CN113416947A - 一种用于mpcvd金刚石的制备装置 - Google Patents

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刘宏明
任泽阳
李升�
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Abstract

本发明涉及金刚石制备技术领域，且公开了一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座，底座的底面设置基底物预处理机构，基底物预处理机构包括固定杆、弧片一、弧片二、圆环和连杆，固定杆为实心圆柱体，固定杆的上端面与底座底面固定连接，通过各个弧片一的闭合推动各个弧片二的闭合进而使得各个弧片一和弧片二闭合形成一个类似花骨朵形状空间，固定杆上升的过程中，各个弧片一和弧片二内从容器底部取得的基底物在上升过程中从弧片一和弧片二之间的间隙洒落，使得容器内的液体底层和顶层的基底物的含量趋于相同，减少基底物堆积在容器底部的情况，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，使得基底物与酸洗液充分接触，酸洗效果更优。

Description

一种用于MPCVD金刚石的制备装置
技术领域
本发明涉及金刚石制备技术领域，具体为一种用于MPCVD金刚石的制备装置。
背景技术
人工制造金刚石常用方法包括压制或者气相沉积，而通过气相沉积的金刚石质量相对较高，但目前市场上的气相沉积炉功能单一，实际上在气相沉积之前，包含对基底物进行磨削与酸洗液进行混合酸洗等等预处理步骤，酸洗液与基底物在特定的设备中切削混合，基底物在酸洗液中的由于本身的密度不同，正常情况下基底物沉积在酸洗液的底部，基底物的沉积会导致基底物与酸洗液的接触面积减小，并且，基底物堆积在酸洗液的底层位置，而位于上层的酸洗液与底层基底物接触的频率大大降低，基底物的酸洗效果由于沉积而减弱，因此，亟需提出一种对基底物的酸洗装置。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于MPCVD金刚石的制备装置。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座，所述底座的底面设置基底物预处理机构，所述基底物预处理机构包括固定杆、弧片一、弧片二、圆环和连杆，所述固定杆为实心圆柱体，固定杆的上端面与底座底面固定连接，所述固定杆和弧片一的均与固定杆的圆周面转动连接，所述圆环与弧片一的滑动连接，所述连杆与圆环固定连接，弧片一和弧片二的水平截面均为花瓣状，连杆通过基底物再处理机构与底座活动连接，所述基底物再处理机构包括拨动杆、推动块、翅片一和转动槽，所述推动块与底座滑动链接，底座上开设转动槽，所述拨动杆穿过转动槽且拨动杆与底座转动连接，拨动杆位于底座外的一端与翅片一固定连接，拨动杆位于底座内的一端与推动块啮合，所述翅片一的水平截面为月牙形，底座上还设置深度调节机构。
优选的，所述深度调节机构包括竖直顶杆、齿轮和竖板，所述竖板的横向截面为矩形，竖板中心处开设长方形槽，竖板的内左侧壁和内右侧壁均开设齿口，所述齿轮位于竖板的长方形槽内且齿轮只有半圈齿牙，所述竖直顶杆与底座底面固定连接，竖直顶杆的底面与竖板的外顶面转动连接。
优选的，所述弧片二和弧片一的数量均为六，六个弧片一均与固定杆的侧壁转动连接，六个弧片二均与固定杆的侧壁转动连接，各个弧片二位于各个弧片一的上方，六个弧片一和六个弧片二均在固定杆上等分设置，弧片一和弧片二交错设置。
优选的，所述基底物预处理机构还包括翅片二和翅片三，底座的水平截面为两个弓形组成的共同体，底座的圆周面上开设转动槽，所述转动槽的数量为六，其中三个转动槽位于底座的右半部分圆周面上，位于底座右半部分圆周面上的三个转动槽靠近底座的后沿，另外三个转动槽开设在底座的左半部分圆周面上，位于底座左半部分圆周面上的三个转动槽靠近底座的前沿，所述翅片二和翅片三依次穿过转动槽且翅片二和翅片三与底座位于底座的同一侧，翅片二和翅片三均以上述相同方式与推动块活动连接。
优选的，所述所述推动块的数量为二，两个推动块上以上述相同方式设置相同的拨动杆，翅片一、翅片二和翅片三，所述翅片二和翅片三的水平截面均为弓形。
优选的，所述基底物再处理机构还包括竖管、螺旋槽和滚珠，所述竖管为两端开口的空心圆管，竖管内壁开设螺旋槽，所述螺旋槽为螺旋状，所述滚珠与竖直顶杆的侧壁固定连接且滚珠位于螺旋槽内，所述连杆与竖管的外圆周面固定连接。
优选的，所述基底液再处理机构还包括滑动槽、凹槽、滑动块一、滑动块二、竖杆一和横杆一，所述底座的底面开设滑动槽，所述滑动块一和滑动块二均位于滑动槽内且滑动块一和滑动块二均与滑动槽滑动连接，滑动块一和滑动块二上均开设凹槽，所述横杆一与推动块转动连接，所述竖杆一与横杆一转动连接且竖杆一穿过底座，竖杆一的顶面与滑动块二底面固定连接。
所述滑动块一和滑动块二的纵向截面均为梯形，所述凹槽的纵向截面为扇形，所述两个推动块上以上述相同方式设置相同的竖杆一和横杆一。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种用于MPCVD金刚石的制备装置，具备以下有益效果：
1、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过各个弧片一的闭合推动各个弧片二的闭合进而使得各个弧片一和弧片二闭合形成一个类似花骨朵形状空间，固定杆上升的过程中，各个弧片一和弧片二内从容器底部取得的基底物在上升过程中从弧片一和弧片二之间的间隙洒落，使得容器内的液体底层和顶层的基底物的含量趋于相同，减少基底物堆积在容器底部的情况，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，使得基底物与酸洗液充分接触，酸洗效果更优。
2、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过各个弧片一和弧片二随着固定杆在容器底层向容器的顶层运动过程中，弧形的弧片一和弧片二在上移的过程中推动弧片一和弧片二周围的液体以及液体中的基底物向周围扩散，使得容器内的不同位置的液体的基底物含量趋于相等。
3、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过竖板推动竖直顶杆螺旋上升，底座跟随竖直顶杆旋转，固定杆上的弧片一和弧片二在围绕竖直顶杆做圆周运动的过程中，各个弧片一和弧片二从底部获取的基底物在弧片一和弧片二螺旋上升过程中洒落，促进容器内的不同深度以及不同水平位置的液体的基底物的的含量接近。
4、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过底座的螺旋上升，各个弧片一和弧片二在上升的过程总逐渐闭合，弧片一和弧片二在围绕竖直顶杆转动的过程中对容器内底层的基底物捕捉，配合固定杆的螺旋上升，对底层的基底物捕捉后在上升的过程中释放，将底层的基底物在各个不同的液位释放，促进底层基底物与不同深度液体以及同一深度不同位置的液体的混合。
5、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过在齿轮的齿牙转动至与竖板内左侧壁的齿口啮合，齿轮转动带动竖板下移，竖板拉动竖直顶杆下移，竖直顶杆上的滚珠在螺旋槽内螺旋下降，底座下降过程中，液体冲击底面的滑动块一和滑动块二，滑动块二和滑动块一上的凹槽将冲向对应凹槽的液体分流至滑动块一和滑动块二两侧，通过滑动块一和滑动块二在下降过程中将液体分流，使得容器内上层的液体流动冲击各个弧片二和弧片一从底层捕获的基底物，存进容器内上层液体的基底物的含量趋于接近。
6、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过底座下降过程中，液体冲击滑动块一和滑动块二，液体推动滑动块一和滑动块二做相对运动，滑动块一和滑动块二相对远离，滑动块一和滑动块二的相对远离带动对应的竖杆一拉动对应的横杆一，横杆一在底座内滑动拉动对应的各个拨动杆转动，各个拨动杆通过杠杆远离促使各个拨动杆上的翅片一、翅片二和翅片三相互靠近，翅片一、翅片二和翅片三靠近形成一块类似扇形的板，底座在螺旋下降的过程中，翅片一、翅片二和翅片三形成的板螺旋下降对容器内的上层液体下压，翅片一、翅片二和翅片三形成的板由于翅片一、翅片二和翅片三本身的厚度，该板的底面是阶梯状的，该板对容器内的液体从上至下进行切削分流，促进基底物与溶液的混合，提高溶液中基底物的含量的接近程度。
7、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过底座在容器内螺旋下降，翅片一、翅片二和翅片三逐渐靠近形成板，在运动至最低点时，翅片一、翅片二和翅片三形成扇形板，一部分基底物降落在该板的顶面，随着底座上升时，该板顶面的基底物与翅片一、翅片二和翅片三形成的板一起上移，将底层的基底物带至容器的顶层，促进基底物与液体的混合。
8、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过翅片一、翅片二和翅片三在容器内跟随底座螺旋下降，翅片一、翅片二和翅片三形成的扇形板底面下压容器内的液体，在运动至最低点后，翅片一、翅片二和翅片三形成的板将该板底面的液体继续向下运动冲击容器底层基底物，向下运动的液体冲击底层的基底物使得基底物与液体翻涌，将底层的基底物推送至不同的深度以及不同的水平位置。
9、该用于MPCVD金刚石的制备装置，通过底座在螺旋上升的过程中，各个弧片一和弧片二推送液体配合翅片一、翅片二和翅片三形成的板的螺旋上升，各个弧片一和弧片二捕捉的底层基底物逐渐洒落，翅片一、翅片二和翅片三形成的板将洒落的基底物切削并旋转推动至底座周围，促进各个弧片一和弧片二捕捉的基底物与容器内的液体的溶散。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为本发明结构示意图；
图3为本发明结构示意图；
图4为本发明结构示意图；
图5为本发明结构示意图；
图6为本发明结构示意图。
图中：10、底座；11、滑动槽；12、凹槽；13、滑动块一；14、滑动块二；15、拨动杆；16、推动块；17、竖杆一；18、横杆一；19、翅片一；20、翅片二；21、翅片三；22、转动槽；23、固定杆；24、弧片一；25、弧片二；26、圆环；27、连杆；28、竖直顶杆；29、竖管；30、螺旋槽；31、滚珠；32、齿轮；33、竖板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6，一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座10，底座10的底面设置基底物预处理机构，基底物预处理机构包括固定杆23、弧片一24、弧片二25、圆环26和连杆27，固定杆23为实心圆柱体，固定杆23的上端面与底座10底面固定连接，固定杆23和弧片一24的均与固定杆23的圆周面转动连接，圆环26与弧片一24的滑动连接，连杆27与圆环26固定连接，弧片一24和弧片二25的水平截面均为花瓣状，连杆27通过基底物再处理机构与底座10活动连接，基底物再处理机构包括拨动杆15、推动块16、翅片一19和转动槽22，推动块16与底座10滑动链接，底座10上开设转动槽22，拨动杆15穿过转动槽22且拨动杆15与底座10转动连接，拨动杆15位于底座10外的一端与翅片一19固定连接，拨动杆15位于底座10内的一端与推动块16啮合，翅片一19的水平截面为月牙形，底座10上还设置深度调节机构，深度调节机构包括竖直顶杆28、齿轮32和竖板33，竖板33的横向截面为矩形，竖板33中心处开设长方形槽，竖板33的内左侧壁和内右侧壁均开设齿口，齿轮32位于竖板33的长方形槽内且齿轮32只有半圈齿牙，竖直顶杆28与底座10底面固定连接，竖直顶杆28的底面与竖板33的外顶面转动连接，弧片二25和弧片一24的数量均为六，六个弧片一24均与固定杆23的侧壁转动连接，六个弧片二25均与固定杆23的侧壁转动连接，各个弧片二25位于各个弧片一24的上方，六个弧片一24和六个弧片二25均在固定杆23上等分设置，弧片一24和弧片二25交错设置，基底物预处理机构还包括翅片二20和翅片三21，底座10的水平截面为两个弓形组成的共同体，底座10的圆周面上开设转动槽22，转动槽22的数量为六，其中三个转动槽22位于底座10的右半部分圆周面上，位于底座10右半部分圆周面上的三个转动槽22靠近底座10的后沿，另外三个转动槽22开设在底座10的左半部分圆周面上，位于底座10左半部分圆周面上的三个转动槽22靠近底座10的前沿，翅片二20和翅片三21依次穿过转动槽22且翅片二20和翅片三21与底座10位于底座10的同一侧，翅片二20和翅片三21均以上述相同方式与推动块16活动连接，推动块16的数量为二，两个推动块16上以上述相同方式设置相同的拨动杆15，翅片一19、翅片二20和翅片三21，翅片二20和翅片三21的水平截面均为弓形，基底物再处理机构还包括竖管29、螺旋槽30和滚珠31，竖管29为两端开口的空心圆管，竖管29内壁开设螺旋槽30，螺旋槽30为螺旋状，滚珠31与竖直顶杆28的侧壁固定连接且滚珠31位于螺旋槽30内，连杆27与竖管29的外圆周面固定连接，根据权利要求1的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：基底液再处理机构还包括滑动槽11、凹槽12、滑动块一13、滑动块二14、竖杆一17和横杆一18，底座10的底面开设滑动槽11，滑动块一13和滑动块二14均位于滑动槽11内且滑动块一13和滑动块二14均与滑动槽11滑动连接，滑动块一13和滑动块二14上均开设凹槽12，横杆一18与推动块16转动连接，竖杆一17与横杆一18转动连接且竖杆一17穿过底座10，竖杆一17的顶面与滑动块二14底面固定连接，根据权利要求1的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：滑动块一13和滑动块二14的纵向截面均为梯形，凹槽12的纵向截面为扇形，两个推动块16上以上述相同方式设置相同的竖杆一17和横杆一18，齿轮32由电机驱动，电机以及电机驱动的方式为公知的现有技术不做赘述，整个装置是放在一个容器内的，电机与齿轮32的输出轴固定连接且电机与容器的底部固定连接，竖管29与底座10所在的容器底面转动连接，保证竖管29跟随底座10同步旋转，通过齿轮32的转动，当齿轮32的齿牙转动至与竖板33内右侧壁的齿口啮合，齿轮32转动推动竖板33上移，齿轮32的上移推动竖直顶杆28上移，竖直顶杆28上的滚珠31在螺旋槽30螺旋上升，竖直顶杆28螺旋上升带动底座10旋转并且上升，在底座10从容器最低点向上运动时，各个弧片一24和弧片二25处于绽放状态，将容器内底部的基底物和液体夹抱在各个弧片一24和弧片二25形成的形成空间内，随着底座10的上升，圆环26推动各个弧片一24闭合，各个弧片一24的闭合推动各个弧片二25的闭合进而使得各个弧片一24和弧片二25闭合形成一个类似花骨朵形状空间，固定杆23上升的过程中，各个弧片一24和弧片二25内从容器底部取得的基底物在上升过程中从弧片一24和弧片二25之间的间隙洒落，使得容器内的液体底层和顶层的基底物的含量趋于相同。
通过各个弧片一24和弧片二25随着固定杆23在容器底层向容器的顶层运动过程中，弧形的弧片一24和弧片二25在上移的过程中推动弧片一24和弧片二25周围的液体以及液体中的基底物向周围扩散，使得容器内的不同位置的液体的基底物含量趋于相等。
通过竖板33推动竖直顶杆28螺旋上升，底座10跟随竖直顶杆28旋转，固定杆23上的弧片一24和弧片二25在围绕竖直顶杆28做圆周运动的过程中，各个弧片一24和弧片二25从底部获取的基底物在弧片一24和弧片二25螺旋上升过程中洒落，促进容器内的不同深度以及不同水平位置的液体的基底物的的含量接近。
通过底座10的螺旋上升，各个弧片一24和弧片二25在上升的过程总逐渐闭合，弧片一24和弧片二25在围绕竖直顶杆28转动的过程中对容器内底层的基底物捕捉，配合固定杆23的螺旋上升，对底层的基底物捕捉后在上升的过程中释放，将底层的基底物在各个不同的液位释放，促进底层基底物与不同深度液体以及同一深度不同位置的液体的混合。
在齿轮32的齿牙转动至与竖板33内左侧壁的齿口啮合，齿轮32转动带动竖板33下移，竖板33拉动竖直顶杆28下移，竖直顶杆28上的滚珠31在螺旋槽30内螺旋下降，底座10下降过程中，液体冲击底面的滑动块一13和滑动块二14，滑动块二14和滑动块一13上的凹槽12将冲向对应凹槽12的液体分流至滑动块一13和滑动块二14两侧，通过滑动块一13和滑动块二14在下降过程中将液体分流，使得容器内上层的液体流动冲击各个弧片二25和弧片一24从底层捕获的基底物，存进容器内上层液体的基底物的含量趋于接近。
通过底座10下降过程中，液体冲击滑动块一13和滑动块二14，液体推动滑动块一13和滑动块二14做相对运动，滑动块一13和滑动块二14相对远离，滑动块一13和滑动块二14的相对远离带动对应的竖杆一17拉动对应的横杆一18，横杆一18在底座10内滑动拉动对应的各个拨动杆15转动，各个拨动杆15通过杠杆远离促使各个拨动杆15上的翅片一19、翅片二20和翅片三21相互靠近，翅片一19、翅片二20和翅片三21靠近形成一块类似扇形的板，底座10在螺旋下降的过程中，翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的板螺旋下降对容器内的上层液体下压，翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的板由于翅片一19、翅片二20和翅片三21本身的厚度，该板的底面是阶梯状的，该板对容器内的液体从上至下进行切削分流，促进基底物与溶液的混合，提高溶液中基底物的含量的接近程度。
通过底座10在容器内螺旋下降，翅片一19、翅片二20和翅片三21逐渐靠近形成板，在运动至最低点时，翅片一19、翅片二20和翅片三21形成扇形板，一部分基底物降落在该板的顶面，随着底座10上升时，该板顶面的基底物与翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的板一起上移，将底层的基底物带至容器的顶层，促进基底物与液体的混合。
通过翅片一19、翅片二20和翅片三21在容器内跟随底座10螺旋下降，翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的扇形板底面下压容器内的液体，在运动至最低点后，翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的板将该板底面的液体继续向下运动冲击容器底层基底物，向下运动的液体冲击底层的基底物使得基底物与液体翻涌，将底层的基底物推送至不同的深度以及不同的水平位置。
通过底座10在螺旋上升的过程中，各个弧片一24和弧片二25推送液体配合翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的板的螺旋上升，各个弧片一24和弧片二25捕捉的底层基底物逐渐洒落，翅片一19、翅片二20和翅片三21形成的板将洒落的基底物切削并旋转推动至底座10周围，促进各个弧片一24和弧片二25捕捉的基底物与容器内的液体的溶散。
在使用时，齿轮32的转动，当齿轮32的齿牙转动至与竖板33内右侧壁的齿口啮合，齿轮32转动推动竖板33上移，齿轮32的上移推动竖直顶杆28上移，竖直顶杆28上的滚珠31在螺旋槽30螺旋上升，竖直顶杆28螺旋上升带动底座10旋转并且上升，在底座10从容器最低点向上运动时，各个弧片一24和弧片二25处于绽放状态，将容器内底部的基底物和液体夹抱在各个弧片一24和弧片二25形成的形成空间内，随着底座10的上升，圆环26推动各个弧片一24闭合，各个弧片一24的闭合推动各个弧片二25的闭合进而使得各个弧片一24和弧片二25闭合形成一个类似花骨朵形状空间，捕捉底层基底物，底座10下降过程中，液体冲击滑动块一13和滑动块二14，液体推动滑动块一13和滑动块二14做相对运动，滑动块一13和滑动块二14相对远离，滑动块一13和滑动块二14的相对远离带动对应的竖杆一17拉动对应的横杆一18，横杆一18在底座10内滑动拉动对应的各个拨动杆15转动，各个拨动杆15通过杠杆远离促使各个拨动杆15上的翅片一19、翅片二20和翅片三21相互靠近，翅片一19、翅片二20和翅片三21靠近形成一块类似扇形的板。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座(10)，其特征在于：所述底座(10)的底面设置基底物预处理机构，所述基底物预处理机构包括固定杆(23)、弧片一(24)、弧片二(25)、圆环(26)和连杆(27)，所述固定杆(23)为实心圆柱体，固定杆(23)的上端面与底座(10)底面固定连接，所述固定杆(23)和弧片一(24)的均与固定杆(23)的圆周面转动连接，所述圆环(26)与弧片一(24)的滑动连接，所述连杆(27)与圆环(26)固定连接，弧片一(24)和弧片二(25)的水平截面均为花瓣状，连杆(27)通过基底物再处理机构与底座(10)活动连接，所述基底物再处理机构包括拨动杆(15)、推动块(16)、翅片一(19)和转动槽(22)，所述推动块(16)与底座(10)滑动链接，底座(10)上开设转动槽(22)，所述拨动杆(15)穿过转动槽(22)且拨动杆(15)与底座(10)转动连接，拨动杆(15)位于底座(10)外的一端与翅片一(19)固定连接，拨动杆(15)位于底座(10)内的一端与推动块(16)啮合，所述翅片一(19)的水平截面为月牙形，底座(10)上还设置深度调节机构。
2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述深度调节机构包括竖直顶杆(28)、齿轮(32)和竖板(33)，所述竖板(33)的横向截面为矩形，竖板(33)中心处开设长方形槽，竖板(33)的内左侧壁和内右侧壁均开设齿口，所述齿轮(32)位于竖板(33)的长方形槽内且齿轮(32)只有半圈齿牙，所述竖直顶杆(28)与底座(10)底面固定连接，竖直顶杆(28)的底面与竖板(33)的外顶面转动连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述弧片二(25)和弧片一(24)的数量均为六，六个弧片一(24)均与固定杆(23)的侧壁转动连接，六个弧片二(25)均与固定杆(23)的侧壁转动连接，各个弧片二(25)位于各个弧片一(24)的上方，六个弧片一(24)和六个弧片二(25)均在固定杆(23)上等分设置，弧片一(24)和弧片二(25)交错设置。
4.根据权利要求3所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述基底物预处理机构还包括翅片二(20)和翅片三(21)，底座(10)的水平截面为两个弓形组成的共同体，底座(10)的圆周面上开设转动槽(22)，所述转动槽(22)的数量为六，其中三个转动槽(22)位于底座(10)的右半部分圆周面上，位于底座(10)右半部分圆周面上的三个转动槽(22)靠近底座(10)的后沿，另外三个转动槽(22)开设在底座(10)的左半部分圆周面上，位于底座(10)左半部分圆周面上的三个转动槽(22)靠近底座(10)的前沿，所述翅片二(20)和翅片三(21)依次穿过转动槽(22)且翅片二(20)和翅片三(21)与底座(10)位于底座(10)的同一侧，翅片二(20)和翅片三(21)均以上述相同方式与推动块(16)活动连接。
5.根据权利要求4所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述所述推动块(16)的数量为二，两个推动块(16)上以上述相同方式设置相同的拨动杆(15)，翅片一(19)、翅片二(20)和翅片三(21)，所述翅片二(20)和翅片三(21)的水平截面均为弓形。
6.根据权利要求5所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述基底物再处理机构还包括竖管(29)、螺旋槽(30)和滚珠(31)，所述竖管(29)为两端开口的空心圆管，竖管(29)内壁开设螺旋槽(30)，所述螺旋槽(30)为螺旋状，所述滚珠(31)与竖直顶杆(28)的侧壁固定连接且滚珠(31)位于螺旋槽(30)内，所述连杆(27)与竖管(29)的外圆周面固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述基底液再处理机构还包括滑动槽(11)、凹槽(12)、滑动块一(13)、滑动块二(14)、竖杆一(17)和横杆一(18)，所述底座(10)的底面开设滑动槽(11)，所述滑动块一(13)和滑动块二(14)均位于滑动槽(11)内且滑动块一(13)和滑动块二(14)均与滑动槽(11)滑动连接，滑动块一(13)和滑动块二(14)上均开设凹槽(12)，所述横杆一(18)与推动块(16)转动连接，所述竖杆一(17)与横杆一(18)转动连接且竖杆一(17)穿过底座(10)，竖杆一(17)的顶面与滑动块二(14)底面固定连接。
8.根据权利要求7所述的一种用于MPCVD金刚石的制备装置，其特征在于：所述滑动块一(13)和滑动块二(14)的纵向截面均为梯形，所述凹槽(12)的纵向截面为扇形，所述两个推动块(16)上以上述相同方式设置相同的竖杆一(17)和横杆一(18)。
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