CN113283085B - 选通器开关的仿真方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种选通器开关的仿真方法，包括通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。本发明还提供了一种选通器开关的系统。

Description

选通器开关的仿真方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种选通器开关的仿真方法及系统。
背景技术
新型非易失阻变存储器以其低功耗、结构简单可高密度集成等优点被认为是下一代存储器件的理想选择之一。实现阻变存储器阵列集成面临的最大障碍是通过未选择单元的潜行电流在读取操作期间造成的串扰问题。通过串联一个具有较高非线性的选通器可以大大抑制了阻变存储器单元的泄漏电流，并降低了整个阵列的潜行电流。选通器主要由下电极、阻变层和上电极三部分，属于一种易失存储器。器件的初始状态是高阻态，当施加的扫描电压值达到阈值电压(器件开启电压)的时候，器件由高阻态转变为低阻态，当施加的扫描电压值在回扫过程中小于保持电压(器件关断电压)时，器件重新回到高阻态。
目前，根据开关机理选通器主要被分为肖特基二极管、隧道势垒选择器、离子-电子混合导电和阈值开关型等几种类型。其中，基于阈值开关型的选通器由于结构简单、电性能优异、易于集成等优势备受关注。然而目前对于选通器开关机理的理解存在着一定的争议，鉴于现有观察表征手段的限制，需要一种仿真方法来准确的对选通器开关过程离子的传输和分布进行模拟和演示。
因此，有必要提供一种新型的选通器开关的仿真方法及系统以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种选通器开关的仿真方法及系统，以保证选通器开关仿真的准确性。
为实现上述目的，本发明的所述选通器开关的仿真方法，包括以下步骤：
S1：通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型；
S2：根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率；
S3：根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散。
所述选通器开关的仿真方法的有益效果在于：根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察卤素钙钛矿选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。
优选地，所述通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型包括通过动力学蒙特卡罗模拟方法采用划分格点的方式建立选通器开关的二维模型。其有益效果在于：便于构建选通器开关的二维模型。
进一步优选地，所述二维模型包括依次设置的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极为掺铟的氧化锡薄膜，所述阻变层为卤素钙钛矿，所述顶电极为银。
优选地，所述步骤S2还包括初始化步骤，所述二维模型的参数包括氧化势垒、还原势垒、迁移势垒和扩散势垒，对所述二维模型进行初始化操作，以对所述氧化势垒、所述还原势垒、所述迁移势垒和所述扩散势垒进行赋值。其有益效果在于：便于后续原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率的计算。
进一步优选地，所述步骤S2还包括横坐标方向电场强度计算步骤，所述二维模型的参数还包括横坐标方向格点划分的尺度以及横坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值，根据所述横坐标方向格点划分的尺度以及所述横坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值通过迭代的计算方式计算所述目标格点在横坐标方向上的电场强度。
进一步优选地，所述步骤S2还包括纵坐标方向电场强度计算步骤，所述二维模型的参数还包括纵坐标方向格点划分的尺度以及纵坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值，根据所述纵坐标方向格点划分的尺度以及所述纵坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值通过迭代的计算方式计算所述目标格点在纵坐标方向上的电场强度。
进一步优选地，所述步骤S2还包括热量计算步骤，所述二维模型的参数还包括目标格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点横坐标方向上的电导值、纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电导值，根据所述目标格点的电压值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点横坐标方向上的电导值、所述纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及所述纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电导值计算所述目标格点的热量。
进一步优选地，所述步骤S2还包括热源计算步骤，根据所述目标格点的热量计算得到所述目标格点的热源。
进一步优选地，所述步骤S2还包括温度计算步骤，所述二维模型的参数还包括横坐标方向格点划分的尺度，根据所述横坐标方向格点划分的尺度、所述目标格点的热源以及预设的热导系数计算得到所述目标格点的温度。
进一步优选地，所述步骤S2还包括银原子氧化概率计算步骤，根据预设的银原子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述氧化势垒和所述目标格点的温度计算所述银原子氧化概率。
进一步优选地，所述步骤S2还包括银离子还原概率计算步骤，根据预设的银离子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述还原势垒和所述目标格点的温度计算所述银离子还原概率。
进一步优选地，所述步骤S2还包括银离子迁移概率计算步骤，根据预设的银离子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述迁移势垒和所述目标格点的温度计算所述银离子迁移概率。
进一步优选地，所述步骤S2还包括银原子扩散概率计算步骤，根据预设的银原子震动频率、预设的玻尔兹曼常数、所述扩散势垒和所述目标格点的温度计算所述银原子扩散概率。
本发明还提供了一种选通器开关的仿真系统，包括模型建立单元、概率计算单元以及模拟单元，所述模型建立单元用于通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，所述概率计算单元用于根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，所述模拟单元用于根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散。
所述选通器开关的仿真系统的有益效果在于：所述模拟单元用于根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察卤素钙钛矿选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。
附图说明
图1为本发明的选通器开关的仿真方法的流程图；
图2为本发明的选通器开关的仿真系统的结构框图；
图3为本发明的二维模型的示意图；
图4为本发明在顶电极施加0.05V电压时银离子在卤素钙钛矿薄膜中的示意图；
图5为本发明在顶电极施加0.25V电压时银离子在卤素钙钛矿薄膜中的示意图；
图6为本发明在顶电极施加的电压回扫时银离子在卤素钙钛矿薄膜中的示意图；
图7为本发明的电流与电压的曲线示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
针对现有技术存在的问题，本发明的实施例提供了一种选通器开关的仿真方法。参照图1，所述选通器开关的仿真方法包括以下步骤：
S1：通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型；
S2：根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率；
S3：根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散。
图2为本发明一些实施例中选通器开关的仿真系统的结构框图。参照图2，所述选通器开关的仿真系统100包括模型建立单元101、概率计算单元102以及模拟单元103，所述模型建立单元101用于通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，所述概率计算单元102用于根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，所述模拟单元103用于根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散。
一些实施例中，所述通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型包括通过动力学蒙特卡罗模拟方法采用划分格点的方式建立选通器开关的二维模型。
图3为本发明一些实施例中二维模型的示意图。所述二维模型200包括依次设置的底电极201、阻变层202和顶电极203，所述底电极201为掺铟的氧化锡薄膜，所述阻变层202为卤素钙钛矿，所述顶电极203为银，所述底电极201、所述阻变层202和所述顶电极203在所述二维模型中均呈长方形，且所述底电极201的厚度为80～150nm，所述底电极201的长度为1000nm，所述阻变层202的厚度为150～360nm，所述阻变层202的长度为1000nm，所述顶电极203的厚度为50～120nm，所述顶电极203的长度为1000nm。
一些实施例中，参照图3，所述阻变层202的中心区域设有导电细丝区域2021，当所述阻变层202的厚度为200nm时，所述导电细丝区域2021的厚度为200nm，所述导电细丝区域2021的长度为100nm。
一些实施例中，所述步骤S2还包括初始化步骤，所述二维模型的参数包括氧化势垒、还原势垒、迁移势垒和扩散势垒，对所述二维模型进行初始化操作，以对所述氧化势垒、所述还原势垒、所述迁移势垒和所述扩散势垒进行赋值。具体地，所述氧化势垒指银原子发生氧化过程生成银离子所需要克服的势垒，并在所述阻变层的厚度为200nm时赋值为0.2eV；所述还原势垒为银离子发生还原反应生成银原子所需要克服的势垒，并在所述阻变层的厚度为200nm时赋值为0.1eV；所述迁移势垒指银离子在外电场作用下发生移动所需要克服的势垒，并在所述阻变层的厚度为200nm时赋值为0.2eV；所述扩散势垒指银原子在浓度梯度作用下发生移动所需要克服的势垒，并在所述阻变层的厚度为200nm时赋值为0.05eV。
一些实施例中，所述步骤S2还包括横坐标方向电场强度计算步骤，所述二维模型的参数还包括横坐标方向格点划分的尺度以及横坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值，根据所述横坐标方向格点划分的尺度以及所述横坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值通过迭代的计算方式计算所述目标格点在横坐标方向上的电场强度。
具体地，所述横坐标方向电场强度计算步骤通过电场强度计算公式
Figure BDA0003087944090000071
Figure BDA0003087944090000072
计算电场强度，Ex(i，j)表示坐标为(i，j)的目标格点在横坐标方向上的电场强度，U(i+1，j)表示坐标为(i+1，j)的格点的电压值，U(i-1，j)表示坐标为(i-1，j)的格点的电压值，dx表示所述二维模型横坐标方向格点划分的尺度。
一些实施例中，所述步骤S2还包括纵坐标方向电场强度计算步骤，所述二维模型的参数还包括纵坐标方向格点划分的尺度以及纵坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值，根据所述纵坐标方向格点划分的尺度以及所述纵坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值通过迭代的计算方式计算所述目标格点在纵坐标方向上的电场强度。
具体地，所述纵坐标方向电场强度计算步骤通过电场强度计算公式
Figure BDA0003087944090000073
Figure BDA0003087944090000074
计算电场强度，Ey(i，j)表示坐标为(i，j)的目标格点在纵坐标方向上的电场强度，U(i，j+1)表示坐标为(i，j+1)的格点的电压值，U(i，j-1)表示坐标为(i，j-1)的格点的电压值，dy表示所述二维模型纵坐标方向格点划分的尺度。
一些实施例中，所述步骤S2还包括电流计算步骤，所述二维模型的参数还包括目标格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点的电导值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及横坐标方向上所述目标格点坐标值变大的相邻格点横坐标方向上的电导值，根据所述目标格点的电压值、所述目标格点的电导值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及所述横坐标方向上所述目标格点坐标值变大的相邻格点横坐标方向上的电导值计算所述目标格点在横坐标方向上的电流值。
具体地，所述电流计算步骤通过电流计算公式
Figure BDA0003087944090000081
Figure BDA0003087944090000082
计算电流值，Ix(i，j)表示坐标为(i，j)的目标格点在横坐标方向上的电流值，U(i+1，j)表示坐标为(i+1，j)的格点的电压值，U(i，j)表示坐标为(i，j)的目标格点的电压值，gx(i+1，j)表示坐标为(i+1，j)的格点的在横坐标方向上的电导值，U(i-1，j)表示坐标为(i-1，j)的格点的电压值，gx(i，j)表示坐标为(i，j)的目标格点在横坐标方向上的电导值。
一些实施例中，所述步骤S2还包括热量计算步骤，所述二维模型的参数还包括目标格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点横坐标方向上的电导值、纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电导值，根据所述目标格点的电压值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点横坐标方向上的电导值、所述纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及所述纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电导值计算所述目标格点的热量。
具体地，所述热量计算步骤通过热量计算公式
Figure BDA0003087944090000091
计算热量，Q表示目标格点的热量，U0表示坐标为(i，j)目标格点的电压值，Ui表示坐标为(i-1，j)的格点的电压值、坐标为(i+1，j)的格点的电压值、坐标为(i，j+1)的格点的电压值以及坐标为(i，j-1)的格点的电压值。
一些实施例中，所述步骤S2还包括热源计算步骤，根据所述目标格点的热量计算得到所述目标格点的热源。具体地，所述热源表示单位时间单位面积产生的热量，由所述目标格点的热量计算得到所述目标格点的热源为本领域的公知技术，在此不再详细赘述。
一些实施例中，所述步骤S2还包括温度计算步骤，所述二维模型的参数还包括横坐标方向格点划分的尺度，根据所述横坐标方向格点划分的尺度、所述目标格点的热源以及预设的热导系数计算得到所述目标格点的温度。
具体地，所述温度计算步骤通过温度计算公式
Figure BDA0003087944090000092
Figure BDA0003087944090000093
计算温度，dx表示所述二维模型横坐标方向格点划分的尺度，k表示热导系数，ST表示坐标为(i，j)的目标格点的热源，T(i-1，j)表示坐标为(i-1，j)的格点的温度，T(i，j)表示坐标为(i，j)格点的温度，T(i+1，j)表示坐标为(i+1，j)的格点的温度，T(i，j-1)表示坐标为(i，j-1)的格点的温度，T(i，j+1)表示坐标为(i，j+1)的格点的温度。
一些实施例中，所述步骤S2还包括银原子氧化概率计算步骤，根据预设的银原子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述氧化势垒和所述目标格点的温度计算所述银原子氧化概率。
具体地，所述银原子氧化概率计算步骤通过银原子氧化概率计算公式
Figure BDA0003087944090000094
Figure BDA0003087944090000095
计算因原子氧化概率，Po表示所述银原子氧化概率，Po0表示银原子震动频率，Eo表示氧化势垒，γ表示电场影响因子，q表示电子所带电荷值，N表示银离子所带电荷数量，E表示电场强度，K表示玻尔兹曼常数，T表示格点的温度。
一些实施例中，所述步骤S2还包括银离子还原概率计算步骤，根据预设的银离子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述还原势垒和所述目标格点的温度计算所述银离子还原概率。
具体地，所述银离子还原概率计算步骤通过银离子还原概率计算公式
Figure BDA0003087944090000101
Figure BDA0003087944090000102
计算银离子还原概率，Pr表示银离子还原概率，Pr0表示银离子震动频率，Er表示还原势垒，γ表示电场影响因子，q表示电子所带电荷值，N表示银离子所带电荷数量，E表示电场强度，K表示玻尔兹曼常数，T表示格点的温度。
一些实施例中，所述步骤S2还包括银离子迁移概率计算步骤，根据预设的银离子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述迁移势垒和所述目标格点的温度计算所述银离子迁移概率。
具体地，所述银离子迁移概率计算步骤通过银离子迁移概率计算公式
Figure BDA0003087944090000103
Figure BDA0003087944090000104
计算银离子迁移概率，Pm表示银离子迁移率，Pm0表示银离子震动频率，Em表示迁移势垒，γ表示电场影响因子，q表示电子所带电荷值，N表示银离子所带电荷数量，E表示电场强度，K表示玻尔兹曼常数，T表示格点的温度。
一些实施例中，所述步骤S2还包括银原子扩散概率计算步骤，根据预设的银原子震动频率、预设的玻尔兹曼常数、所述扩散势垒和所述目标格点的温度计算所述银原子扩散概率。
具体地，所述银原子扩散概率计算步骤通过银原子扩散概率计算公式
Figure BDA0003087944090000105
Figure BDA0003087944090000106
计算银原子扩散概率，Pd表示银原子扩散概率，Pd0表示银原子震动频率，Ed表示扩散势垒，K表示玻尔兹曼常数，T表示格点的温度。
一些实施例中，通过网格划分，迭代的方式计算电场强度、电流值、温度、银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率、银原子扩散概率模拟了选通器开关的初始状态、低阻态以及高阻态银导电细丝的演化过程。活泼金属银原子在外电场刺激下发生氧化反应生成的银离子并沿电场方向迁移，由于具有较高地迁移率，银离子在底电极附近还原成银原子并堆积，达到阈值电压时在卤素钙钛矿薄膜中形成一条或多条导电通道，则器件开启。随着扫描电压降低，当电压小于保持电压时则不足以维持完整的导电通道，银原子会自发的扩散，银导电细丝断裂，器件回到高阻态，表现为易失性。
图4为本发明一些实施例中在顶电极施加0.05V电压时银离子在卤素钙钛矿薄膜中的示意图。参照图4，图中黑色网格代表银原子，在所述二维模型的顶电极施加0.05V电压时，银原子在底电极处开始堆积，而不是在顶电极处堆积，进而验证了银离子在卤素钙钛矿薄膜中快速迁移的特性，促使了基于卤素钙钛矿薄膜材料的选通器具有较低的阈值电压与较快的开关速度。
图5为本发明一些实施例中在顶电极施加0.25V电压时银离子在卤素钙钛矿薄膜中的示意图。参照图5，图中黑色网格代表银原子，在所述二维模型的顶电极施加0.25V电压时，银导电细丝形成，接通所述二维模型的顶电极和底电极，此时卤素钙钛矿选通器处于低阻态。
图6为本发明一些实施例在顶电极施加的电压回扫时银离子在卤素钙钛矿薄膜中的示意图。参照图6，图中黑色网格代表银原子，在所述二维模型的顶电极施加的电压回扫时，随着电压的减小，由于银原子的自发扩散效应，银导电细丝相对薄弱的地方断开，此时卤素钙钛矿选通器处于高阻态。
图7为本发明一些实施例中电流与电压的曲线示意图。参照图7，在选通器开关的阈值电压在0.25V时，仿真模拟的电流电压曲线与实验的电流电压曲线基本相符。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (11)

1.一种选通器开关的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型；
S2：根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率；
S3：根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散；
所述步骤S2还包括初始化步骤，所述二维模型的参数包括氧化势垒、还原势垒、迁移势垒和扩散势垒，对所述二维模型进行初始化操作，以对所述氧化势垒、所述还原势垒、所述迁移势垒和所述扩散势垒进行赋值；
所述步骤S2还包括横坐标方向电场强度计算步骤，所述二维模型的参数还包括横坐标方向格点划分的尺度以及横坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值，根据所述横坐标方向格点划分的尺度以及所述横坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值通过迭代的计算方式计算所述目标格点在横坐标方向上的电场强度。
2.根据权利要求1所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型包括通过动力学蒙特卡罗模拟方法采用划分格点的方式建立选通器开关的二维模型。
3.根据权利要求2所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述二维模型包括依次设置的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极为掺铟的氧化锡薄膜，所述阻变层为卤素钙钛矿，所述顶电极为银。
4.根据权利要求1所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括纵坐标方向电场强度计算步骤，所述二维模型的参数还包括纵坐标方向格点划分的尺度以及纵坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值，根据所述纵坐标方向格点划分的尺度以及所述纵坐标方向上目标格点相邻两个格点的电压值通过迭代的计算方式计算所述目标格点在纵坐标方向上的电场强度。
5.根据权利要求1或4所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括热量计算步骤，所述二维模型的参数还包括目标格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值、横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点横坐标方向上的电导值、纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电导值，根据所述目标格点的电压值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值、所述横坐标方向上所述目标格点相邻两个格点横坐标方向上的电导值、所述纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电压值以及所述纵坐标方向上所述目标格点相邻两个格点的电导值计算所述目标格点的热量。
6.根据权利要求5所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括热源计算步骤，根据所述目标格点的热量计算得到所述目标格点的热源。
7.根据权利要求6所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括温度计算步骤，所述二维模型的参数还包括横坐标方向格点划分的尺度，根据所述横坐标方向格点划分的尺度、所述目标格点的热源以及预设的热导系数计算得到所述目标格点的温度。
8.根据权利要求7所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括银原子氧化概率计算步骤，根据预设的银原子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述氧化势垒和所述目标格点的温度计算所述银原子氧化概率。
9.根据权利要求7所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括银离子还原概率计算步骤，根据预设的银离子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述还原势垒和所述目标格点的温度计算所述银离子还原概率。
10.根据权利要求7所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括银离子迁移概率计算步骤，根据预设的银离子震动频率、预设的电场影响因子、预设的电子所带电荷值、预设的银离子所带电荷数量、预设的玻尔兹曼常数、所述电场强度、所述迁移势垒和所述目标格点的温度计算所述银离子迁移概率。
11.根据权利要求7所述的选通器开关的仿真方法，其特征在于，所述步骤S2还包括银原子扩散概率计算步骤，根据预设的银原子震动频率、预设的玻尔兹曼常数、所述扩散势垒和所述目标格点的温度计算所述银原子扩散概率。
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