CN113280848A - 一种复合式电子传感器及其浮地电压抵消方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种复合式电子传感器及其浮地电压抵消方法，包括集成标签、测线单元和标签读数仪，且浮地电压抵消方法具体包括以下步骤：利用1Wire通讯的复位信号时序逻辑调试复合式电子传感器；监控集成标签的浮地电压，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值；利用微处理单元配置两个可编程分压器的电阻，调配可编程分压器的输出电压以抵消浮地电压；本发明避免了整个测读过程人员干预，提高工作效率且节省人力成本，通过调控标签读数仪中可编程分压器的输出电压，可编程分压器的输出电压匹配分解浮地电压以保证标签读数仪与复合标签之间的通讯，且可以实现数据远距离传输。

Description

一种复合式电子传感器及其浮地电压抵消方法

技术领域

本发明涉及电子技术技术领域，具体涉及一种复合式电子传感器及其浮地电压抵消方法。

背景技术

在工业和工程领域，布设有大量的各式各样的传感器，而传感器数量的增加一方面给传感器识别造成一定难度，另一方面，很多传感器计算过程中需要属于其自身的出厂标定参数参与计算才能得到最终的物理值。目前普遍的做法是在传感器测量端线缆上粘贴识别标签，根据标签识别传感器，然后查找此传感器的计算参数完成传感数据到物理数据的计算过程。

这种方式显然存在的缺陷为整个测读过程需要人员干预，容易出现错误，且工作效率低下，因此急需要一种，带有实时温度的两线制电子标签技术和实现方法，可以在传感器生产过程中将此标签封装于传感器内部用引线引出，即可制作成带有身份识别、计算参数、厂商信息、传感类型等一系列重要信息的智能型传感器。

但是传感器的数据在传输时，由于传感器的数据线中的测线电阻以及测线寄生电容对通讯的不利影响，无法实现传感器的数据长距离传输。

发明内容

本发明的目的在于提供一种复合式电子传感器及其浮地电压抵消方法，以解决现有技术中整个测读过程需要人员干预，容易出现错误，且工作效率低下，以及传感器的数据线中的测线电阻以及测线寄生电容对通讯的不利影响，无法实现传感器的数据长距离传输的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明具体提供下述技术方案：

一种复合式电子传感器，包括：

集成标签，由传感器和1Wire芯片组成，用于提供所述传感器的基本参数以及实时监测数据；

测线单元，用于将所述集成标签与标签读数仪连接；

标签读数仪，由微处理单元、逻辑信号隔离器、数据线强驱动电路和可编程电平逻辑调整器组成，用于完成动态识别传感器、自动完成从识别到物理量计算的全部过程；

且所述测线单元由1Wire信号线的等效电阻Rw和寄生电容Cs组成，所述测线单元产生两个连接端口，所述标签读数仪的数据线通过所述逻辑信号隔离器连接在所述测线单元的一个连接端口，所述标签读数仪的隔离电源负极连接到所述测线单元的另一个连接端口。

作为本发明的一种优选方案，所述微处理单元的I/O接口通过所述逻辑信号隔离器与所述等效电阻Rw连接以完成与所述1Wire芯片的双向通讯；

所述逻辑信号隔离器由两组数字磁隔离芯片组成，两组所述数字磁隔离芯片分别与所述微处理单元的I/O接口连接，主要用于负责传导所述微处理单元与所述1Wire芯片之间的双向通讯数据信号和逻辑信号；

所述数据线强驱动电路安装在所述标签读数仪的数据线上，且所述数据线强驱动电路通过所述逻辑信号隔离器与所述微处理单元连接，并受控于所述微处理单元，所述数据线强驱动电路包括与一个所述数字磁隔离芯片连接的上拉电阻R3和上拉电阻R4，以及连接在所述上拉电阻R3和上拉电阻R4之间的PMOS管；

所述可编程电平逻辑调整器由两路可编程分压器、两路运算放大器和线性光耦隔离器组成。

作为本发明的一种优选方案，所述微处理单元具有四个所述I/O接口，分别为IO1接口、IO2接口、IO3接口和IO4接口，其中所述IO1接口和IO2接口组合连接在一个所述数字磁隔离芯片上，而所述IO3接口和IO4接口组合连接在另一个所述数字磁隔离芯片上；

所述IO1接口通过强上拉所述PMOS管控制数据的输入方向和输出方向切换；

所述IO2接口用于通讯过程中的输出；

所述IO3接口用于接收所述1Wire芯片返回的数据逻辑高信号；

所述IO4接口用于接收所述1Wire芯片返回的数据逻辑低信号；

所述IO3接口和IO4接口均为开漏输入，所述IO3接口在上拉电阻的作用下默认为低电平，且所述IO4接口在所述在上拉电阻的作用下默认为高电平。

作为本发明的一种优选方案，两路所述可编程分压器分别均与所述微处理单元连接，且所述可编程分压器内部的可调电位器与所述微处理单元连接，并在所述微处理单元控制下调节所述可编程分压器的输出电压；

所述线性光耦隔离器与所述微处理单元连接，所述线性光耦隔离器负责将所述测线单元上的电压信号传导给所述微处理单元内部的ADC转换器；

所述可编程分压器的两路所述运算放大器的输出端分别设置在与所述IO接口和IO接口连接的所述数字磁隔离芯片上，且两路所述运算放大器的反向输出端分别连接在两路所述可编程分压器上，两路所述运算放大器的同向输入端分别与所述线性光耦隔离器连接并接入所述测线单元上。

作为本发明的一种优选方案，所述1Wire芯片的电源引脚短接到所述传感器的接地引脚，且所述1Wire芯片的电源引脚与所述传感器的接地引脚短接后作为整个所述集成标签的标签负极，所述传感器的数据管脚作为整个所述集成标签的标签数据引脚，所述标签数据引脚和所述标签负极分别连接到所述测线单元的两个等效电阻Rw。

为解决上述技术问题，本发明还进一步提供下述技术方案：一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，包括以下步骤：

步骤100、利用1Wire通讯的复位信号时序逻辑调试复合式电子传感器；

步骤200、监控集成标签的浮地电压，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值；

步骤300、利用微处理单元配置两个可编程分压器的电阻，调配所述可编程分压器的输出电压以抵消所述浮地电压。

作为本发明的一种优选方案，在步骤100中，所述浮地电压的电压过大而造成通讯异常仅出现于所述复合标签输出传感数据的情况下，

获取浮地电压的最大电压值和最小电压值的具体实现步骤为：

微处理器单元控制IO1接口输出低电平，控制IO2接口输出高电平以及PMOS管闭合，调控所述微处理器单元的数据线电平为逻辑1，并保持该状态；

微处理器单元控制IO1接口输出高电平、控制IO2接口输出低电平以及PMOS管断开，调控所述微处理器单元的数据线电平为逻辑0，并在稳定时间内保持该状态。

所述微处理器单元接收到所述复合标签的应答脉冲以初始化整个复合式电子传感器。

作为本发明的一种优选方案，在步骤200中，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值的具体实现方式为：

强上拉PMOS管，切换所述微处理器单元的IO1接口为输入状态，延时并持续读取所述微处理器单元的ADC转换器接收的来自所述复合标签的数据，并获得所述微处理器单元的数据线上的电压信号；

当数据线上电压出现0.5V以上压降时停止延时，继续读取所述ADC转换器的数据，直到电压不再下降，记录此时的电压值为最小电压值VL；

继续延时并在延时期间连续读取ADC转换器的数据以等待所述复合标签输出高电平，直到电压不再升高，记录此时的电压值为最大电压值VH。

作为本发明的一种优选方案，在步骤300中，微处理单元调配所述可编程分压器的输出电压，所述可编程分压器的输出电压匹配分解所述浮地电压以保证所述标签读数仪与所述复合标签之间的通讯，具体的实现方法为：

所述微处理器单元控制第一可编程分压器调节分压电阻值RL，以配置该可编程分压器的输出电压，具体的电压需求公式为：

V1>＝VL+Vcmp；

微处理器单元控制第二可编程分压器调节分压电阻值RH，以配置该可编程分压器的输出电压，具体的电压需求公式为：

V2<＝VH-Vcmp。

作为本发明的一种优选方案，其中Vcmp的取值用于减弱线阻及线缆寄生电容对逻辑转换的影响，所述Vcmp的计算公式为：

本发明与现有技术相比较具有如下有益效果：

(1)本发明将基于1Wire接口协议的传感器和1Wire芯片的物理结构结合制作了复合式电子传感器，并通过读数端远距离通讯电路和方法实现了标签唯一码识别、传感器厂商信息、线缆长度、计算参数、实时温度等的自动读取以及物理量的计算，完全避免了整个测读过程人员干预，提高了工作效率、节省了人力成本，同时也为传感器动态识别提供了有利保障和技术支持；

(2)本发明的1Wire总线可以实现远距离传输，同时数据通讯的稳定性强，可有效避免数据传输延时和卡顿的情况。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

图1为本发明实施例提供的复合式电子传感器的电子结构示意图；

图2为本发明实施例提供的复合式电子传感器浮地电压抵消方法的流程示意图；

图中：

1-集成标签；2-标签读数仪；3-测线单元；

21-微处理单元；22-逻辑信号隔离器；23-数据线强驱动电路；24-可编程电平逻辑调整器；

221-数字磁隔离芯片；

241-可编程分压器；242-运算放大器；243-线性光耦隔离器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明提供了一种复合式电子传感器，本发明提供了一种复合式电子传感器，本实施方式通过将基于1Wire接口协议的温度传感器DS18B20和EEPROM芯片DS2431并联的物理结构制作了复合式电子传感器，并通过读数端远距离通讯电路和方法实现了标签唯一码识别、传感器厂商信息、线缆长度、计算参数、实时温度等的自动读取以及物理量的计算，完全避免了整个测读过程人员干预，提高工作效率、节省人力成本。

复合式电子传感器具体包括集成标签1、标签读数仪2和测线单元3，其中标签读数仪2可以将传感器的基本信息写入EEPROM芯片内，以待后续读取使用。

具体的，集成标签1由传感器和1Wire芯片并联组成，用于提供传感器的基本参数以及实时监测数据，传感器可以选择为任一类型的传感器，本实施方式以温度传感器DS18B20作为实施例。

1Wire芯片的电源引脚短接到传感器的接地引脚，且1Wire芯片的电源引脚与传感器的接地引脚短接后作为整个集成标签1的标签负极，传感器的数据管脚作为整个集成标签1的标签数据引脚，标签数据引脚和标签负极分别连接两条测线上。

因此，作为本实施方式的一个优点，1Wire接口支持寄生电源供电模式，即将芯片的VDD短接到GND引脚上。在寄生电源供电方式下，芯片从1Wire信号线上汲取能量，在信号线DQ处于高电平期间把能量储存在内部电容里，在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作。

寄生电源方式有至少有两个好处：

(1)进行远距离测温时，无需本地电源完成通讯；

(2)仅用两根测线实现测温(DQ和参考地-GND)，布设线路更加简洁。

而测线单元3用于将集成标签1与标签读数仪2连接，且测线单元3由1Wire信号线的等效电阻Rw和寄生电容Cs组成。

标签读数仪2由微处理单元21、逻辑信号隔离器22、数据线强驱动电路23和可编程电平逻辑调整器24组成，用于完成动态识别传感器、自动完成从识别到物理量计算的全部过程。

测线单元3生成两个连接端口，标签读数仪2的数据线通过逻辑信号隔离器22连接在测线单元3的一个连接端口，标签读数仪2的隔离电源负极连接到测线单元3的另一个连接端口。

也就是说，本实施方式的符合电子传感器包括传感端，信号线和读数端，其中传感端不仅用于监测实时数据，同时还导入了传感器的基本信息以进行后期的物理量计算，信号线为1Wire信号线，既传输时钟又传输数据的双向数据传输的同步串行接口，也就是说，1Wire信号线可实现传感端与读数端的双向数据传输，读数端用于接收传感端的传感数据。

其中，1Wire单总线采用单根信号线，既传输时钟，又传输数据而且数据传输是双向的。它具有节省I/O口线资源、结构简单、成本低廉、便于总线扩展和维护等诸多优点。

进一步的，微处理单元21的I/O接口通过逻辑信号隔离器22与等效电阻Rw连接以完成与1Wire芯片的双向通讯。

具体的，数据线强驱动电路23包括与一个数字磁隔离芯片221连接的上拉电阻R3和上拉电阻R4，以及连接在上拉电阻R3和上拉电阻R4之间的PMOS管。

逻辑信号隔离器22由两组数字磁隔离芯片221组成，两组数字磁隔离芯片221分别与微处理单元21的I/O接口连接，主要用于负责传导微处理单元21与1Wire芯片之间的双向通讯数据信号和逻辑信号。

微处理单元21具有四个I/O接口，分别为IO1接口、IO2接口、IO3接口和IO4接口。

其中，IO1接口负责数据的输入方向和输出方向切换时，强上拉PMOS管控制。

IO2接口用于通讯过程中的输出。

IO3接口用于接收1Wire芯片返回的数据逻辑高信号。

IO4接口用于接收1Wire芯片返回的数据逻辑低信号。

IO3接口和IO4接口均为开漏输入，IO3接口在上拉电阻的作用下默认为低电平，且IO4接口在在上拉电阻的作用下默认为高电平。

IO1接口和IO2接口组合与一个数字磁隔离芯片221连接，而IO3接口和IO4接口组合与另一个数字磁隔离芯片221连接。

数据线强驱动电路23安装在标签读数仪2的数据线上，且数据线强驱动电路23通过与IO1接口和IO2接口连接的逻辑信号隔离器22与微处理单元21连接，并受控于微处理单元21。

可编程电平逻辑调整器24由两路可编程分压器241、两路运算放大器242和线性光耦隔离器243组成，其中可编程分压器241采用AD5246，线性光耦隔离器采用的是HCPL7800。

两路可编程分压器241分别均与微处理单元21连接，且可编程分压器241内部的可调电位器与微处理单元21连接，并在微处理单元21控制下调节可编程分压器241的输出电压；

线性光耦隔离器243与微处理单元21连接，线性光耦隔离器243负责将测线单元3上的电压信号传导给微处理单元21内部的ADC转换器。

可编程分压器241的两路运算放大器242的输出端分别设置在与IO3接口和IO4接口连接的数字磁隔离芯片221上，且两路运算放大器242的反向输出端分别连接在两路可编程分压器241上，两路运算放大器242的同向输入端分别与线性光耦隔离器243连接并接入测线单元3上。

因此本实施方式在传感器生产过程中将1Wire芯片封装于传感器内部，并与传感器连接后用引脚引出，即可制作成带有身份识别、计算参数、厂商信息、传感类型等一系列重要信息的智能型传感器，通过专门的标签读数仪，即可动态识别传感器，自动完成从识别到物理量计算的全部过程。

本实施方式提供了一种带有实时温度的两线制电子标签技术和实现方法，可以在传感器生产过程中将此标签封装于传感器内部用引线引出，即可制作成带有身份识别、计算参数、厂商信息、传感类型等一系列重要信息的智能型传感器，使用专门的读数装置，即可动态识别传感器，自动完成从识别到物理量计算的全部过程。

进一步的，目前的复合式电子传感器还存在的问题产生原因分析

1、线阻对标签信号输入、输出电平影响分析

读数仪输出时，标签为输入状态，因输入时数据端口DQ的输入阻抗接近无限大，故此端口电压不会受到线缆电阻的影响。

读数仪输出时，读数仪为输入状态(PMOS为断开状态)，由于测线电阻Rw的存在，在标签负极处的电压Vf(标签“浮地”)可由下式计算，Vf与线阻Rw呈正比关系，线缆越长线阻越大，造成Vf的电压越高，当Vf的电压高于读数仪可识别的逻辑低电平后即无法进行通讯。为了克服长距离时,测线电阻以及测线寄生电容对通讯的不利影响，本实施方式还设计的专用的电路和程序适应方法。

为了解决上述问题，如图2所示，本实施方式提供了一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，包括以下步骤：

步骤100、利用1Wire通讯的复位信号时序逻辑调试复合式电子传感器；

步骤200、监控集成标签的浮地电压，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值；

步骤300、利用微处理单元配置两个可编程分压器的电阻，调配可编程分压器的输出电压以抵消浮地电压。

在步骤100中，浮地电压的电压过大而造成通讯异常仅出现于复合标签输出传感数据的情况下，

获取浮地电压的最大电压值和最小电压值的具体实现步骤为：

微处理器单元控制IO1接口输出低电平，控制IO2接口输出高电平以及PMOS管闭合，调控微处理器单元的数据线电平为逻辑1，并保持该状态；

微处理器单元控制IO1接口输出高电平、控制IO2接口输出低电平以及PMOS管断开，调控微处理器单元的数据线电平为逻辑0，并在稳定时间内保持该状态。

微处理器单元接收到复合标签的应答脉冲以初始化整个复合式电子传感器。

在步骤200中，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值的具体实现方式为：

强上拉PMOS管，切换微处理器单元的IO1接口为输入状态，延时并持续读取微处理器单元的ADC转换器接收的来自复合标签的数据，并获得微处理器单元的数据线上的电压信号；

当数据线上电压出现0.5V以上压降时停止延时，继续读取ADC转换器的数据，直到电压不再下降，记录此时的电压值为最小电压值VL；

继续延时并在延时期间连续读取ADC转换器的数据以等待复合标签输出高电平，直到电压不再升高，记录此时的电压值为最大电压值VH。

在步骤300中，微处理单元调配可编程分压器的输出电压，可编程分压器的输出电压匹配分解浮地电压以保证标签读数仪与复合标签之间的通讯，具体的实现方法为：

微处理器单元控制第一可编程分压器调节分压电阻值RL，以配置该可编程分压器的输出电压，具体的电压需求公式为：

V1>＝VL+Vcmp；

微处理器单元控制第二可编程分压器调节分压电阻值RH，以配置该可编程分压器的输出电压，具体的电压需求公式为：

V2<＝VH-Vcmp。

其中Vcmp的取值用于减弱线阻及线缆寄生电容对逻辑转换的影响，Vcmp的计算公式为：

因此本实施方式通过调控标签读数仪中可编程分压器的输出电压，可编程分压器的输出电压匹配分解浮地电压以保证标签读数仪与复合标签之间的通讯，且可以实现数据远距离传输。

以上实施例仅为本申请的示例性实施例，不用于限制本申请，本申请的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本申请的实质和保护范围内，对本申请做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本申请的保护范围内。

Claims (10)

1.一种复合式电子传感器，其特征在于，包括：

集成标签(1)，由传感器和1Wire芯片组成，用于提供所述传感器的基本参数以及实时监测数据；

测线单元(3)，用于将所述集成标签(1)与标签读数仪(2)连接；

标签读数仪(2)，由微处理单元(21)、逻辑信号隔离器(22)、数据线强驱动电路(23)和可编程电平逻辑调整器(24)组成，用于完成动态识别传感器、自动完成从识别到物理量计算的全部过程；

且所述测线单元(3)由1Wire信号线的等效电阻Rw和寄生电容Cs组成，所述测线单元(3)产生两个连接端口，所述标签读数仪(2)的数据线通过所述逻辑信号隔离器(22)连接在所述测线单元(3)的一个连接端口，所述标签读数仪(2)的隔离电源负极连接到所述测线单元(3)的另一个连接端口。

2.根据权利要求1所述的一种复合式电子传感器，其特征在于：所述微处理单元(21)的I/O接口通过所述逻辑信号隔离器(22)与所述等效电阻Rw连接以完成与所述1Wire芯片的双向通讯；

所述逻辑信号隔离器(22)由两组数字磁隔离芯片(221)组成，两组所述数字磁隔离芯片(221)分别与所述微处理单元(21)的I/O接口连接，主要用于负责传导所述微处理单元(21)与所述1Wire芯片之间的双向通讯数据信号和逻辑信号；

所述数据线强驱动电路(23)安装在所述标签读数仪(2)的数据线上，且所述数据线强驱动电路(23)通过所述逻辑信号隔离器(22)与所述微处理单元(21)连接，并受控于所述微处理单元(21)，所述数据线强驱动电路(23)包括与一个所述数字磁隔离芯片(221)连接的上拉电阻R3和上拉电阻R4，以及连接在所述上拉电阻R3和上拉电阻R4之间的PMOS管；

所述可编程电平逻辑调整器(24)由两路可编程分压器(241)、两路运算放大器(242)和线性光耦隔离器(243)组成。

3.根据权利要求2所述的一种复合式电子传感器，其特征在于：所述微处理单元(21)具有四个所述I/O接口，分别为IO1接口、IO2接口、IO3接口和IO4接口，其中所述IO1接口和IO2接口组合连接在一个所述数字磁隔离芯片(221)上，而所述IO3接口和IO4接口组合连接在另一个所述数字磁隔离芯片(221)上；

所述IO1接口通过强上拉所述PMOS管控制数据的输入方向和输出方向切换；

所述IO2接口用于通讯过程中的输出；

所述IO3接口用于接收所述1Wire芯片返回的数据逻辑高信号；

所述IO4接口用于接收所述1Wire芯片返回的数据逻辑低信号；

所述IO3接口和IO4接口均为开漏输入，所述IO3接口在上拉电阻的作用下默认为低电平，且所述IO4接口在所述上拉电阻的作用下默认为高电平。

4.根据权利要求3所述的一种复合式电子传感器，其特征在于：两路所述可编程分压器(241)分别均与所述微处理单元(21)连接，且所述可编程分压器(241)内部的可调电位器与所述微处理单元(21)连接，并在所述微处理单元(21)控制下调节所述可编程分压器(241)的输出电压；

所述线性光耦隔离器(243)与所述微处理单元(21)连接，所述线性光耦隔离器(243)负责将所述测线单元(3)上的电压信号传导给所述微处理单元(21)内部的ADC转换器；

所述可编程分压器(241)的两路所述运算放大器(242)的输出端分别设置在与所述IO3接口和IO4接口连接的所述数字磁隔离芯片(221)上，且两路所述运算放大器(242)的反向输出端分别连接在两路所述可编程分压器(241)上，两路所述运算放大器(242)的同向输入端分别与所述线性光耦隔离器(243)连接并接入所述测线单元(3)上。

5.根据权利要求1所述的一种复合式电子传感器，其特征在于：所述1Wire芯片的电源引脚短接到所述传感器的接地引脚，且所述1Wire芯片的电源引脚与所述传感器的接地引脚短接后作为整个所述集成标签(1)的标签负极，所述传感器的数据管脚作为整个所述集成标签(1)的标签数据引脚，所述标签数据引脚和所述标签负极分别连接到所述测线单元(3)的两个等效电阻Rw。

6.一种应用于权利要求1-5任一项所述复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤100、利用1Wire通讯的复位信号时序逻辑调试复合式电子传感器；

步骤200、监控集成标签的浮地电压，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值；

步骤300、利用微处理单元配置两个可编程分压器的电阻，调配所述可编程分压器的输出电压以抵消所述浮地电压。

7.根据权利要求6所述的一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，其特征在于，在步骤100中，所述浮地电压的电压过大而造成通讯异常仅出现于所述复合标签输出传感数据的情况下，

获取浮地电压的最大电压值和最小电压值的具体实现步骤为：

微处理器单元控制IO1接口输出低电平，控制IO2接口输出高电平以及PMOS管闭合，调控所述微处理器单元的数据线电平为逻辑1，并保持该状态；

微处理器单元控制IO1接口输出高电平、控制IO2接口输出低电平以及PMOS管断开，调控所述微处理器单元的数据线电平为逻辑0，并在稳定时间内保持该状态；

所述微处理器单元接收到所述复合标签的应答脉冲以初始化整个复合式电子传感器。

8.根据权利要求6所述的一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，其特征在于，在步骤200中，获取浮地电压的最大电压值和最小电压值的具体实现方式为：

强上拉PMOS管，切换所述微处理器单元的IO1接口为输入状态，延时并持续读取所述微处理器单元的ADC转换器接收的来自所述复合标签的数据，并获得所述微处理器单元的数据线上的电压信号；

当数据线上电压出现0.5V以上压降时停止延时，继续读取所述ADC转换器的数据，直到电压不再下降，记录此时的电压值为最小电压值VL；

继续延时并在延时期间连续读取ADC转换器的数据以等待所述复合标签输出高电平，直到电压不再升高，记录此时的电压值为最大电压值VH。

9.根据权利要求7所述的一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，其特征在于，在步骤300中，微处理单元调配所述可编程分压器的输出电压，所述可编程分压器的输出电压匹配分解所述浮地电压以保证所述标签读数仪与所述复合标签之间的通讯，具体的实现方法为：

所述微处理器单元控制第一可编程分压器调节分压电阻值RL，以配置该可编程分压器的输出电压，具体的电压需求公式为：

V1>＝VL+Vcmp；

微处理器单元控制第二可编程分压器调节分压电阻值RH，以配置该可编程分压器的输出电压，具体的电压需求公式为：

V2<＝VH-Vcmp。

10.根据权利要求7所述的一种复合式电子传感器的浮地电压抵消方法，其特征在于，其中Vcmp的取值用于减弱线阻及线缆寄生电容对逻辑转换的影响，所述Vcmp的计算公式为：

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