CN113286397B - 实现led亮度的智能电路结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种实现LED亮度的智能电路结构,包括第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构,所述的电路结构还包括第一LED灯、第二LED灯、第一二极管和第七电阻,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均包括两个PMOS管,分别与第一LED灯和第二LED灯相连,所述的第一电路结构的两个PMOS管通过七电阻接地,且与第一二极管的负极相连,所述的第一二极管的正极与第二电路结构和第三电路结构的PMOS管相连。采用了本发明的实现LED亮度的智能电路结构,具有有效性、成本最优性和市场的无限性,可以针对客户以往的产品,在不改变芯片方案的情况下,按照客户或者市场的需求灵活变化客户端的LED灯亮度特色。从而来解决芯片的缺陷,增加客户的体验度。
Description
技术领域
本发明涉及通信产品领域,尤其涉及通讯、AP或无线网关产品领域,具体是指一种实现LED亮度的智能电路结构。
背景技术
聚焦通信产品,产品的功能要求越来越多,形态也千变万化。有的产品在设计之初就选择了较为富裕的芯片方案,有的产品由于市场和价格的限制导致产品在设计之初往往没有匹配好后续的产品升级换代功能。从而有可能导致部分产品无法跟上市场,或者由于某些特殊的要求降低了终端客户的使用体验。本专利旨在通过内部开发,来升级产品形态,增加客户体验满意度为宗旨,而设计的一款LED亮度的智能控制电路。
发明内容
本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点,提供了一种满足有效性高、成本低、客户满意度高的实现LED亮度的智能电路结构。
为了实现上述目的,本发明的实现LED亮度的智能电路结构如下:
该实现LED亮度的智能电路结构,其主要特点是,所述的电路结构包括第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构,所述的电路结构还包括第一LED灯、第二LED灯、第一二极管和第七电阻,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均包括两个PMOS管,分别与第一LED灯和第二LED灯相连,所述的第一电路结构的两个PMOS管通过七电阻接地,且与第一二极管的负极相连,所述的第一二极管的正极与第二电路结构和第三电路结构的PMOS管相连,PMOS管用于作为开关管,实现电路的导通和关断,电路结构的多个电阻根据PMOS的开关与导通实现不同阻值的搭配,根据电阻的阻值大小来实现LED灯亮度的不同控制模式。
较佳地,所述的第一电路结构包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻和第二电阻,所述的第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第一PMOS管的源极与第一电阻相连,所述的第一电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第二PMOS管的源极与第二电阻相连,所述的第二电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的负极相连。
较佳地,所述的第二电路结构包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三电阻和第四电阻,所述的第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第三PMOS管的源极与第三电阻相连,所述的第三电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第四PMOS管的源极与第四电阻相连,所述的第四电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的正极相连。
较佳地,所述的第三电路结构包括第五PMOS管、第六PMOS管、第五电阻和第六电阻,所述的第五PMOS管的漏极和第六PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第五PMOS管的源极与第五电阻相连,所述的第五电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第六PMOS管的源极与第六电阻相连,所述的第六电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第五PMOS管的栅极和第六PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的正极相连。
较佳地,所述的电路结构还包括第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口,所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口与第一二极管的正极相连。
较佳地,所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口均为低电平时,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构全部工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口为低电平且第二MOS管开关GPIO控制口为高电平时,第二电路结构工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口为高电平且第二MOS管开关GPIO控制口为低电平时,第三电路结构工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口均为高电平时,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均不工作。
较佳地,所述的第一电阻和第二电阻为150欧姆。
较佳地,所述的第三电阻和第四电阻为604欧姆。
较佳地,所述的第五电阻和第六电阻为2000欧姆。
采用了本发明的实现LED亮度的智能电路结构,具有有效性、成本最优性和市场的无限性,可以针对客户以往的产品,在不改变芯片方案的情况下,按照客户或者市场的需求灵活变化客户端的LED灯亮度特色。从而来解决芯片的缺陷,满足客户的需求,增加客户的体验度。
附图说明
图1为本发明的实现LED亮度的智能电路结构的电路图。
图2为本发明的实现LED亮度的智能电路结构的表格示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本发明的技术内容,下面结合具体实施例来进行进一步的描述。
本发明的该实现LED亮度的智能电路结构,其中包括第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构,所述的电路结构还包括第一LED灯、第二LED灯、第一二极管和第七电阻,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均包括两个PMOS管,分别与第一LED灯和第二LED灯相连,所述的第一电路结构的两个PMOS管通过七电阻接地,且与第一二极管的负极相连,所述的第一二极管的正极与第二电路结构和第三电路结构的PMOS管相连,PMOS管用于作为开关管,实现电路的导通和关断,电路结构的多个电阻根据PMOS的开关与导通实现不同阻值的搭配,根据电阻的阻值大小来实现LED灯亮度的不同控制模式。
作为本发明的优选实施方式,所述的第一电路结构包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻和第二电阻,所述的第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第一PMOS管的源极与第一电阻相连,所述的第一电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第二PMOS管的源极与第二电阻相连,所述的第二电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的负极相连。
作为本发明的优选实施方式,所述的第二电路结构包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三电阻和第四电阻,所述的第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第三PMOS管的源极与第三电阻相连,所述的第三电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第四PMOS管的源极与第四电阻相连,所述的第四电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的正极相连。
作为本发明的优选实施方式,所述的第三电路结构包括第五PMOS管、第六PMOS管、第五电阻和第六电阻,所述的第五PMOS管的漏极和第六PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第五PMOS管的源极与第五电阻相连,所述的第五电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第六PMOS管的源极与第六电阻相连,所述的第六电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第五PMOS管的栅极和第六PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的正极相连。
作为本发明的优选实施方式,所述的电路结构还包括第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口,所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口与第一二极管的正极相连。
作为本发明的优选实施方式,所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口均为低电平时,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构全部工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口为低电平且第二MOS管开关GPIO控制口为高电平时,第二电路结构工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口为高电平且第二MOS管开关GPIO控制口为低电平时,第三电路结构工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口均为高电平时,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均不工作。
作为本发明的优选实施方式,所述的第一电阻和第二电阻为150欧姆。
作为本发明的优选实施方式,所述的第三电阻和第四电阻为604欧姆。
作为本发明的优选实施方式,所述的第五电阻和第六电阻为2000欧姆。
本发明的具体实施方式中,由图一和图二可知,电路结构主要包含三部分,分别是第一电路结构A、第二电路结构B和第三电路结构C,每个部分分别有两个PMOS管和两个电阻组成,PMOS在本专利中主要是起到开关管的作用,利用PMOS管的原理来实现电路的导通和关断。而电阻部分,则是根据PMOS的开关与导通来实现不同阻值的搭配,从而在整个电路中可以实现不同阻值的搭配,根据路径中电阻的阻值大小来实现LED灯亮度的不同控制模式。
第一电路结构A部分,分别有PMOS管Q1、Q2和电阻R1、R2组成,电阻R1、R2的阻值是150欧姆。
第二电路结构B部分,分别有PMOS管Q3、Q4和电阻R3、R4组成,电阻R3、R4的阻值是604欧姆。
第三电路结构C部分,分别有PMOS管Q5、Q6和电阻R5、R6组成,电阻R5、R6的阻值是2K欧姆。
硬件配置部分,分别有第一二极管D1、第七电阻和两个灯LED1和LED2。
其他:预留两个MOS管开关GPIO控制口,分别是LED_DIM_CTL_1和LED_DIM_CTL_2。当然LED_DIM_CTL_1和LED_DIM_CTL_2也可以根据客户的需求,灵活选择两个对地开关按键。
原理说明:通过两个GPIO控制端口来控制开关管D1的导通或者关断,从而实现A、B和C模块的功能匹配控制和组合。
如图二表说明,当控制开关管的两个GPIO LED_DIM_CTL_1和LED_DIM_CTL_2都是低电平时,此时A、B和C三个模块全部工作,PMOS全部开启,此时加在LED灯路径上的电阻阻值相当于A//B//C三个模块的阻值并联,根据并联电路的工作原理,此时的路径电阻阻值最小,定义此时的LED灯为100%亮度。
LED_DIM_CTL_1控制信号为低电平,LED_DIM_CTL_2为高时,原理图中只有B模块工作,此时LED路径的电阻阻值为604欧姆。我们定义为中等亮度mid light。
LED_DIM_CTL_2控制信号为低电平,LED_DIM_CTL_1为高时,原理图中只有C模块工作,此时LED路径的电阻阻值为2K欧姆,我们认为此时的LED灯亮度最暗为low light。
GPIO LED_DIM_CTL_1和LED_DIM_CTL_2都为高电平1时,A、B和C模块都不工作,MOS管全部关断,LED没有点亮。
从上述的技术背景和专利的实现性看,本专利主要是针对某些客户的特殊功能定义。本专利不等同与所有亮度都通过软件控制来实现的特性,通过软件来实现的电路往往对GPIO的驱动能力有要求,而这部分的GPIO数量在很多芯片中都是有限的。本专利旨在解决那些不能仅仅通过软件配置来实现或者软件配置的GPIO数量不够的情况下。通过本专利的使用可以解决对LED亮度变化的需求。当然客户可以根据LED灯的数量,来灵活选择A,B,C模块的数量,也可以根据LED灯的亮度,来灵活选择A,B,C内部电阻的阻值。
采用了本发明的实现LED亮度的智能电路结构,具有有效性、成本最优性和市场的无限性,可以针对客户以往的产品,在不改变芯片方案的情况下,按照客户或者市场的需求灵活变化客户端的LED灯亮度特色。从而来解决芯片的缺陷,满足客户的需求,增加客户的体验度。
在此说明书中,本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
Claims (7)
1.一种实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构,所述的电路结构还包括第一LED灯、第二LED灯、第一二极管和第七电阻,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均包括两个PMOS管,分别与第一LED灯和第二LED灯相连,所述的第一电路结构的两个PMOS管通过七电阻接地,且与第一二极管的负极相连,所述的第一二极管的正极与第二电路结构和第三电路结构的PMOS管相连,PMOS管用于作为开关管,实现电路的导通和关断,电路结构的多个电阻根据PMOS的开关与导通实现不同阻值的搭配,根据电阻的阻值大小来实现LED灯亮度的不同控制模式;
所述的电路结构还包括第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口,所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口与第一二极管的正极相连;
所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口均为低电平时,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构全部工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口为低电平且第二MOS管开关GPIO控制口为高电平时,第二电路结构工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口为高电平且第二MOS管开关GPIO控制口为低电平时,第三电路结构工作;所述的第一MOS管开关GPIO控制口和第二MOS管开关GPIO控制口均为高电平时,所述的第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构均不工作。
2.根据权利要求1所述的实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的第一电路结构包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻和第二电阻,所述的第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第一PMOS管的源极与第一电阻相连,所述的第一电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第二PMOS管的源极与第二电阻相连,所述的第二电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的负极相连。
3.根据权利要求1所述的实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的第二电路结构包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三电阻和第四电阻,所述的第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第三PMOS管的源极与第三电阻相连,所述的第三电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第四PMOS管的源极与第四电阻相连,所述的第四电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的正极相连。
4.根据权利要求1所述的实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的第三电路结构包括第五PMOS管、第六PMOS管、第五电阻和第六电阻,所述的第五PMOS管的漏极和第六PMOS管的漏极均与电源相连,所述的第五PMOS管的源极与第五电阻相连,所述的第五电阻的另一端与第二LED灯相连,所述的第六PMOS管的源极与第六电阻相连,所述的第六电阻的另一端与第一LED灯相连,所述的第五PMOS管的栅极和第六PMOS管的栅极相连,且与第一二极管的正极相连。
5.根据权利要求2所述的实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的第一电阻和第二电阻为150欧姆。
6.根据权利要求3所述的实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的第三电阻和第四电阻为604欧姆。
7.根据权利要求4所述的实现LED亮度的智能电路结构,其特征在于,所述的第五电阻和第六电阻为2000欧姆。
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