CN113352230A - 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置 - Google Patents

一种金刚石晶片超精密加工方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113352230A
CN113352230A CN202110673634.3A CN202110673634A CN113352230A CN 113352230 A CN113352230 A CN 113352230A CN 202110673634 A CN202110673634 A CN 202110673634A CN 113352230 A CN113352230 A CN 113352230A
Authority
CN
China
Prior art keywords
axis
polishing
diamond
workpiece
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110673634.3A
Other languages
English (en)
Inventor
路家斌
刘文涛
熊强
邓家云
阎秋生
王新汉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN202110673634.3A priority Critical patent/CN113352230A/zh
Publication of CN113352230A publication Critical patent/CN113352230A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02013Grinding, lapping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体加工技术领域,公开一种金刚石晶片超精密加工方法,包括如下步骤:步骤一:对金刚石工件表面进行激光诱导石墨化加工,在金刚石表面形成硬度低、结合强度差的石墨层;步骤二:对金刚石工件表面进行化学机械抛光。抛光液利用化学反应改变石墨层性能,形成了相对较软的腐蚀层,在与抛光垫上的磨料的摩擦过程中极易被去除,金刚石表面被诱导形成的石墨层被去除后,露出与石墨层紧邻的新表面,新表面的金刚石原子与抛光液的化学剂发生反应,生成易被去除的化学反应层,实现了金刚石表面材料高效去除,且抛光所需压力较小,能够获得粗糙度低、亚表面损伤小的超光滑表面,提高金刚石加工表面的质量。本发明还提供实现上述方法的加工装置。

Description

一种金刚石晶片超精密加工方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,特别是涉及一种金刚石晶片超精密加工方法及装置。
背景技术
新一代信息技术产业以集成电路(芯片)制造为基础的半导体产业是信息产业的基石,是信息领域为数不多的千亿美元级产业。半导体材料发展经历了硅(锗)、砷化镓(磷化铟)、碳化硅(氮化镓)等为代表的三代体系,现在正处于第三代宽禁带半导体材料快速发展期,但以金刚石为代表的新一代超宽禁带半导体材料开始萌发。积极开展单晶金刚石的研究及技术积累,对我国瞄准和占领半导体产业战略高地、实现国家发展战略具有重要意义。
金刚石是电子和光子材料的“珠穆朗玛峰”,具有超高的导热率、介电击穿强度、电子迁移率、超宽带隙和低的热膨胀系数等,被广泛认为是制造电子和光学设备的最理想材料,可用于核聚变反应堆中兆瓦回旋振荡管的高功率光学视窗、承受高温高压的金刚石对顶砧、高功率密度散热器、拉曼激光晶体、生物芯片衬底和传感器、量子通信的固态量子发射器等。在极端压力下探测物质的金刚石氮- 空位(Nitrogen vacancy,NV)色心纳米量子传感器,被认为是最有前途的理想传感器。
用于这些领域的单晶金刚石必须具有真正光滑、无损伤的原子级光滑表面。单晶金刚石表面/亚表面损伤、晶格畸变、位错等缺陷,在同质外延生长过程中能够充当电子陷阱和散射中心,严重降低金刚石器件性能。在金刚石氮-空位色心纳米量子传感器中,金刚石表面的亚表面损伤、晶格缺陷比表面粗糙度对浅氮-空位色心的相干时间的影响更大。
目前,金刚石的抛光方法主要有:机械抛光、离子束抛光、激光抛光、反应离子刻蚀、化学机械抛光。激光抛光是将激光聚焦到金刚石试件表面,表面在高温作用下发生碳化甚至气化,进而达到去除材料的目的。激光烧蚀金刚石的表面所能得到的表面粗糙度较大,因此适合粗加工;而化学机械抛光是将工件表面通过氧化剂腐蚀,形成一层硬度较软、结合强度较低的腐蚀层,腐蚀层可在磨料的机械作用下被去除,露出新的工件,继续腐蚀,进而达到快速去除材料的目的。化学机械抛光金刚石的表面粗糙度极低,可以达到纳米级,但抛光效率极低,因此适合精加工。
中国发明专利申请CN109590811A(公开日为2019年04月09日)公开了一种激光辅助抛光CVD金刚石的方法,首先根据CVD金刚石材料特性选择合适的激光类型,并进行激光烧蚀CVD金刚石模拟仿真,以获得合适的激光烧蚀参数,然后在优选激光工艺参数的基础上进行激光粗抛;最后,为去除激光烧蚀过程中产生的石墨层和微裂纹等表面缺陷,采用抛光盘进行机械精密抛光达到需求的精度。该专利经过激光烧蚀后再进行机械抛光,但是纯机械抛光利用力的作用,会使金刚石表面产生亚表面损伤,体现在表面微裂纹和晶格变形,因此,经过该专利的方法加工的金刚石晶片的表面质量不高,对半导体器件的功能影响很大,不适用于半导体制造。
发明内容
本发明的目的是提供一种可实现金刚石表面材料高效去除,且可提高金刚石的表面质量的金刚石晶片超精密加工方法及装置。
为了实现上述目的,本发明提供了一种金刚石晶片超精密加工方法,包括如下步骤:
步骤一:对金刚石工件表面进行诱导石墨化;
步骤二:对金刚石工件上石墨化的表面进行化学机械抛光。
作为优选方案,在步骤一中,通过激光对金刚石工件表面进行诱导石墨化。
作为优选方案,所述激光的能量密度为0.01J/cm2~20J/cm2
作为优选方案,在步骤二中,化学机械抛光采用的抛光液为过氧化氢和/或芬顿试剂和/或高铁酸钾。
本发明还提供了一种金刚石晶片超精密加工装置,包括:
机架;
激光加工组件,所述激光加工组件包括工作台和激光器,所述激光器设于所述工作台的上方,所述激光器可上下移动且可绕水平方向转动地连接在所述机架上;
抛光盘运动组件,所述抛光盘运动组件包括抛光盘和抛光垫,所述抛光垫连接在所述抛光盘上,所述抛光盘可转动地连接在所述机架上;
工件盘运动组件,所述工件盘运动组件设于所述抛光盘运动组件的上方,所述工件盘运动组件包括工件盘,所述工件盘用于装载工件,所述工件盘可上下移动且可转动地连接在所述机架上;
抛光液供应系统,所述抛光液供应系统包括抛光液容器和输送装置,所述输送装置用于将所述抛光液容器内的液体输送到所述抛光垫上。
作为优选方案,还包括机械手,所述机械手用于所述工作台和所述工件盘之间的工件转移。
作为优选方案,所述激光加工组件还包括X轴运动机构和Y轴运动机构,所述工作台连接在所述X轴运动机构上以带动所述工作台沿X轴方向移动,所述X 轴运动机构连接在所述Y轴运动机构上以带动所述工作台沿Y轴方向移动。
作为优选方案,所述工件盘运动组件还包括偏摆杆和偏摆滑块,所述偏摆杆连接在机架上,所述偏摆杆与所述抛光盘平行设置,所述偏摆滑块连接在所述偏摆杆上且可沿其长度方向移动,所述工件盘与所述偏摆滑块连接。
作为优选方案,所述工件盘运动组件还包括压力气缸,所述压力气缸连接在所述机架上,所述工件盘连接在所述压力气缸的输出端。
作为优选方案,所述X轴运动机构包括X轴滑块、X轴丝杆和X轴驱动器;
所述Y轴运动机构包括Y轴滑块、Y轴丝杆和Y轴驱动器;
所述Y轴滑块为H型结构,所述X轴运动机构位于所述Y轴滑块的上凹部,且所述X轴驱动器连接在所述Y轴滑块的一侧板上,所述X轴丝杆的一端与所述X 轴驱动器连接、另一端与所述Y轴滑块的另一侧板可转动连接,所述Y轴丝杆和所述Y轴驱动器位于所述Y轴滑块的下凹部,所述Y轴滑块的中间梁连接在所述Y 轴滑块上,所述Y轴滑块与所述Y轴丝杆螺纹连接。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
本发明通过对金刚石表面先进行诱导石墨化,使金刚石表面形成石墨层,能够较大的降低工件表面材料的硬度和结合强度,再进行化学机械抛光,化学机械抛光时加入的抛光液会与石墨层和金刚石原子产生化学反应,石墨层与抛光液进行化学反应,形成了相对较软的腐蚀层,在与抛光垫上的磨料的摩擦过程中极易被去除,金刚石表面被诱导形成的石墨层被去除后,露出与石墨层紧邻的新表面,该新表面的金刚石原子与抛光液进行化学反应,产生一个新的软化反应层,抛光垫上的磨料将这个新生成的软化反应层沿着结合面去除,得到金刚石晶片抛光后的表面。诱导形成的石墨层与抛光液反应,使石墨层进一步软化,更容易被去除;而石墨层去除后露出新表面的金刚石原子在诱导过程中也会变活跃,与抛光液反应更充分,提高效率,实现了金刚石表面材料高效去除,且抛光所需压力较小,能够获得粗糙度低、亚表面损伤小的超光滑表面,提高金刚石加工表面的质量。
附图说明
图1是本发明实施例的金刚石晶片超精密加工方法的流程图。
图2是本发明实施例的金刚石晶片超精密加工装置的结构示意图。
图中,100-机架;
200-激光加工组件;210-工作台;220-激光器;230-激光;240-X轴运动机构; 241-X轴滑块;242-X轴丝杆;243-X轴驱动器;250-Y轴运动机构;251-Y轴滑块; 252-Y轴丝杆;253-Y轴驱动器;260-连接块;270-竖直移动丝杆;280-竖直驱动器;
300-抛光盘运动组件;310-抛光盘;320-抛光垫;330-抛光盘驱动主轴;340- 抛光盘驱动器;
400-工件盘运动组件;410-工件盘;420-偏摆杆;430-偏摆滑块;440-偏摆驱动器;450-压力气缸;460-连接法兰;470-工件盘驱动主轴;480-工件盘驱动器;
500-抛光液供应系统;510-抛光液容器;520-蠕动泵;530-连接管;
600-工件;
700-机械手;
800-控制面板;810-激光控制面板;820-化学机械抛光控制面板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1所示,本发明优选实施例的一种金刚石晶片超精密加工方法,包括如下步骤:
步骤一:对金刚石工件表面进行诱导石墨化;
步骤二:对金刚石工件上石墨化的表面进行化学机械抛光。
本实施例通过对金刚石表面先进行诱导石墨化,使金刚石表面形成石墨层,能够较大的降低工件表面材料的硬度和结合强度,再进行化学机械抛光,化学机械抛光时加入的抛光液会与石墨层和金刚石原子产生化学反应,石墨层与抛光液进行化学反应,形成了相对较软的腐蚀层,在与抛光垫上的磨料的摩擦过程中极易被去除,金刚石表面被诱导形成的石墨层被去除后,露出与石墨层紧邻的新表面,该新表面的金刚石原子与抛光液进行化学反应,产生一个新的软化反应层,抛光垫上的磨料将这个新生成的软化反应层沿着结合面去除,得到金刚石晶片抛光后的表面。诱导形成的石墨层与抛光液反应,使石墨层进一步软化,更容易被去除;而石墨层去除后露出的新表面的金刚石原子在诱导过程中也会变活跃,与抛光液反应更充分,提高效率,实现了金刚石表面材料高效去除,且抛光所需压力较小,能够获得粗糙度低、亚表面损伤小的超光滑表面,提高金刚石加工表面的质量。
本实施例在步骤一中,通过激光对金刚石工件表面进行诱导石墨化,激光能量密度大,能快速对金刚石表面进行烧蚀,且定向烧蚀,不会对其他表面产生影响。本实施例采用紫外激光,不采用红外激光。采用紫外激光的烧蚀不是热处理,而是让金刚石原子吸收紫外光,提高金刚石原子的活跃性。而且,紫外光的波长短,本身的特性对金属和聚合物的机械微处理具有优越性.它可以被聚焦到亚微米数量级的点上,因此可以进行细微部件的加工,即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到很高的能量密度,有效地进行材料加工。本实施例的激光的能量密度为 0.01J/cm2~20J/cm2,若过大,容易损坏金刚石工件整体。可选地,在步骤一中,激光刻蚀的扫描速度为1mm/s~500mm/s,激光的入射角度为45°~90°;在步骤二中,抛光压力为40g/cm2~400g/cm2,若抛光压力过大,容易损伤金刚石表面,降低加工后的金刚石的表面质量;抛光的转速(即为与金刚石工件表面接触抛光的抛光垫的转速)和金刚石工件自身的转速均为20r/min~200r/min,另外,金刚石工件的旋转方向与抛光垫的旋转方向相反。
进一步地,本实施例在步骤二中,化学机械抛光采用的抛光液采用过氧化氢和/或芬顿试剂和/或高铁酸钾,即是抛光液可采用过氧化氢、芬顿试剂、高铁酸钾的中一种或多种混合使用。抛光液可为酸性或中性或碱性。本实施例的抛光液中有磨粒,磨粒磨料优选为金刚石、二氧化硅、二氧化钛、硅溶胶中的一种或多种。
如图2所示,本实施例还提供一种金刚石晶片超精密加工装置,包括:机架 100;激光加工组件200,激光加工组件200包括工作台210和激光器220,激光器220设于工作台210的上方,激光器220可上下移动且可绕水平方向转动地连接在机架100上;抛光盘运动组件300,抛光盘运动组件300包括抛光盘310和抛光垫320,抛光垫320连接在抛光盘310上,抛光盘310可转动地连接在机架100 上;工件盘运动组件400,工件盘运动组件400设于抛光盘运动组件300的上方,工件盘运动组件包括工件盘410,工件盘410用于装载工件600,工件盘410可上下移动且可转动地连接在机架100上;抛光液供应系统500,抛光液供应系统500 包括抛光液容器510和输送装置,输送装置用于将抛光液容器510内的液体输送到抛光垫320上。
本实施例的金刚石晶片超精密加工装置通过将待诱导的工件600放置在工作台210上,工作台210设有装夹工件600的夹具,激光器220上下移动调整其与工件600的距离,然后绕水平方向转动调整其入射角度,最后激光器220发射激光230照射在工件600上,进行诱导石墨化。将完成了激光诱导的工件600装载到工件盘410上,工件盘410上下移动靠近抛光盘310,使抛光垫310与工件600 接触。抛光液供应系统500的输送装置将抛光液容510内的抛光液浇在抛光垫310 上,由于抛光垫310的分散作用,抛光液会均匀分布在工件600的表面。接着,工件盘410转动,带动工件600转动;抛光盘310转动,带动抛光垫320转动;使工件600和抛光垫320产生相对运动来将工件600表面的材料去除。由于激光加工组件200已经将工件表面石墨化,形成质地较软的石墨层,大大降低工件表面材料的硬度和结合强度,然后再通过抛光液与石墨层产生化学反应,进一步软化石墨层,在与抛光垫320的磨料的摩擦过程中极易被去除,使本实施例的加工装置对工件600表面材料的去除的效率大大提高,解决单独采用化学机械抛光效率低的问题,而且经过激光诱导的石墨层与抛光液的化学反应下进一步软化,比单独采用激光刻蚀后再机械抛光的效率更高,且抛光过程中采用的压力可更小,对金刚石表面的损伤更小,能够得到表面质量高的加工后工件。
本实施例的加工装置还包括机械手700,机械手700用于工作台210和工件盘 410之间的工件转移,通过机械手700可将完成了激光刻蚀的工件从工作台210取下并将工件装载到工件盘410上,提高了装置的自动化,使用方便,本实施例的机械手700还可用于将工件装载到工作台210上以及将工件从工件盘410上取下。
本实施例的激光加工组件还包括X轴运动机构240和Y轴运动机构250,工作台210连接在X轴运动机构240上以带动工作台210沿X轴方向移动,X轴运动机构240连接在Y轴运动机构250上以带动工作台210沿Y轴方向移动,使装载在工作台210上的工件可沿两个相互垂直的方向移动,实现工作台210上的工件与激光器220的位置调整,以及在激光刻蚀路线的改变,本实施例的X轴运动机构 240包括X轴滑块241、X轴丝杆242和X轴驱动器243,工作台210连接在X轴滑块241上,X轴滑块241与X轴丝杆242螺纹连接,X轴驱动器243与X轴丝杆242连接带动X轴丝杆242转动。Y轴运动机构250包括Y轴滑块251、Y轴丝杆 252和Y轴驱动器253,Y轴滑块251为H型结构,X轴运动机构240位于Y轴滑块251的上凹部,且X轴驱动器243连接在Y轴滑块251的一侧板上,X轴丝杆 242的一端与X轴驱动器243连接、另一端与Y轴滑块251的另一侧板可转动连接, Y轴丝杆252和Y轴驱动器253位于Y轴滑块251的下凹部,Y轴滑块251的中间梁连接在Y轴滑块251上,Y轴滑块251与Y轴丝杆252螺纹连接,Y轴驱动器253与Y轴丝杆252连接带动Y轴丝杆252转动。本实施例的X轴驱动器243和Y轴驱动器253均为电机。另外,激光加工组件还包括连接块260、竖直移动丝杆270 和竖直驱动器280,激光器220可绕水平方向转动地安装在连接块260,竖直驱动器280安装在机架100上,竖直移动丝杆270沿竖直方向设置,竖直驱动器280 与竖直移动丝杆270连接以带动竖直移动丝杆270转动,连接块260与竖直移动丝杆270螺纹连接。激光器220包括激光控制器和激光头,激光头设有复眼透镜,可改变激光光斑的形状。
在本实施例中,抛光盘运动组件300还包括抛光盘驱动主轴330和抛光盘驱动器340,抛光盘驱动器340安装在机架100上,抛光盘驱动主轴330的一端与抛光盘驱动器340连接、另一端与抛光盘310连接,抛光盘驱动器340带动抛光盘驱动主轴330转动进而带动抛光盘310转动。本实施例的抛光垫320可为聚氨酯抛光垫、无纺布抛光垫或复合型抛光垫。
工件盘运动组件400还包括偏摆杆420和偏摆滑块430,偏摆杆420连接在机架100上,偏摆杆420与抛光盘310平行设置,偏摆滑块430连接在偏摆杆420 上且可沿其长度方向移动,工件盘410与偏摆滑块430连接,使工件盘410可相对抛光盘310左右移动,实现偏摆。本实施例的工件盘运动组件400还包括偏摆驱动器440,偏摆驱动器440连接在机架100上,偏摆杆420的一端与偏摆驱动器 440连接、另一端与机架100可转动连接,偏摆滑块430与偏摆杆420螺纹连接,偏摆驱动器440带动偏摆杆420转动,进而使偏摆滑块430沿偏摆杆420移动。工件盘运动组件400包括压力气缸450,压力气缸450连接在机架100上,工件盘 410连接在压力气缸450的输出端,通过压力气缸450可带动工件盘410上下移动,进而使装载在工件盘410上的工件与抛光垫320之间有一定的压力。本实施例的工件盘运动组件400还包括连接法兰460、工件盘驱动主轴470和工件盘驱动器 480,压力气缸450连接在偏摆滑块430上,连接法兰460与压力气缸450的输出端连接,工件盘410与连接法兰460可转动连接,工件盘驱动主轴470的一端穿过连接法兰460与工件盘410连接、另一端连接工件盘驱动器480,工件盘驱动器 480带动工件盘驱动主轴470转动进而带动工件盘410转动。
本实施例的抛光液供应系统500的输送装置包括蠕动泵520和连接管530,蠕动泵520的一端通过连接管530伸入抛光液容器510中、另一端通过连接管530 延伸至抛光垫320的上方。此外,抛光液供应系统500还包括搅拌器,搅拌器与抛光液容器510连接,可防止抛光液容器510中的抛光液沉淀。
此外,本实施例的加工装置还包括控制面板800,控制面板800包括激光控制面板810和化学机械抛光控制面板820,激光控制面板810与激光加工组件200通讯连接,用于设置激光的刻蚀路线、入射角度、能量密度、扫描速度等参数,化学机械抛光控制面板820与抛光盘运动组件300、工件盘运动组件400和抛光液供应系统500通讯连接,用于控制抛光盘310的转速、工件盘410的转速、抛光压力、偏摆幅度、抛光液的流量等参数。
综上,本发明实施例提供一种金刚石晶片超精密加工方法,通过对金刚石表面先进行诱导石墨化,使金刚石表面形成石墨层,能够较大的降低工件表面材料的硬度和结合强度,再进行化学机械抛光,化学机械抛光时加入的抛光液会与石墨层和金刚石原子产生化学反应,石墨层与抛光液进行化学反应,形成了相对较软的腐蚀层,在与抛光垫上的磨料的摩擦过程中极易被去除,金刚石表面被诱导形成的石墨层被去除后,露出与石墨层紧邻的新表面,该新表面的金刚石原子与抛光液进行化学反应,产生一个新的软化反应层,抛光垫上的磨料将这个新生成的软化反应层沿着结合面去除,得到金刚石晶片抛光后的表面。诱导形成的石墨层与抛光液反应,使石墨层进一步软化,更容易被去除;而石墨层去除后露出的新表面的金刚石原子在诱导过程中也会变活跃,与抛光液反应更充分,提高效率,实现了金刚石表面材料高效去除,且抛光所需压力较小,能够获得粗糙度低、亚表面损伤小的超光滑表面,提高金刚石加工表面的质量。本发明实施例还提供一种实现上述方法的加工装置。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种金刚石晶片超精密加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:对金刚石工件表面进行诱导石墨化;
步骤二:对金刚石工件上石墨化的表面进行化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的金刚石晶片超精密加工方法,其特征在于,在步骤一中,通过激光对金刚石工件表面进行诱导石墨化。
3.根据权利要求2所述的金刚石晶片超精密加工方法,其特征在于,所述激光的能量密度为0.01J/cm2~20J/cm2
4.根据权利要求1所述的金刚石晶片超精密加工方法,其特征在于,在步骤二中,化学机械抛光采用的抛光液为过氧化氢和/或芬顿试剂和/或高铁酸钾。
5.一种金刚石晶片超精密加工装置,其特征在于,包括:
机架(100);
激光加工组件(200),所述激光加工组件(200)包括工作台(210)和激光器(220),所述激光器(220)设于所述工作台(210)的上方,所述激光器(220)可上下移动且可绕水平方向转动地连接在所述机架(100)上;
抛光盘运动组件(300),所述抛光盘运动组件(300)包括抛光盘(310)和抛光垫(320),所述抛光垫(320)连接在所述抛光盘(310)上,所述抛光盘(310)可转动地连接在所述机架(100)上;
工件盘运动组件(400),所述工件盘运动组件(400)设于所述抛光盘运动组件(300)的上方,所述工件盘运动组件(400)包括工件盘(410),所述工件盘(410)用于装载工件,所述工件盘(410)可上下移动且可转动地连接在所述机架(100)上;
抛光液供应系统(500),所述抛光液供应系统(500)包括抛光液容器(510)和输送装置,所述输送装置用于将所述抛光液容器(510)内的液体输送到所述抛光垫(320)上。
6.根据权利要求5所述金刚石晶片超精密加工装置,其特征在于,还包括机械手(700),所述机械手(700)用于所述工作台(210)和所述工件盘(410)之间的工件转移。
7.根据权利要求5所述金刚石晶片超精密加工装置,其特征在于,所述激光加工组件(200)还包括X轴运动机构(240)和Y轴运动机构(250),所述工作台(210)连接在所述X轴运动机构(240)上以带动所述工作台(210)沿X轴方向移动,所述X轴运动机构(240)连接在所述Y轴运动机构(250)上以带动所述工作台(210)沿Y轴方向移动。
8.根据权利要求5所述金刚石晶片超精密加工装置,其特征在于,所述工件盘运动组件(400)还包括偏摆杆(420)和偏摆滑块(430),所述偏摆杆(420)连接在机架(100)上,所述偏摆杆(420)与所述抛光盘(310)平行设置,所述偏摆滑块(430)连接在所述偏摆杆(420)上且可沿其长度方向移动,所述工件盘(410)与所述偏摆滑块(430)连接。
9.根据权利要求5所述金刚石晶片超精密加工装置,其特征在于,所述工件盘运动组件(400)还包括压力气缸(450),所述压力气缸(450)连接在所述机架(100)上,所述工件盘(410)连接在所述压力气缸(450)的输出端。
10.根据权利要求7所述金刚石晶片超精密加工装置,其特征在于,所述X轴运动机构(240)包括X轴滑块(241)、X轴丝杆(242)和X轴驱动器(243);
所述Y轴运动机构(250)包括Y轴滑块(251)、Y轴丝杆(252)和Y轴驱动器(253);
所述Y轴滑块(251)为H型结构,所述X轴运动机构(240)位于所述Y轴滑块(251)的上凹部,且所述X轴驱动器(243)连接在所述Y轴滑块(251)的一侧板上,所述X轴丝杆(242)的一端与所述X轴驱动器(243)连接、另一端与所述Y轴滑块(251)的另一侧板可转动连接,所述Y轴丝杆(252)和所述Y轴驱动器(253)位于所述Y轴滑块(251)的下凹部,所述Y轴滑块(251)的中间梁连接在所述Y轴滑块(251)上,所述Y轴滑块(251)与所述Y轴丝杆(252)螺纹连接。
CN202110673634.3A 2021-06-17 2021-06-17 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置 Pending CN113352230A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110673634.3A CN113352230A (zh) 2021-06-17 2021-06-17 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110673634.3A CN113352230A (zh) 2021-06-17 2021-06-17 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113352230A true CN113352230A (zh) 2021-09-07

Family

ID=77534851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110673634.3A Pending CN113352230A (zh) 2021-06-17 2021-06-17 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113352230A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115229647A (zh) * 2022-07-20 2022-10-25 华侨大学 一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法
CN116984972A (zh) * 2023-08-10 2023-11-03 沈阳工业大学 一种用于金刚石晶片的磨削抛光一体化方法与装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105074881A (zh) * 2013-01-18 2015-11-18 应用材料公司 用于化学机械研磨垫的调节的方法及设备
CN109216159A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 株式会社迪思科 晶片生成装置
CN110314896A (zh) * 2019-03-21 2019-10-11 清华大学 一种半导体衬底材料抛光方法
CN112005341A (zh) * 2018-04-27 2020-11-27 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105074881A (zh) * 2013-01-18 2015-11-18 应用材料公司 用于化学机械研磨垫的调节的方法及设备
CN109216159A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 株式会社迪思科 晶片生成装置
CN112005341A (zh) * 2018-04-27 2020-11-27 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
CN110314896A (zh) * 2019-03-21 2019-10-11 清华大学 一种半导体衬底材料抛光方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
苏青峰, 上海大学出版社 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115229647A (zh) * 2022-07-20 2022-10-25 华侨大学 一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法
CN115229647B (zh) * 2022-07-20 2023-08-29 华侨大学 一种飞秒激光辅助抛光金刚石的装置及其抛光方法
CN116984972A (zh) * 2023-08-10 2023-11-03 沈阳工业大学 一种用于金刚石晶片的磨削抛光一体化方法与装置
CN116984972B (zh) * 2023-08-10 2024-03-26 沈阳工业大学 一种用于金刚石晶片的磨削抛光一体化方法与装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113352230A (zh) 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置
JP3620554B2 (ja) 半導体ウェーハ製造方法
CN108705411B (zh) 一种压力可调的浮离抛光装置
TWI436856B (zh) Composite chamfering device for ingot
CN104551412A (zh) 磁记录介质用圆盘状玻璃基板及其制造方法
CN102965614A (zh) 一种激光薄膜的制备方法
CN110774153A (zh) 一种大尺寸单晶金刚石的抛光方法
CN112077749A (zh) 一种微沟槽射流抛光装置及抛光方法
CN104786111A (zh) 一种针对大面积超光滑表面的气液固三相磨粒流抛光装置
CN112658924A (zh) 金刚石片状晶体抛光设备
CN107452607A (zh) 一种晶圆激光研磨系统及方法
WO2014113108A1 (en) Methods and apparatus for conditioning of chemical mechanical polishing pads
CN204525053U (zh) 一种针对大面积超光滑表面的气液固三相磨粒流抛光装置
JP2011173179A (ja) シリコンインゴットの円筒研削方法または円弧研削方法
US20180169826A1 (en) Polishing extremely thin silica sheets and polished sheets
CN109454337A (zh) 激光加工装置
CN110270725B (zh) 一种高平面度金属表面电化学射流修形加工装置和方法
US20240001489A1 (en) High-efficiency and high-precision combined machining equipment and method for diamond wafer sheet
CN116619221A (zh) 一种间隙自适应非接触抛光装置及方法
JP5421132B2 (ja) シリコンインゴットの円筒研削装置および円筒研削方法
WO2022158333A1 (ja) 基板加工方法、及び基板加工装置
CN114178702A (zh) 一种激光抛光装置及抛光方法
CN210731366U (zh) 具有加工件表面清洁功能的介质滤波器的激光加工装置
JP2009248234A (ja) 保持装置および研磨装置
CN212553389U (zh) 一种微沟槽射流抛光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination