CN113348509A - 具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的mamr记录头 - Google Patents

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Abstract

微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。

Description

具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头
相关申请的交叉引用
本专利申请要求2019年12月30日提交的美国专利申请16/730,713的优先权，所述美国专利申请转让给本文的受让人，并且全文以引用方式并入本文。
背景技术
技术领域
本公开的实施方案整体涉及具有自旋转矩振荡器(STO)设备和高阻尼尾部屏蔽晶种层的微波辅助磁记录(MAMR)写头。
相关领域的描述
计算机的功能和能力的核心是将数据存储和写入到数据存储设备(诸如硬盘驱动器(HDD))。计算机所处理的数据量在迅速增加。需要磁记录介质的更高记录密度来提高计算机的功能和能力。
为了实现磁记录介质的更高记录密度(诸如超过1太比特/英寸2的记录密度)，使写磁道的宽度和间距变窄，并因此使每个写磁道中编码的对应磁记录比特变窄。使写磁道的宽度和间距变窄的一个挑战是降低面向介质的表面处的磁写头的主极的表面积。随着主极变得越来越小，写场也变得越来越小，从而限制了磁写头的有效性。
热辅助磁记录(HAMR)和微波辅助磁记录(MAMR)是两种改善磁记录介质(诸如HDD)的记录密度的能量辅助记录技术。在MAMR中，自旋转矩振荡器(STO)设备位于写元件旁边或附近以便产生诸如在微波频带中的高频AC场。高频AC场减小了用于存储数据的磁记录介质的有效矫顽力，并且允许在从写极发出的较低磁写场处进行磁记录介质的写入。因此，可通过MAMR技术实现磁记录介质的更高记录密度。然而，具有MAMR写头的硬盘驱动器系统可能具有磁介质的不期望的高水平比特翻转。因此，本领域需要改进的MAMR写头。
发明内容
在某些实施方案中，微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在主极与尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。
在某些实施方案中，微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在主极与尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。
在某些实施方案中，微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在主极与尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。
附图说明
因此，通过参考实施方案，可以获得详细理解本公开的上述特征的方式、本公开的更具体描述、上述简要概述，所述实施方案中的一些在附图中示出。然而，应当注意的是，附图仅示出了本公开的典型实施方案并且因此不应视为限制其范围，因为本公开可以允许其他同等有效的实施方案。
图1是包括写头的磁介质驱动器的某些实施方案的示意图。
图2是面向磁盘的磁头组件的剖面侧视图的某些实施方案的示意图。
图3是图2的MAMR头的面向介质的表面的平面图的某些实施方案的示意图，其中自旋转矩振荡器(STO)设备沿磁道方向介于主极与尾部屏蔽件之间。
图4A至图4D是被配置为由于自旋传递转矩而振荡的MAMR写头的STO设备的各种实施方案的侧剖视图。
图5是图4A至图4D的MAMR写头210的示意图。
图6为具有TS热晶种层的STO设备的AC场振幅的曲线图，其中TS热晶种层不具有高阻尼。
图7为具有TS热晶种层的STO设备的AC场振幅的曲线图，其中TS热晶种层具有高阻尼。
为了有助于理解，在可能的情况下，使用相同的参考标号来表示附图中共有的相同元件。可以设想是，在一个实施方案中公开的元件可以有利地用于其他实施方案而无需具体叙述。
具体实施方式
在下文中，参考本公开的实施方案。然而，应当理解的是，本公开不限于具体描述的实施方案。相反，思考以下特征和元件的任何组合(无论是否与不同实施方案相关)以实现和实践本公开。此外，尽管本公开的实施方案可以实现优于其他可能解决方案和/或优于现有技术的优点，但是否通过给定实施方案来实现特定优点不是对本公开的限制。因此，以下方面、特征、实施方案和优点仅是说明性的，并且不被认为是所附权利要求书的要素或限制，除非在权利要求书中明确地叙述。同样地，对“本公开”的引用不应当被解释为本文公开的任何发明主题的概括，并且不应当被认为是所附权利要求书的要素或限制，除非在权利要求书中明确地叙述。
如本文所用，术语“在......上方”、“在......下方”、“在......之间”、“在......上”和其他类似术语是指一层相对于其他层的相对位置。因此，例如，设置在另一层上方或下方的一层可直接与另一层接触，或者可具有一个或多个中间层。此外，设置在层之间的一层可直接与两层接触，或者可具有一个或多个中间层。相反，“在第二层上”的第一层与第二层接触。这些术语的相对位置并非将这些层限定或限制于这些层的某向量空间取向。
术语“包括/包含”包括“由...构成/基本上由...构成”的子集含义，并且包括“由...构成/由...组成”的子集含义。
某些实施方案包括用于微波辅助磁记录(MAMR)写头的自旋转矩振荡器(STO)设备，该MAMR写头设置在主极和尾部屏蔽件(TS)之间的尾部屏蔽间隙中。TS包括高阻尼TS热晶种层。MAMR头的STO设备的自由层在写入期间振荡以提供辅助AC场。然而，自由层还可与MAMR写头的其他部件一起引起磁化方向的振荡。这些振荡可生成附加AC场，这可导致在MAMR记录点附近的区域处的磁介质处的增加的比特翻转和/或减小MAMR记录点处的辅助AC场。与低阻尼TS热晶种层相比，TS热晶种层中的较低磁矩(Ms)和高阻尼减少了靠近TS热晶种层的AC场并减少了比特翻转。
图1是包括磁写头(诸如MAMR头)的磁介质驱动器的某些实施方案的示意图。此类磁介质驱动器可为单个驱动器/设备或包括多个驱动器/设备。为了便于说明，根据一个实施方案示出了单个磁盘驱动器100。磁盘驱动器100包括至少一个能够旋转的磁盘112，该至少一个能够旋转的磁盘支撑在主轴114上，并且由驱动马达118旋转。每个磁盘112上的磁记录呈数据磁道的任何合适图案的形式，诸如磁盘112上同心数据磁道(未示出)的环形图案。
至少一个滑块113定位在磁盘112附近。每个滑块113支撑磁头组件121，该磁头组件包括一个或多个读/写头，诸如具有STO设备的MAMR头。当磁盘112旋转时，滑块113在磁盘表面122上方径向地移入和移出，使得头组件121可访问磁盘112的写入期望数据的不同磁道。每个滑块113通过悬架115附接到致动器臂119。悬架115提供轻微的弹簧力，该弹簧力朝向磁盘表面122偏置滑块113。每个致动器臂119附接到致动器127。如图1所示的致动器127可以是音圈马达(VCM)。VCM包括能够在固定磁场内移动的线圈，线圈移动的方向和速度通过由控制单元129供应的马达电流信号来控制。
在磁盘驱动器100的操作期间，磁盘112的旋转在滑块113和磁盘表面122之间产生空气或空气轴承，该空气或空气轴承在滑块113上施加向上的力或升力。因此，在正常操作期间，空气或空气轴承抗衡悬架115的轻微弹簧力，并且将滑块113撑离且稍微高于磁盘表面122较小基本上恒定的间距。
磁盘驱动器100的各种部件在操作中由控制单元129所产生的控制信号(诸如访问控制信号和内部时钟信号)来控制。通常，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生控制各种系统操作的控制信号，诸如线123上的驱动马达控制信号以及线128上的磁头位置和寻道控制信号。线128上的控制信号提供期望的电流分布，以最佳地将滑块113移动和定位到磁盘112上的期望数据磁道。写入信号和读取信号通过记录通道125传送到磁头组件121和从磁头组件121传送。图1的磁介质驱动器的某些实施方案还可包括多个介质或磁盘、多个致动器和/或多个滑块。
图2是面向磁盘112或其他磁存储介质的磁头组件200的剖面侧视图的某些实施方案的示意图。磁头组件200可对应于图1中所述的磁头组件121。磁头组件200包括面向磁盘112的面向介质的表面(MFS)212。如图2所示，磁盘112沿箭头232所指示的方向相对地移动，并且磁头组件200沿箭头233所指示的方向相对地移动。
在一些实施方案中，磁头组件200包括磁读头211。磁读头211可包括设置在屏蔽件S1与S2之间的感测元件204。在某些实施方案中，感测元件204是磁阻(MR)感测元件，诸如运用穿隧磁阻(TMR)效应、磁阻(GMR)效应、异常磁阻(EMR)效应或自旋转矩振荡器(STO)效应的元件。磁盘112中的磁化区的磁场(诸如垂直记录的比特或纵向记录的比特)可由感测元件204检测为记录的比特。
磁头组件200包括MAMR写头210。在某些实施方案中，MAMR写头210包括主极220、前端屏蔽件206、TS 240和自旋转矩振荡器(STO)设备230，该STO设备设置在主极220与TS 240之间。主极220用作第一电极并且在MBS处具有前部。
主极220包括磁性材料，诸如CoFe、CoFeNi或FeNi、其他合适的磁性材料。在某些实施方案中，主极220包括呈随机纹理的磁性材料的小晶粒，诸如以随机纹理形成的体心立方(BCC)材料。例如，可通过电沉积来形成主极220的随机纹理。MAMR写头210包括围绕主极220的线圈218，该线圈激励主极220，从而产生写磁场结构以便影响可旋转的磁盘112的磁介质。线圈218可为螺旋结构或者一组或多组扁平结构。
在某些实施方案中，主极220包括尾部锥体242和前端锥体244。尾部锥体242从MFS212中凹进的位置延伸到MFS 212。前端锥体244从MFS212中凹进的位置延伸到MFS 212。尾部锥体242和前端锥体244可具有相对于主极220的纵向轴线260的相同或不同锥度。在一些实施方案中，主极220不包括尾部锥体242和前端锥体244。相反，主极220包括尾部侧面(未示出)和前端侧面(未示出)，其中尾部侧面和前端侧面基本上平行。
TS 240是磁性材料，诸如FeNi或其他合适的磁性材料，其用作第二电极和主极220的返回极。前屏蔽件206可提供电磁屏蔽，并且与主极220分开前间隙254。
STO设备230定位为靠近主极220并且减小磁介质的矫顽力，使得可使用更小的写场来记录数据。从电源270向STO设备230施加电子电流以产生微波场。电子电流可为直流(DC)波形、脉冲DC波形、转向正电压和负电压的脉冲电流波形或其他合适的波形。
在某些实施方案中，STO设备230可电耦接到主极220和TS 240，其中主极220和TS由绝缘层272分开。电源270可通过主极220和TS 240向STO设备230提供电子电流。对于直流或脉冲电流而言，电源270可使电子电流从主极220穿过STO设备230流动到TS 240，或可使电子电流从TS240穿过STO设备230流动到主极220，具体取决于STO设备230的取向。在其他实施方案中，STO设备230可耦接到电引线，该电引线提供并非来自主极和/或TS的电子电流。
图3是图2的MAMR写头210的面向介质的表面的平面图的某些实施方案的示意图，其中STO设备230沿磁道方向介于主极220与TS 240之间。写头210的主极220可为任何合适的形状(即，梯形、三角形等)和合适的尺寸。STO设备230可形成为任何合适的形状、任何合适的尺寸以及主极220与TS 240之间的任何合适的位置。例如，STO设备230的宽度230W可大于、等于或小于主极220在与STO设备230的界面处的宽度220W。
前端屏蔽件206可定位在主极220的一个或多个侧面上，且其间有前端间隙254。侧面间隙246可定位在STO设备230的侧面上。侧面间隙246可包括绝缘材料。
磁道方向被标记为x坐标，并且交叉磁道方向被标记为x坐标。面向介质的表面的垂直方向将为进入/离开X-Y平面的z坐标。
图4A至图4D是MAMR写头210的STO设备230的各种实施方案的侧剖视图，该STO设备被配置为由于自旋传递转矩而振荡。MAMR写头210可以是图2的MAMR写头或其他合适的MAMR写头。STO设备230定位为靠近主极220并且减小磁盘112或其他磁性存储介质磁性介质的矫顽力，使得可使用更小的写场(HwritingField)来记录数据。从图2的电源270向STO设备230施加的偏置电流(ISTO)产生辅助AC场(HAssistingField)，诸如微波场。辅助AC场通过STO设备230的场生成层(FGL)或自由层450的磁化的振荡来形成。自由层450的手性或旋转方向响应于在主极220的写场方向上的切换而切换。
在某些实施方案中，如图4A所示，STO设备230包括主极220上方或之上的晶种层420、晶种层420上方或之上的自由层450、自由层450上方或之上的间隔层440、间隔层440上方或之上的高阻尼TS热晶种层235、以及高阻尼TS热晶种层235上方或之上的TS 240。从主极220通过STO设备230到TS 240的电子电流引起极化电子从TS 240反射回自由层450。反射的极化电子在自由层450的磁化上产生自旋传递转矩，并引起自由层450的磁化振荡。
在某些实施方案中，如图4B所示，STO设备230包括在主极220上方或之上的间隔层440、在间隔层440上方或之上的自由层450、在自由层450上方或之上的封盖层470、在封盖层470上方或之上的高阻尼TS热晶种层235以及在TS热晶种层235上方的TS 240。从TS 240通过STO设备230到主极220的电子电流引起极化电子从主极220反射回自由层450。反射的极化电子在自由层450的磁化上产生自旋传递转矩，并引起自由层450的磁化振荡。
在某些实施方案中，如图4C所示，STO设备230包括在主极220上方或之上的晶种层420、在晶种层420上方或之上的自旋极化层(SPL)430、在SPL 430上方或之上的间隔层440，在间隔层440上方或之上的自由层450、在自由层450上方或之上的封盖层470、在封盖层470上方或之上的高阻尼TS热晶种层235，以及在高阻尼TS热晶种层235上方或之上的TS240。从主极220通过STO设备230到TS 240的电子电流赋予来自SPL 430的电子的自旋极化。来自SPL 430的极化电子在自由层450的磁化上产生自旋传递转矩并引起自由层450的磁化振荡。TS 240可将极化电子朝向自由层450反射以增加自由层450上的自旋传递转矩。
在某些实施方案中，如图4D所示，STO设备230包括在主极220上方或之上的第一间隔层440A、在第一间隔层440A上方或之上的自由层450、在自由层450上方或之上的第二间隔层440B，在第二间隔层440B上方或之上的自旋极化层(SPL)430、在SPL 430上方或之上的封盖层470、在封盖层470上方或之上的高阻尼TS热晶种层235、以及在高阻尼TS热晶种层235上方或之上的TS 240。从TS 240通过STO设备230到主极220的电子电流赋予来自SPL430的电子的自旋极化。来自SPL 430的极化电子在自由层450的磁化上产生自旋传递转矩并引起自由层450的磁化振荡。主极220可将极化电子朝向自由层450反射以增加自由层450上的旋转传递转矩。
在某些实施方案中，图4A至图4D的STO设备230的自由层450包括一个或多个磁合金层，该一个或多个磁合金层包括Fe、Co、FeCo、NiFe、CoFeAl、CoFeGe、CoMnGe、CoFeSi、CoMnSi和其他磁性材料。例如，在某些实施方案中，自由层450包括具有高磁矩和高自旋极化的铁磁材料，诸如FeCo和FeCo合金。
在某些实施方案中，图4A至图4D的STO设备230的间隔层440包括一种或多种非磁性导电材料，诸如Au、Ag、Cu、AgSn、NiAl、其他非磁性导电材料、它们的合金、或它们的多个层。间隔层440可由具有高自旋传递性的材料制成，用于自由层450上的自旋转矩传递。
在某些实施方案中，图4B或4D的STO设备230的SPL430包括NiFe、CoFe、CoFeNi、CoMnGe、NiCo、NiFeCu、CoFeMnGe、CoMnSi、CoFeSi、其他软或硬铁磁材料、其他赫斯勒合金、其他合适的磁层、或它们的多个层。SPL 430可包括具有磁各向异性的材料，其沿与磁盘112或其他磁记录介质的平面所成的任何大致方向(诸如垂直、成角或纵向)来取向。
在某些实施方案中，图4A或4C的STO设备230的晶种层420包括钌、铜、钽、其他非磁性材料、它们的合金、或它们的多个层。在某些实施方案中，晶种层420复位或提供纹理裂隙以用于SPL 430的生长，其在晶种层420上具有低结构缺陷。SPL 430的低结构缺陷使得SPL430具有更大的磁均匀性，降低SPL 430反向所需的临界电流，并提高SPL 430形成的良率。例如，包括铜上方的钽的晶种层提供在主极220的随机纹理上方形成的纳米晶结构。纳米晶结构提供平滑表面以便在其上方形成具有低结构/晶体缺陷的结构化层或晶体层。在某些实施方案中，晶种层420提供表面以便于结构化层和/或晶体层诸如面心立方(FCC)金属合金、体心立方(BCC)金属合金和有序相合金的良好生长。例如，包括钌的晶种层420具有六方密堆积结构。六方密堆积(HCP)结构提供良好模板表面以便于具有低结构缺陷的FCC层、BCC层或赫斯勒层的生长或与这些层界面接触。在某些实施方案中，晶种层420从主极220移除电子自旋极化。
在某些实施方案中，图4B或4D的STO设备230的封盖层470包括非磁性导电材料、Ru、Ir、Ta、Ti和其他非磁性金属的金属或金属合金的一个或多个层。在STO设备的形成和MAMR写头210的形成期间，诸如在沉积、退火、图案化、清洁等期间，封盖层470可保护STO设备230。
在某些实施方案中，可在TS热晶种层235上方形成凹口结构，或者TS热晶种层235和TS 240可形成基座结构(统称为凹口尾部屏蔽件)。凹口尾部屏蔽件可将极化电子朝向自由层450反射以增加自由层450上的自旋传递转矩，诸如在图4A和图4C的STO设备中。
图4A至图4D的STO设备230的高阻尼TS热晶种层235包括掺杂有一种或多种稀土金属的磁性材料。磁性材料的实施例包括CoFe和CoFe合金。稀土金属包括钬(Ho)、镝(Dy)、铽(Tb)、钐(Sm)、其他稀土金属或它们的组合。高阻尼TS热晶种层235的一个具体示例是CoFeHo。
TS热晶种层中的阻尼受到某些磁性材料与某些掺杂材料共同的影响。在某些实施方案中，TS热晶种层235包括约2％至约10％范围内的稀土金属的原子百分比含量。具有大于10％的稀土金属含量的高阻尼TS热晶种层235可能是不期望的，这是由于该稀土金属含量极度地降低TS热晶种层的磁矩(Bs)从而降低写场梯度，和/或使TS热晶种层在制造期间和/或在操作期间容易发生腐蚀。具有小于2％的稀土金属含量的高阻尼TS热晶种层235可能是不期望的，因为可能无法实现一定的阻尼以减少由自由层450的振荡引起的TS热晶种层的振荡。
在某些实施方案中，TS热晶种层235具有约0.02至约0.2的固有阻尼。磁系统(薄膜、多层叠堆或结构设备)中的固有阻尼是磁系统的物理特性。通过以下方式确定MAMR写头的TS热晶种层中的阻尼：分离TS热晶种层或形成TS热晶种层的类似样品，并利用可从位于瑞典希斯塔(Kista，Sweden)的纳米科学仪器公司(NanOsc Instruments AB)购得的PhaseFMR工具在20℃下进行铁磁共振(FMR)测量来测量分离的TS热晶种层或TS热晶种层的类似样品中的固有阻尼。固有阻尼，也称为Gilbert阻尼，是由Landau-Lifschitz-Gilbert公式确定的无量纲参数。大于0.2的固有阻尼可能是不期望的，因为TS热晶种层的磁矩(B)可能太低并且可能减小写场梯度。小于0.02的固有阻尼可能是不期望的，因为可能无法实现某种阻尼以减少由自由层450的振荡引起的TS热晶种层的振荡。
图5是MAMR写头(诸如图4A至图4D的MAMR写头210)的示意图。主极220通过写线圈218在磁化方向220A上通电，这使得TS热晶种层235在磁化方向235A上。施加到STO设备230的电流使得自由层450的磁化方向450A振荡。自由层450的振荡引起TS热晶种层235的振荡。热晶种层的振荡产生靠近热晶种层的附加AC场。当TS热晶种层包括低阻尼材料时，靠近TS热晶种层的附加AC场可能相对较大，诸如在垂直于面向介质的表面的方向上大于400Oe，这可能无意中导致磁介质中的比特翻转，诸如无意中写入磁介质或无意中擦除磁介质。当TS热晶种层235包括高阻尼材料时，靠近TS热晶种层的附加AC场在垂直方向上减小，诸如减小到400Oe或更小、减小到约200Oe或更小。这减少了磁介质中的比特翻转，诸如减少对磁介质的无意写入和/或无意擦除。
通过使TS热晶种层的振荡的振幅最小化，可减少来自热晶种层的AC场的贡献。用稀土金属掺杂TS热晶种层通过降低TS热晶种层的磁矩(Ms)并通过在TS热晶种层中提供高阻尼来降低TS热晶种层的振荡的振幅。
在某些实施方案中，微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在主极与尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部屏蔽件之间。尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的稀土元素。在某些实施方案中，尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。
实施例
图6是沿着从主极区域(-40)开始到TS热晶种区域(+40)的下行磁道位置具有没有高阻尼的TS热晶种层的STO设备的AC场的振幅曲线图。AC场的振幅通过向下磁道场(hd)、交叉磁道场(hc)和面向介质的表面的垂直场(hp)中的磁场强度来测量。测量在20GHz的频率下进行。没有高阻尼的TS热晶种包括具有0.01的固有阻尼(αint)的CoFe。STO设备具有AC场，在TS热晶种区域中具有约500Oe的垂直分量。
图7是沿着从主极区域(-40)开始到TS热晶种区域(+40)的下行磁道位置具有有高阻尼的TS热晶种层的STO设备的AC场的振幅曲线图。AC场的振幅通过向下磁道场(hd)、交叉磁道场(hc)和面向介质的表面的垂直场(hp)中的磁场强度来测量。测量在20GHz的频率下进行。具有高阻尼的TS热晶种包括具有0.10的固有阻尼(αint)的CoFeHo。STO设备具有AC场，在TS热晶种区域中具有约375Oe的垂直分量。
虽然前述内容针对本公开的实施方案，但是可以在不脱离本公开的基本范围的情况下设想本公开的其他和另外的实施方案，并且本公开的范围由所附权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种微波辅助磁记录(MAMR)写头，包括：
主极和尾部屏蔽件；
自旋转矩振荡器设备，所述自旋转矩振荡器设备设置在所述主极和所述尾部屏蔽件之间，所述自旋转矩振荡器设备包括自由层；和
尾部屏蔽件热晶种层，所述尾部屏蔽件热晶种层设置在所述自旋转矩振荡器设备与所述尾部屏蔽件之间，所述尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料。
2.根据权利要求1所述的MAMR写头，其中所述稀土元素选自钬(Ho)、镝(Dy)、铽(Tb)以及钐(Sm)。
3.根据权利要求1所述的MAMR写头，其中所述稀土元素是钬。
4.根据权利要求1所述的MAMR写头，其中所述磁性材料包括CoFe或CoFe合金。
5.根据权利要求1所述的MAMR写头，其中所述尾部热晶种层被配置为在与所述尾部热晶种层的面向介质的表面垂直的方向上产生约400Oe或更小的AC场。
6.一种磁介质驱动器，包括根据权利要求1所述的MAMR写头。
7.一种微波辅助磁记录(MAMR)写头，包括：
主极和尾部屏蔽件；
自旋转矩振荡器设备，所述自旋转矩振荡器设备设置在所述主极和所述尾部屏蔽件之间，所述自旋转矩振荡器设备包括自由层；知
尾部屏蔽件热晶种层，所述尾部屏蔽件热晶种层设置在所述自旋转矩振荡器设备与所述尾部屏蔽件之间，所述尾部屏蔽件热晶种层包括掺杂有稀土元素的磁性材料，所述尾部屏蔽件热晶种层包括原子百分比含量为约2％至约10％原子百分比的所述稀土元素。
8.根据权利要求7所述的MAMR写头，其中所述稀土元素是钬。
9.根据权利要求7所述的MAMR写头，其中所述磁性材料包括CoFe或CoFe合金。
10.根据权利要求7所述的MAMR写头，其中所述尾部热晶种层被配置为在与所述尾部热晶种层的面向介质的表面垂直的方向上产生约400Oe或更小的AC场。
11.根据权利要求7所述的MAMR写头，其中所述尾部热晶种层被配置为在与所述尾部热晶种层的面向介质的表面垂直的方向上产生约200Oe或更小的AC场。
12.根据权利要求7所述的MAMR写头，其中所述自旋转矩振荡器设备被配置成由于来自指向所述自由层的极化电子的自旋传递转矩而使所述自由层的磁化方向振荡。
13.根据权利要求7所述的MAMR写头，其中所述自旋转矩振荡器设备还包括自旋极化层，所述自旋极化层被配置成将极化电子朝向所述自由层引导，以由于自旋传递转矩而振荡所述自由层的磁化方向。
14.一种磁介质驱动器，包括根据权利要求7所述的MAMR写头。
15.一种微波辅助磁记录(MAMR)写头，包括：
主极和尾部屏蔽件；
自旋转矩振荡器设备，所述自旋转矩振荡器设备设置在所述主极和所述尾部屏蔽件之间，所述自旋转矩振荡器设备包括自由层；和
高阻尼尾部屏蔽件热晶种层，所述高阻尼尾部屏蔽件热晶种层设置在所述自旋转矩振荡器设备与所述尾部屏蔽件之间，所述尾部屏蔽件热晶种层具有约0.02至约0.2的固有阻尼。
16.根据权利要求15所述的MAMR写头，其中所述尾部热晶种层被配置为在与所述尾部热晶种层的面向介质的表面垂直的方向上产生约400Oe或更小的AC场。
17.根据权利要求15所述的MAMR写头，其中所述尾部热晶种层被配置为在与所述尾部热晶种层的面向介质的表面垂直的方向上产生约200Oe或更小的AC场。
18.根据权利要求15所述的MAMR写头，其中所述自旋转矩振荡器设备被配置成由于来自指向所述自由层的极化电子的自旋传递转矩而使所述自由层的磁化方向振荡。
19.根据权利要求15所述的MAMR写头，其中所述自旋转矩振荡器设备还包括自旋极化层，所述自旋极化层被配置成将极化电子朝向所述自由层引导，以由于自旋传递转矩而振荡所述自由层的磁化方向。
20.一种磁介质驱动器，包括根据权利要求15所述的MAMR写头。
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