CN113190180A - 一种基于混合介质的存储装置及分布式存储系统 - Google Patents
一种基于混合介质的存储装置及分布式存储系统 Download PDFInfo
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Abstract
本申请提供了一种基于混合介质的存储装置及分布式存储系统,其中的存储装置包括:SCM介质存储模块,用于存储元数据和临时数据信息,所述临时数据信息累积到设定数据量后得到写入数据;QLC介质存储模块,用于存储所述SCM介质存储模块中的写入数据;所述SCM介质存储模块在所述写入数据存储至所述QLC介质存储模块后回收由所述写入数据占据的空间。本申请通过SCM介质和QLC介质混合的存储方式,以SCM介质作为读写缓存使用,最大程度提升QLC介质SSD的使用寿命,从而使存储装置的整体性价比远高于现有技术中全部使用TLC介质的存储系统。
Description
技术领域
本申请涉及数据存储技术领域,具体地,涉及一种基于混合介质的存储装置及分布式存储系统。
背景技术
SSD(固态硬盘)的存储介质经历了SLC颗粒、MLC颗粒、TLC颗粒、QLC颗粒和Nand颗粒的演变。这几种颗粒的存储密度依次递增,性能和成本依次递减。当前TLC颗粒是企业SSD的主流介质类型,但TLC颗粒的成本相比传统的磁介质硬盘来说依然较高。因此对于一般的企业来说,为了节约成本,全SSD的存储系统依然无法应用于大规模的数据场景。而QLC颗粒,由于存储密度较高,单位成本比较适合大规模的数据存储场景,但是由于通用的存储系统或软件对于SSD缺少专门的优化,导致QLC颗粒的SSD在写入数据时擦写次数过多,使用寿命很难达到生产系统的要求。
发明内容
本申请实施例旨在提供一种基于混合介质的存储装置及数据存储方法,以解决现有技术中SSD存在的成本过高或使用寿命过低的技术问题。
为实现上述发明目的,本申请一些实施例中提供一种基于混合介质的存储装置,包括:
SCM介质存储模块,用于存储元数据和临时数据信息,所述临时数据信息累积到设定数据量后得到写入数据;
QLC介质存储模块,用于存储所述SCM介质存储模块中的写入数据;
所述SCM介质存储模块在所述写入数据存储至所述QLC介质存储模块后回收由所述写入数据占据的空间。
本申请一些实施例中的基于混合介质的存储装置,还包括:
内存模块,其中存储有Hash表项,所述Hash表项对所述SCM介质存储模块中存储的数据进行记录。
本申请一些实施例中的基于混合介质的存储装置,所述SCM介质存储模块和所述QLC介质存储模块均使用数据段来存储数据;所述SCM介质存储模块中的数据段大小为4KB的整数倍;所述QLC介质存储模块的数据段大小为所述设定数据量的整数倍。
本申请一些实施例中的基于混合介质的存储装置,还包括数据周期管理模块:
所述SCM介质存储模块,在数据删除和更新后,其存储的元数据随之更新;
所述QLC介质存储模块,将与数据删除和更新操作所对应的数据标注为无效数据;
所述数据周期管理模块,用于在所述QLC介质存储模块中的无效数据超出设定比例时触发无效数据回收机制,回收所述QLC介质存储模块中被所述无效数据占据的空间。
本申请一些实施例中的基于混合介质的存储装置,所述数据周期管理模块触发所述无效数据回收机制后,从所述QLC介质存储模块上读取有效数据,并将所述有效数据暂存到所述SCM介质存储模块中;所述QLC介质存储模块在所述数据周期管理模块完成所述有效数据的读取操作后释放所有存储空间。
本申请一些实施例中的基于混合介质的存储装置,所述数据周期管理模块,还用于记录所述QLC介质存储模块已经写入的数据量以及执行无效数据回收的次数。
本申请一些实施例中的基于混合介质的存储装置,所述QLC介质存储模块中包括多个存储区块,每一所述存储区块包括多个数据段,且在任意时刻所述QLC介质存储模块中仅有一个所述存储区块被写入数据。
本申请一些实施例中还提供一种分布式存储系统,包括至少一个以上任一项方案所述的基于混合介质的存储装置。
本申请一些实施例中的分布式存储系统,还包括全局磨损均衡服务器,与每一所述存储装置相连接;
所述全局磨损均衡服务器获取每一所述存储装置的QLC介质存储模块被写入数据的次数和数据量。
本申请一些实施例中的分布式存储系统,所述全局磨损均衡服务器,还用于获取每一所述存储装置的QLC介质存储模块执行无效数据回收的次数,将新的写入数据存储至执行无效数据回收次数最少的QLC介质存储模块中。
本申请提供的上述技术方案,与现有技术相比,至少具有如下有益效果:存储装置包括SCM介质存储模块和QLC介质存储模块,利用SCM介质存储模块存储元数据和临时数据信息,当临时数据信息累积到设定数据量后得到写入数据,利用QLC介质存储模块,存储SCM介质存储模块中的写入数据。SCM介质存储模块在写入数据存储至QLC介质存储模块后回收由写入数据占据的空间。本申请利用SCM介质和QLC介质存储两种介质相混合的存储模块,SCM存储介质的优势在于具有非常长的使用寿命,且性能比其他存储介质的SSD要高很多,缺点在于成本相对要高;而QLC介质的优势在于成本低,但写性能和擦写次数要比其他的存储介质低很多。所以,本申请通过SCM介质和QLC介质混合的存储方式,以SCM介质作为读写缓存使用,降低QLC介质的写放大以最大程度提升QLC介质SSD的使用寿命,从而使得存储装置的整体性价比远高于现有技术中全部使用TLC介质的存储系统。
附图说明
下面将结合本申请实施例中附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
图1为本申请一个实施例所述基于混合介质的存储装置的结构框图;
图2为本申请另一个实施例所述的基于混合介质的存储装置的结构框图;
图3为本申请一个实施例所述基于混合介质的存储装置的数据布局示意图;
图4为本申请一个实施例所述基于混合介质的存储装置回收无效数据时的过程示意图;
图5为本申请一个实施例所述分布式存储系统的结构框图;
图6为本申请另一个实施例所述分布式存储系统的结构框图。
具体实施方式
在本部分将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在详细描述本申请实施例方案之前,首先对SCM介质进行说明。Intel的傲腾系列SCM(storage class memory)介质同时具备持久化、快速字节访问、原地修改、擦写次数高等特性。采用SCM介质的Optane SSD和传统的Nand SSD相比,性能要高且支持字节寻址,数据写入的时候不用先擦除整个块,大大减少写放大,不再像传统的SSD那样需要垃圾回收,而且延迟会低很多,寿命很长,相比NAND有许多优势。
本申请一些实施例中提供一种基于混合介质的存储装置,如图1所示,所述存储装置包括SCM介质存储模块10和QLC介质存储模块20。其中,所述SCM介质存储模块10,用于存储元数据和临时数据信息,所述临时数据信息累积到设定数据量后得到写入数据;所述QLC介质存储模块20,用于存储所述SCM介质存储模块中的写入数据;所述SCM介质存储模块10在所述写入数据存储至所述QLC介质存储模块20后回收由所述写入数据占据的空间。
以上方案中,利用SCM介质存储模块10存储元数据和临时数据信息,当临时数据信息累积到设定数据量(例如256KB)后得到写入数据,利用QLC介质存储模块20存储SCM介质存储模块10中的写入数据。SCM介质存储模块10在写入数据存储至QLC介质存储模块20后回收由写入数据占据的空间。本方案中,SCM存储介质的优势在于具有非常长的使用寿命,且性能比其他存储介质的SSD要高很多,缺点在于成本相对要高;而QLC介质的优势在于成本低,但写性能和擦写次数要比其他的存储介质低很多。所以,通过SCM介质和QLC介质混合的存储方式,以SCM介质作为读写缓存使用,降低QLC介质的写放大以最大程度提升QLC介质SSD的使用寿命,从而使得存储装置的整体性价比远高于现有技术中全部使用TLC介质的存储系统。
在本申请一些实施例中,如图2和图3所示,所述的基于混合介质的存储装置还包括内存模块30,内存模块30中存储有Hash表项,所述Hash表项对所述SCM介质存储模块10中存储的数据进行记录。本方案中,数据存储通过内存模块30、SCM介质存储模块10和QLC介质存储模块20的配合共同完成。内存模块30中维护Hash表,用于查找在SCM介质存储模块10中的记录信息;SCM介质存储模块10用于存储元数据信息和临时数据信息,SCM介质存储模块10中的数据可以进行修改;QLC介质存储模块20用于存储所有的数据,而且只能是以追加的方式将SCM介质存储模块10中满足一定量的数据写入。
优选地,如图3所示,以上的存储装置中,所述SCM介质存储模块10和所述QLC介质存储模块20均使用数据段来存储数据;所述SCM介质存储模块10中的数据段大小为4KB的整数倍;所述QLC介质存储模块20的数据段大小为所述设定数据量的整数倍。在所述SCM介质存储模块10和所述QLC介质存储模块20中均使用数据段来存储元数据和数据。在所述SCM介质存储模块10中,数据段大小为4KB的整数倍,而在所述QLC介质存储模块20,数据段大小为所述SCM介质存储模块10的Block大小的整数倍(默认256KB)。另外,图3中所示的数据布局中,内存模块30、SCM介质存储模块10和QLC介质存储模块20对于其他必要数据存储格式和必要数据内容并未调整,在此不再详细叙述。
本申请实施例提供的基于混合介质的存储装置,如图3所示,所述QLC介质存储模块20中包括N个存储区块(Band-1,……Band-N),每一所述存储区块包括多个数据段,且在任意时刻所述QLC介质存储模块20中仅有一个所述存储区块被写入数据。具体地,当数据写入时,先写入到所述SCM介质存储模块10中,同时当所述SCM介质存储模块10的新数据聚集到256KB后则形成了真正的写入数据,将256KB的写入数据直接回刷到所述QLC介质存储模块20中,之后所述SCM介质存储模块10的空间即可被回收掉。由于所述QLC介质存储模块20上同时只有一个存储区块Band可写,因此能够保证所述QLC介质存储模块20上的写入数据都是大块数据的追加写,因此数据写入性能能够得以保证。同时,由于所述QLC介质存储模块20上不存在修改写入数据的操作,因此所述QLC介质存储模块20内部的无效数据回收不会被触发,在很大程度上避免了所述QLC介质存储模块20内部无效数据回收对正常读写性能的影响。
在本申请一些实施例中,如图3和图4所示,所述存储装置还包括数据周期管理模块40。所述SCM介质存储模块10在数据删除和更新后,其存储的元数据随之更新;所述QLC介质存储模块20将与数据删除和更新操作所对应的数据标注为无效数据;所述数据周期管理模块40用于在所述QLC介质存储模块20中的无效数据超出设定比例时触发无效数据回收机制,回收所述QLC介质存储模块20中被所述无效数据占据的空间。
也就是说,当存储装置中有数据删除或更新操作时,对应的元数据修改会保存在所述SCM介质存储模块10中,当所述QLC介质存储模块20的某一存储区域Band-i中的无效数据超过一定的比例之后,则数据周期管理模块40会触发无效数据的回收,具体地,回收机制被触发后按照如下方式执行无效数据占据空间的回收:所述数据周期管理模块40触发所述无效数据回收机制后,从所述QLC介质存储模块20上读取有效数据,并将所述有效数据暂存到所述SCM介质存储模块10中;所述QLC介质存储模块20在所述数据周期管理模块40完成所述有效数据的读取操作后释放所有存储空间。通过本方案,所述QLC介质存储模块20的存储区域可快速回收,以释放空间给新的数据写入。
如图4所示,数据写入、删除或更新操作的整个过程包括:
1.检测到新数据写入操作→2.新数据持久化地写入SCM介质存储模块10→3.写入SCM介质存储模块10的新数据以256KB为单元地形成写入数据,持久化已完成,并将完成信号反馈至数据周期管理模块40→4.按照256KB写入数据的形成时间顺序,将256KB写入数据回刷至QLC介质存储模块20→5.QLC介质存储模块20将数据顺序回刷完成的信号反馈至数据周期管理模块40→6.将内存标记为Free→7.将SCM介质存储模块10标记为Free。如果在以上过程中,任意时间节点检测到数据删除或更新,则先将QLC介质存储模块20有效数据回收至内存缓存中,回收的有效数据与写入的新数据具有相同的操作流程。回收到SCM介质存储模块10的有效数据,和新写入的数据保持一致的处理流程,当SCM介质存储模块10回收的有效数据积攒到256KB,即可再次以追加写的方式回刷到QLC介质存储模块20中。
优选地,以上方案中,所述数据周期管理模块40还用于记录所述QLC介质存储模块20已经写入的数据量以及执行无效数据回收的次数。如此能够作为分布式存储系统中的数据分配依据,尽量避免QLC介质存储模块20出现写入过于集中而导致频繁损坏的情况。
在本申请一些实施例中还提供一种分布式存储系统,包括至少一个以上方案所述的基于混合介质的存储装置100。如图5所示,在存储装置100中还包括与SCM介质存储模块10对应的SCM存储引擎11,与QLC介质存储模块20对应的SCM存储引擎21,以及实现存储模块与存储引擎之间数据传输通道的内核驱动60。
如图6所示,以上方案中的分布式存储系统,还可以包括全局磨损均衡服务器200,与每一所述存储装置100相连接;所述全局磨损均衡服务器200获取每一所述存储装置100的QLC介质存储模块被写入数据的次数和数据量。由于QLC介质存储模块20的介质擦写次数有限,因此在分布式存储系统中,需要避免QLC介质存储模块20出现写入过于集中而导致频繁损坏的情况。为此,本方案中对系统中的QLC介质存储模块20已经写入的数据量进行跟踪记录,在新数据写入时,可以优先选择数据写入次数较少或者已经写入的数据量较小的QLC介质存储模块20,从而保证了所有的QLC介质存储模块20被写入的数据量基本一致,最大程度的避免了部分QLC介质存储模块20被写入数据过多而导致损坏的情况。
进一步地,所述全局磨损均衡服务器200还用于获取每一所述存储装置100的QLC介质存储模块执行无效数据回收的次数,将新的写入数据存储至执行无效数据回收次数最少的QLC介质存储模块20中。也就是说,全局磨损均衡服务器200会记录每个QLC介质存储模块20已经写入的数据段数量以及无效数据回收次数,在每次有新的数据段需要从SCM介质存储模块10向QLC介质存储模块20回刷时,全局磨损均衡服务器200会优先选择磨损最小(即执行无效数据回收次数最少)的QLC介质存储模块20进行空间分配,由此进行全局QLC介质存储模块20的磨损均衡,避免因为数据写入倾斜造成某些QLC介质存储模块20频繁故障。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种基于混合介质的存储装置,其特征在于,包括:
SCM介质存储模块,用于存储元数据和临时数据信息,所述临时数据信息累积到设定数据量后得到写入数据;
QLC介质存储模块,用于存储所述SCM介质存储模块中的写入数据;
所述SCM介质存储模块在所述写入数据存储至所述QLC介质存储模块后回收由所述写入数据占据的空间。
2.根据权利要求1所述的基于混合介质的存储装置,其特征在于,还包括:
内存模块,其中存储有Hash表项,所述Hash表项对所述SCM介质存储模块中存储的数据进行记录。
3.根据权利要求1或2所述的基于混合介质的存储装置,其特征在于:
所述SCM介质存储模块和所述QLC介质存储模块均使用数据段来存储数据;所述SCM介质存储模块中的数据段大小为4KB的整数倍;所述QLC介质存储模块的数据段大小为所述设定数据量的整数倍。
4.根据权利要求3所述的基于混合介质的存储装置,其特征在于,还包括数据周期管理模块:
所述SCM介质存储模块,在数据删除和更新后,其存储的元数据随之更新;
所述QLC介质存储模块,将与数据删除和更新操作所对应的数据标注为无效数据;
所述数据周期管理模块,用于在所述QLC介质存储模块中的无效数据超出设定比例时触发无效数据回收机制,回收所述QLC介质存储模块中被所述无效数据占据的空间。
5.根据权利要求4所述的基于混合介质的存储装置,其特征在于:
所述数据周期管理模块触发所述无效数据回收机制后,从所述QLC介质存储模块上读取有效数据,并将所述有效数据暂存到所述SCM介质存储模块中;所述QLC介质存储模块在所述数据周期管理模块完成所述有效数据的读取操作后释放所有存储空间。
6.根据权利要求5所述的基于混合介质的存储装置,其特征在于,所述数据周期管理模块,还用于记录所述QLC介质存储模块已经写入的数据量以及执行无效数据回收的次数。
7.根据权利要求3所述的基于混合介质的存储装置,其特征在于:
所述QLC介质存储模块中包括多个存储区块,每一所述存储区块包括多个数据段,且在任意时刻所述QLC介质存储模块中仅有一个所述存储区块被写入数据。
8.一种分布式存储系统,其特征在于,包括至少一个权利要求1-7任一项所述的基于混合介质的存储装置。
9.根据权利要求8所述的分布式存储系统,其特征在于,还包括:
全局磨损均衡服务器,与每一所述存储装置相连接;
所述全局磨损均衡服务器获取每一所述存储装置的QLC介质存储模块被写入数据的次数和数据量。
10.根据权利要求9所述的分布式存储系统,其特征在于:
所述全局磨损均衡服务器,还用于获取每一所述存储装置的QLC介质存储模块执行无效数据回收的次数,将新的写入数据存储至执行无效数据回收次数最少的QLC介质存储模块中。
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CN115469797A (zh) * | 2021-09-09 | 2022-12-13 | 上海江波龙数字技术有限公司 | 一种数据写入方法、存储装置及计算机可读存储介质 |
CN115469797B (zh) * | 2021-09-09 | 2023-12-29 | 上海江波龙数字技术有限公司 | 一种数据写入方法、存储装置及计算机可读存储介质 |
CN114489484A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-05-13 | 得一微电子股份有限公司 | Ssd的数据存储方法、ssd、终端设备以及存储介质 |
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