CN113451495B - Led显示器和电子设备 - Google Patents
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 55
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 115
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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-
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种LED显示器和电子设备。所述LED显示器包括:显示背板、LED芯片、封装层和散热部,所述LED芯片布设在所述显示背板上;所述封装层包括第一封装层和第二封装层,所述第一封装层覆盖在所述LED芯片之上,所述第二封装层黏连在所述显示背板和所述第一封装层之间;所述散热部位于所述显示背板上,且所述散热部围绕所述LED芯片布设。采用本申请的LED显示器通过在LED周围布设散热部使得在LED芯片周围产生的热量经由散热部带走,对LED芯片周围的气流起到散热的作用,解决了由于LED芯片之间间距小易产生热量而对LED显示器带来的不良影响的问题,提高了LED显示器的显示效果和LED芯片的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种LED显示器和电子设备。
背景技术
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)是新一代显示技术,比现有的有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED)技术亮度更高、发光效果更好,但功耗更低。Micro-LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的微缩版,将像素点距离从毫米级降低至微米级。
现有的技术如图1所示,其在Micro-LED显示背板上阵列排布安装有LED芯片,由于Micro-LED显示背板上的LED芯片之间间距较小很容易产生热量,而随着市场对Micro-LED的解析度及亮度需求的增加,其导致显示背板上单位面积的发光二极管芯片数量不断增加,发光二极管芯片的间距不断缩小,且由于单颗发光二极管芯片的驱动电流越来越大,其导致单颗发光二极管芯片发热量增加,相邻发光二极管芯片间的热耦合效应也将增加;故多颗发光二极管芯片所产生的大量热量将聚集在安装有发光二极管芯片的显示背板上,而在现有LED显示器中其并不具备可散热的通道,久而久之,其将对LED芯片的发光显示带来一定影响。
因此,Micro-LED显示背板上LED芯片之间的散热问题是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供LED显示器和电子设备,旨在解决Micro-LED显示背板上LED芯片之间的散热问题。
本申请提供一种LED显示器,包括:
显示背板;
LED芯片,所述LED芯片为Micro LED芯片,所述LED芯片布设在所述显示背板上;
封装层,所述封装层包括第一封装层和第二封装层,所述第一封装层覆盖在所述LED芯片之上,所述第二封装层黏连在所述显示背板和所述第一封装层之间;以及
散热部,所述散热部位于所述显示背板上,且所述散热部围绕所述LED芯片布设
上述LED显示器通过在LED周围布设散热部使得在LED芯片周围产生的热量经由散热部带走,对LED芯片周围的气流起到散热的作用,解决了由于LED芯片之间间距小易产生热量而对LED显示器带来的不良影响的问题,提高了LED显示器的显示效果和LED芯片的使用寿命。
可选地,所述散热部包括气流道、气流道入口和气流道出口;
所述气流道在所述LED芯片布设区域延伸,所述气流道从所述气流道入口向所述气流道出口延伸。
可选地,所述LED芯片在所述显示背板上阵列排列,所述第二封装层间隔多列所述LED芯片设置;
所述气流道在两列所述第二封装层之间围绕所述LED芯片布设,所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在所述气流道的两端。
可选地,所述LED芯片在所述显示背板上阵列排列,相邻两列所述LED芯片之间的显示背板上粘附有第二封装层;
所述气流道在每列所述LED芯片周围布设,所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在每列所述LED芯片的两端。
可选地,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;
所述气流道入口和所述气流道出口的数量均为一个,所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在所述显示背板两侧。
可选地,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;
所述气流道入口和所述气流道出口的数量均为一个,所述气流道入口和所述气流道出口设置在所述显示背板的同一侧。
可选地,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;
所述气流道入口的数量为一个,所述气流道出口的数量为多个,所述气流道入口和多个所述气流道出口分别设置在所述显示背板的两侧。
可选地,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;
所述气流道入口的数量为多个,所述气流道出口的数量为一个,多个所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在所述显示背板的两侧。
可选地,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;
所述气流道入口的数量为多个,所述气流道出口的数量为多个,多个所述气流道入口和多个所述气流道出口分别设置在所述显示背板的两侧。
基于同样的发明构思,本申请还提供一种电子设备,所述电子设备包括如上所述的LED显示器。
上述电子设备通过在LED周围布设散热部使得在LED芯片周围产生的热量经由散热部带走,对LED芯片周围的气流起到散热的作用,解决了由于LED芯片之间间距小易产生热量而对LED显示器带来的不良影响的问题,提高了LED显示器的显示效果和LED芯片的使用寿命。
附图说明
图1为现有技术中的显示背板俯视图;
图2为图1中沿X方向的剖视图;
图3为图2的细节图;
图4为本申请实施例中LED显示器的俯视图;
图5为图4中沿X方向的剖视图;
图6为图4中沿Y方向的剖视图;
图7为本申请另一实施例中LED显示器的俯视图;
图8为图7中沿X方向的剖视图;
图9为本申请另一实施例中LED显示器的俯视图。
附图标记说明:
10-LED芯片,11-第一接触电极,12-第二接触电极,13-通孔,141-源极,142-漏极,143-栅极,144-有源层,20-显示背板,21-平坦化层,22-电路层,221-层间绝缘层,222-栅极绝缘层,223-缓冲层,23-基板,31-气流道,32-气流道出口,33-气流道入口,41-第二封装层,42-第一封装层,50-送风机构。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
Micro-LED显示器,具有良好的稳定性、寿命以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。
如图1至图3所示,显示背板20可以包括基板23、电路层22和平坦化层21。
其中,基板23可以包括透明玻璃材料,如:二氧化硅(SiO2)。基板23也可以包括透明塑料材料,如:聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或丙酸纤维素酯(CAP)等有机材料。
其中,电路层22包括有用于驱动LED芯片10的驱动电路,比如:薄膜晶体管TFT、栅极143线、信号线等。
其中,平坦化层21覆盖电路层22,可以消除电路层22上的阶跃差,使之平坦化。平坦化层21可以包括有机材料,如:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS),具有酚基基团的聚合物衍生物,丙烯基聚合物,酰亚胺基聚合物,芳醚基聚合物,酰胺基聚合物,氟基聚合物,对二甲苯基聚合物,乙烯醇基聚合物,或其任何组合。其中,第一接触电极11和第二接触电极12,可以设置于平坦化层21表面。
其中,第一接触电极11和第二接触电极12,可以设置于平坦化层21表面。第一接触电极11通过平坦化层21上通孔13内的填充材料与电路层22中的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)连接,第二接触电极12与电路层22中的电源接地线连结。第一接触电极11和第二接触电极12,分别与LED芯片10上的第一电极、第二电极键合。第一接触电极11、第二接触电极12、通孔13内填充材料、信号线、栅极143线的材料可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)等。
进一步地,参照图3,上述电路层22可具体包括:缓冲层223、栅极143绝缘层、层间绝缘层221、TFT等。
其中,缓冲层223设置在基板23上方,可在基板23上方提供基本平坦的表面,可以减少或防止异物或湿气穿透基板23。缓冲层223可以包括无机材料,如:氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO2)或氮化钛(TiN)。缓冲层223也可以包括有机材料,如:聚酰亚胺、聚酯或丙烯。
其中,薄膜晶体管TFT可以包括有源层144、栅极143、源极141和漏极142。图中,薄膜晶体管TFT是顶栅型薄膜晶体管(实际上TFT也可以是底栅型薄膜晶体管)。有源层144可以包括半导体材料,如非晶硅或多晶硅。有源层144也可以包括其他材料,如:有机半导体材料或氧化物半导体材料。
栅极143/源极141/漏极142可以包括低电阻金属材料,如:铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)等。
其中,栅极绝缘层222用于绝缘栅极143和有源层144,可以包括无机材料,例如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
其中,层间绝缘层221用于绝缘源电极与栅极电极之间以及漏极与栅极电极之间。间绝缘层可以包括无机材料,如:SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
图中的LED芯片10为倒装型LED芯片10,LED芯片10的发热区主要在发光层。其中,第一半导体层可以是N/P型掺杂GaN层,发光层可以是量子阱层;第二半导体层可以是P/N型掺杂GaN层;第一电极和第二电极为金属等导电材料。向第一电极和第二电极施加电信号时,N型半导体内的电子与P型半导体内的空穴在发光层剧烈地碰撞复合产生光子,以光子的形式发出能量。第一电极和第二电极的材料可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)等。
如图1所示为显示背板20的俯视图,图中显示背板20上阵列排布安装有LED芯片10,由于显示背板20上的LED芯片10之间间距较小很容易产生热量,产生的热量不能及时排出,对显示设备的显示效果造成影响,同时也对LED芯片10的使用寿命造成不利影响,因此如何散热是一个重要的问题。
基于此,本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案,其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本申请的LED显示器,如图4至图9所示,包括:
显示背板20;
LED芯片10,所述LED芯片为Micro LED芯片,所述LED芯片10布设在所述显示背板20上;
封装层,所述封装层包括第一封装层42和第二封装层41,所述第一封装层42覆盖在所述LED芯片10之上,所述第二封装层41黏连在所述显示背板20和所述第一封装层42之间;以及
散热部,所述散热部位于所述显示背板20上,且所述散热部围绕所述LED芯片10布设。
显示背板20的结构如上所述,可以包括基板23、电路层22和平坦化层21,基板23、电路层22和平坦化层21的结构可以选用如上所述的结构,在此不再一一赘述,显示背板20的结构不限于此。
LED芯片10以阵列的形式在显示背板20上布设,LED芯片10包括红色发光二极管芯片、蓝色发光二极管芯片和绿色发光二极管芯片,不同行和不同列的LED芯片10之间间隔一定间距。LED芯片10的结构可以为如上所述的LED芯片10结构。
封装层包括第一封装层42和第二封装层41,第一封装层42为采用透明材料形成的透明层,透明层可以包括由高分子材料、玻璃或者树脂等透明材料形成,形成表面为光滑或者粗糙的表面。第二封装层41则为封装树脂层,并且封装树脂最优采用黑色树脂,有利于避免不同颜色的LED芯片10之间的颜色串扰问题。
此外,所述LED显示器还包括散热部,所述散热部形成于所述显示背板20上,具体为布设在所述LED芯片10周围。所述的布设在LED芯片10周围具体指所述散热部形成在显示背板20和透明层之间,可以为在显示背板20和透明层之间的散热流道,例如,散热部将透明层覆盖在LED芯片10之上时,在LED芯片10与透明层之间保留一定间距,间距的保留可以依靠封装树脂层的厚度实现,这一部分的间距形成散热流道,在每一列或者一行的两端面根据散热流道的延伸方向形成气流道入口33和气流道出口32。冷空气从气流道入口33流入,经过LED显示器后,由于LED芯片10产生热量使得进入气流道31的空气变热,热空气的密度小于冷空气密度,形成压力差,类似烟囱,携带了LED芯片10热量的空气将从气流道出口32排出,起到散热的作用。
采用本申请的LED显示器通过在LED周围布设散热部使得在LED芯片10周围产生的热量经由散热部带走,对LED芯片10周围的气流起到散热的作用,解决了由于LED芯片10之间间距小易产生热量而对LED显示器带来的不良影响的问题,提高了LED显示器的显示效果和LED芯片10的使用寿命。
在另一优选实施例中,所述散热部包括气流道31、气流道入口33和气流道出口32;
所述气流道31在所述LED芯片10布设区域延伸,所述气流道31从所述气流道入口33向所述气流道出口32延伸。
具体地,气流道31的设置形式多样,可以为沿阵列排列的LED芯片10的横向方向设置,也可以沿纵向方向设置。例如,沿LED纵向排列的方向布设,此时气流道31的设置也包括多种方式,可以为两列LED芯片10之间布设一列气流道31,或者可以为每列LED芯片10周围都布设一列气流道31,还可以为多列LED芯片10周围布设一列气流道31,具体根据实际情况设置。
此外,散热部还包括气流道入口33和气流道出口32,气流道入口33和气流道出口32分别设置在气流道31的两端。本申请的散热部主要利用从气流道入口33处流入的冷空气与LED芯片10周围的热空气之间的压力差来作为驱动力,驱动LED芯片10周围的热空气从气流道出口32排出。具体地,当冷空气从气流道入口33流入,经过LED显示器后,由于LED芯片10产生热量使得进入气流道31的空气变热,热空气的密度小于冷空气密度,形成压力差,类似烟囱,携带了LED芯片10热量的空气将从气流道出口32排出,起到散热的作用。
采用本申请的散热部的形式结构较为简单,易于实现,无需额外添加其他多余的结构,避免了对显示器本身带来其他不良影响。
进一步地,在本申请的另一实施例中,所述LED芯片10在所述显示背板20上阵列排列,所述第二封装层41间隔多列所述LED芯片10设置;
在两列所述第二封装层41之间围绕所述LED芯片10布设有所述气流道31,所述气流道入口33和所述气流道出口32分别设置在所述气流道31的两端。
本实施例中,所述第二封装层41设置在多列LED芯片10之间,具体为间隔两列LED芯片10设置。可以理解的是,第二封装层41的铺设方式多样,可以为每列LED芯片10周围都布设有第二封装层41,也可以为两列LED芯片10布设一列第二封装层41,也可以为三列LED芯片10布设一列第二封装层41,等等。在铺设的两列封装层之间所述气流道31围绕所述LED芯片10布设。可以理解的是,在LED芯片10周围形成气流道31,可以是在第二封装层41与LED芯片10之间留有间距,允许气流通过,也可以是在第一封装层42与LED芯片10之间留有间距,允许气流通过。本申请中,在第二封装层41与LED芯片10之间留有间距,在第一封装层42与LED芯片10之间同样留有间距,即第二封装层41比所述LED芯片10的高度高,以使LED芯片10产生的热量可以多个方向排出。
本实施例优选在间隔两列所述LED芯片10形成第二封装层41,则在两列第二封装层41之间气流道31围绕LED芯片10布设。在两列第二封装层41之间形成气流道31,气流道31围绕LED芯片10设置,气流道31的入口和气流道31的出口分别设置在气流道31的两端,对于气流道入口33和气流道出口32分别位于气流道31的上端还是下端没有限制,但是优选将气流道入口33布置在气流道31的下端,将气流道出口32布置在气流道31的上端。在显示器放置的方向来看,则为在显示器底部设置气流道入口33,在显示器顶部设置气流道出口32。
在另一实施例中,所述LED芯片10在所述显示背板20上阵列排列,相邻两列所述LED芯片10之间的显示背板20上粘附有第二封装层41;
所述气流道31在每列所述LED芯片10周围布设,所述气流道入口33和所述气流道出口32分别设置在每列所述LED芯片10的两端。
本实施例中,所述第二封装层41间隔一列LED芯片10设置,如图4所示,在本实施例中,所述气流道31在每列LED芯片10周围布设。在上一实施例的基础上,本实施例改进气流道31的布设方式,将气流道31设置在每一列LED芯片10周围。每一列LED芯片10均布设气流道31,可以使每一列的LED芯片10的散热更加充分。
需要说明的是,上述实施例中的气流道31是沿每一列LED芯片10的纵向排列方向设置,即气流道31是沿显示器底部向显示器顶部延伸,气流道入口33设置在显示器底部,气流道出口32设置在显示器顶部。在其他实施例中,气流道31可以沿LED芯片10横向排列的方向设置。此时,第二封装层41也是沿LED芯片10横向排列的方向设置。当第二封装层41沿LED芯片10横向方向排列的方向设置时,此时在LED芯片10纵向方向排列的方向也可以设置第二封装层41,在这种设置下,第二封装层41与LED芯片10之间的间距需保证能供气流流通,第二封装层41与LED芯片10之间的间距形成所述的气流道31,热空气在压力差的驱动下在气流道31内流通。
在另一实施例中,如图7所示,所述第二封装层41设置在所述显示背板20的两侧,所述气流道31在所述LED芯片10的布设区域贯通设置;
所述气流道入口33和所述气流道出口32的数量均为一个,所述气流道入口33和所述气流道出口32分别设置在所述显示背板20两侧。
在本实施例中,所述第二封装层41仅设置在所述显示背板20的两侧,可以为显示背板20相邻的两侧和相对的两侧。以所述第二封装层41设置在所述显示背板20相对的两侧为例进行说明,当所述第二封装层41设置在所述显示背板20相对的两侧时,所述显示背板20中部区域均为阵列排列的LED芯片10,则所述气流道31为布设在所述LED芯片10阵列排布区域,所述气流道31在所述LED芯片10的布设区域贯通设置。可以理解的是,此时所述气流道31围绕所有LED芯片10设置。
同样地,所述第二封装层41设置在所述显示背板20的两侧可以为在所述LED芯片10纵向排列的两侧,也可以为在所述LED芯片10横向排列的两侧。
当所述第二封装层41为设置在所述显示背板20相对的两侧时,所述气流道入口33和气流道出口32设置在所述显示背板20未设置第二封装层41的两侧。在本实施例中,所述气流道入口33和所述气流道出口32的数量可以为各一个,一个所述气流道入口33和一个所述气流道出口32分别设置在所述显示背板20相对的两侧。具体所述气流道入口33和所述气流道出口32设置的位置可以同一直线方向上,也可以是在不同直线上。例如,所述气流道入口33和所述气流道出口32均设置在显示背板20两侧的中间位置;也可以所述气流道入口33和所述气流道出口32分别设置在显示背板20两侧的最左侧位置或者最右侧位置;等等。
当然,在其他实施例中,当所述气流道入口33和所述气流道出口32的数量均为一个时,一个所述气流道入口33和一个所述气流道出口32可以均设置在所述显示背板20的同一侧。
在另一实施例中,所述气流道入口33的数量为一个,所述气流道出口32的数量为多个,所述气流道入口33和多个所述气流道出口32分别设置在所述显示背板20的两侧。在本实施例中,将所述气流道入口33的数量设置为一个,所述气流道出口32的数量设置为多个。同样地,所述气流道入口33和所述气流道出口32设置在显示背板20相对的两侧。可以理解的,可以将所述气流道入口33的数量设置为多个,所述气流道出口32的数量设置为多个,其布置方式也相似。
进一步地,所述气流道入口33的数量为多个,所述气流道出口32的数量为多个,多个所述气流道入口33和多个所述气流道出口32分别设置在所述显示背板20的两侧。设置多个气流道入口33和气流道出口32提高了散热效率。
在另一优选实施例中,如图9所示,所述第二封装层41设置在所述显示背板20的四周侧,所述气流道31在所述LED芯片10的布设区域贯通设置;
在所述显示背板20的任意两侧镂空所述第二封装层41设置气流道入口33和气流道出口32。
本实施例中,所述第二封装层41设置在所述显示背板20的四周,此时所述气流道31同样设置在所述LED芯片10的布设区域,且贯通设置。需要说明的是所述气流道入口33和所述气流道出口32同样设置在显示背板20的两侧,其设置的方式与上述实施例相同,但是由于所述第二封装层41设置在所述显示背板20的四周侧,故在需要设置气流道入口33和气流道出口32的两侧需要将设置第二封装层41的位置镂空,流出气流道入口33和气流道出口32的位置。
优选地,所述LED显示器还包括送风机构50,所述送风机构50连接在所述气流道入口33处,所述送风机构50用于将惰性气体从所述气流道入口33鼓入到所述气流道31内。在上一实施例的基础上,在所述气流道入口33增设送风机构50。具体地,在LED显示器底部的气流道入口33连接有惰性气体送风机构50,其中,该惰性气体包括:氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe);该惰性气体送风机向该LED显示器气流道31内吹入惰性气体。惰性气体从气流道入口33流入,经过LED显示器后,由于LED芯片10产生热量使得进入气流道31的惰性气体变热,热气体的密度小于冷气体密度,类似烟囱,携带了LED芯片10热量的惰性气体将从排风口排出,起到散热的作用。
本实用新型通过导入惰性气体,由于惰性气体密度大,导热系数小,因此,向气流道31内导入惰性气体相当于在LED显示器上形成隔热层,当LED显示器作为背光光源时不容易影响到LCD的电路稳定性。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种LED显示器,其特征在于,包括:
显示背板;
LED芯片,所述LED芯片为Micro LED芯片,所述LED芯片在所述显示背板上阵列排列;
封装层,所述封装层包括第一封装层和第二封装层,所述第一封装层覆盖在所述LED芯片之上,所述第二封装层黏连在所述显示背板和所述第一封装层之间,所述第二封装层间隔一列或者多列所述LED芯片设置;以及
散热部,所述散热部位于所述显示背板上,且所述散热部围绕所述LED芯片布设,所述散热部包括气流道、气流道入口和气流道出口;所述LED芯片与所述第二封装层之间间隔设置而形成所述气流道,所述气流道在所述LED芯片布设区域延伸,所述气流道从所述气流道入口向所述气流道出口延伸。
2.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,所述第二封装层间隔多列所述LED芯片设置;所述气流道在两列所述第二封装层之间围绕所述LED芯片布设,所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在所述气流道的两端。
3.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,相邻两列所述LED芯片之间的显示背板上粘附有第二封装层;所述气流道在每列所述LED芯片周围布设,所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在每列所述LED芯片的两端。
4.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;所述气流道入口和所述气流道出口的数量均为一个,所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在所述显示背板两侧。
5.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;所述气流道入口和所述气流道出口的数量均为一个,所述气流道入口和所述气流道出口设置在所述显示背板的同一侧。
6.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;所述气流道入口的数量为一个,所述气流道出口的数量为多个,所述气流道入口和多个所述气流道出口分别设置在所述显示背板的两侧。
7.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;所述气流道入口的数量为多个,所述气流道出口的数量为一个,多个所述气流道入口和所述气流道出口分别设置在所述显示背板的两侧。
8.如权利要求1所述的LED显示器,其特征在于,所述第二封装层设置在所述显示背板的两侧,所述气流道在所述LED芯片的布设区域贯通设置;所述气流道入口的数量为多个,所述气流道出口的数量为多个,多个所述气流道入口和多个所述气流道出口分别设置在所述显示背板的两侧。
9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至8任一项所述的LED显示器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010444394.5A CN113451495B (zh) | 2020-05-22 | 2020-05-22 | Led显示器和电子设备 |
PCT/CN2020/092422 WO2021232449A1 (zh) | 2020-05-22 | 2020-05-26 | Led 显示器和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010444394.5A CN113451495B (zh) | 2020-05-22 | 2020-05-22 | Led显示器和电子设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113451495A CN113451495A (zh) | 2021-09-28 |
CN113451495B true CN113451495B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=77808383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010444394.5A Active CN113451495B (zh) | 2020-05-22 | 2020-05-22 | Led显示器和电子设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113451495B (zh) |
WO (1) | WO2021232449A1 (zh) |
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---|---|
CN113451495A (zh) | 2021-09-28 |
WO2021232449A1 (zh) | 2021-11-25 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
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|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |