CN113411945B - 电子装置与减低漏电流的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子装置与减低漏电流的方法，电子装置包括：散热片；电子元件，接收时变讯号，该电子元件产生的热能经由该散热片散出；金属层，设置于该散热片与该电子元件之间，该金属层的第一侧连接该电子元件，该金属层接收可控电压；以及绝缘层，设置于该金属层与该散热片之间，该绝缘层的第三侧连接该金属层的第二侧，该绝缘层的第四侧连接该散热片；其中，藉由控制该金属层所接收的该可控电压的电压值，以降低该电子元件与该散热片所产生的漏电流的电流值。本发明的电子装置与其减低漏电流的方法能够减低漏电流以降低电磁干扰。

Description

电子装置与减低漏电流的方法
技术领域
本发明涉及电学领域，尤其是涉及一种电子装置与减低漏电流的方法。
背景技术
随着科技的进步，电子产品也不断的推陈出新，而集成电路的供电需求和供电频率也随之提高，致使集成电路板上的零件产生的功耗也随之提升，尤以MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)为甚，常需搭配散热片(Heat sink,简称H-sink)帮助零件排热，但散热片是一个金属导体，就电磁干扰的角度，散热片可形成干扰路径以及形成天线，从而在非预期的情况下造成测试错误。
发明内容
鉴于现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种电子装置与减低漏电流的方法及投影校正方法，能够减低漏电流以降低电磁干扰。
为了达到上述目的，本发明提出一种电子装置，包括：散热片；电子元件，接收时变讯号，该电子元件产生的热能经由该散热片散出；金属层，设置于该散热片与该电子元件之间，该金属层的第一侧连接该电子元件，该金属层接收可控电压；以及绝缘层，设置于该金属层与该散热片之间，该绝缘层的第三侧连接该金属层的第二侧，该绝缘层的第四侧连接该散热片；其中，藉由控制该金属层所接收的该可控电压的电压值，以降低该电子元件与该散热片所产生的漏电流的电流值。
作为可选的方案，该电子装置还包括：控制模块，连接该金属层，该控制模块输出该可控电压；以及侦测模块，连接该控制模块及该电子元件，以侦测该电子元件，并根据该电子元件的状态，输出调整讯号至该控制模块；其中，该控制模块接收该调整讯号后，根据该调整讯号控制输出至该金属层的该可控电压的电压值，以减少该电子元件与该散热片间的该漏电流的电流值。
作为可选的方案，该电子元件与该散热片连接同一电路板并连接相同的接地点，其中，该电子元件为MOSFET、二极管或其他可用于切换信号的开关元件。
作为可选的方案，该时变讯号为脉冲宽度调变(PWM)讯号，其中，该时变讯号与该可控电压具有对应关系。
本发明还提供一种减低漏电流的方法，适用于以上所述的电子装置，该方法包括：将第一金属层设置于电子元件与第一绝缘层之间；该电子元件接收时变讯号；该第一金属层接收可控电压；以及控制该可控电压的电压值，降低该电子装置所产生的漏电流的电流值。
作为可选的方案，该方法还包括：依据该时变讯号，产生调整讯号；以及根据该调整讯号控制输出至该第一金属层的该可控电压的电压值，以减少该电子元件与该第一金属层和该第一绝缘层间的该漏电流的电流值。
作为可选的方案，该方法还包括：将该第一金属层与该第一绝缘层设置于该电子元件与散热片之间；其中，控制该可控电压的电压值，降低该电子元件与该散热片间所产生的该漏电流的电流值。
作为可选的方案，该方法还包括：该电子元件的一输入端接收该时变讯号并连接第一金属层；以及将第二金属层设置于第二绝缘层与该第一绝缘层之间，其中该第一金属层、该第一绝缘层、该第二金属层与该第二绝缘层依序设置形成多层电路板。
本发明还提供一种电子装置，包括：多层电路板，具有依序的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层与第二绝缘层，该第一绝缘层设置于该第一金属层与该第二金属层之间，该第二金属层设置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间；以及电子元件，具有一输入端，该输入端连接该第一金属层，其中，当该电子元件的该输入端接收时变讯号时，藉由该第二金属层接收可控电压并调整该可控电压的电压值，以降低该电子元件与该电路板所产生的漏电流的电流值。
作为可选的方案，该电子装置还包括：控制模块，连接该第一金属层，以输出该可控电压；以及侦测模块，连接该控制模块及该电子元件，以侦测该电子元件，并根据该电子元件的状态，输出调整讯号至该控制模块；其中，该控制模块接收该调整讯号后，根据该调整讯号控制输出至该第一金属层的该可控电压的电压值，以减少该电子元件与该电路板间的该漏电流的电流值。
与现有技术相比，本发明的电子装置与减低漏电流的方法通过对位于电子装置与散热片之间的金属层施加可控电压，来降低电子元件与散热片所产生的漏电流的电流值，从而降低电磁干扰。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的电子装置第一实施例的电路原理示意图；
图2为本发明的电子装置第二实施例的电路原理示意图；
图3为本发明的电子装置一实施例的简易功能方块图；
图4为本发明的减低漏电流的方法一实施例的流程图；
图5为本发明的电子装置第三实施例的电路原理示意图。
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
图1为本发明的电子装置1第一实施例的电路原理示意图。此电子装置1包括：散热片20；电子元件10产生的热能经由散热片20散出；金属层(或第一金属层)30以及绝缘层(或第一绝缘层)40设置于散热片20与电子元件10之间，金属层30的第一侧连接电子元件10，绝缘层40的第三侧连接金属层30的第二侧，绝缘层40的第四侧连接散热片20；其中，当电子元件10的输入端10a接收时变讯号，因为压降变化的关系，会促使电子元件10本身的寄生电容C和绝缘层40的电容C1(或第一电容C1)漏电流Id，若此时不给金属层30施加可控电压Vc，对应漏电流Id高频变化会产生电磁干扰(EMI)问题。本发明利用金属层30接收可控电压Vc使寄生电容C和电容C1两端的电压差ΔV降低，藉由控制金属层30所接收可控电压Vc的电压值，以降低电子元件10与散热片20所产生的漏电流Id的电流值，进一步解决电磁干扰(EMI)问题。
前述的电子元件10与散热片20连接电路板(PCB)50并连接相同的接地点GND。前述的时变讯号为脉冲宽度调变(PWM)讯号。前述的电子元件10为MOSFET、二极管或其他可用于切换信号的开关元件。时变讯号与可控电压具有对应关系，例如是对应的正相关或是负相关。
于本实施例，本发明通过主动方式提供可控电压Vc，并根据电子元件工作特性作调变，因此，电子元件10本身的寄生电容C和绝缘层40的电容C1两端的压差V降低，以达到降低漏电流Id的产生，改善电磁干扰的强度。换句话说，本发明通过控制压差V变小，进而使漏电流Id进一步下降，以改善电磁干扰的强度。
图2为本发明的电子装置1第二实施例的电路原理示意图。图2的电子装置与图1的电子装置近似，其差别在于图2的电子装置1还包括:控制模块60连接金属层30，以输出可控电压Vc；以及侦测模块70连接控制模块60及电子元件10，以侦测电子元件10，并根据电子元件10的输入状态，输出调整讯号至控制模块60；其中，控制模块60接收调整讯号后，根据调整讯号控制输出至金属层30的可控电压Vc的电压值，以减少电子元件10与散热片20间的电容的影响，进而降低电子元件10与散热片20之间所产生的漏电流Id的电流值。
前述的电子元件10与散热片20连接电路板(PCB)50并连接相同的接地点GND。前述的时变讯号为脉冲宽度调变(PWM)讯号。前述的电子元件为MOSFET、二极管或其他可用于切换信号的开关元件。时变讯号与可控电压Vc具有对应关系，在本实施例，时变讯号与可控电压Vc具有正相关系或是具有具延迟时间对应的正相关。
于本实施例，本发明通过主动方式提供可控电压Vc，且由侦测模块70侦测电子元件10的状态，输出调整讯号至控制模块60，以让控制模块60输出可控电压Vc，因此，电子元件10本身的寄生电容C和绝缘层40的电容C1两端的压差V降低，以达到降低漏电流Id，改善电磁干扰的强度。换句话说，本发明通过控制压差V变小，进而使漏电流Id下降，以改善电磁干扰的强度。
于本实施例，金属层的尺寸长度可设计比绝缘层尺寸长度短或散热片的尺寸长度短，以提高散热效率以及降低电磁干扰的效果。
图3为本发明的电子装置1一实施例的简易功能方块图。如图3所示，描述整个本发明电子装置的系统控制概念，驱动模块303包括金属层及绝缘层，且设置于电子元件301与散热片303之间。电子元件301接收输入(例如，时变讯号)，侦测模块304侦测来自电子元件301的讯号，回传至控制模块305进行评估，以输出可控电压Vc对驱动模块303进行控制，进而达到将电磁干扰(EMI)作抑制及改善。
图4为本发明的减低漏电流的方法一实施例的流程图，其方法适用于电子装置。前述减低漏电流的方法包括：将第一金属层30设置于电子元件10与第一绝缘层40之间(步骤S401)，更明确而言，第一金属层30的第一侧连接电子元件10，第一金属层30的第二侧连接第一绝缘层40的第三侧，第一金属层30与第一绝缘层40亦可设置于电子元件10与散热片20之间，其中，第一绝缘层40的第四侧连接散热片20；电子元件10接收时变讯号(步骤S402)；第一金属层30接收可控电压Vc(步骤S403)；以及控制可控电压Vc的电压值，降低电子装置1所产生的漏电流Id的电流值(步骤s404)。
前述的减低漏电流的方法还包括：依据时变讯号，产生调整讯号；以及根据调整讯号控制输出至第一金属层30的可控电压Vc的电压值，以减少电子元件10与金属层30和绝缘层40间所产生的漏电流Id的电流值。更明确而言，侦测电子元件10的状态，并依据时变讯号，产生调整讯号，接着，根据调整讯号控制输出至第一金属层30的可控电压Vc的电压值，以减少电子元件10与第一金属层30和第一绝缘层40间所产生的漏电流Id的电流值。
前述的减低漏电流的方法还包括：将第一金属层30与第一绝缘层40设置于电子元件10与散热片20之间；其中，控制可控电压Vc的电压值，降低电子元件10与散热片20间所产生的漏电流Id的电流值，或者，减少电子元件10与散热片20间的电容值，进而降低电子元件10与散热片20所产生的漏电流Id的电流值。前述的时变讯号为脉冲宽度调变(PWM)讯号。时变讯号与可控电压Vc具有对应关系。
图5为本发明的电子装置5第三实施例的电路原理示意图。如图5所示，电子装置5包括电子元件501及电路板50。电路板50具有依序设置的金属层503、绝缘层502、金属层505与绝缘层504。绝缘层502设置于金属层503与金属层505之间，金属层505设置于绝缘层502与绝缘层504之间。电子件501具有输入端501a。输入端501a连接金属层503，当电子元件501的输入端501a接收时变讯号时，藉由第二金属层505接收可控电压Vc并调整可控电压Vc的电压值，以降低电子元件501与电路板50所产生的漏电流Id的电流值。此外，第一金属层503具有通孔h，以曝露第一绝缘层502。前述第一金属层503的第一侧连接电子元件501的输入端501a，第一绝缘层502的第三侧连接第一金属层503的第二侧，第一绝缘层502的第四侧连接第二金属层505的第五侧，第二金属层505的第六侧连接第二绝缘层504的第七侧。
于本实施例，电子装置5还包括控制模块60与侦测模块70。控制模块60连接第二金属层505，以输出可控电压Vc；以及侦测模块70连接控制模块60及电子元件501，以侦测电子元件501，并根据电子元件501的状态，输出调整讯号予控制模块60。其中，控制模块60接收调整讯号后，根据调整讯号控制输出至第二金属层505的可控电压Vc的电压值，以减少电子元件501与电路板80间的漏电流Id的电流值。
于本发明的电路板并不受限于本说明书所揭露的态样，亦可适用于现今已知的双层板、四层板或多层板等。
综上所述，本发明的电子装置与其减低漏电流的方法通过对位于电子装置与散热片之间的金属层施加可控电压，来降低电子元件与散热片所产生的漏电流的电流值，从而降低电磁干扰。
藉由以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的保护范围加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的权利要求的保护范围内。因此，本发明的权利要求的保护范围应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。

Claims (9)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
散热片；
电子元件，接收时变讯号，该电子元件产生的热能经由该散热片散出；
金属层，设置于该散热片与该电子元件之间，该金属层的第一侧连接该电子元件，该金属层接收可控电压；以及
绝缘层，设置于该金属层与该散热片之间，该绝缘层的第三侧连接该金属层的第二侧，该绝缘层的第四侧连接该散热片；
其中，藉由控制该金属层所接收的该可控电压的电压值，以降低该电子元件与该散热片所产生的漏电流的电流值；该时变讯号为脉冲宽度调变讯号，且该时变讯号与该可控电压具有对应关系。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该电子装置还包括：
控制模块，连接该金属层，该控制模块输出该可控电压；以及
侦测模块，连接该控制模块及该电子元件，以侦测该电子元件，并根据该电子元件的状态，输出调整讯号至该控制模块；
其中，该控制模块接收该调整讯号后，根据该调整讯号控制输出至该金属层的该可控电压的电压值，以减少该电子元件与该散热片间的该漏电流的电流值。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该电子元件与该散热片连接同一电路板并连接相同的接地点，其中，该电子元件为MOSFET、二极管或其他可用于切换信号的开关元件。
4.一种减低漏电流的方法，其特征在于，适用于电子装置，该方法包括：
将第一金属层设置于电子元件与第一绝缘层之间；
该电子元件接收时变讯号；
该第一金属层接收可控电压；以及
控制该可控电压的电压值，降低该电子装置所产生的漏电流的电流值，该时变讯号为脉冲宽度调变讯号，且该时变讯号与该可控电压具有对应关系。
5.如权利要求4所述的减低漏电流的方法，其特征在于，该方法还包括：
依据该时变讯号，产生调整讯号；以及
根据该调整讯号控制输出至该第一金属层的该可控电压的电压值，以减少该电子元件与该第一金属层和该第一绝缘层间的该漏电流的电流值。
6.如权利要求4所述的减低漏电流的方法，其特征在于，该方法还包括：
将该第一金属层与该第一绝缘层设置于该电子元件与散热片之间；
其中，控制该可控电压的电压值，降低该电子元件与该散热片间所产生的该漏电流的电流值。
7.如权利要求4所述的减低漏电流的方法，其特征在于，该方法还包括：
该电子元件的一输入端接收该时变讯号并连接第一金属层；以及
将第二金属层设置于第二绝缘层与该第一绝缘层之间，其中该第一金属层、该第一绝缘层、该第二金属层与该第二绝缘层依序设置形成多层电路板。
8.一种电子装置，其特征在于，包括：
多层电路板，具有依序的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层与第二绝缘层，该第一绝缘层设置于该第一金属层与该第二金属层之间，该第二金属层设置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间；以及
电子元件，具有一输入端，该输入端连接该第一金属层，其中，当该电子元件的该输入端接收时变讯号时，藉由该第二金属层接收可控电压并调整该可控电压的电压值，以降低该电子元件与该电路板所产生的漏电流的电流值，该时变讯号为脉冲宽度调变讯号，且该时变讯号与该可控电压具有对应关系。
9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该电子装置还包括：
控制模块，连接该第一金属层，以输出该可控电压；以及
侦测模块，连接该控制模块及该电子元件，以侦测该电子元件，并根据该电子元件的状态，输出调整讯号至该控制模块；
其中，该控制模块接收该调整讯号后，根据该调整讯号控制输出至该第一金属层的该可控电压的电压值，以减少该电子元件与该电路板间的该漏电流的电流值。
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