CN113541257A - 充电输入保护装置及该装置的充电过压过温保护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种充电输入保护装置及该装置的充电过压过温保护方法，该装置包括充电器、充电保护电路，该充电保护电路包括单片机控制单元、输入电压采样单元。单片机控制单元接至充电输入端口的输入电压正极且其能够控制输入电压正极开关单元的通断，单片机控制单元还接至充电输入端口的输入电压负极且单片机控制单元能够控制输入电压负极开关单元的通断；输入电压采样单元的采样端子接至输入电压正极，其采样电压输出端接至单片机控制单元，输入电压采样单元用于对充电器连接到被充电子产品的输入电压进入采样，并将采集至的电压送至单片机控制单元。本发明能够有效且可靠地保证了不会因为错用过压的适配器给后端电路供电造成损坏。

Description

充电输入保护装置及该装置的充电过压过温保护方法
技术领域
本发明涉及宠物训导产品，具体的说是涉及一种充电输入保护装置及该装置的充电过压过温保护方法。
背景技术
目前，很多可充电式的电子产品，从售后或终端用户返回来后，经分析发现其原因是产品被超过其额定充电电压的适配器损坏。由于适配器有不同的标称输出电压，比如常见的如手机适配器是5V、数码相机适配器9V、路由器适配器12V、吸尘器适配器18V等。但这些充电器的充电端口经常用的一样。不少消费者分不清或不知道对应使用，有可能把高输出电压的适配器给低输入充电的产品充电，比如用9V以上的适配器拿来直接给5V的电子产品充电，因而把产品充坏。
另外适配器的品质良莠不齐，实际输出电压或使用一段时间后输出电压远超标称电压，也是导致被充电子产品损坏的一大原因。
然而，大部分可充电的电子产品在充电输入端并没有设计过压保护或仅使用了简单的稳压电路，当充电的适配器过压时，不能进行有效保护而损坏。本发明就是为解决此问题，在可充电的电子产品充电输入端加入过压保护，从而进行有效防护。
现有可充电装置为了防止过压和过温保护，往往在电源输入端并联稳压器件(如稳压二极管或压敏电阻)来对后端电路进行保，如图1所示。但是稳压器件从高电压稳定到低压是需要一定时间的，在这个稳压过程中，后端电子产品中有些对电压敏感的电子元件有可能被击穿损坏，不能完全有效保护。
另外稳压器件是在稳压时需要消费耗功率的，如果消耗功率大于稳压器件的额定耗损功率，稳压极管就会开路或短路损坏，无法对后级电路进行保护。还有，有些产品虽然也在正极线上加了保护开关，但是当充电器正负极接反时，仍有可能使被充电电子产品连通带电或漏电或静电而导致损坏(如图2所示)。
发明内容
针对现有技术中的不足，本发明要解决的技术问题在于提供了一种充电输入保护装置及该装置的充电过压过温保护方法。。
为解决上述技术问题，本发明通过以下方案来实现：本发明的一种充电输入保护装置，包括充电器、能够与所述充电器对插形成充电状态的电子产品，所述电子产品的电路板上具有充电保护电路，该充电保护电路包括：
具有判定输入电压是否在预设电压范围的单片机控制单元，该单片机控制单元通过一输入电压正极开关单元接至充电输入端口的输入电压正极且所述单片机控制单元能够控制所述输入电压正极开关单元的通断，所述单片机控制单元还通过一输入电压负极开关单元接至充电输入端口的输入电压负极且所述单片机控制单元能够控制所述输入电压负极开关单元的通断；
输入电压采样单元，所述输入电压采样单元的采样端子接至所述输入电压正极，其采样电压输出端接至所述单片机控制单元，所述输入电压采样单元用于对所述充电器连接到被充电子产品的输入电压进入采样，并将采集至的电压送至所述单片机控制单元。
进一步的，所述充电输入保护装置还包括充电温度检测单元，所述充电温度检测单元的检测端子接至所述充电输入端口的输入电压正极，其输出端接至所述单片机控制单元。
进一步的，所述充电输入保护装置还包括电连接至所述单片机控制单元的过压过温报警单元，所述单片机控制单元控制过压过温报警单元的通断。
进一步的，所述充电输入保护装置还包括充电管理单元，该电管理单元的两个输入端子分别电连接至所述单片机控制单元和所述输入电压正极开关单元。
进一步的，所述充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D；
所述充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D；
所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54，所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元的第一AD检测口；
所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元。
更进一步的，所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55，所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元的第二AD检测口。
更进一步的，所述电阻R56为PTC正温度系数电阻，该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化。
一种充电过压过温保护方法，该方法是：
1)、电子产品的电路板上设置一单片机控制单元，连接并控制有充电管理单元、过压过温报警单元；
2)、电子产品的充电输入端口的输入电压正极、充电输入端口的输入电压负极分别接有输入电压正极开关单元和输入电压负极开关单元，所述单片机控制单元控制输入电压正极开关单元和输入电压负极开关单元的通断；
3)、电子产品的充电输入端口的输入电压正极接有输入电压采样单元，所述输入电压采样单元采样电压输出端接至所述单片机控制单元，输入电压采样单元用于采样充电器连接到被充电子产品的输入电压U1并送给所述单片机控制单元，所述单片机控制单元判定输入电压U1是否在预设电压范围，其中：
当输入电压U1是在预设电压范围内，所述单片机控制单元控制接通输入电压正极开关单元和输入电压负极开关单元，进而充电管理单元充电及电子产品上的电路板上电；
当输入电压U1超出预设电压范围时，所述单片机控制单元控制断开输入电压正极开关单元和输入电压负极开关单元，同时，所述单片机控制单元控制过压过温报警单元发出声光报警，提示拔出或更换充电器；
4)、电子产品的充电输入端口的输入电压正极还电连接有充电温度检测单元，充电温度检测单元的输出端电连接至所述单片机控制单元，所述充电温度检测单元用于实时检测被充电时的电子产品的充电和工作时的温度，其中：
当充电温度检测单元检测到温度超过预设值时，所述单片机控制单元控制断开输入电压正极开关单元和输入电压负极开关单元，并控制过压过温报警单元发出声光报警。
进一步的，方法还包括：
1)、电子产品充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D；
电子产品充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D；
PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54，所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元的AD检测口，所述电阻R53和所述电阻R54分压后将分压后的电压送入所述单片机控制单元的第一AD检测口AD检测口，所述单片机控制单元实时检测输入电压；
所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元。
更进一步的，所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55，所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元的第二AD检测口；
所述电阻R56为PTC正温度系数电阻，该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化；
当充电温度敏感区域温度升高时，电阻R56变大，经电阻R55分压后送入所述单片机控制单元的第二AD检测口的电压会减小，所述单片机控制单元通过与预设电压比较判断是否超过预设的温度范围；
当电子产品的充电电压和充电温度均在预设的范围之内时，所述单片机控制单元输出高平，使所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5处于导通充电状态，同时过压过温报警单元为断开状态；
当电子产品的充电输入电压或充电温度超过所述单片机控制单元预设的阀值电压时，所述单片机控制单元输出低电平切断所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5，同时，所述单片机控制单元控制过压过温报警单元发出声光报警；
当电子产品充电电压和充电温度回到预设范围时，所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5自动接通，所述单片机控制单元控制过压过温报警单元解除报警。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明通过先检测判断输入电压U1是否在预设充电电压范围，再控制是否接通输入电压正极开关单元，有效且可靠地保证了不会因为错用过压的适配器给后端电路供电造成损坏。
本发明的充电输入保护装置通过在充电输入的正极和负极分别串联控制开关，可以同时切断正极和负极线，避免只切断单根正极或负极线而使充电产品仍有可能带电的情况，比如充电线正负极反接时，现有的很多产品只切断正极或负极一根线，另一根仍有带电的可能。
本发明能够有效防止充电器通过另外一根没有切掉的线向被充电电子产品的静电和其它漏电的情况。另外，设计的充电温度检测单元，实时监测被充电状态的电子产品S2的工作温度，可以有效保障产品运行在合理的温度范围内，不会因过温失效。
附图说明
图1为现有技术中的可充电装置原理框图。
图2为现有技术中的充电装置正负极接反时导致充电装置损坏的原理框图。
图3为本发明充电输入保护装置的电路原理框图。
图4为本发明充电输入保护装置的一种实施例电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，本发明所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1：本发明的具体结构如下：
请参照附图3，本发明的一种充电输入保护装置，包括充电器S1、能够与所述充电器S1对插形成充电状态的电子产品S2，所述电子产品S2的电路板上具有充电保护电路，该充电保护电路包括：
具有判定输入电压是否在预设电压范围的单片机控制单元S6，该单片机控制单元S6通过一输入电压正极开关单元S4接至充电输入端口的输入电压正极且所述单片机控制单元S6能够控制所述输入电压正极开关单元S4的通断，所述单片机控制单元S6还通过一输入电压负极开关单元S9接至充电输入端口的输入电压负极且所述单片机控制单元S6能够控制所述输入电压负极开关单元S9的通断；
输入电压采样单元S3，所述输入电压采样单元S3的采样端子接至所述输入电压正极，其采样电压输出端接至所述单片机控制单元S6，所述输入电压采样单元S3用于对所述充电器S1连接到被充电子产品S2的输入电压进入采样，并将采集至的电压送至所述单片机控制单元S6。
本实施例的一种优选技术方案：所述充电输入保护装置还包括充电温度检测单元S7，所述充电温度检测单元S7的检测端子接至所述充电输入端口的输入电压正极，其输出端接至所述单片机控制单元S6。
本实施例的一种优选技术方案：所述充电输入保护装置还包括电连接至所述单片机控制单元S6的过压过温报警单元S8，所述单片机控制单元S6控制过压过温报警单元S8的通断。
本实施例的一种优选技术方案：所述充电输入保护装置还包括充电管理单元S5，该电管理单元S5的两个输入端子分别电连接至所述单片机控制单元S6和所述输入电压正极开关单元S4。
实施例2：
如图4所示，本实施例的一种优选技术方案：所述充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D；
所述充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D；
所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54，所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元S6的第一AD检测口；
所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元S6。
本实施例的一种优选技术方案：所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55，所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元S6的第二AD检测口。
本实施例的一种优选技术方案：所述电阻R56为PTC正温度系数电阻，该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化。
实施例3：
如图3-4所示，一种充电过压过温保护方法，该方法是：
1、电子产品S2的电路板上设置一单片机控制单元S6，连接并控制有充电管理单元S5、过压过温报警单元S8；
2、电子产品S2的充电输入端口的输入电压正极、充电输入端口的输入电压负极分别接有输入电压正极开关单元S4和输入电压负极开关单元S9，所述单片机控制单元S6控制输入电压正极开关单元S4和输入电压负极开关单元S9的通断；
3、电子产品S2的充电输入端口的输入电压正极接有输入电压采样单元S3，所述输入电压采样单元S3采样电压输出端接至所述单片机控制单元S6，输入电压采样单元S3用于采样充电器S1连接到被充电子产品S2的输入电压U1并送给所述单片机控制单元S6，所述单片机控制单元S6判定输入电压U1是否在预设电压范围，其中：
当输入电压U1是在预设电压范围内，所述单片机控制单元S6控制接通输入电压正极开关单元S4和输入电压负极开关单元S9，进而充电管理单元S5充电及电子产品S2上的电路板上电；
当输入电压U1超出预设电压范围时，所述单片机控制单元S6控制断开输入电压正极开关单元S4和输入电压负极开关单元S9，同时，所述单片机控制单元S6控制过压过温报警单元S8发出声光报警，提示拔出或更换充电器S1；
4、电子产品S2的充电输入端口的输入电压正极还电连接有充电温度检测单元S7，充电温度检测单元S7的输出端电连接至所述单片机控制单元S6，所述充电温度检测单元S7用于实时检测被充电时的电子产品S2的充电和工作时的温度，其中：
当充电温度检测单元S7检测到温度超过预设值时，所述单片机控制单元S6控制断开输入电压正极开关单元S4和输入电压负极开关单元S9，并控制过压过温报警单元S8发出声光报警。
本实施例的一种优选技术方案：所述方法还包括：
1、电子产品S2充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D；
电子产品S2充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D；
PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54，所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元S6的AD检测口，所述电阻R53和所述电阻R54分压后将分压后的电压送入所述单片机控制单元S6的第一AD检测口AD检测口，所述单片机控制单元S6实时检测输入电压；
所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元S6。
本实施例的一种优选技术方案：所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55，所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元S6的第二AD检测口；
所述电阻R56为PTC正温度系数电阻，该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化；
当充电温度敏感区域温度升高时，电阻R56变大，经电阻R55分压后送入所述单片机控制单元S6的第二AD检测口的电压会减小，所述单片机控制单元S6通过与预设电压比较判断是否超过预设的温度范围；
当电子产品S2的充电电压和充电温度均在预设的范围之内时，所述单片机控制单元S6输出高平，使所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5处于导通充电状态，同时过压过温报警单元S8为断开状态；
当电子产品S2的充电输入电压或充电温度超过所述单片机控制单元S6预设的阀值电压时，所述单片机控制单元S6输出低电平切断所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5，同时，所述单片机控制单元S6控制过压过温报警单元S8发出声光报警；
当电子产品S2充电电压和充电温度回到预设范围时，所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5自动接通，所述单片机控制单元S6控制过压过温报警单元S8解除报警。
实施例4：
本发明充电输入保护装置的控制时序：所述单片机控制单元S6先检测判断输入电压U1在预设充电电压范围，再控制输入电压正极开关单元S4接通给后端供电。此电路结构不限于可充电保护电路，也适用于非充电的需外部或内部供电的电子电路产品。
实施例5：
本发明的供电开关单元(输入电压正极开关单元S4和输入电压负极开关单元S9)包括但不限于MOS晶体管、三极管、可控硅等半导体和继电器等元件。
实施例6：
输入电压采样单元S3设置于电源输入的最前端，包括但不限于电阻、电容等被动元件及电压比较器等主动元件。
实施例7：
所述充电温度检测单元S7包括但限于PTC或NTC温度电阻、温度敏感传感器。
综上所述，本发明通过先检测判断输入电压U1是否在预设充电电压范围，再控制是否接通输入电压正极开关单元，有效且可靠地保证了不会因为错用过压的适配器给后端电路供电造成损坏。本发明的充电输入保护装置通过在充电输入的正极和负极分别串联控制开关，可以同时切断正极和负极线，避免只切断单根正极或负极线而使充电产品仍有可能带电的情况，比如充电线正负极反接时，现有的很多产品只切断正极或负极一根线，另一根仍有带电的可能。本发明能够有效防止充电器通过另外一根没有切掉的线向被充电电子产品的静电和其它漏电的情况。另外，设计的充电温度检测单元，实时监测被充电状态的电子产品S2的工作温度，可以有效保障产品运行在合理的温度范围内，不会因过温失效。
以上所述仅为本发明的优选实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种充电输入保护装置，包括充电器(S1)、能够与所述充电器(S1)对插形成充电状态的电子产品(S2)，所述电子产品(S2)的电路板上具有充电保护电路，其特征在于，该充电保护电路包括：
具有判定输入电压是否在预设电压范围的单片机控制单元(S6)，该单片机控制单元(S6)通过一输入电压正极开关单元(S4)接至充电输入端口的输入电压正极且所述单片机控制单元(S6)能够控制所述输入电压正极开关单元(S4)的通断，所述单片机控制单元(S6)还通过一输入电压负极开关单元(S9)接至充电输入端口的输入电压负极且所述单片机控制单元(S6)能够控制所述输入电压负极开关单元(S9)的通断；
输入电压采样单元(S3)，所述输入电压采样单元(S3)的采样端子接至所述输入电压正极，其采样电压输出端接至所述单片机控制单元(S6)，所述输入电压采样单元(S3)用于对所述充电器(S1)连接到被充电子产品(S2)的输入电压进入采样，并将采集至的电压送至所述单片机控制单元(S6)。
2.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置，其特征在于，所述充电输入保护装置还包括充电温度检测单元(S7)，所述充电温度检测单元(S7)的检测端子接至所述充电输入端口的输入电压正极，其输出端接至所述单片机控制单元(S6)。
3.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置，其特征在于，所述充电输入保护装置还包括电连接至所述单片机控制单元(S6)的过压过温报警单元(S8)，所述单片机控制单元(S6)控制过压过温报警单元(S8)的通断。
4.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置，其特征在于，所述充电输入保护装置还包括充电管理单元(S5)，该电管理单元(S5)的两个输入端子分别电连接至所述单片机控制单元(S6)和所述输入电压正极开关单元(S4)。
5.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置，其特征在于，所述充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D；
所述充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D；
所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54，所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元(S6)的第一AD检测口；
所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元(S6)。
6.根据权利要求5所述的一种充电输入保护装置，其特征在于，所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55，所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元(S6)的第二AD检测口。
7.根据权利要求6所述的一种充电输入保护装置，其特征在于，所述电阻R56为PTC正温度系数电阻，该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化。
8.一种根据权利要求1-7任意一项所述的充电输入保护装置的充电过压过温保护方法，其特征在于，该方法是：
1)、电子产品(S2)的电路板上设置一单片机控制单元(S6)，连接并控制有充电管理单元(S5)、过压过温报警单元(S8)；
2)、电子产品(S2)的充电输入端口的输入电压正极、充电输入端口的输入电压负极分别接有输入电压正极开关单元(S4)和输入电压负极开关单元(S9)，所述单片机控制单元(S6)控制输入电压正极开关单元(S4)和输入电压负极开关单元(S9)的通断；
3)、电子产品(S2)的充电输入端口的输入电压正极接有输入电压采样单元(S3)，所述输入电压采样单元(S3)采样电压输出端接至所述单片机控制单元(S6)，输入电压采样单元(S3)用于采样充电器(S1)连接到被充电子产品(S2)的输入电压U1并送给所述单片机控制单元(S6)，所述单片机控制单元(S6)判定输入电压U1是否在预设电压范围，其中：
当输入电压U1是在预设电压范围内，所述单片机控制单元(S6)控制接通输入电压正极开关单元(S4)和输入电压负极开关单元(S9)，进而充电管理单元(S5)充电及电子产品(S2)上的电路板上电；
当输入电压U1超出预设电压范围时，所述单片机控制单元(S6)控制断开输入电压正极开关单元(S4)和输入电压负极开关单元(S9)，同时，所述单片机控制单元(S6)控制过压过温报警单元(S8)发出声光报警，提示拔出或更换充电器(S1)；
4)、电子产品(S2)的充电输入端口的输入电压正极还电连接有充电温度检测单元(S7)，充电温度检测单元(S7)的输出端电连接至所述单片机控制单元(S6)，所述充电温度检测单元(S7)用于实时检测被充电时的电子产品(S2)的充电和工作时的温度，其中：
当充电温度检测单元(S7)检测到温度超过预设值时，所述单片机控制单元(S6)控制断开输入电压正极开关单元(S4)和输入电压负极开关单元(S9)，并控制过压过温报警单元(S8)发出声光报警。
9.根据权利要求8所述的充电过压过温保护方法，其特征在于，该方法还包括：
1)、电子产品(S2)充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D；
电子产品(S2)充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D；
PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54，所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元(S6)的AD检测口，所述电阻R53和所述电阻R54分压后将分压后的电压送入所述单片机控制单元(S6)的第一AD检测口AD检测口，所述单片机控制单元(S6)实时检测输入电压；
所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元(S6)。
10.根据权利要求9所述的充电过压过温保护方法，其特征在于，所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55，所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元(S6)的第二AD检测口；
所述电阻R56为PTC正温度系数电阻，该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化；
当充电温度敏感区域温度升高时，电阻R56变大，经电阻R55分压后送入所述单片机控制单元(S6)的第二AD检测口的电压会减小，所述单片机控制单元(S6)通过与预设电压比较判断是否超过预设的温度范围；
当电子产品(S2)的充电电压和充电温度均在预设的范围之内时，所述单片机控制单元(S6)输出高平，使所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5处于导通充电状态，同时过压过温报警单元(S8)为断开状态；
当电子产品(S2)的充电输入电压或充电温度超过所述单片机控制单元(S6)预设的阀值电压时，所述单片机控制单元(S6)输出低电平切断所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5，同时，所述单片机控制单元(S6)控制过压过温报警单元(S8)发出声光报警；
当电子产品(S2)充电电压和充电温度回到预设范围时，所述PMOS晶体管Q4和所述PMOS晶体管Q5自动接通，所述单片机控制单元(S6)控制过压过温报警单元(S8)解除报警。
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