅翼驰(苏州)新材料有限公司 一种安全型铝液输送系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080031720A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Siltron, Inc. Apparatus and method for supplying solid raw material to single crystal grower
US20120269226A1 (en) * 2009-04-16 2012-10-25 Tp Solar, Inc. Diffusion Furnaces Employing Ultra Low Mass Transport Systems and Methods of Wafer Rapid Diffusion Processing
CN205398771U (zh) * 2016-03-03 2016-07-27 徐州中辉光伏科技有限公司 一种太阳能电池用硅片扩散炉
CN205645843U (zh) * 2016-04-05 2016-10-12 温州巨亮光伏科技有限公司 一种新型扩散炉
CN212051727U (zh) * 2020-03-27 2020-12-01 无锡松煜科技有限公司 扩散炉工艺腔室炉口结构
CN212384583U (zh) * 2020-04-24 2021-01-22 优浦帅翼驰(苏州)新材料有限公司 一种安全型铝液输送系统
CN111470784A (zh) * 2020-06-01 2020-07-31 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种高透过宽色系盖板玻璃

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SHIMGYEONGBAE, ET AL: "Boron Diffused Layer Formation Process and Characteristics for High Efficiency N-type Crystalline Silicon Solar Cell Applications", 《JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS》, vol. 30, no. 2, pages 139 - 143 *
何堂贵等: "晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究", 《电子设计工程》, vol. 17, no. 09, pages 55 - 57 *
谢于柳;禹庆荣;许烁烁;朱奕漪;: "M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉研制", 电子工业专用设备, no. 08, pages 30 - 34 *

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