CN113177381B - 一种基于vfto波形表征参量影响权重的防护方法 - Google Patents
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Abstract
一种基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，建立GIS所有一次侧设备在VFTO下的等效电路模型，并记录所有可能影响VFTO波形表征参量的因素；针对不同影响因素依据取值范围设置多种水平，利用正交试验法建立对应的正交表；遍历正交表上所有仿真设置条件，对VFTO进行仿真计算，得到仿真结果；基于仿真结果，依据极差法和方差法对正交表进行数据处理，得到各个影响因素对VFTO波形表征参量的影响权重；针对VFTO波形表征参量的影响权重占比，采取相应的防护手段或装置进行抑制。本发明能够有效准确地分析出多种影响因素对VFTO波形表征参量的影响权重，大大节省了防护成本、提高了防护的可靠性和有效性。
Description
技术领域
本发明属于电力电子技术领域，涉及快速暂态过电压(VFTO)抑制，特别涉及一种基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法。
背景技术
VFTO由于上升沿时间短为1～5ns、幅值最高为2.5p.u.，陡度大，主振荡频率高为1～10MHz以及连续脉冲次数多等特点对GIS一次侧设备绝缘耐受造成了严重的损害。由于VFTO的试验研究开展存在难度，通过电磁暂态仿真软件对VFTO进行仿真建模成为研究VFTO最简洁、直接、有效的途径和手段。GIS设备在VFTO下的模型构建取决于设备的设计结构和自身电磁特性，当研究一次侧设备的VFTO波形特征和绝缘配合情况时，VFTO对二次侧屏蔽电缆的骚扰以及暂态地电位抬升的影响可忽略。由于VFTO波形特征随GIS设备参数的变化而有所差异，目前波形表征参量影响因素的研究仅局限于单个变量的影响机理和影响规律，缺少对多个变量影响机理和权重的分析，采取的防护VFTO的方法不具有有效性和针对性，大大增加了防护成本的同时却无法保证设备的绝缘耐受水平。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，通过分析影响VFTO波形表征参量的因素的权重，对权重较高的影响因素采取针对手段处理，从而有效并可靠地防护VFTO，大大节省了防护成本、提高了防护的可靠性和有效性。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，包括：
步骤1，建立气体绝缘变电站(GIS)所有一次侧设备在VFTO下的等效电路模型；
步骤2，从等效电路模型提取VFTO波形表征参量；
步骤3，根据气体绝缘变电站隔离开关、变压器、金属氧化物避雷器、高压电缆设备的配置情况，获取影响VFTO波形表征参量的因素，并设置多种水平；
步骤4，基于选取VFTO波形表征参量影响因素和配置水平的个数建立仿真设置条件的正交表；
步骤5，依据正交表仿真设置条件采用EMTP-RV电磁暂态仿真软件对VFTO进行仿真计算，得到不同条件下VFTO波形表征参量的仿真结果；
步骤6，利用极差法和方差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析，计算各个影响因素对VFTO波形表征参量的影响权重；
步骤7，针对每个VFTO波形表征参量的影响权重进行研究，寻找影响权重超过设定值的影响因素，采取对应的防护手段提高该影响因素的水平，从而对VFTO进行有效防护。
与现有技术相比，本发明有益效果为：
1、本发明在GIS操作隔离开关前，根据其实际工程情况，提取典型的VFTO波形特性的表征参量，针对不同影响因素及其水平建立正交表，通过电磁暂态软件对各种条件下VFTO波形表征参量进行仿真，利用极差法和方差法对影响因素权重进行分析，针对单个VFTO波形表征参量影响权重较高的影响因素采取相应的有效手段以提高其水平，从而对VFTO波形表征参量进行有效且可靠的防护。
2、本发明结合Minitab软件和电磁暂态仿真软件的计算优势，可以对任意接线型式的GIS的VFTO影响权重进行分析，可以非常有效且可靠采取相应的防护方法以提高VFTO波形表征参量的防护效果，与传统的防护方法相比具有明显的针对性和合理性。
附图说明
图1为本发明流程图。
图2为本发明GIS拓扑结构图。
图3为本发明考虑传递过电压的变压器模型图。
图4为本发明高压电缆的结构图。
图5为本发明实施例中得到的隔离开关负载侧电压幅值的影响因素权重占比示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例详细说明本发明的实施方式。
参考图1，本发明为一种基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，包括：
步骤1，建立气体绝缘变电站(GIS)所有一次侧设备在VFTO下的等效电路模型。
本发明等效电路模型可利用EMTP-RV电磁暂态仿真软件建立，包括母线、变压器、套管、高压电缆、隔离开关、断路器、电压互感器、金属氧化物避雷器以及电弧，其中，母线采用EMTP-RV中FDQ模块中的频率响应无损传输线模型，变压器采用考虑传递过电压的模型，套管采用无损传输线和架空端对地电容进行表示，高压电缆采用FDQ模块中的频率响应的CABLE模型，断路器和隔离开关闭合时采用无损传输线进行等效模拟，断路器和隔离开关断开时采用集中对地电容和断口电容进行表示，电压互感器采用集中电容模型，金属氧化物避雷器采用考虑陡波头响应的电阻模型，电弧采用双指数电弧电阻模型进行模拟。
示例性的，在EMTP-RV软件中建立如图2所示的GIS一次侧设备布置图，该GIS的电压等级为500kV。母线的波阻抗为67.233Ω、波速为2.947e8m/s，单位长度电阻为9.19μΩ/m，水电站所用电力变压器型号为SSP-480000/500、额定电压为(520/±2×2.5％)/18kV，额定容量为480/480MVA，联接组标号为YNd11，高压侧电感为0.1217mH，高压端电阻为0.5023Ω，高压对地电容为8.86nF，绕组间电容7.02nF，低压侧电感0.00021mH，低压侧电阻0.0008Ω，低压对地电容22.38nF。变压器采用的考虑传递过电压的模型如图3所示，电磁式电压互感器PT对地电容、电容式电压互感器CVT对地电容依据出厂试验报告分别取为200pF和5048pF。依据出厂试验报告，油气套管和空气套管的对地电容为330pF和200pF。断路器在合闸状态时用有损传输线模型进行等效，其中波阻抗为61.5Ω，波速为2.9e8m/s，长度为2.52m，损耗为9.19e-6Ω/m。两端断口对地电容为20pF，断口中间对地电容为190pF，断口电容以及均压电容等效为600pF。隔离开关断口电容为15pF，对地电容为25pF。高压电缆模型如图4所示，包括铜芯1、导体屏蔽2层、绝缘层3、绝缘屏蔽层4、缓冲层5、金属套6和外护套7。
步骤2，从等效电路模型提取VFTO波形表征参量，方法为：
分别提取隔离开关负载侧、电源侧两处的最大电压幅值、过冲系数、最大电压陡度、最大陡度时刻和主振荡频率作为VFTO波形表征参量。
步骤3，根据气体绝缘变电站隔离开关、变压器、金属氧化物避雷器、高压电缆设备的配置情况，获取影响VFTO波形表征参量的因素，并设置多种水平。
其中，获取影响VFTO波形表征参量的因素的方法为：
气体绝缘变电站隔离开关的操作环境是影响VFTO波形特征最为重要的因素，隔离开关操作时的环境，包括操作时动静触头间断口电压、断口击穿时延、断口燃弧时稳态燃弧电阻、断口熄弧后恢复时延和隔离开关触头移动速度等参量，统计每次隔离开关操作时动静触头间断口电压、断口击穿时延、断口燃弧时稳态燃弧电阻、断口熄弧后恢复时延和隔离开关分合闸触头移动速度的大小，作为影响VFTO波形表征参量的因素；
气体绝缘变电站变压器的入口电容影响VFTO的最大电压陡度，金属氧化避雷器会一定程度限制VFTO的最大电压幅值，高压电缆会影响VFTO的最大电压陡度以及最大电压幅值。变压器的入口电容由变压器的容量以及并联电容器组的电容决定，金属氧化物避雷器的电磁特性取决于氧化锌电阻片的伏安特性曲线，高压电缆的长度以及接地方式是影响高压电缆VFTO下电磁特性的主要因素。因此选取变压器的入口电容、并联电容器组的电容、金属氧化物避雷器的伏安特性曲线、高压电缆的长度、接地方式作为影响VFTO波形表征参量的因素。
示例性的，选取断口电压、击穿时延、稳态燃弧电阻、恢复时延、分合闸电阻、变压器入口电容、高压电缆接地方式作为影响VFTO波形表征参量的因素，设为A-G，选取水平个数为3，具体设置如表1所示。
表1
| 水平 | A/p.u. | B/ns | C/Ω | D/μs | E/Ω | F/nF | G |
| 1 | 2 | 1 | 0.5 | 10 | 0 | 4.4 | 单端接地 |
| 2 | 1.5 | 3 | 2.5 | 20 | 500 | 7.4 | 两端接地 |
| 3 | 1.1 | 5 | 5 | 30 | 1000 | 9.4 | 中间接地 |
步骤4，基于选取VFTO波形表征参量影响因素和配置水平的个数建立仿真设置条件的正交表，具体建立方法如下：
设置单个VFTO波形表征参量的影响因素为n个，每个影响因素用Ai进行表示，每个影响因素配置水平的个数为m，配置水平用ai进行表示，VFTO波形表征参量的个数为p个，表征参量用Yi进行表示，仿真次数为q，各个影响因素之间互不相关，配置水平数不完全相同，利用Minitab数据分析软件田口设计的端口，输入n、m的具体参数，生成包含VFTO仿真设置条件的混合正交表L(mn)。
示例性的，VFTO波形表征参量的影响因素为7个，每个影响因素用A-G进行表示，每个影响因素配置水平的个数为3，配置水平用1-3进行表示，VFTO波形表征参量的个数为4个，表征参量用Yi进行表示，仿真次数q为27，利用Minitab数据分析软件生成田口设计的端口，生成包含VFTO仿真设置条件的混合正交表L(37)，如表2所示。
表2
| q | A | B | C | D | E | F | G |
| 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 2 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 |
| 3 | 1 | 1 | 1 | 1 | 3 | 3 | 3 |
| 4 | 1 | 2 | 2 | 2 | 1 | 1 | 1 |
| 5 | 1 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 6 | 1 | 2 | 2 | 2 | 3 | 3 | 3 |
| 7 | 1 | 3 | 3 | 3 | 1 | 1 | 1 |
| 8 | 1 | 3 | 3 | 3 | 2 | 2 | 2 |
| 9 | 1 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 10 | 2 | 1 | 2 | 3 | 1 | 2 | 3 |
| 11 | 2 | 1 | 2 | 3 | 2 | 3 | 1 |
| 12 | 2 | 1 | 2 | 3 | 3 | 1 | 2 |
| 13 | 2 | 2 | 3 | 1 | 1 | 2 | 3 |
| 14 | 2 | 2 | 3 | 1 | 2 | 3 | 1 |
| 15 | 2 | 2 | 3 | 1 | 3 | 1 | 2 |
| 16 | 2 | 3 | 1 | 2 | 1 | 2 | 3 |
| 17 | 2 | 3 | 1 | 2 | 2 | 3 | 1 |
| 18 | 2 | 3 | 1 | 2 | 3 | 1 | 2 |
| 19 | 3 | 1 | 3 | 2 | 1 | 3 | 2 |
| 20 | 3 | 1 | 3 | 2 | 2 | 1 | 3 |
| 21 | 3 | 1 | 3 | 2 | 3 | 2 | 1 |
| 22 | 3 | 2 | 1 | 3 | 1 | 3 | 2 |
| 23 | 3 | 2 | 1 | 3 | 2 | 1 | 3 |
| 24 | 3 | 2 | 1 | 3 | 3 | 2 | 1 |
| 25 | 3 | 3 | 2 | 1 | 1 | 3 | 2 |
| 26 | 3 | 3 | 2 | 1 | 2 | 1 | 3 |
| 27 | 3 | 3 | 2 | 1 | 3 | 2 | 1 |
步骤5，依据正交表仿真设置条件采用EMTP-RV电磁暂态仿真软件对VFTO进行仿真计算，得到不同条件下VFTO波形表征参量的仿真结果。
仿真计算过程为：
利用EMTP-RV电磁暂态仿真软件，基于仿真设置条件的正交表对仿真模型中操作时动静触头间断口电压、断口击穿时延、断口燃弧时稳态燃弧电阻、断口熄弧后恢复时延和隔离开关分合闸触头移动速度的参量，以及变压器的入口电容、并联电容器组的电容、金属氧化物避雷器的伏安特性曲线、高压电缆的长度、接地方式，对应的仿真参数进行设置，仿真计算隔离开关断口单次击穿时操作的隔离开关两端、变压器处、PT处、金属氧化物避雷器处、高压电缆首末端、VFTO波形表征参量。
示例性的，利用EMTP-RV基于仿真设置条件的正交表对所述隔离开关参量、变压器、金属氧化物避雷器、高压电缆配置进行调整，仿真计算隔离开关断口单次击穿时产生各节点的VFTO波形表征参量。以隔离开关负载侧电压幅值为波形表征参量1为例，试验结果如表3所示。
表3
| k | U/p.u. | k | U/p.u. | k | U/p.u. |
| 1 | 1.2742 | 10 | 1.3397 | 19 | 1.23425 |
| 2 | 1.0062 | 11 | 1.0316 | 20 | 1.00748 |
| 3 | 1.0013 | 12 | 1.0088 | 21 | 1.00201 |
| 4 | 1.3140 | 13 | 1.15595 | 22 | 1.29797 |
| 5 | 1.0530 | 14 | 1.00235 | 23 | 1.00891 |
| 6 | 1.0071 | 15 | 1.00175 | 24 | 1.00273 |
| 7 | 1.4062 | 16 | 1.25435 | 25 | 1.14488 |
| 8 | 1.0582 | 17 | 1.02795 | 26 | 1.00079 |
| 9 | 1.0080 | 18 | 1.0081 | 27 | 1.00059 |
步骤6，利用极差法和方差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析，计算各个影响因素对VFTO波形表征参量的影响权重。其中：
利用极差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析的过程为：
分别以单个影响因素为研究对象，首先计算每个水平仿真出现的次数，并求取在影响因素取得该水平时各个VFTO波形表征参量数据的和，由于不同水平的仿真次数不仅相同，因此需要求取单个水平下各个VFTO波形表征参量数据的算术平均值；依据各个水平下各个VFTO波形表征参量的算术平均值，计算出单个影响因素下各个VFTO波形表征参量的极差；将所有影响因素对各个VFTO波形表征参量的极差分别相加，并计算单个影响因素下VFTO波形表征参量极差的在所有影响因素之间的占比，从而得到各个影响因素对各个VFTO波形表征参量的影响权重。
具体地，以单个影响因素为研究对象，以因素A-断口击穿电压为例，首先统计每个水平下仿真的次数s，如本例中仿真次数s＝9，并求取第j列因素第i种水平下各个VFTO波形表征参量Yi的和Qij,即
由于每个水平下仿真的次数不尽相同，因此需要求取第j列因素第i种水平下VFTO波形表征参量Yi的平均值qij，即
qij＝Qij/s
依据不同水平下VFTO波形表征参量的平均值qij，计算第j列因素下VFTO波形表征参量的极差Δqj，即
Δqj＝max(qij)-min(qij)
然后将所有因素下VFTO波形表征参量的极差相加得到Qj，并计算单个因素的极差占比，从而得到各个影响因素对VFTO表征参量的影响权重pj，即
分别以隔离开关断口电压、击穿时延、稳态燃弧电阻、恢复时延、分合闸电阻、变压器入口电容以及高压电缆接地方式为研究对象，每个水平仿真出现的次数为9次，以隔离开关负载侧电压最大幅值为例，每个影响因素在不同水平下的和、极差以及影响权重如表4所示：
表4
| A | B | C | D | E | F | G | |
| 水平1的和 | 10.1282 | 9.9056 | 9.8817 | 9.5880 | 11.4215 | 10.0302 | 10.0617 |
| 水平2的和 | 9.8306 | 9.8438 | 9.9005 | 9.9082 | 9.1965 | 9.8727 | 9.8132 |
| 水平3的和 | 9.6996 | 9.9091 | 9.8762 | 10.1622 | 9.0404 | 9.7554 | 9.7836 |
| 水平1的均值 | 1.1254 | 1.1006 | 1.0980 | 1.0653 | 1.2690 | 1.1145 | 1.1180 |
| 水平1的均值 | 1.0923 | 1.0938 | 1.1000 | 1.1009 | 1.0218 | 1.0970 | 1.0804 |
| 水平1的均值 | 1.0778 | 1.1010 | 1.0974 | 1.1291 | 1.0045 | 1.0839 | 1.0871 |
| 极差 | 0.0476 | 0.0072 | 0.0027 | 0.0638 | 0.2646 | 0.0305 | 0.0309 |
| 影响权重 | 10.65 | 1.62 | 0.60 | 14.26 | 59.14 | 6.82 | 6.91 |
隔离开关负载侧电压幅值的影响因素权重占比如图5所示，从该图可以直观地看出各影响因素的权重占比。
隔离开关是否安装分合闸电阻对负载侧电压幅值大小影响最大，影响权重为59.1％，恢复时延和断口电压影响程度其次，分别为14.3％和10.6％，负载侧的电压幅值与稳态燃弧电阻的大小几乎无关，其影响权重为0.6％。
利用方差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析的过程为：
首先计算每个VFTO波形表征参量的仿真结果的平均值和总离差平方和；然后求取每个影响因素在每个水平下各个VFTO波形表征参量数据的算术平均值与仿真试验结果平均值差的平方，除以每个影响因素的水平数和与仿真次数相乘，获得各影响因素引起的离差平方和；求取总平方和的自由度为仿真次数减一，任一列离差平方和的自由度为影响因素的水平数减一；将各影响因素的离差平方和与自由度相除得到各影响因素的平均离差平方和；将各影响因素的平均离差平方和与误差的平均离差平方和的相除得到各影响因素的F值；利用F分布表查出临界值，比较影响因素的F值与判定界限值的大小，分析影响因素对VFTO波形表征参量是否有显著影响。
具体地，首先计算VFTO波形表征参量的仿真结果的平均值和总离差平方和SST，即：
然后求取每个影响因素在每个水平下各个VFTO波形表征参量离差平方和SSj和误差离差平方和SSe，即；
求取总平方和的自由度dfT，计算各影响因素的平均离差平方和MSj和误差的平均离差平方和MSe，即：
dfT＝m-1
dfj＝q-1
计算各影响因素的F值；
利用F分布表查出临界值，比较影响因素的F值与判定界限值的大小，分析影响因素对VFTO波形表征参量是否有显著影响。
示例性的，以隔离开关负载侧电压幅值为例，方差分析结果如表5所示：
表5
由方差分析表可知，影响因素中分合闸电阻的F值为110.418，大于F(3*7)表中界定值8.45，因此对隔离开关负载侧电压幅值具有显著的影响，而稳态燃弧电阻这个影响因素对其的影响较小。7个影响因素的主次关系是：分合闸电阻>恢复时延>断口电压>高压电缆接地方式>变压器入口电容>稳态燃弧电阻>恢复时延。
步骤7，针对每个VFTO波形表征参量的影响权重进行研究，寻找影响权重较高(如超过30％)的影响因素，采取对应的防护手段提高该影响因素的水平，从而对VFTO进行有效防护。
具体地，对单个VFTO波形表征参量的所有影响因素的权重进行排序，寻求影响权重占比较高(如超过30％)的影响因素，采取能够提高该影响因素水平的防护方法，如隔离开关断口间增大分合闸电阻、更换隔离开关触头形状、降低断口击穿时母线残余电荷等，使得VFTO波形表征参量下降至不再威胁GIS设备的绝缘耐受水平，从而对VFTO进行了有效的防护。
示例性的，针对隔离开关负载侧电压幅值这一VFTO波形表征参量，分析其影响权重可知，分合闸电阻的大小对其的影响最大，其权重占比约为59％。因此，提高分合闸电阻的大小对隔离开关负载侧电压幅值的下降具有十分明显的作用，因此在实际工程中，可以在隔离开关动静触头间并联电阻值较高的分合闸电阻，改善隔离开关触头间的气体压强，对VFTO波形表征参量中电压幅值起到了有效且可靠的防护。
Claims (8)
1.一种基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，包括：
步骤1，建立气体绝缘变电站(GIS)所有一次侧设备在VFTO下的等效电路模型；
步骤2，从等效电路模型提取VFTO波形表征参量；
步骤3，根据气体绝缘变电站隔离开关、变压器、金属氧化物避雷器、高压电缆设备的配置情况，获取影响VFTO波形表征参量的因素，并设置多种水平；
步骤4，基于选取VFTO波形表征参量影响因素和配置水平的个数建立仿真设置条件的正交表；
步骤5，依据正交表仿真设置条件采用EMTP-RV电磁暂态仿真软件对VFTO进行仿真计算，得到不同条件下VFTO波形表征参量的仿真结果；
步骤6，利用极差法和方差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析，计算各个影响因素对VFTO波形表征参量的影响权重；
步骤7，针对每个VFTO波形表征参量的影响权重进行研究，寻找影响权重超过设定值的影响因素，采取对应的防护手段提高该影响因素的水平，从而对VFTO进行有效防护；
其中：
所述步骤6中，利用极差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析的过程为：
分别以单个影响因素为研究对象，首先计算每个水平仿真出现的次数，并取在影响因素取得该水平时各个VFTO波形表征参量数据的和以及单个水平下各个VFTO波形表征参量数据的算术平均值，依据各个水平下各个VFTO波形表征参量的算术平均值，计算出单个影响因素下各个VFTO波形表征参量的极差；将所有影响因素对各个VFTO波形表征参量的极差分别相加，并计算单个影响因素下VFTO波形表征参量极差在所有影响因素之间的占比，从而得到各个影响因素对各个VFTO波形表征参量的影响权重；
利用方差法对VFTO波形表征参量的仿真结果数据进行处理和分析的过程为：首先计算每个VFTO波形表征参量的仿真结果的平均值和总离差平方和；然后求取每个影响因素在每个水平下各个VFTO波形表征参量数据的算术平均值与仿真试验结果平均值差的平方，除以每个影响因素的水平数和与仿真次数相乘，获得各影响因素引起的离差平方和；求取总平方和的自由度为仿真次数减一，任一列离差平方和的自由度为影响因素的水平数减一；将各影响因素的离差平方和与自由度相除得到各影响因素的平均离差平方和；将各影响因素的平均离差平方和与误差的平均离差平方和的相除得到各影响因素的F值；利用F分布表查出临界值，比较影响因素的F值与判定界限值的大小，分析影响因素对VFTO波形表征参量是否有显著影响；
所述步骤7中，对单个VFTO波形表征参量的所有影响因素的权重进行排序，寻求影响权重占比高于设定值的影响因素，采取能够提高该影响因素水平的防护方法，使得VFTO波形表征参量下降至不再威胁GIS设备的绝缘耐受水平，从而对VFTO进行了有效的防护。
2.根据权利要求1所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述步骤1中，等效电路模型利用EMTP-RV电磁暂态仿真软件建立，包括母线、变压器、套管、高压电缆、隔离开关、断路器、电压互感器、金属氧化物避雷器以及电弧，其中，母线采用EMTP-RV中FDQ模块中的频率响应无损传输线模型，变压器采用考虑传递过电压的模型，套管采用无损传输线和架空端对地电容进行表示，高压电缆采用FDQ模块中的频率响应的CABLE模型，断路器和隔离开关闭合时采用无损传输线进行等效模拟，断路器和隔离开关断开时采用集中对地电容和断口电容进行表示，电压互感器采用集中电容模型，金属氧化物避雷器采用考虑陡波头响应的电阻模型，电弧采用双指数电弧电阻模型进行模拟。
3.根据权利要求1所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述步骤2中，分别提取隔离开关负载侧、电源侧两处的最大电压幅值、过冲系数、最大电压陡度、最大陡度时刻和主振荡频率作为VFTO波形表征参量。
4.根据权利要求1所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述步骤3中，获取影响VFTO波形表征参量的因素的方法为：
统计每次隔离开关操作时动静触头间断口电压、断口击穿时延、断口燃弧时稳态燃弧电阻、断口熄弧后恢复时延和隔离开关分合闸触头移动速度的大小，作为影响VFTO波形表征参量的因素；和/或，
选取变压器的入口电容、并联电容器组的电容、金属氧化物避雷器的伏安特性曲线、高压电缆的长度、接地方式作为影响VFTO波形表征参量的因素。
5.根据权利要求1所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述步骤4中，正交表的建立方法如下：
设置单个VFTO波形表征参量的影响因素为n个，每个影响因素用Ai进行表示，每个影响因素配置水平的个数为m，配置水平用ai进行表示，VFTO波形表征参量的个数为p个，表征参量用Yi进行表示，仿真次数为q，各个影响因素之间互不相关，配置水平数不完全相同，利用Minitab数据分析软件田口设计的端口，输入n、m的具体参数，生成包含VFTO仿真设置条件的混合正交表L(mn)。
6.根据权利要求1所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述步骤5中，仿真计算过程为：
利用EMTP-RV电磁暂态仿真软件，基于仿真设置条件的正交表对仿真模型中操作时动静触头间断口电压、断口击穿时延、断口燃弧时稳态燃弧电阻、断口熄弧后恢复时延和隔离开关分合闸触头移动速度的参量，以及变压器的入口电容、并联电容器组的电容、金属氧化物避雷器的伏安特性曲线、高压电缆的长度、接地方式，对应的仿真参数进行设置，仿真计算隔离开关断口单次击穿时操作的隔离开关两端、变压器处、PT处、金属氧化物避雷器处、高压电缆首末端、VFTO波形表征参量。
7.根据权利要求1所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述防护方法包括：隔离开关断口间增大分合闸电阻、更换隔离开关触头形状、降低断口击穿时母线残余电荷。
8.根据权利要求1或7所述基于VFTO波形表征参量影响权重的防护方法，其特征在于，所述设定值为30％。
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