CN113506984A - 应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构 - Google Patents

应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构 Download PDF

Info

Publication number
CN113506984A
CN113506984A CN202110563346.2A CN202110563346A CN113506984A CN 113506984 A CN113506984 A CN 113506984A CN 202110563346 A CN202110563346 A CN 202110563346A CN 113506984 A CN113506984 A CN 113506984A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric substrate
layer
etched
horn antenna
split resonant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110563346.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113506984B (zh
Inventor
刘国
陈志远
蒲林
唐明春
梁超
李世文
高昭昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 29 Research Institute
Original Assignee
CETC 29 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 29 Research Institute filed Critical CETC 29 Research Institute
Priority to CN202110563346.2A priority Critical patent/CN113506984B/zh
Publication of CN113506984A publication Critical patent/CN113506984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113506984B publication Critical patent/CN113506984B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
    • H01Q1/521—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure reducing the coupling between adjacent antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0013—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective
    • H01Q15/0026—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective said selective devices having a stacked geometry or having multiple layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0086—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/064—Two dimensional planar arrays using horn or slot aerials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

本发明提供一种应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，所述喇叭天线阵列包括两个呈中心对称并沿电场面方向平行放置的喇叭天线；所述超材料去耦结构放置在喇叭天线近场并通过尼龙柱与喇叭天线固定；所述超材料去耦结构包括第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板；其中，所述第一层介质基板和第三层介质基板表面蚀刻有两种尺寸的若干裂口谐振环，第二层介质基板和第四层介质基板表面蚀刻有相同尺寸的若干裂口谐振环。本发明的超材料去耦结构利用电磁超材料的电磁衰减及二次辐射特性，可有效降低喇叭天线阵列放置方向的水平辐射分量，从而有效降低喇叭天线单元间的远场耦合，且具有良好的普适特性。

Description

应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构
技术领域
本发明涉及天线技术领域，具体而言，涉及一种应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构。
背景技术
随着电子技术的飞速发展，对收发天线的高功率、高灵敏度需求也不断增加。当天线处于收发工作模式时，发射信号通过空间耦合进入接收天线，从而会造成接收通道无法正常工作，还有可能会引起接收通道的自激，若是在大功率条件下，甚至会造成接收通道前端放大器的损坏。因此提升收发天线间的隔离度就变得尤为重要。
然而，对于降低大间距放置的收发喇叭天线的间远场耦合，绝大多数传统去耦方法并不适用，如电磁带隙结构、缺陷地结构、中和线结构及去耦网络等。同时，平行放置的喇叭天线单元间的远场耦合主要是由天线单元的水平辐射分量导致的，而绝大多数传统去耦方法并不能实现天线单元远场辐射调控，因此它们的去耦机制决定了其对于远场去耦的局限性。
发明内容
本发明旨在提供一种应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，以解决大间距放置的喇叭天线阵列远场隔离度不能满足系统需求，而现有去耦方法不适用的技术问题。
本发明提供的一种应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，所述喇叭天线阵列包括两个呈中心对称并沿电场面方向平行放置的喇叭天线；所述超材料去耦结构放置在喇叭天线近场并通过尼龙柱与喇叭天线固定；所述超材料去耦结构包括第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板；其中，所述第一层介质基板和第三层介质基板表面蚀刻有两种尺寸的若干裂口谐振环，第二层介质基板和第四层介质基板表面蚀刻有相同尺寸的若干裂口谐振环。
作为优选，所述第一层介质基板表面蚀刻的两种尺寸的若干裂口谐振环开口向下且等间距排列；所述第二层介质基板表面蚀刻的相同尺寸的若干裂口谐振环开口向上且等间距排列；所述第三层介质基板表面蚀刻的两种尺寸的若干裂口谐振环开口向上且等间距排列；所述第四层介质基板表面蚀刻的相同尺寸的若干裂口谐振环开口向下且等间距排列。
作为优选，所述第一层介质基板和第三介质基板表面蚀刻的两种尺寸的若干裂口谐振环交叉放置。
作为优选，所述第一层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度与所述第一层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度相等；所述第三层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度与所述第四层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度相等。
作为优选，所述第一层介质基板和第二介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度小于所述第三层介质基板和第四介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度。
作为优选，所述第一层介质基板表面蚀刻有7个裂口谐振环；所述第二层介质基板表面蚀刻有8个裂口谐振环；所述第三层介质基板表面蚀刻有9个裂口谐振环；所述第四层介质基板表面蚀刻有8个裂口谐振环。
作为优选，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板尺寸相同且等间距平行放置。
作为优选，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板的材料为FR4_epoxy，相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02，厚度为1mm。
进一步的，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板均通过尼龙柱与喇叭天线固定。
进一步的，所述第一层介质基板上开设有用于集成的沟槽；所述沟槽两边延伸有矩形槽。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明的超材料去耦结构利用电磁超材料的电磁衰减及二次辐射特性，可有效降低喇叭天线阵列放置方向的水平辐射分量，从而有效降低喇叭天线单元间的远场耦合，且具有良好的普适特性。
2、本发明的超材料去耦结构采用多种尺寸及开口方向的裂口谐振环，可以实现宽带去耦效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为加载本发明超材料去耦结构的喇叭天线阵列的三维视图；
图2为加载本发明超材料去耦结构的喇叭天线的三维视图；
图3为加载本发明超材料去耦结构的喇叭天线的侧视图；
图4为本发明表面蚀刻有两种尺寸的裂口谐振环的第一介质基板正视图；
图5为本发明表面蚀刻有相同尺寸的裂口谐振环的第二介质基板正视图；
图6为本发明表面蚀刻有两种尺寸的裂口谐振环的第三介质基板正视图；
图7为本发明表面蚀刻有相同尺寸的裂口谐振环的第四介质基板正视图；
图8为未加载本发明超材料去耦结构与加载有本发明超材料去耦结构的喇叭天线阵列的S参数对比图。
图标：1-喇叭天线、2-同轴探针馈电结构、3-第一层介质基板、4-第二层介质基板、5-第三层介质基板、6-第四层介质基板、7-第一尼龙柱、8-第二尼龙柱、9-第一层较大尺寸裂口谐振环、10-第一层较小尺寸裂口谐振环、11-第二层相同尺寸裂口谐振环、12-第三层较大尺寸裂口谐振环、13-第三层较小尺寸裂口谐振环、14-第四层相同尺寸裂口谐振环、20-枝节六、21-枝节七、22-枝节九、23-枝节八、24-枝节十、25-枝节一、26-枝节二、27-枝节四、28-枝节三、29-枝节五。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
如图1所示为加载有本发明的超材料去耦结构的喇叭天线阵列的三维视图，所述喇叭天线阵列包括两个呈中心对称并沿电场面方向平行放置的喇叭天线1；本实施例中，两个喇叭天线1之间的距离d为7800mm～8200mm。
如图2所示，加载有本发明的超材料去耦结构的喇叭天线阵列还包括同轴探针馈电结构2、尼龙柱(用于四层介质基板的四角与喇叭天线固定的第一尼龙柱7和用于四层介质基板的内部与喇叭天线固定的第二尼龙柱8)以及应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构。所述超材料去耦结构放置在喇叭天线1近场并通过尼龙柱7、8与喇叭天线2固定，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板均通过尼龙柱与喇叭天线固定；所述超材料去耦结构包括第一层介质基板3、第二层介质基板4、第三层介质基板5和第四层介质基板6；其中，所述第一层介质基板3和第三层介质基板5表面蚀刻有两种尺寸的若干裂口谐振环，第二层介质基板4和第四层介质基板6表面蚀刻有相同尺寸的若干裂口谐振环。
如图3所示，所述第一层介质基板3、第二层介质基板4、第三层介质基板5和第四层介质基板6尺寸相同且等间距平行放置，这样使得相邻介质基板之间形成空气隙。在本实施例中，各层介质基板之间的距离d1为9mm～11mm。
如图4所示，所述第一层介质基板3表面蚀刻有两种尺寸的7个裂口谐振环，包括3个第一层较大尺寸裂口谐振环9和4个第一层较小尺寸裂口谐振环10，并且所述第一层较大尺寸裂口谐振环9和第一层较小尺寸裂口谐振环10开口向下且等间距排列，同时两种尺寸的7个裂口谐振环交叉放置。所述第一层较大尺寸裂口谐振环9包括平行于第一层介质基板上边缘设置的枝节一25、垂直于枝节一25且由枝节一25左侧边缘向第一层介质基板3下边缘延伸的枝节二26、垂直于枝节二26且由枝节二26下边缘向第一层介质基板3右边缘延伸的枝节三28、垂直于枝节一25且由枝节一25右侧边缘向第一层介质基板3下边缘延伸的枝节四27、垂直于枝节四27且由枝节四27下边缘向第一层介质基板3左边缘延伸的枝节五29；所述第一层较小尺寸裂口谐振环10包括平行于第一层介质基板3上边缘设置的枝节六20、垂直于枝节六20且由枝节六20左侧边缘向第一层介质基板3下边缘延伸的枝节七21、垂直于枝节七21且由枝节七21下边缘向第一层介质基板3右边缘延伸的枝节八23、垂直于枝节六20且由枝节六20右侧边缘向第一层介质基板3上边缘延伸的枝节九22、垂直于枝节九22且由枝节九22下边缘向第一层介质基板3左边缘延伸的枝节十24。另外，所述第一层介质基板3上开设有用于集成的沟槽，便于与喇叭天线2集成。
在本实施例中，所述第一层较大尺寸裂口谐振环9与第一层较小尺寸裂口谐振环10间隔的距离W9为3.9mm～4.3mm，枝节一25的宽度W8为13mm～15mm，枝节二26、枝节四27的长度L5为17.5mm～19.5mm，枝节三28、枝节五29的宽度W4为4mm～5mm，枝节六20的宽度W7为9.4mm～11.4mm，枝节七21、枝节九22长度L4为14.9mm～16.9mm，枝节八23、枝节十24的宽度W5为2.5mm～2.9mm。所述沟槽的下边缘宽度W26为110mm～116mm，沟槽两边延伸有矩形槽。在本实施例中，所述矩形槽的长度L6为27mm～29mm，宽度W6为0.9mm～1.1mm。所述第一层较大尺寸裂口谐振环9与第一层介质基板3上边缘之间的距离L2为39.5mm～41mm，所述第一层较小尺寸裂口谐振环10与第一层介质基板3上边缘之间的距离L3为41.5mm～43mm。
如图5所示，所述第二层介质基板4表面蚀刻的相同尺寸的8个裂口谐振环，这8个裂口谐振环即第二层相同尺寸裂口谐振环11开口向下且等间距排列。在本实施例中，每个第二层相同尺寸裂口谐振环11间隔的距离W13为5.8mm～6.8mm，每个第二层相同尺寸裂口谐振环11与第二层介质基板4上边缘的距离L10为41.5mm～42.5mm。
如图6所示，所述第三层介质基板5表面蚀刻有两种尺寸的9个裂口谐振环，包括5个第三层较大尺寸裂口谐振环12和4个第三层较小尺寸裂口谐振环13，并且所述第三层较大尺寸裂口谐振环12和第三层较小尺寸裂口谐振环13开口向上且等间距排列，同时两种尺寸的9个裂口谐振环交叉放置。其中，第三层较大尺寸裂口谐振环12与第一层较大尺寸裂口谐振环12的尺寸相同；第三层较小尺寸裂口谐振环13与第一层较小尺寸裂口谐振环10的尺寸相同。
在本实施例中，所述第三层较大尺寸裂口谐振环12和第三层较小尺寸裂口谐振环13间隔的距离W21为3.9mm～4.3mm；第三层较大尺寸裂口谐振环12与第三层介质基板5上边缘的距离L15为39.5mm～41mm，第三层较小尺寸裂口谐振环13与第三层介质基板5的下边缘距离L14为51.5mm～52.5mm。
如图7所示，所述第四层介质基板6表面蚀刻的相同尺寸的8个裂口谐振环，这8个裂口谐振环即第四层相同尺寸裂口谐振环14开口向下且等间距排列。在本实施例中，每个第四层相同尺寸裂口谐振环14间隔的距离W25为5.8mm～6.8mm，每个第四层相同尺寸裂口谐振环14与第四层介质基板6上边缘的距L19为41.5mm～42.5mm。
结合图4、图5、图6、图7，所述第一层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度与所述第一层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度相等；所述第三层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度与所述第四层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度相等。进一步，所述第一层介质基板和第二介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度小于所述第三层介质基板和第四介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度。
完成上述的初始设计后，使用高频电磁仿真软件HFSS进行仿真分析，经过仿真优化之后的各参数最佳尺寸如表1所示，其中：
L1代表第一层介质基板3的长度，L7为第二层介质基板4的长度，L8为第二层介质基板3中裂口谐振环的长度，L9为第二层介质基板4中裂口谐振环的线宽，L11为第三层介质基板5的长度，L12、L13为第三层介质基板5中两种尺寸裂口谐振环的长度，L16为第四层介质基板6的长度，L17为第四层介质基板6中裂口谐振环的长度，L18为第四层介质基板6中裂口谐振环的线宽；
W1代表第一层介质基板3的宽度，W2、W3为第一层介质基板3中两种尺寸裂口谐振环的线宽，W10为第二层介质基板4的宽度，W11为第二层介质基板4中裂口谐振环的宽度，W12为第二层介质基板4中裂口枝节的长度，W14为第三层介质基板5的宽度，W15、W16为第三层介质基板5中两种尺寸裂口枝节的长度，W17、W18为第三层介质基板5中两种尺寸裂口谐振环的宽度，W19、W20为第三层介质基板5中两种尺寸裂口谐振环的线宽，W22为第四层介质基板6的宽度，W23为第四层介质基板6中裂口枝节的长度，W24为第四层介质基板6中裂口谐振环的宽度。
表1，本发明仿真优化后超材料去耦结构中各参数最佳尺寸：
Figure BDA0003079835430000081
Figure BDA0003079835430000091
依照上述最佳尺寸参数，使用HFSS对加载本发明的超材料去耦结构的喇叭天线阵列及未加载本发明超材料去耦结构的喇叭天线阵列的S参数进行仿真分析，其中选择所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板的材料为FR4_epoxy，相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02，厚度为1mm，其分析结果如下：
图8为未加载本发明超材料去耦结构与加载有本发明超材料去耦结构的喇叭天线阵列的S参数对比图，包括未加载本发明超材料去耦结构的喇叭天线阵列的反射系数|S11|、反向传输系数|S21|曲线，以及加载有本发明超材料去耦结构的喇叭天线阵列的反射系数|S11|、反向传输系数|S21|曲线。如图8所示，两种情况下喇叭天线阵列的-10dB带宽可以涵盖8～11.6GHz，且在频段内，加载有本发明的超材料去耦结构可以实现喇叭天线端口间隔离20dB以上的提升，展现出了良好的宽带远场去耦效果。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，所述喇叭天线阵列包括两个呈中心对称并沿电场面方向平行放置的喇叭天线；其特征在于，所述超材料去耦结构放置在喇叭天线近场并通过尼龙柱与喇叭天线固定；所述超材料去耦结构包括第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板；其中，所述第一层介质基板和第三层介质基板表面蚀刻有两种尺寸的若干裂口谐振环，第二层介质基板和第四层介质基板表面蚀刻有相同尺寸的若干裂口谐振环。
2.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板表面蚀刻的两种尺寸的若干裂口谐振环开口向下且等间距排列；所述第二层介质基板表面蚀刻的相同尺寸的若干裂口谐振环开口向上且等间距排列；所述第三层介质基板表面蚀刻的两种尺寸的若干裂口谐振环开口向上且等间距排列；所述第四层介质基板表面蚀刻的相同尺寸的若干裂口谐振环开口向下且等间距排列。
3.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板和第三介质基板表面蚀刻的两种尺寸的若干裂口谐振环交叉放置。
4.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度与所述第一层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度相等；所述第三层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度与所述第四层介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度相等。
5.根据权利要求4所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板和第二介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度小于所述第三层介质基板和第四介质基板表面蚀刻的若干裂口谐振环的中心高度。
6.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板表面蚀刻有7个裂口谐振环；所述第二层介质基板表面蚀刻有8个裂口谐振环；所述第三层介质基板表面蚀刻有9个裂口谐振环；所述第四层介质基板表面蚀刻有8个裂口谐振环。
7.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板尺寸相同且等间距平行放置。
8.根据权利要求7所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板的材料为FR4_epoxy，相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02，厚度为1mm。
9.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板和第四层介质基板均通过尼龙柱与喇叭天线固定。
10.根据权利要求1所述的应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构，其特征在于，所述第一层介质基板上开设有用于集成的沟槽；所述沟槽两边延伸有矩形槽。
CN202110563346.2A 2021-05-24 2021-05-24 应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构 Active CN113506984B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110563346.2A CN113506984B (zh) 2021-05-24 2021-05-24 应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110563346.2A CN113506984B (zh) 2021-05-24 2021-05-24 应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113506984A true CN113506984A (zh) 2021-10-15
CN113506984B CN113506984B (zh) 2023-05-02

Family

ID=78008642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110563346.2A Active CN113506984B (zh) 2021-05-24 2021-05-24 应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113506984B (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224629A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Nec Corp ２周波共用アレイアンテナ
US5898409A (en) * 1997-08-29 1999-04-27 Lockheed Martin Corporation Broadband antenna element, and array using such elements
US7444736B1 (en) * 2006-04-27 2008-11-04 Lockheed Martin Corporation Method for fabricating horn antenna
CN105305100A (zh) * 2015-09-17 2016-02-03 南京理工大学 多频段共口径高效率天线阵
CN106816698A (zh) * 2016-12-28 2017-06-09 重庆大学 具有高极化隔离度的双极化阵列天线
CN107104287A (zh) * 2017-04-18 2017-08-29 南京航空航天大学 基于重叠反射单元的宽带单层极化分束平面反射阵列天线
CN107634335A (zh) * 2017-08-07 2018-01-26 西安电子科技大学 基于多层结构的毫米波阵列天线
CN108682940A (zh) * 2018-06-06 2018-10-19 合肥工业大学 一种超宽带高增益共口径阵列天线
CN108736163A (zh) * 2018-04-25 2018-11-02 东南大学 一种Ku频段平衡馈电双频双极化介质喇叭天线
KR20190087885A (ko) * 2018-01-17 2019-07-25 주식회사 포윈 혼 안테나
CN110504541A (zh) * 2019-08-27 2019-11-26 南京邮电大学 一种用于降低mimo天线耦合度的电磁超材料结构
CN112366458A (zh) * 2020-10-19 2021-02-12 安徽工程大学 一种基于超材料的低剖面梯度折射率透镜

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224629A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Nec Corp ２周波共用アレイアンテナ
US5898409A (en) * 1997-08-29 1999-04-27 Lockheed Martin Corporation Broadband antenna element, and array using such elements
US7444736B1 (en) * 2006-04-27 2008-11-04 Lockheed Martin Corporation Method for fabricating horn antenna
CN105305100A (zh) * 2015-09-17 2016-02-03 南京理工大学 多频段共口径高效率天线阵
CN106816698A (zh) * 2016-12-28 2017-06-09 重庆大学 具有高极化隔离度的双极化阵列天线
CN107104287A (zh) * 2017-04-18 2017-08-29 南京航空航天大学 基于重叠反射单元的宽带单层极化分束平面反射阵列天线
CN107634335A (zh) * 2017-08-07 2018-01-26 西安电子科技大学 基于多层结构的毫米波阵列天线
KR20190087885A (ko) * 2018-01-17 2019-07-25 주식회사 포윈 혼 안테나
CN108736163A (zh) * 2018-04-25 2018-11-02 东南大学 一种Ku频段平衡馈电双频双极化介质喇叭天线
CN108682940A (zh) * 2018-06-06 2018-10-19 合肥工业大学 一种超宽带高增益共口径阵列天线
CN110504541A (zh) * 2019-08-27 2019-11-26 南京邮电大学 一种用于降低mimo天线耦合度的电磁超材料结构
CN112366458A (zh) * 2020-10-19 2021-02-12 安徽工程大学 一种基于超材料的低剖面梯度折射率透镜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李振宇: "喇叭天线阵列的方向性增强设计" *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113506984B (zh) 2023-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8773311B2 (en) Resonator antenna and communication apparatus
EP2421092B1 (en) Triplate line inter-layer connector, and planar array antenna
CN102456945B (zh) 天线阵列模块及天线单元
US8259027B2 (en) Differential feed notch radiator with integrated balun
CN110544822A (zh) 基于SIW结构的Ka波段小型化滤波天线
CN112436295B (zh) 基于脊间隙波导的毫米波高增益高辐射效率槽天线阵列
US20060158286A1 (en) Defected ground structure for coplanar waveguides
US11211680B2 (en) Hollow metal waveguides having irregular hexagonal cross-sections formed by additive manufacturing
US11233304B2 (en) Irregular hexagon cross-sectioned hollow metal waveguide filters
US20220209398A1 (en) Series-connected antenna structure
CN113013642B (zh) 一种阵列天线及通信设备
US20230223671A1 (en) Multi-layer waveguide with metasurface, arrangement, and method for production thereof
CN110429380B (zh) 面向5g应用基于辐射结构共享二单元微带mimo天线
US6850203B1 (en) Decade band tapered slot antenna, and method of making same
CN113067165B (zh) 宽带小型化法布里-珀罗谐振腔天线
US11509047B2 (en) Series-connected antenna structure
CN113506984A (zh) 应用于喇叭天线阵列间远场隔离度提升的超材料去耦结构
CN106898869B (zh) 高增益定向辐射介质谐振器天线
CN112787102B (zh) 采用半开放式siw喇叭天线作馈源的平面伦伯透镜天线
CN113013610B (zh) 集成sub-6GHz频段和毫米波频段的共口径天线体及相应的终端
CN115101934A (zh) 一种降低阵列天线单元间耦合的去耦装置及阵列天线
CN111786118B (zh) 一种基于液晶可调材料的装备共型缝隙耦合天线
Reddy et al. Enhancement of CPW-fed inverted L-shaped UWB antenna performance characteristics using partial substrate removal technique
CN113497362B (zh) 天线组件和终端
CN2159614Y (zh) 轻型、高效、低噪声介质芯喇叭天线

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant