CN113327749A - 一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感 - Google Patents
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Abstract
本发明属于无源集成器件技术领域，具体提供一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，应用于开关电源中，以解决开关电源无法同时保持低纹波电流与良好的瞬态响应性能力的问题，且不需要引入额外的元器件或控制电路。本发明中，各向异性磁芯膜采用[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层/下铁磁层/上缓冲层/上铁磁层/上反铁磁层]n多层膜结构，利用磁芯膜层间反平行的交换偏置场作用，使磁芯膜在低场时磁导率较低、高场时磁导率较高；因此，当电感的直流偏置较高时，电感具备较大感值，从而降低了纹波电流；而当电源处于开启(关断)状态时，此时电感上的电流值较小，感值较低，提升了瞬态响应能力。
Description
技术领域
本发明属于无源集成器件技术领域，具体涉及一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感。
背景技术
由于中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)的架构不断向多核心发展，芯片的功耗密度不断增加；为了降低芯片功耗，必须使用具备动态电压频率调节(DVFS)能力的片上电源系统，给芯片提供快速响应且精准的供电；然而，在开关电源中，滤波电感过小会导致纹波电流增加，降低输出电压的精准度，电感过大则会导致电源瞬态响应能力降低。
针对上述开关电源在提升电源瞬态响应能力的同时需要降低纹波电流的问题，目前已有三种解决方案：其一，采用多相供电的方式，利用相与相之间的电感形成负耦合，并采用相位调制，可同时获得较高的纹波等效电感与较小的瞬态等效电感；然而，随着相数增加，控制电路也更加复杂，如文献“F.C.Lee,“Voltage Regulator Module for FutureGeneration ofProcessors,”Tutorial Notes,Sixteenth VPEC PowerelectronicsSeminar,Virginia Tech.,1-115,September 1998”、“M.T,Zhang,M.M.Jovanovic and F.C.Y.Lee,“Analysis and Evaluati on of InterleavingTechniques in Forward Converters,”IEEE Trans.Power Electron.,Vol.13,No.4,pp.690-8,1998”。其二，采用线性和非线性控制相结合的方法(LnLc)，在负载稳定(稳态期间)时采用线性反馈控制；在负载瞬态(转换期间)时采用非线性控制，从而提高了变换器的响应速度并获得稳定的输出。在LnLc控制中，非线性控制与线性控制部分是相互独立的，当电压处于较高电压阈值与较低电压阈值之间时，非线性控制重新调节电压而不会影响其稳定状态。LnLc在动态响应和稳定性方面做到了较好的调节，如文献“Yao K.Controlbandwidth and transient response of buck converters[C]//2002IEEE 33rd AnnualIEEE Power Electronics Specialists Conference.Proceedings(Cat.No.02CH37289).IEEE,2002”。其三，利用辅助电路补偿技术(ACCT)，在稳态时采用电感串联的方式增加等效电感值，获得稳定的输出，在瞬态时切换为电感并联的方式减小等效电感值，提升瞬态响应能力，如文献“Poon N K,Li C P,Pong M H.A low cost DC-DC stepping inductancevoltage regulatorwith fast transient loading response[C]//IEEE Applied PowerElectronics Conference&Exposition.IEEE,2001”。
基于此，本发明同样针对上述开关电源在提升电源瞬态响应能力的同时需要降低纹波电流的问题，提供一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感。
发明内容
本发明的目的在于针对背景技术中开关电源存在的无法同时保持低纹波电流、良好的瞬态响应性能力的问题，提供一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，使电感在低电流下具备较小的感值、而在大电流时具备较大感值；基于本发明提出的片上磁芯功率电感，能够有效改善电源的瞬态响应能力、并同时降低纹波电流，提升电源稳定性。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，包括：各向异性磁芯膜、以及绕制在磁芯膜上的铜绕组，所述磁芯膜的难轴沿绕组方向、易轴方向垂直于绕组方向；其特征在于，所述磁芯膜采用[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]n多层膜结构，n表示周期数、n＝8～40；每个[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]周期中，下反铁磁层/下铁磁层、上铁磁层/上反铁磁层的双层结构之间分别产生交换偏置场，且两个交换偏置场方向相反；由于两个交换偏置场方向相反，使得上铁磁层/上反铁磁层的磁滞回线向左偏离，下反铁磁层/下铁磁层的磁滞回线向右偏离。
进一步的，绝缘层采用SiO2或Al2O3薄膜，所述缓冲层采用Ta或Cu薄膜，所述反铁磁层(AF)采用FeMn或Mn3Ir薄膜，所述铁磁层(FM)采用NiFe、CoZrTa薄膜或其他软磁薄膜。
更进一步的，所述感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的制备方法，包括以下步骤：
步骤1.采用磁控溅射法依次制备绝缘层、下缓冲层、下反铁磁层、下铁磁层、上缓冲层、上铁磁层、上反铁磁层；
步骤2.重复步骤1形成[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]n多层膜结构，并在多层膜结构上制备绕组；
步骤3.将器件置于交流磁场中进行从起始温度到室温的退火处理，使下反铁磁层/下铁磁层、上铁磁层/上反铁磁层的双层结构之间分别产生交换偏置场、且两个交换偏置场方向呈反平行，则得到片上功率电感的磁芯；所述起始温度高于反铁磁层的奈尔温度。
更进一步的，所述步骤1中，射频磁控溅射法制备SiO2绝缘层的参数为：溅射功率为100～200W、溅射气压为0.1～0.7Pa、控制沉积时间使SiO2膜的厚度为5～20nm；直流磁控溅射法制备Cu缓冲层的参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.02～0.5Pa、溅射偏压为30～70V，控制沉积时间使Cu层的厚度为3～8nm；直流磁控溅射法制备NiFe铁磁层的参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.015～0.5Pa，控制沉积时间使NiFe膜的厚度为30～100nm；直流磁控溅射法制备FeMn反铁磁层的参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.015～0.5Pa，控制沉积时间使FeMn膜的厚度为15～60nm。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供的感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，其中，各向异性磁芯膜采用[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]n多层膜，利用磁芯膜层间反平行交换偏置作用，使磁芯膜在低场时磁导率较低、高场时磁导率较高；因此，当电感的直流偏置较高时，即电源稳态时，电感具备较大感值，从而降低了纹波电流；而当电源处于开启(关断)状态时，电感的直流偏置处于上升(下降)期间，此时电感上的电流值较小，感值较低，提升了瞬态响应能力。
综上，本发明较好的解决了在开关电源中无法同时保持低纹波电流、良好的瞬态响应性能力的问题，且不需要引入额外的元器件或控制电路。
附图说明
图1为本发明提供的感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的结构示意图。
图2为本发明提供的感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感中，双交换偏置场磁芯结构示意图。
图3为本发明实施例中感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感中磁芯膜理想磁滞回线图。
图4为本发明实施例中感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感中磁芯膜磁化曲线示意图。
图5为本发明实施例中基于感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的buck型开关电源的原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
本发明提供的一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，有益于解决在开关电源中无法同时保持低纹波电流与良好的瞬态响应性能力的问题；其特征在于，所述片上磁芯功率电感的磁芯膜在低场时磁导率较低，高场时磁导率较高，其实施方案实施例所示。
更为具体讲，本发明提供的感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的结构如图1所示，该具有可变感值的片上磁芯功率电感是通过MEMS工艺在硅片上制备得到，具体包括：各向异性磁芯膜与绕组，各向异性磁芯膜的难轴沿绕组方向、磁导率由材料决定，易轴方向垂直于绕组方向、磁导率为1；各向异性磁芯膜的长度Lm在575到770μm之间，随线圈的变化而变化；各向异性磁芯膜的宽度Wm在445到600μm之间，各向异性磁芯膜宽度与电感感值成正比；各向异性磁芯膜的可近似看作平面矩形。绕组均绕制在各向异性磁芯膜上，绕组采用的材料为金属铜，厚度Tc为10μm到50μm之间，在相同的匝数下，线圈厚度的调节可以调控电感的直流电阻，通绕组厚度越大电感直流电阻越低；宽度wc在25μm到40μm之间，线圈间距g为15μm，线圈宽度调节电感的感值与品质因数；在电感外围的金属线圈为电感的共地端。
上述感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的双交换偏置场磁芯结构示意图如图2所示，该磁芯膜每个周期由两组位于非磁性绝缘层和缓冲层两侧的铁磁/反铁磁双层薄膜组成，且交换偏置场方向相反(图中箭头方向为交换偏置场方向)。由于交换偏置场的作用，使得该结构的两磁性层的磁滞回线出现偏移，产生存在偏离零场的两个单独的磁滞回线，向左偏离的磁滞回线为顶层铁磁/反铁磁层，而向右偏离的磁滞回线为底层铁磁/反铁磁层，且偏离量由交换偏置场大小决定。
实施例
本实施例提供的一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，通过MEMS工艺在硅片上制备得到；所述绕组采用金属铜材料，厚度Tc为12μm、宽度wc为25μm，线圈间隙g为15μm；各向异性磁芯膜的宽度Wm＝445μm，长度Lm＝575μm；所述磁芯膜采用[绝缘层/缓冲层/反铁磁层(AF)/铁磁层(FM)/缓冲层/铁磁层(FM)/反铁磁层(AF)]n多层膜结构；绝缘层为SiO2薄膜，采用直流磁控溅射法制备：溅射功率为100～200W、溅射气压为0.2～0.7Pa、控制沉积时间使SiO2膜的厚度为4～10nm；缓冲层为Cu金属薄膜，采用直流磁控溅射法制备：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.02～0.5Pa、溅射偏压为30～70V，控制沉积时间使Cu层的厚度为3～8nm；磁芯膜AF层为FeMn薄膜，采用直流磁控溅射法制备，制备参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.015～0.5Pa，控制沉积时间使FeMn膜的厚度为15～60nm；磁芯膜FM层为NiFe薄膜，采用直流磁控溅射法制备，制备参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.015～0.5Pa，控制沉积时间使NiFe膜的厚度为30～100nm；然后，将器件置于原位磁场下，从高于反铁磁材料奈尔温度冷却到室温作退火处理，诱导铁磁/反铁磁双层薄膜出现交换偏置场。
从工作原理上讲，由于两反铁磁层的钉扎作用，两铁磁层产生反向交换耦合作用，理想磁滞回线也如图3所示，向左偏离的磁滞回线为上层铁磁/反铁磁层，而向右偏离的磁滞回线为下层铁磁/反铁磁层，且零点偏移量由两交换偏置场的大小决定。
基于此，当本实施例感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感应用于降压型开关电源中时，其的工作原理如下：
如图4所示为本实施例[绝缘层/下层缓冲层/下层反铁磁层(AF)/下层铁磁层(FM)/上层缓冲层/上层铁磁层(FM)/上层反铁磁层(AF)]n多层膜结构磁芯膜的磁化曲线；如图5所示为降压型开关电源的电路拓扑结构图，包括：输入直流恒压电源Vin、开关M1～M2、输出电容C、负载电阻R、以及本实施例中基于具有偏离零场磁滞回线磁芯膜的片上磁芯功率电感L，电感L的信号端与开关相连、共地端与输出电容以及负载电阻连接，M1～M2可控制电感L的开启和关断。当负载变化瞬间，输出电压在负载电流阶跃增加时会突然下降(由输出电容的寄生电阻导致)，电感L的直流偏置处于上升期间，此时电感L上的电流值较小，对应磁芯的磁导率处于如图4所示的轻载区，而电感L的感值正比于磁导率，因此此时电感表现出较低的感值L1；一旦输出电感电流达到输出负载电流水平，输出电压开始上升，当输出电感电流高于负载电流时，电感的直流偏置处于下降期间，此时电感L上的电流值较大，对应磁芯的磁导率处于如图4所示的重载区，电感的感值表现出较大感值L2，电压上升到一定水平；当输出电压低于一定值时，电感再次表现为小感值L1，这些状态将一直重复，直到电感电流IL2达到与负载电流相等的水平，即IL2＝Io。简而言之，在开关电源中引入感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感能同时保持低纹波电流、良好的瞬态响应性能力，且不需要引入额外的元器件或控制电路。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，本说明书中所公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换；所公开的所有特征、或所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以任何方式组合。
Claims (4)
1.一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，包括：各向异性磁芯膜、以及绕制在磁芯膜上的铜绕组，所述磁芯膜的难轴沿绕组方向、易轴方向垂直于绕组方向；其特征在于，所述磁芯膜采用[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]n多层膜结构，n表示周期数、n＝8～40；每个[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]周期中，下反铁磁层/下铁磁层、上铁磁层/上反铁磁层的双层结构之间分别产生交换偏置场，且两个交换偏置场方向相反。
2.按权利要求1所述感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，其特征在于，所述绝缘层采用SiO2或Al2O3薄膜，所述缓冲层采用Ta或Cu薄膜，所述反铁磁层(AF)采用FeMn或Mn3Ir薄膜，所述铁磁层(FM)采用NiFe、CoZrTa薄膜或其他软磁薄膜。
3.按权利要求1所述感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1.采用磁控溅射法依次制备绝缘层、下缓冲层、下反铁磁层、下铁磁层、上缓冲层、上铁磁层、上反铁磁层；
步骤2.重复步骤1形成[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层(AF)/下铁磁层(FM)/上缓冲层/上铁磁层(FM)/上反铁磁层(AF)]n多层膜结构，并在多层膜结构上制备绕组；
步骤3.将器件置于交流磁场中进行从起始温度到室温的退火处理，使下反铁磁层/下铁磁层、上铁磁层/上反铁磁层的双层结构之间分别产生交换偏置场、且两个交换偏置场方向呈反平行，则得到片上功率电感的磁芯；所述起始温度高于反铁磁层的奈尔温度。
4.按权利要求3所述感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，射频磁控溅射法制备SiO2绝缘层的参数为：溅射功率为100～200W、溅射气压为0.1～0.7Pa、控制沉积时间使SiO2膜的厚度为5～20nm；直流磁控溅射法制备Cu缓冲层的参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.02～0.5Pa、溅射偏压为30～70V，控制沉积时间使Cu层的厚度为3～8nm；直流磁控溅射法制备NiFe铁磁层的参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.015～0.5Pa，控制沉积时间使NiFe膜的厚度为30～100nm；直流磁控溅射法制备FeMn反铁磁层的参数为：溅射功率为25～60W、溅射气压为0.015～0.5Pa，控制沉积时间使FeMn膜的厚度为15～60nm。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116646146A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-08-25 | 上海韬润半导体有限公司 | 一种闭合磁芯片上电感结构及其制备方法、开关电源 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1213867A (zh) * | 1997-05-09 | 1999-04-14 | 株式会社东芝 | 磁性元件和使用这种磁性元件的磁头和磁存储器 |
| CN1453803A (zh) * | 2002-04-22 | 2003-11-05 | 夏普株式会社 | 固态电感器及其制作方法 |
| CN101471420A (zh) * | 2008-07-30 | 2009-07-01 | 电子科技大学 | 一种双交换偏置场型自旋阀 |
| CN102832336A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-12-19 | 淮阴工学院 | 激光退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法 |
| CN104313728A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-01-28 | 南京大学（苏州）高新技术研究院 | 一种交换偏置的镍基铁磁/反铁磁复合纳米纤维及其制备方法 |
| US20150102254A1 (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-16 | Tdk Corporation | Ferrite composition and electronic component |
| CN104900799A (zh) * | 2014-03-04 | 2015-09-09 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法 |
| CN105742006A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 适用于片上螺线管电感的闭合磁路磁芯膜及其制备方法 |
| CN109166690A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-08 | 电子科技大学 | 一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻 |
| CN110444364A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-12 | 电子科技大学 | 一种叠层磁性薄膜及其制备方法 |
| CN110571025A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-12-13 | 西安理工大学 | 一种基于tsv垂直开关的可调磁芯tsv电感器 |
-
2021
- 2021-05-07 CN CN202110495650.8A patent/CN113327749A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1213867A (zh) * | 1997-05-09 | 1999-04-14 | 株式会社东芝 | 磁性元件和使用这种磁性元件的磁头和磁存储器 |
| CN1453803A (zh) * | 2002-04-22 | 2003-11-05 | 夏普株式会社 | 固态电感器及其制作方法 |
| CN101471420A (zh) * | 2008-07-30 | 2009-07-01 | 电子科技大学 | 一种双交换偏置场型自旋阀 |
| CN102832336A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-12-19 | 淮阴工学院 | 激光退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法 |
| US20150102254A1 (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-16 | Tdk Corporation | Ferrite composition and electronic component |
| CN104900799A (zh) * | 2014-03-04 | 2015-09-09 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法 |
| CN104313728A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-01-28 | 南京大学（苏州）高新技术研究院 | 一种交换偏置的镍基铁磁/反铁磁复合纳米纤维及其制备方法 |
| CN105742006A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-06 | 电子科技大学 | 适用于片上螺线管电感的闭合磁路磁芯膜及其制备方法 |
| CN109166690A (zh) * | 2018-08-27 | 2019-01-08 | 电子科技大学 | 一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻 |
| CN110571025A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-12-13 | 西安理工大学 | 一种基于tsv垂直开关的可调磁芯tsv电感器 |
| CN110444364A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-11-12 | 电子科技大学 | 一种叠层磁性薄膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张端明: "《物理发现启思录 下》", 28 February 2018, 武汉：华中科技大学出版社 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116646146A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-08-25 | 上海韬润半导体有限公司 | 一种闭合磁芯片上电感结构及其制备方法、开关电源 |
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