CN113507294A - 一种八通道扩频网关收发系统和方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种八通道扩频网关收发系统和方法，包括：一颗八通道SX1302网关基带收发芯片、两颗四通道SX1250射频前端芯片、分别与两颗四通道SX1250射频前端芯片连接的射频匹配电路。本发明的目的在于新设计一种能够实现八通道扩频网关收发系统的结构，并且发射链路上的匹配网络可以达到需要的发射功率值，以及接收链路上采用低通滤波加低噪声放大的功能来提升接收外界空中微弱射频信号的能力，以便提升射频信号的收发能力。

Description

一种八通道扩频网关收发系统和方法

技术领域

本发明涉及射频电路技术领域，特别涉及一种八通道扩频网关收发系统和方法。

背景技术

目前扩频网关的应用主要还是集中于传统的硬件方式，基本都是采用单通道收发系统模式，如图1（a）所示，即半双工方式，一收一发，对于这种模式要实现多通道就要采用多个单通道收发系统来实现多通道，如图1（b）所示，但是这种的方式会增加整个系统的硬件成本，给系统带来明显面积增加与设计难度。

发明内容

本发明的目的在于新设计一种能够实现八通道扩频网关收发系统的结构，并且发射链路上的匹配网络可以达到需要的发射功率值，以及接收链路上采用低通滤波加低噪声放大的功能来提升接收外界空中微弱射频信号的能力，以便提升射频信号的收发能力，提供一种八通道扩频网关收发系统和方法。

为了实现上述发明目的，本发明实施例提供了以下技术方案：

一种八通道扩频网关收发系统，包括：一颗八通道SX1302网关基带收发芯片、两颗四通道SX1250射频前端芯片、分别与两颗四通道SX1250射频前端芯片连接的射频匹配电路，其中，两颗四通道SX1250射频前端芯片分别为第一四通道SX1250射频前端芯片、第二四通道SX1250射频前端芯片；

所述八通道SX1302网关基带收发芯片用于对发射的基带信号进行处理形成基带码，并通过第一四通道SX1250射频前端芯片从射频匹配电路发射；还用于对通过射频匹配电路从第一四通道SX1250射频前端芯片、第二四通道SX1250射频前端芯片接收的基带码进行处理形成基带信号；所述八通道SX1302网关基带收发芯片可同时接收并处理八条基带码；

第一四通道SX1250射频前端芯片用于对八通道SX1302网关基带收发芯片发射的基带码进行调制，以及对射频匹配电路接收的基带码进行解调；第二四通道SX1250射频前端芯片用于对射频匹配电路接收的基带码进行解调；每颗四通道SX1250射频前端芯片可同时接收并处理四条基带码。

在上述方案中，可以同时接收8条以内的射频信号，因此无需每多接收一条射频信号时，就多连接一个单通道，降低系统结构。

所述射频匹配电路包括发射链路、接收链路、单刀双掷射频开关U4；所述发射链路与第一四通道SX1250射频前端芯片的输出端连接，所述接收链路分别与第一四通道SX1250射频前端芯片的接收端、第二四通道SX1250射频前端芯片的接收端连接；所述单刀双掷射频开关U4分别与发射链路、接收链路、八通道SX1302网关基带收发芯片连接。

在上述方案中，需要一颗四通道SX1250射频前端芯片来传输信号时，则单刀双掷射频开关U4就开启一颗四通道SX1250射频前端芯片的通路；需要两颗四通道SX1250射频前端芯片来传输信号时，则单刀双掷射频开关U4就开启两颗四通道SX1250射频前端芯片的通路，能够让信号有明确的走向。

所述发射链路包括发射匹配网络，所述发射匹配网络包括电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C22、电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9；

第一四通道SX1250射频前端芯片的VR_PA引脚的分别与电容C2的一端、电容C3的一端、电感L1的一端连接，电容C2的另一端、电容C3的另一端均接地，第一四通道SX1250射频前端芯片的RFO引脚分别与电感L1的另一端、电容C22的一端、电感L2的一端、电容C4的一端连接，电容C22的另一端接地，电感L2的另一端分别与电容C5的一端、电容C4的另一端、电感L3的一端连接，电容C5的另一端接地，电感L3的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端分别与电容C7的一端、电阻R9的一端连接，电容C7的另一端接地，电阻R9的另一端与所述单刀双掷射频开关U4的RF2引脚连接。

在上述方案中，发射链路上的发射匹配网络可以达到需要的发射功率值。

所述接收链路包括第一接收匹配网络、第二接收匹配网络、低噪声放大单元、低通滤波单元；

所述第二接收匹配网络包括电容C14、电容C15、电容C16、电感L6，第二四通道SX1250射频前端芯片的RFI_N引脚分别与电容C14的一端、电感L6的一端连接，第二四通道SX1250射频前端芯片的RFI_P引脚分别与电感L6的另一端、电容C15的一端连接，电容C15的另一端接地，电容C14的另一端分别与电容C16的一端、低噪声放大单元连接，电容C16的另一端接地；

所述第一接收匹配网络包括电容C8、电容C9、电容C10、电感L4，第一四通道SX1250射频前端芯片的RFI_N引脚分别与电容C8的一端、电感L4的一端连接，第一四通道SX1250射频前端芯片的RFI_P引脚分别与电感L4的另一端、电容C9的一端连接，电容C9的另一端接地，电容C8的另一端分别与电容C10的一端、低噪声放大单元连接，电容C9的另一端接地；

所述低噪声放大单元包括放大器T1、电容C40、电容C41、电容C42、电容C43、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电感L10、电感L9，电容C43的一端分别与电容C8的另一端、电容C14的另一端连接，电容C43的另一端与电阻R17的一端连接，电阻R17的另一端分别与电容C41的一端、放大器T1的RFout引脚、电感L10的一端连接，电感L10的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端分别与放大器T1的Vctrl引脚、电阻R15的一端、电容C42的一端连接，放大器T1的的Adj引脚与电阻R15的另一端连接，电容C42的另一端接地；放大器T1的Vbias引脚分别与电感L9的一端、电容C40的一端连接，电容C40的另一端接地，放大器T1的RFin引脚分别与电感L9的另一端、电阻R14的一端、低通滤波单元连接；

所述低通滤波单元包括低通滤波器LPF1、电容C33、电容C39，电容C39的一端与放大器T1的RFin引脚连接，电容C39的另一端与低通滤波器LPF1的Output引脚连接，低通滤波器LPF1的Input引脚与电容C33的一端连接，电容C33的另一端与单刀双掷射频开关U4的RF1引脚连接。

在上述方案中，接收链路上采用低通滤波加低噪声放大的功能来提升接收外界空中微弱射频信号的能力。

所述第二四通道SX1250射频前端芯片的XTA引脚连接有温度补偿晶振X1，所述温度补偿晶振X1用于为第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片提供工作参考时钟信号。

所述八通道SX1302网关基带收发芯片连接有数字温度传感器ST1，所述数字温度传感器ST1用于对八通道SX1302网关基带收发芯片进行温度检测，以确保八通道SX1302网关基带收发芯片在收发信号时的温度在温度阈值范围内。

一种八通道扩频网关收发系统的收发方法，包括以下步骤：

所述八通道SX1302网关基带收发芯片在发送信号时：

将所要发射的基带信号进行处理形成基带码，通过所述第一四通道SX1250射频前端芯片进行调制和变频后，从射频匹配电路发射；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片的通路；

所述八通道SX1302网关基带收发芯片在接收信号时：

若当前接收到五条及以上的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片的通路；

若当前接收到四条及以下的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片的通路。

若当前接收到五条及以上的基带码，所述八通道SX1302网关基带收发芯片控制单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片的通路；

基带码通过低通滤波单元选择所需的频率，再通过低噪声放大单元进行去噪放大，最后通过第一接收匹配网络进入第一四通道SX1250射频前端芯片，以及通过第二接收匹配网络进入第二四通道SX1250射频前端芯片；

所述第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片对接收到的基带码进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号。

若当前接收到四条及以下的基带码，所述八通道SX1302网关基带收发芯片控制单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片的通路；

基带码通过低通滤波单元选择所需的频率，再通过低噪声放大单元进行去噪放大，最后通过第一接收匹配网络进入第一四通道SX1250射频前端芯片或通过第二接收匹配网络进入第二四通道SX1250射频前端芯片；

所述第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片对接收到的基带码进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明发射链路上的发射匹配网络可以达到需要的发射功率值，以及接收链路上采用低通滤波加低噪声放大的功能来提升接收外界空中微弱射频信号的能力，以便提升射频信号的收发能力。

本发明对于传统多通道扩频网关收发系统，降低了八通道扩频网关收发系统的设计难度，大大减小了八通道扩频网关收发系统的硬件面积，同时提升了八通道扩频网关收发系统的处理效率，减少了故障率，降低整个扩频网关收发系统的硬件成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍， 应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为传统技术中的收发系统示意图，其中图1（a）为传统技术中的单通道收发系统示意图，图1（b）为传统技术中的多个单通道收发系统实现多通道收发系统示意图；

图2为本发明八通道扩频网关收发系统示意图；

图3为为本发明实施例第一四通道SX1250射频前端芯片、发射匹配网络、第一接收匹配网络的电路原理图；

图4为本发明实施例第二四通道SX1250射频前端芯片、第二接收匹配网络、温度补偿晶振的电路原理图；

图5为本发明实施例低噪声放大单元、低通滤波单元、单刀双掷射频开关的电路原理图；

图6为本发明实施例八通道SX1302网关基带收发芯片的电路原理图；

图7为本发明实施例低压差线性稳压器的电路原理图，其中图7（a）为低压差线性稳压器P1的电路原理图，图7（b）为低压差线性稳压器P2的电路原理图，图7（c）为低压差线性稳压器P3的电路原理图，图7（d）为 低压差线性稳压器P4的电路原理图；

图8为本发明实施例八通道SX1302网关基带收发芯片的接口示意图，其中图8（a）为八通道SX1302网关基带收发芯片的一种接口示意图，图8（b）为八通道SX1302网关基带收发芯片的另一种接口示意图；

图9为本发明实施例低压数字温度传感器的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性，或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

实施例：

本发明通过下述技术方案实现，如图1所示，一种八通道扩频网关收发系统，包括一颗八通道SX1302网关基带收发芯片U3、两颗四通道SX1250射频前端芯片、分别与两颗四通道SX1250射频前端芯片连接的射频匹配电路。为便于说明，两颗四通道SX1250射频前端芯片分别定义为第一四通道SX1250射频前端芯片U1、第二四通道SX1250射频前端芯片U2。

需要说明的是，所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3、第一四通道SX1250射频前端芯片U1、第二四通道SX1250射频前端芯片U2均为现有产品。

所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3用于对发射的基带信号进行处理形成基带码，并通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1从射频匹配电路发射；还用于对通过射频匹配电路从第一四通道SX1250射频前端芯片U1、第二四通道SX1250射频前端芯片U2接收的基带码进行处理形成基带信号；所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3可同时接收并处理八条基带码。基带码是本领域通用的技术术语，故不做解释。

第一四通道SX1250射频前端芯片U1用于对八通道SX1302网关基带收发芯片U3发射的基带码进行调制，以及对射频匹配电路接收的基带码进行解调；第二四通道SX1250射频前端芯片U2用于对射频匹配电路接收的基带码进行解调；每颗四通道SX1250射频前端芯片可同时接收并处理四条基带码。

详细来说，请参见图2，所述射频匹配电路包括发射链路、接收链路、单刀双掷射频开关U4。当八通道SX1302网关基带收发芯片U3发射信号时，八通道SX1302网关基带收发芯片U3将基带信号转换为基带码后，发送至第一四通道SX1250射频前端芯片U1进行调制和变频等处理，此时单刀双掷射频开关U4控制发射链路开启，基带码由第一四通道SX1250射频前端芯片U1通过发射链路输出。由于八通道SX1302网关基带收发芯片U3在发射信号时，每次只需要发射一条信号，所以只通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1发射即可。

当八通道SX1302网关基带收发芯片U3接收信号时，可能会同时接收多条信号，在本方案中，八通道SX1302网关基带收发芯片U3可以同时接收1~8条信号。如果同时接收四条及以下的信号时，仅通过一颗四通道SX1250射频前端芯片接收即可，也就是仅通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1或者第二四通道SX1250射频前端芯片U2接收即可，因此这两颗四通道SX1250射频前端芯片都是可以同时接收处理四条信号的。

比如仅通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1接收信号时，外界发送的基带码通过低通滤波单元进行信号选频，因为输入的基带码中可能存在多种频率的信号，因此只需要选出所需的频段即可。然后通过低噪声放大单元进行信号噪声处理和放大，因为信号在外界传输的过程中，可能会导致信号存在杂音、失真、衰减等情况，因此需要进行放大处理。单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1的通路，最后通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1将基带码的高频转换为低频，也就是一个变频的过程，以及进行解码后发送至八通道SX1302网关基带收发芯片U3，八通道SX1302网关基带收发芯片U3再将基带码转换为基带信号即可。在这个过程中，第一四通道SX1250射频前端芯片U1可以同时处理1~4条基带码，使得最终八通道SX1302网关基带收发芯片U3也能接收并处理1~4条基带码。

如果同时接收五条及以上的信号时，也就是5~8条信号，则需要通过两颗四通道SX1250射频前端芯片接收，也就是需要通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2共同接收。比如当前接收到7条信号，可以分配为由第一四通道SX1250射频前端芯片U1接收4条信号，第二四通道SX1250射频前端芯片U2接收3条信号。

单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2的通路，基带码经过低通滤波器的选频，以及低噪声放大单元的放大后，其中4条通过第一四通道SX1250射频前端芯片U1进入八通道SX1302网关基带收发芯片U3，剩余3条通过第二四通道SX1250射频前端芯片U2进入八通道SX1302网关基带收发芯片U3。

请参见图2，所述发射链路包括发射匹配网络，请参见图3，为第一四通道SX1250射频前端芯片U1和发射匹配网络的电路原理图，所述第一四通道SX1250射频前端芯片U1的型号为SX1205，所述发射匹配网络包括电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C22、电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9。

第一四通道SX1250射频前端芯片U1的VR_PA引脚的分别与电容C2的一端、电容C3的一端、电感L1的一端连接，电容C2的另一端、电容C3的另一端均接地，第一四通道SX1250射频前端芯片U1的RFO引脚分别与电感L1的另一端、电容C22的一端、电感L2的一端、电容C4的一端连接，电容C22的另一端接地，电感L2的另一端分别与电容C5的一端、电容C4的另一端、电感L3的一端连接，电容C5的另一端接地，电感L3的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端分别与电容C7的一端、电阻R9的一端连接，电容C7的另一端接地，电阻R9的另一端作为连接点SIG1，与所述单刀双掷射频开关U4U4的RF2引脚连接。

请参见图2，所述接收链路包括第一接收匹配网络、第二接收匹配网络、低噪声放大单元、低通滤波单元。请参见图4，为第二四通道SX1250射频前端芯片U2和接收匹配网络的电路原理图；请参见图5，为低噪声放大单元、低通滤波器、单刀双掷射频开关U4的电路原理图。

图3中还包括了第一接收匹配网络的电路原理图，所述第一接收匹配网络包括电容C8、电容C9、电容C10、电感L4，第一四通道SX1250射频前端芯片U1的RFI_N引脚分别与电容C8的一端、电感L4的一端连接，第一四通道SX1250射频前端芯片U1的RFI_P引脚分别与电感L4的另一端、电容C9的一端连接，电容C9的另一端接地，电容C8的另一端与电容C10的一端连接，且作为连接点SIG2与低噪声放大单元连接，电容C9的另一端接地。

返回图4，所述第二接收匹配网络包括电容C14、电容C15、电容C16、电感L6，第二四通道SX1250射频前端芯片U2的RFI_N引脚分别与电容C14的一端、电感L6的一端连接，第二四通道SX1250射频前端芯片U2的RFI_P引脚分别与电感L6的另一端、电容C15的一端连接，电容C15的另一端接地，电容C14的另一端与电容C16的一端连接，且作为连接点SIG2与低噪声放大单元连接，电容C16的另一端接地。

返回图5，所述低噪声放大单元包括放大器T1、电容C40、电容C41、电容C42、电容C43、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电感L10、电感L9，电容C43的一端作为连接点SIG2，分别与电容C8的另一端、电容C14的另一端连接，电容C43的另一端与电阻R17的一端连接，电阻R17的另一端分别与电容C41的一端、放大器T1的RFout引脚、电感L10的一端连接，电感L10的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端分别与放大器T1的Vctrl引脚、电阻R15的一端、电容C42的一端连接，放大器T1的的Adj引脚与电阻R15的另一端连接，电容C42的另一端接地；放大器T1的Vbias引脚分别与电感L9的一端、电容C40的一端连接，电容C40的另一端接地，放大器T1的RFin引脚分别与电感L9的另一端、电阻R14的一端、低通滤波单元连接。

所述低通滤波单元包括低通滤波器LPF1、电容C33、电容C39，电容C39的一端与放大器T1的RFin引脚连接，电容C39的另一端与低通滤波器LPF1的Output引脚连接，低通滤波器LPF1的Input引脚与电容C33的一端连接，电容C33的另一端与单刀双掷射频开关U4的RF1引脚连接，单刀双掷射频开关U4的RF2引脚作为连接点SIG1与电阻R9的另一端连接。

从图4中还可以看出，所述第二四通道SX1250射频前端芯片U2的XTA引脚连接有温度补偿晶振X1，所述温度补偿晶振X1用于为第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2提供工作参考时钟信号。

请参见图6，为所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3的电路原理图，八通道SX1302网关基带收发芯片U3的型号为SX1302。分别从图3~图9中可以看出各个器件之间的连接关系，故不再用文字赘述。

请参见图9，为所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3连接的数字温度传感器ST1电路原理图，所述数字温度传感器ST1用于对八通道SX1302网关基带收发芯片U3进行温度检测，以确保八通道SX1302网关基带收发芯片U3在收发信号时的温度在温度阈值范围内。

请参见图7为本方案的低压差线性稳压器LDO，用于电压变换，输出稳定的电压值与电流能力，确保整个扩频网关收发系统的稳定运行。其中图7（a）的低压差线性稳压器P1提供电压VCCIO33；图7（b）的低压差线性稳压器P2提供电压VDD_RF_1250；图7（c）的低压差线性稳压器P3提供电压VDD_RF_LNA；图7（d）的低压差线性稳压器P4提供电压VCCCORE12。

请参见图8为本方案八通道SX1302网关基带收发芯片U3用于外接其他器件的接口，比如可以用来连接天线，那么天线所发射的信号则可以经过八通道SX1302网关基带收发芯片U3来发射，其中图8（a）和图8（b）都是接口。

基于上述系统，本方案还提出一种八通道扩频网关收发系统的收发方法，包括以下步骤：

（一）所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3在发送信号时：

将所要发射的基带信号进行处理形成基带码，通过所述第一四通道SX1250射频前端芯片U1进行调制和变频后，从射频匹配电路发射；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1的通路。

（二）所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3在接收信号时：

若当前接收到五条及以上的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片U3将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2的通路。

所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3在发送信号时：

将所要发射的基带信号进行处理形成基带码，通过所述第一四通道SX1250射频前端芯片U1进行调制和变频后，从射频匹配电路发射；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1的通路；

所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3在接收信号时：

若当前接收到五条及以上的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片U3将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1和第二四通道SX1250射频前端芯片U2的通路；

若当前接收到四条及以下的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片U1或第二四通道SX1250射频前端芯片U2进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片U3将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1或第二四通道SX1250射频前端芯片U2的通路。

若当前接收到四条及以下的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片U1或第二四通道SX1250射频前端芯片U2进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片U3将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1或第二四通道SX1250射频前端芯片U2的通路。

若当前接收到四条及以下的基带码，所述八通道SX1302网关基带收发芯片U3控制单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片U1或第二四通道SX1250射频前端芯片U2的通路；

基带码通过低通滤波单元选择所需的频率，再通过低噪声放大单元进行去噪放大，最后通过第一接收匹配网络进入第一四通道SX1250射频前端芯片U1或通过第二接收匹配网络进入第二四通道SX1250射频前端芯片U2；

所述第一四通道SX1250射频前端芯片U1或第二四通道SX1250射频前端芯片U2对接收到的基带码进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片U3将基带码进行处理形成基带信号。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种八通道扩频网关收发系统，其特征在于：包括：一颗八通道SX1302网关基带收发芯片、两颗四通道SX1250射频前端芯片、分别与两颗四通道SX1250射频前端芯片连接的射频匹配电路，其中，两颗四通道SX1250射频前端芯片分别为第一四通道SX1250射频前端芯片、第二四通道SX1250射频前端芯片；

所述八通道SX1302网关基带收发芯片用于对发射的基带信号进行处理形成基带码，并通过第一四通道SX1250射频前端芯片从射频匹配电路发射；还用于对通过射频匹配电路从第一四通道SX1250射频前端芯片、第二四通道SX1250射频前端芯片接收的基带码进行处理形成基带信号；所述八通道SX1302网关基带收发芯片可同时接收并处理八条基带码；

第一四通道SX1250射频前端芯片用于对八通道SX1302网关基带收发芯片发射的基带码进行调制，以及对射频匹配电路接收的基带码进行解调；第二四通道SX1250射频前端芯片用于对射频匹配电路接收的基带码进行解调；每颗四通道SX1250射频前端芯片可同时接收并处理四条基带码。

2.根据权利要求1所述的一种八通道扩频网关收发系统，其特征在于：所述射频匹配电路包括发射链路、接收链路、单刀双掷射频开关U4；所述发射链路与第一四通道SX1250射频前端芯片的输出端连接，所述接收链路分别与第一四通道SX1250射频前端芯片的接收端、第二四通道SX1250射频前端芯片的接收端连接；所述单刀双掷射频开关U4分别与发射链路、接收链路、八通道SX1302网关基带收发芯片连接。

3.根据权利要求2所述的一种八通道扩频网关收发系统，其特征在于：所述发射链路包括发射匹配网络，所述发射匹配网络包括电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C22、电感L1、电感L2、电感L3、电阻R9；

第一四通道SX1250射频前端芯片的VR_PA引脚的分别与电容C2的一端、电容C3的一端、电感L1的一端连接，电容C2的另一端、电容C3的另一端均接地，第一四通道SX1250射频前端芯片的RFO引脚分别与电感L1的另一端、电容C22的一端、电感L2的一端、电容C4的一端连接，电容C22的另一端接地，电感L2的另一端分别与电容C5的一端、电容C4的另一端、电感L3的一端连接，电容C5的另一端接地，电感L3的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端分别与电容C7的一端、电阻R9的一端连接，电容C7的另一端接地，电阻R9的另一端与所述单刀双掷射频开关U4的RF2引脚连接。

4.根据权利要求2所述的一种八通道扩频网关收发系统，其特征在于：所述接收链路包括第一接收匹配网络、第二接收匹配网络、低噪声放大单元、低通滤波单元；

所述第二接收匹配网络包括电容C14、电容C15、电容C16、电感L6，第二四通道SX1250射频前端芯片的RFI_N引脚分别与电容C14的一端、电感L6的一端连接，第二四通道SX1250射频前端芯片的RFI_P引脚分别与电感L6的另一端、电容C15的一端连接，电容C15的另一端接地，电容C14的另一端分别与电容C16的一端、低噪声放大单元连接，电容C16的另一端接地；

所述第一接收匹配网络包括电容C8、电容C9、电容C10、电感L4，第一四通道SX1250射频前端芯片的RFI_N引脚分别与电容C8的一端、电感L4的一端连接，第一四通道SX1250射频前端芯片的RFI_P引脚分别与电感L4的另一端、电容C9的一端连接，电容C9的另一端接地，电容C8的另一端分别与电容C10的一端、低噪声放大单元连接，电容C9的另一端接地；

所述低噪声放大单元包括放大器T1、电容C40、电容C41、电容C42、电容C43、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电感L10、电感L9，电容C43的一端分别与电容C8的另一端、电容C14的另一端连接，电容C43的另一端与电阻R17的一端连接，电阻R17的另一端分别与电容C41的一端、放大器T1的RFout引脚、电感L10的一端连接，电感L10的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端分别与放大器T1的Vctrl引脚、电阻R15的一端、电容C42的一端连接，放大器T1的的Adj引脚与电阻R15的另一端连接，电容C42的另一端接地；放大器T1的Vbias引脚分别与电感L9的一端、电容C40的一端连接，电容C40的另一端接地，放大器T1的RFin引脚分别与电感L9的另一端、电阻R14的一端、低通滤波单元连接；

所述低通滤波单元包括低通滤波器LPF1、电容C33、电容C39，电容C39的一端与放大器T1的RFin引脚连接，电容C39的另一端与低通滤波器LPF1的Output引脚连接，低通滤波器LPF1的Input引脚与电容C33的一端连接，电容C33的另一端与单刀双掷射频开关U4的RF1引脚连接。

5.根据权利要求1所述的一种八通道扩频网关收发系统，其特征在于：所述第二四通道SX1250射频前端芯片的XTA引脚连接有温度补偿晶振X1，所述温度补偿晶振X1用于为第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片提供工作参考时钟信号。

6.根据权利要求1所述的一种八通道扩频网关收发系统，其特征在于：所述八通道SX1302网关基带收发芯片连接有数字温度传感器ST1，所述数字温度传感器ST1用于对八通道SX1302网关基带收发芯片进行温度检测，以确保八通道SX1302网关基带收发芯片在收发信号时的温度在温度阈值范围内。

7.权利要求1-6任一项所述的一种八通道扩频网关收发系统的收发方法，其特征在于：包括以下步骤：

所述八通道SX1302网关基带收发芯片在发送信号时：

将所要发射的基带信号进行处理形成基带码，通过所述第一四通道SX1250射频前端芯片进行调制和变频后，从射频匹配电路发射；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片的通路；

所述八通道SX1302网关基带收发芯片在接收信号时：

若当前接收到五条及以上的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片的通路；

若当前接收到四条及以下的基带码，通过射频匹配电路接收至第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号；由单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片的通路。

8.根据权利要求7所述的一种八通道扩频网关收发系统的收发方法，其特征在于：若当前接收到五条及以上的基带码，所述八通道SX1302网关基带收发芯片控制单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片的通路；

基带码通过低通滤波单元选择所需的频率，再通过低噪声放大单元进行去噪放大，最后通过第一接收匹配网络进入第一四通道SX1250射频前端芯片，以及通过第二接收匹配网络进入第二四通道SX1250射频前端芯片；

所述第一四通道SX1250射频前端芯片和第二四通道SX1250射频前端芯片对接收到的基带码进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号。

9.根据权利要求7所述的一种八通道扩频网关收发系统的收发方法，其特征在于：若当前接收到四条及以下的基带码，所述八通道SX1302网关基带收发芯片控制单刀双掷射频开关U4开启第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片的通路；

基带码通过低通滤波单元选择所需的频率，再通过低噪声放大单元进行去噪放大，最后通过第一接收匹配网络进入第一四通道SX1250射频前端芯片或通过第二接收匹配网络进入第二四通道SX1250射频前端芯片；

所述第一四通道SX1250射频前端芯片或第二四通道SX1250射频前端芯片对接收到的基带码进行解调和变频后，发送至八通道SX1302网关基带收发芯片将基带码进行处理形成基带信号。

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