CN113574634A - 调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均匀性 - Google Patents

调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均匀性 Download PDF

Info

Publication number
CN113574634A
CN113574634A CN202080021649.5A CN202080021649A CN113574634A CN 113574634 A CN113574634 A CN 113574634A CN 202080021649 A CN202080021649 A CN 202080021649A CN 113574634 A CN113574634 A CN 113574634A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
during
heater
processing step
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080021649.5A
Other languages
English (en)
Inventor
拉维·库马尔
普尔凯特·阿加瓦尔
阿德里安·拉沃伊
拉梅什·钱德拉塞卡拉
迈克尔·菲利普·罗伯茨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN113574634A publication Critical patent/CN113574634A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。

Description

调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均 匀性
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月15日申请的美国临时申请No.62/819,155的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地，本公开内容涉及包含多区域衬底支撑件的衬底处理系统。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
衬底处理系统在例如半导体晶片之类的衬底上执行处理。衬底处理的示例包含沉积、灰化、蚀刻、清洁和/或其他工艺。可以将处理气体混合物供应至处理室以处理衬底。等离子体可以用于点燃气体以增强化学反应。
用于处理衬底的循环时间确定了衬底处理系统的产出以及在其中所产出的每一衬底的成本。当处理衬底时，例如沉积和蚀刻之类的某些步骤会被衬底部分的局部温度变化所影响。
发明内容
一种衬底处理系统包含处理室；包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及控制器，其被配置成：与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信，在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤，以及基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
在其他特征中，所述衬底处理系统进一步包含等离子体产生器，其被配置成在所述处理室中产生等离子体，并且所述控制器被进一步配置成使所述等离子体产生器在所述第一处理步骤期间产生等离子体。所述第一处理步骤包含蚀刻。所述第一处理步骤包含沉积。所述控制器被进一步配置成在所述第一处理步骤期间使用第一组加热器调整参数来调整加热。
在其他特征中，所述控制器被进一步配置成：在所述第一处理步骤之前或之后中的一者以及在所述瞬时温度时段期间，启动所述处理的第二处理步骤；以及基于在与所述第二处理步骤相应的时段期间中针对所述多个加热器区域中的多个相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第二处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。所述控制器被进一步配置成在所述第二处理步骤期间使用与所述第一组加热器调整参数不同的第二组加热器调整参数来调整加热。所述第一处理步骤包含蚀刻步骤，而所述第二处理步骤包含沉积步骤。
在其他特征中，所述多个加热器区域中的一者的所述平均热函数是基于针对所述多个加热器区域中的所述相应区域在所述第一处理步骤的时段期间的温度的积分。所述处理包含多重图案化处理。
一种在处理室中处理衬底的方法包含：将所述衬底布置在所述处理室内的包含多个加热器区域的衬底支撑件上；在所述衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤；以及基于在与所述第一处理步骤对应的第一时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
在其他特征中，所述的方法还包含在将所述衬底布置在所述衬底支撑件上之前：设定所述衬底支撑件的温度；在所述衬底支撑件上布置测试衬底；确定在所述第一时段对应于所述多个加热器区域的所述测试衬底的温度；以及确定在所述第一时段期间中针对所述多个加热器区域中的所述相应区域的所述平均热函数。所述第一处理步骤包含蚀刻和沉积两者中的一者。所述方法还包含在所述第一处理步骤期间使用第一组加热器调整参数来调整加热。
在其他特征中，所述方法还包含：在所述第一处理步骤之前或之后中的一者以及在所述瞬时温度时段期间，启动所述处理的第二处理步骤；以及基于在与所述第二处理步骤相应的第二时段期间中针对所述多个加热器区域中的多个相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第二处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。所述方法还包含在所述第二处理步骤期间使用与所述第一组加热器调整参数不同的第二组加热器调整参数来调整加热。所述第一处理步骤包含蚀刻步骤，而所述第二处理步骤包含沉积步骤。
在其他特征中，所述多个加热器区域中的一者的所述平均热函数是基于针对所述多个加热器区域中的所述相应区域在与所述第一处理步骤对应的时段期间的温度的积分。所述处理包含多重图案化处理。所述方法还包含：在所述第一处理步骤之后，测量所述衬底的至少一个参数，并且基于所述至少一参数来调整在所述第一处理步骤期间用于加热所述衬底的第一组加热器调整参数。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1A为根据公开内容的衬底处理系统的一示例的功能性框图；
图1B说明根据公开内容的包含多个无线热电偶的衬底的一示例；
图1C为根据公开内容说明具有多个加热器区域的衬底支撑件的一示例的平面图；
图2A到2H为根据本公开内容的在多重图案化期间的衬底的一示例的横截面侧视图；
图3A到3D说明根据本公开内容的在多重图案化期间的关键尺寸不平衡以及使用的其他参数；
图4为根据本公开内容说明在衬底放置于衬底支撑件上后将衬底加热直到衬底到达衬底支撑件的稳态温度期间，衬底的加热器区域的温度与时间的函数关系的曲线图；
图5为根据本公开内容说明在衬底到达衬底支撑件的稳态温度前的修整步骤期间，衬底的加热器区域的温度与时间的函数关系的曲线图；
图6为根据本公开内容说明针对衬底的径向部分，归一化(normalized)关键尺寸与衬底半径的函数关系的曲线图；
图7为根据本公开内容说明针对衬底的径向部分，归一化热函数与衬底半径的函数关系的曲线图；
图8为根据本公开内容说明用于确定于瞬时期间的多区域衬底支撑件的加热器区域的平均热函数的示例性方法的流程图；以及
图9为根据本公开内容说明一种示例性方法的流程图，其用于在衬底到达衬底支撑件的稳态温度之前所执行的处理步骤期间，使用平均热函数以调整加热来降低关键尺寸的不一致性。
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
当将衬底最初布置在衬底支撑件上时，在衬底达到衬底支撑件的稳态温度(例如瞬时期间)前，可能需要2-3分钟或更长时间。在瞬时期间延迟处理会显著增加循环时间以及衬底的制造成本。然而，在衬底达到衬底支撑件的稳态温度前进行处理可能会导致关键尺寸不均匀性(CDNU)。
根据本公开内容的衬底处理系统和方法是在瞬时温度期间内对衬底执行一或多个处理步骤。在处理衬底之前，先将测试衬底放置在衬底支撑件上，并在将衬底放置在衬底支撑件上(且衬底尚未达到衬底支撑件的稳态温度)之后直到衬底达到衬底支撑件的稳态温度为止的瞬时期间中，记录测试衬底的各个位置的温度。例如，测试衬底可以包括布置在衬底支撑件上的温度传感器(例如热电偶)，并且在瞬时期间记录每一热电偶的温度。在一些示例中，测试衬底可以不包括温度传感器，而是可以通过处理室内的装置(举例来说，例如红外线传感器之类的热成像装置)来感应或测量测试衬底的温度。
所确定的每一加热器区域的平均热函数作为时间的函数。平均热函数对应于温度曲线下的面积(例如相应处理步骤期间的温度积分)。当执行处理步骤时，加热器区域的关键尺寸不均匀性与加热器区域中的平均热函数密切相关。
例如，可以在多重图案化处理期间于衬底上执行修整步骤。该修整步骤是在将衬底定位在衬底支撑件上之后以及在衬底到达衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时期间执行。在修整步骤期间，每一加热器区域的平均热函数用于调整相应加热器区域中的加热，以减少CD NU。类似的方法可以用于在瞬时期间所进行的沉积或其他处理步骤。在一些示例中，针对修整步骤进行一组加热器调整，且由于蚀刻相较于沉积在温度变化影响上的差异，而在修整步骤之前或之后的沉积步骤进行另一组的加热器调整。
现在参照图1A，显示了衬底处理系统的示例。虽然显示出特定的处理室，但是可以使用其他类型的处理室。衬底处理系统110包含处理室122，其包围衬底处理系统110的其他部件并且包含RF等离子体(如果使用的话)。衬底处理系统110包含上部电极124以及例如静电卡盘(ESC)之类的衬底支撑件126。在处理期间，将衬底128布置在衬底支撑件126上。
仅作为示例，上部电极124可以包含例如喷头之类的气体分配装置129，其导入和分配处理气体。气体分配装置129可以包含杆部，该杆部的一端连接至处理室的顶表面。底部大致为圆柱形，且从杆部的在与处理室的顶表面间隔开的位置处的相对端径向向外延伸。喷头的该底部的面向衬底的表面或面板包含多个孔，前体、反应物、蚀刻气体、惰性气体、载气、其他处理气体和/或吹扫气体通过这些孔流动。替代地，上部电极124可以包含导电板，且可以以另一种方式导入处理气体。
衬底支撑件126包含用作下部电极的底板130。底板130支撑加热板132，其可以对应于陶瓷多区域加热板。可以在加热板132和底板130之间布置热阻层134。底板130可以包含一或多个通道136，其用于使冷却剂流过底板130。虽然显示了特定类型的衬底支撑件，但也可以使用其他类型的衬底支撑件或加热器。
等离子体产生系统140通过将RF电压输出到上部电极124和下部电极两者中的一者(例如衬底支撑件126的底板130)而产生RF电压。上部电极124和底板130中的另一者可以是DC接地、AC接地或浮动。仅作为示例，等离子体产生系统140可以包含RF产生器142，其产生由匹配和分配网络144馈送到上部电极124或底板130的RF等离子体功率。在其他示例中，等离子体可以感应地或远程地产生。
气体输送系统150包括一或多个气体源152-1、152-2、.....和152-N(统称为气体源152)，其中N是大于零的整数。气体源152通过阀154-1、154-2、.....和154-N(统称为阀154)和质量流量控制器156-1、156-2、.....和156-N(统称为MFC 156)而连接至歧管160。可以在MFC 156和歧管160之间使用第二级阀。虽然显示了使用单一气体输送系统150，但也可以使用两个或更多个气体输送系统。
温度控制器163可以连接到配置在加热板132中的多个热控制元件(TCE)164。温度控制器163可以用于控制多个TCE 164以控制衬底支撑件126和衬底128的温度。温度控制器163可以与冷却剂组件166连通以控制冷却剂流过通道136。例如冷却剂组件166可以包括冷却剂泵、贮存器和一或多个温度传感器。温度控制器163操作冷却剂组件166以选择性地使冷却剂流过通道136，从而冷却衬底支撑件126。
阀170和泵172可以用于从处理室122中排出反应物。系统控制器180可用于控制衬底处理系统110的部件。
现在参考图1B，测量在瞬时期间(发生于衬底放置在衬底支撑件上之后直到衬底到达衬底支撑件的稳态温度的时间点)的衬底温度。测试衬底190包括多个热电偶192。在一些示例中，多个热电偶192连接到一或多个无线发射器，其发射相应位置的温度测量值。在一些示例中，温度测量值与衬底支撑件的多个加热器区域中的一或多个相关联(如图1A和1C所示)。在一些示例中，测试衬底190可以不包括该多个热电偶192。相反，测试衬底190的温度可以通过处理室122内的装置(举例来说，例如红外线传感器之类的热成像装置，其布置成捕捉指示测试衬底190的整个表面上的热分布影像)来感应或测量。
现在参照图1C，衬底支撑件196包括多个加热器区域198。在该示例中，圆形的内加热器区域1被环形加热器区域2包围。环形加热器区域2则由加热器区域3-6包围，且加热器区域3-6对应到另一环形加热器区域的环形加热器区域的区段。尽管显示出了特定数量和/或取向的该多个加热器区域198，但是可以使用其他数量的加热器区域和/或取向。
现在参考图2A至2H，其显示出在多重图案化处理中的一衬底。在图2A中，衬底包括目标层210、芯层214、芯层218和心轴图案层222。在图2B中，执行各向同性蚀刻步骤以蚀刻芯层218，并且根据心轴图案层222(随后可以将其去除)而将特征226限定在芯层218中。在图2C中，执行第一保形沉积步骤，以将层230选择性地沉积被布置在芯层214上的特征226上。在一些示例中，将层230沉积(使用例如二氧化硅、硅氮化物等材料来进行选择性原子层沉积(ALD))到特征226上。选择性沉积是指在第一暴露材料上比在不同于第一暴露材料的第二暴露材料上发生的沉积更多。
在图2D中，执行蚀刻以去除特征226并且限定间隔件240。在图2E中，执行各向同性蚀刻以在芯层214中限定间隔件(例如方形间隔件)244。在图2F中，执行第二保形沉积步骤以在布置于目标层210上的方形间隔件244上选择性地沉积保形层248。
在图2G中，执行蚀刻以去除方形间隔件244并在目标层210上限定间隔件252(间隔比方形间隔件244更近)。在图2H中，以在特征260之间定义的关键尺寸来执行各向同性蚀刻，以图案化在目标层210中的特征260-1、260-2、…和260-N(统称特征260)(其中N是整数)。
现在参照图3A至3D，说明在多重图案化期间的CD不平衡以及使用的其他参数。在图3A中，衬底包括底层310。在修整步骤(预修整)之前显示出底层310上的特征312。特征312具有等于第一关键尺寸(CD1)的宽度。在图3B中，显示出在修整步骤之后(修整后)的衬底310。现在，较窄的特征314具有等于第二关键尺寸(CD2)的宽度，其中CD2<CD1。
在图3C中，在特征314上沉积保形层318。在一些示例中，保形层318使用ALD沉积。在一些示例中，保形层318包括硅氧化物。执行蚀刻以去除间隔件314并限定位于底层310上的特征322，如图3D所示。
位于间隔件314下方的区域中的间隔对应于偶数间隔，其他间隔对应于奇数间隔。间距被定义为(2*线间隔+偶数间隔+奇数间隔)。关键尺寸不平衡(CD IMB)等于偶数间隔和奇数间隔之间的差的绝对值。奇数间隔为沉积期间的修整速率和光致抗蚀剂消耗的函数。线宽是蚀刻后ALD厚度的函数。间隔2是间隔1和线宽的函数。
现在参考图4，曲线图说明了在衬底放置于衬底支撑件上之后直到衬底到达衬底支撑件的稳态温度的衬底加热期间，衬底温度与时间的函数关系。为了减少循环时间和增加产量，修整和沉积步骤是在衬底到达衬底支撑件的稳态温度之前进行。在一示例中，直到160秒后或另一瞬时期间后，衬底才达到衬底支撑件的稳态温度。如果将处理延迟到衬底达到衬底支撑物的稳态温度，则该处理将显著减慢。
但是，修整和沉积步骤两者都受到衬底温度变化的影响。衬底支撑件通常保持在一致的温度。衬底的不同部分将以不同的速率升温至衬底支撑件的稳态温度。这些温度变化中的每一个都可能导致衬底上限定的特征(例如光致抗蚀剂(PR)特征)的关键尺寸上的差异。从图4中可以看出，修整步骤在比沉积步骤更低的温度下进行(并且两者都在衬底达到衬底支撑件的稳态温度之前开始或执行)。
现在参考图5，曲线图说明了在衬底到达衬底支撑件的稳态温度之前的修整步骤期间，衬底温度与时间的函数关系。在将衬底放置在衬底支撑件上之后直到衬底达到衬底支撑件的稳态温度后的时间点，纪录包括热电偶192的测试衬底190的不同位置的温度值为时间的函数。
例如，温度曲线的一部分对应于执行修整或沉积步骤的时间。通过对修整或沉积步骤中温度曲线下的面积进行积分来计算平均热值。对每个热电偶执行平均热值计算。然后，基于会影响相应加热器区域的热电偶来计算多区域衬底支撑件的每一加热器区域的平均热值。每一加热器区域的平均热值用于调节加热器区域的加热，以在修整步骤期间修正该加热器区域的CD NU。该处理可以重复用于在衬底达到衬底支撑件的稳态温度之前进行的其他步骤。
现在参考图6和图7，归一化(normalized)的热函数可用来调整对加热器区域的加热，以在衬底达到衬底支撑件的稳态温度之前所执行的步骤期间，调整加热器区域中的特征的关键尺寸。在图6中，曲线图显示出一示例，其说明了针对衬底支撑件的一部分，归一化关键尺寸与衬底半径的函数关系。在图7中，该曲线图显示出针对衬底支撑件的相同部分的归一化热函数为衬底半径的函数。
可以看出，归一化CD和归一化热函数之间存在相关性。在这种情况下，归一化热函数和归一化CD之间存在着逆相关的关系。换句话说，当归一化热函数在特定位置减小时，归一化CD增大，反之亦然。使用该信息就可以调节加热器区域中的加热，以在衬底达到衬底支撑件的稳态温度之前执行的处理步骤期间提供更均匀的CD。
现在参考图8，其显示出用于确定多区域衬底支撑件的加热器区域的平均热函数的方法800。如上所述，平均热函数的确定是针对在将衬底放置在衬底支撑件上之后、直到衬底达到衬底支撑件的稳态温度的发生期间。
方法800包括在810将多区域衬底支撑件的温度设定至处理温度。在814，将包括T型热电偶192的测试衬底190布置在衬底支撑件上。在818，在预定时段内记录每一热电偶的温度作为时间的函数，该预定时段包括在衬底达到稳态温度之前将进行修整步骤、沉积步骤或其他处理步骤的时段。在822，对于衬底支撑件的每一加热器区域的平均热函数是基于在该时段中其相应加热器区域的热电偶温度。
现在参考图9，显示出使用平均热函数来调节加热以减少CD NU的方法900。修整步骤(或其他步骤)在衬底到达衬底支撑件的稳态温度之前的期间进行。方法900包括在910确定所要求的衬底厚度和轮廓(例如图案化的衬底)。在914，在修整步骤(或其他处理步骤)期间为每一加热器区域确定平均热函数。例如，根据先前如图8中所确定的平均热函数来确定其平均热函数。先前确定的平均热函数可以存储在存储器中，也可以从存储器中检索。在918，在修整步骤(或其他处理步骤)期间，基于对应的加热器区域的平均热函数来调整加热器参数组。换句话说，用于控制每一加热器区域的温度的热参数是根据平均热函数来调节的。在922，用调整后的加热器参数组来处理衬底。
在930，方法900确定是否要处理另一衬底。在934，可以任选地测量处理后的衬底。例如，可以测量关键尺寸或其他参数。在938，测量值可用于进一步调整加热器参数组。替代地，可以省略934和938。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片衬底支撑件、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的步骤的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和步骤设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制步骤、启用清洁步骤、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的步骤参数。在一些实施方案中，步骤参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造步骤的当前进展、检查过去制造步骤的历史、检查多个制造步骤的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个步骤期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (20)

1.一种衬底处理系统，其包含：
处理室；
包含多个加热器区域的衬底支撑件，其布置在所述处理室中；
气体输送系统，其被配置成输送处理气体至所述处理室；以及
控制器，其被配置成：
与所述气体输送系统和所述多个加热器区域通信；
在衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤；以及
基于在与所述第一处理步骤对应的时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包含：
等离子体产生器，其被配置成在所述处理室中产生等离子体，其中所述控制器被进一步配置成使所述等离子体产生器在所述第一处理步骤期间产生等离子体。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一处理步骤包含蚀刻。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一处理步骤包含沉积。
5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述控制器被进一步配置成在所述第一处理步骤期间使用第一组加热器调整参数来调整加热。
6.根据权利要求5所述的衬底处理系统，其中所述控制器被进一步配置成：
在所述第一处理步骤之前或之后中的一者以及在所述瞬时温度时段期间，启动所述处理的第二处理步骤；以及
基于在与所述第二处理步骤相应的时段期间中针对所述多个加热器区域中的多个相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第二处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
7.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述控制器被进一步配置成在所述第二处理步骤期间使用第二组加热器调整参数来调整加热，其中所述第二组加热器调整参数与所述第一组加热器调整参数不同。
8.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述第一处理步骤包含蚀刻步骤，而所述第二处理步骤包含沉积步骤。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述多个加热器区域中的一者的所述平均热函数是基于针对所述多个加热器区域中的所述相应区域在所述第一处理步骤的时段期间的温度的积分。
10.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述处理包含多重图案化处理。
11.一种在处理室中处理衬底的方法，所述方法包含：
将所述衬底布置在所述处理室内的衬底支撑件上，其中所述衬底支撑件包含多个加热器区域；
在所述衬底布置在所述衬底支撑件上之后以及在所述衬底到达所述衬底支撑件的稳态温度之前的瞬时温度时段期间，启动处理的第一处理步骤；以及
基于在与所述第一处理步骤对应的第一时段期间针对所述多个加热器区域中的相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第一处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
12.根据权利要求11所述的方法，其还包含在将所述衬底布置在所述衬底支撑件上之前：
设定所述衬底支撑件的温度；
在所述衬底支撑件上布置测试衬底；
确定在所述第一时段对应于所述多个加热器区域的所述测试衬底的温度；以及
确定在所述第一时段期间中针对所述多个加热器区域中的所述相应区域的所述平均热函数。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一处理步骤包含蚀刻和沉积两者中的一者。
14.根据权利要求11所述的方法，其还包含在所述第一处理步骤期间使用第一组加热器调整参数来调整加热。
15.根据权利要求14所述的方法，其还包含：
在所述第一处理步骤之前或之后中的一者以及在所述瞬时温度时段期间，启动所述处理的第二处理步骤；以及
基于在与所述第二处理步骤相应的第二时段期间中针对所述多个加热器区域中的多个相应区域所确定的平均热函数，调整在所述第二处理步骤期间对所述多个加热器区域中的每一个区域的加热。
16.根据权利要求15所述的方法，其还包含在所述第二处理步骤期间使用第二组加热器调整参数来调整加热，其中所述第二组加热器调整参数与所述第一组加热器调整参数不同。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一处理步骤包含蚀刻步骤，而所述第二处理步骤包含沉积步骤。
18.根据权利要求11所述的方法，其中所述多个加热器区域中的一者的所述平均热函数是基于针对所述多个加热器区域中的所述相应区域在与所述第一处理步骤对应的时段期间的温度的积分。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述处理包含多重图案化处理。
20.根据权利要求11所述的方法，其还包含：
在所述第一处理步骤之后，测量所述衬底的至少一个参数，并且基于所述至少一个参数来调整在所述第一处理步骤期间用于加热所述衬底的第一组加热器调整参数。
CN202080021649.5A 2019-03-15 2020-03-10 调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均匀性 Pending CN113574634A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962819155P 2019-03-15 2019-03-15
US62/819,155 2019-03-15
PCT/US2020/021856 WO2020190571A1 (en) 2019-03-15 2020-03-10 Rapid tuning of critical dimension non-uniformity by modulating temperature transients of multi-zone substrate supports

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113574634A true CN113574634A (zh) 2021-10-29

Family

ID=72519345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080021649.5A Pending CN113574634A (zh) 2019-03-15 2020-03-10 调节多区域衬底支撑件的温度瞬时以快速调整关键尺寸不均匀性

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220223440A1 (zh)
KR (1) KR20210129247A (zh)
CN (1) CN113574634A (zh)
TW (1) TW202104657A (zh)
WO (1) WO2020190571A1 (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423949B1 (en) * 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US20060185600A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Lsi Logic Corporation Multi-zone chuck
US8552346B2 (en) * 2011-05-20 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling temperature of a multi-zone heater in an process chamber
US8852964B2 (en) * 2013-02-04 2014-10-07 Lam Research Corporation Controlling CD and CD uniformity with trim time and temperature on a wafer by wafer basis
WO2014164910A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling esc for plasma process chamber
US9716022B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-25 Lam Research Corporation Method of determining thermal stability of a substrate support assembly

Also Published As

Publication number Publication date
TW202104657A (zh) 2021-02-01
US20220223440A1 (en) 2022-07-14
WO2020190571A1 (en) 2020-09-24
KR20210129247A (ko) 2021-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9922855B2 (en) Method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US10381248B2 (en) Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
US10763142B2 (en) System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
CN112368415B (zh) 衬底处理系统中的衬底支撑件的动态温度控制
US20220037170A1 (en) Progressive heating of components of substrate processing systems using tcr element-based heaters
US10509425B2 (en) Virtual metrology method for ESC temperature estimation using thermal control elements
US11236422B2 (en) Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
US20210398829A1 (en) Ceramic pedestal with multi-layer heater for enhanced thermal uniformity
US20210265144A1 (en) Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems
US20240210163A1 (en) In-situ wafer thickness and gap monitoring using through beam laser sensor
US20220223440A1 (en) Rapid tuning of critical dimension non-uniformity by modulating temperature transients of multi-zone substrate supports
CN117716066A (zh) Pecvd沉积系统中对厚度趋势的基于喷头温度的沉积时间补偿
US20170332480A1 (en) Laminated heater with different heater trace materials

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination