CN113169010B - 离子植入设备、控制离子束的方法及离子植入机 - Google Patents
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Abstract
提供一种离子植入设备、控制离子束的方法及离子植入机。所述离子植入设备可包括：主腔室；入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线；出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；以及电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径。所述电极总成可包括设置于所述束路径的第一侧上的上部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个下部电极，所述多个下部电极包括至少三个电极。
Description
技术领域
本发明大体而言涉及用于对基板进行植入的设备及技术，且更具体而言涉及改进的离子束能量过滤器，离子植入设备、控制离子束的方法及离子植入机。
背景技术
离子植入是通过轰击(bombardment)将掺杂剂或杂质引入基板中的制程。在半导体制造中，引入掺杂剂来改变电学性质、光学性质或机械性质。
离子植入系统可包括离子源及一系列束线组件。离子源可包括产生离子的腔室。离子源可亦包括电源(power source)及设置于腔室附近的提取电极总成。所述束线组件可包括例如质量分析器、第一加速或减速级(acceleration or deceleration stage)、准直器及第二加速或减速级。与用于操纵光束的一系列光学透镜非常类似，束线组件可对具有特定物质种类、形状、能量和/或其他特征的离子或离子束进行过滤、聚焦及操纵。离子束穿过束线组件，且可被朝安装于台板(platen)或夹具上的基板引导。基板可通过有时被称为多轴旋转手臂(roplat)的设备在一或多个维度上移动(例如，平移、旋转以及倾斜)。
在诸多离子植入机中，下游静电模块可用作静电透镜及静电过滤器来控制离子束能量、离子束形状及离子束尺寸。静电模块可将离子束加速或减速至最终能量，同时改变离子束的传播方向。通过改变离子束的方向，高能中性粒子可被筛选出来，从而得到能量受到良好界定的最终束。
已知的静电模块可采用例如多对电极，例如成对布置的七个上部电极及下部电极，其中电极约束并引导从中行进的离子束。棒(rod)/电极电位被设定为在静电模块中形成电场，从而使离子束减速、偏转并聚焦所述离子束。
在静电模块的一些配置中，可使用给定数目的电极(例如五对或七对电极在离子束撞击基板前以最终束能量离开之前在静电模块的主腔室中对离子束进行偏转、减速及聚焦。为使电极维持处于恰当的工作次序，可执行周期性维护以清洁主腔室以及电极，从而移除在使用静电模块期间积聚的碎屑(例如剥落物)或其他材料。举例而言，来自基板的材料可能在植入期间被重新溅镀，且可能被输送回电极的表面上或静电模块内的其他表面上。此种材料可能以促进材料的剥落或其他腐蚀的方式积聚于电极上，所述被腐蚀的材料可能部分地以原子级、微观或宏观粒子或碎屑的形式输送至基板上。
针对该些及其他考量，提供本发明。
发明内容
在一个实施例中，提供一种设备。所述设备可包括：主腔室；入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线；以及出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线。所述入口隧道及所述出口隧道可在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲。所述设备可包括电极总成，所述电极总成设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径。所述电极总成可包括设置于所述束路径的第一侧上的上部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个下部电极，所述多个下部电极包括至少三个电极。
在又一实施例中，提供一种控制离子束的方法。所述方法可包括沿第一束轨迹将所述离子束导引至腔室中，所述离子束处于第一电位。所述方法可包括在第一方向上偏转所述离子束，同时将所述离子束加速至第二电位，且在与所述第一方向相反的第二方向上偏转所述离子束，同时将所述离子束减速至第三电位。因此，所述离子束可沿不同于所述第一束轨迹的第二束轨迹离开所述腔室。
在另一实施例中，一种离子植入机可包括：离子源，用于产生离子束；以及静电过滤器，设置于所述离子源下游以控制所述离子束。所述静电过滤器可包括入口隧道，其中所述入口隧道具有延伸至所述静电过滤器的主腔室中的入口轴线。所述静电过滤器可包括出口隧道，所述出口隧道连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲。所述离子植入机可包括电极总成，所述电极总成设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，其中所述电极总成设置于所述入口隧道的下侧上。
附图说明
所述附图未必按比例绘制。所述附图仅为表示形式，而并非旨在描绘本发明的具体参数。所述附图旨在示出本发明的示例性实施例，且因此不被视为对范围进行限制。在所述附图中，相同的编号代表相同的元件。
图1示出展示根据本发明实施例的离子植入系统的示例性实施例。
图2示出根据本发明实施例的静电过滤器的示例性实施例的横截面。
图3A-图3B示出根据本发明示例性实施例的处于用于输送离子束的两种不同操作模式下的静电过滤器。
图4A及图4B示出根据本发明实施例模拟在两种不同操作模式下示例性静电过滤器中的静电位及高能中性粒子分布。
图5A及图5B示出根据本发明其他实施例模拟在两种操作模式下示例性静电过滤器中的溅镀粒子分布。
图6示出根据本发明又一些实施例模拟在一种操作模式下示例性静电过滤器中的负粒子分布。
图7示出根据本发明一些实施例的示例性制程流程。
具体实施方式
现将参照附图在下文更充分地阐述根据本发明的系统及方法，在所述附图中示出所述系统及方法的实施例。所述系统及方法可实施为诸多不同的形式而不应被视为仅限于本文所述的实施例。而是，提供该些实施例是为了使此揭示内容将透彻及完整，且将向本领域技术人员充分传达所述系统及方法的范围。
为方便及清晰起见，本文中将使用例如“顶部(top)”、“底部(bottom)”、“上部(upper)”、“下部(lower)”、“垂直(vertical)”、“水平(horizontal)”、“侧向(lateral)”及“纵向(longitudinal)”等用语来阐述该些组件及其构成部件相对于图中所示半导体制造装置的组件的几何形状及定向的相对放置及定向。术语将包括具体提及的词、其派生词及具有相似意义的词。
本文所使用的以单数形式陈述且前面带有词“一(a或an)”的元件或操作被理解为亦潜在地包括多个元件或多个操作。此外，在提及本发明的“一个实施例”时并非旨在被解释为排除亦包括所陈述特征的附加实施例的存在。
本文中提供例如用于改进用作静电过滤器的静电模块的操作及可靠性的方式。在示例性实施例中，揭示一种具有新颖架构的静电过滤器，所述新颖架构包括在静电模块的主腔室中电极总成的新颖布置。
现参照图1，示出展示系统10的示例性实施例，其中根据本发明，系统10可用于离子植入系统。除其他组件以外，系统10亦包括离子源14及一系列束线组件，离子源14用于产生例如带状离子束(ribbon ion beam)或点状束(spot beam)等离子束18。离子源14可包括用于接收气流24并产生离子的腔室。离子源14亦可包括电源及设置于腔室附近的提取电极总成。自离子源14延伸至静电过滤器40的束线可被认为是上游束线12。在一些非限制性实施例中，上游束线的束线组件16可包括例如设置于静电过滤器40上游的质量分析器、第一加速或减速级36及准直器38，所述过滤器可为离子束18提供减速和/或加速。
在示例性实施例中，束线组件16可对具有特定物质种类、形状、能量和/或其他特征的离子或离子束18进行过滤、聚焦及操纵。穿过束线组件16的离子束18可被朝安装于处理腔室46内的台板或夹具上的基板15引导。基板可在一或多个维度上移动(例如，平移、旋转及倾斜)。
静电过滤器40是被配置成独立控制离子束18的偏转、减速及聚焦的束线组件。在一些实施例中，静电过滤器40是垂直静电能量过滤器(vertical electrostatic energyfilter，VEEF)或静电过滤器EF。如下文将更详细地阐述，静电过滤器40可被布置为界定至少一种电极配置的电极总成。电极配置可包括沿束线串联布置的多个电极，以经由静电过滤器40处理离子束18。在一些实施例中，静电过滤器可包括设置于离子束18上方的至少一个上部电极及设置于离子束18下方的一组下部电极。所述至少一个上部电极与所述一组下部电极之间的电位差亦可沿中心离子束轨迹变化，以在沿中心射线轨迹(central raytrajectory，CRT)的各种点处偏转离子束。系统10可还包括示为电极电压总成50的电极电压源以及耦合至静电过滤器40的入口隧道52，其中下文阐述电极电压总成的操作。
如图1中进一步所示，系统10可包括入口隧道52，入口隧道52仅布置于静电过滤器40上游或者形成静电过滤器40的上游部分，以将离子束18引导至静电过滤器40中。系统10可还包括出口隧道124，出口隧道124仅布置于静电过滤器40的主腔室下游或者形成静电过滤器40的一部分。如随后的实施例中所揭示，入口隧道52、出口隧道124以及静电过滤器40内的电极可以新颖配置进行布置，以改进系统10的操作。
根据本发明的实施例，静电过滤器40可被布置用于在自相对较低至较高的束电流、自相对较低至较高的束能量的广泛条件范围下进行束线操作。根据下文论述的各种实施例，静电过滤器40可被布置成使得其中入口隧道与出口隧道对齐，以在入口隧道与出口隧道之间界定25度或小于25度的束弯曲。此种低束弯曲布置有助于适应诸多已知的束线设计。
现参照图2，示出静电过滤器40的一种变型的结构。在图2中，示出静电过滤器40、入口隧道52及出口隧道124的侧剖视图。如所示，静电过滤器40包括主腔室102，主腔室102在静电过滤器40上方延伸并部分地包围静电过滤器40。静电过滤器40包括电极总成108，电极总成108包括电极110、电极112、电极114及电极116。如图2中所示，所述多个电极以不对称配置布置。举例而言，在图2中所示特定实施例中，电极总成108包括仅一个上部电极(示为电极110)。在一些实施例中，如图2中所示，上部电极可包括细长的横截面。
提供细长的横截面使得上部电极能够沿垂直方向为相对薄，以保持于基板的视线之外。同时，通常沿水平方向伸长使得上部电极能够弯曲入射束，而不需要过高的电压。另外，细长的横截面可具有如所示的修圆隅角，以最小化静电应力。
如图2中进一步所示，电极总成108仅设置于出口隧道124的下侧上。电极总成108可进一步被布置成使得“上部电极”(意指电极110)被设置成远低于出口隧道124。在一些实施例中，电极总成的上部电极设置于出口隧道124下方的第一距离处，其中所述多个下部电极中的最末电极(参见电极116)设置于入口隧道下方的小于第一距离的第二距离处。如下文所论述，此种配置将上部电极放置成较最近的下部电极而言进一步低于出口隧道124，从而有助于进一步减少污染。
在各种实施例中，如图2中所示，入口隧道52可被配置成具有不对称结构，其中入口隧道52的下部部分延伸至主腔室102中的程度较上部部分深。此种配置使得能够将电极110放置成更靠近主腔室102的入口侧，此种放置在下文论述的通过静电过滤器40对离子束进行成形及输送方面可为有利的。
图3A-图3B示出静电过滤器40的一种变型(示为静电过滤器140)的操作。示出两种不同操作模式的操作，其中在图3A中，静电过滤器140以相对较低的束能量操作，而在图3B中，静电过滤器140以相对较高的束能量操作。静电过滤器140还包括等离子体泛射式电子枪122，等离子体泛射式电子枪122被设置成相邻于主腔室102且含有出口隧道124。等离子体泛射式电子枪122可被布置成根据已知等离子体泛射式电子枪的原理操作。
图3A示出模拟低能磷离子束的输送，其中离子束142具有3千伏特(kV)的最终束能量。在此种模拟以及接下来在后续图中的其他模拟中，入口隧道52被布置成具有不对称结构，其中下侧较上侧而言在主腔室102中延伸地更远。出于模拟的目的，下侧被示为具有修圆的隆凸(实线)，而在实际实施例中，下侧可显示为如以虚线示出的修圆的远端53。
具体而言，在图3A所示模拟中，离子束142被以28千伏特的初始离子电位导引至静电过滤器140的主腔室102中，且在静电过滤器140中被处理之后，被以3千伏特的最终离子能量导引至基板126。离子束142被沿第一束轨迹导引穿过入口隧道52并进入主腔室102，从而在此种模拟中相对于水平面(X-Y平面)形成近似20度的角度。如图3A中所示，离子束142沿不同于第一束轨迹的第二束轨迹(例如沿水平方向)离开主腔室102。因此，在第一轨迹与第二轨迹之间界定低束弯曲，在此种情形中是为20度的束弯曲。此种配置使得静电过滤器140能够插入束线中，其中例如准直器38及基板15等束线组件的相对放置要求当通过静电过滤器处理时束轨迹具有相对小的偏差。
如图3A中进一步所示，离子束142在进入主腔室102之后在第一方向上偏转(向左或朝上)，且随后在离开主腔室之前在第二方向上偏转(向右或朝下)。
在图3B所示模拟中，离子束142是砷(As+)离子束，且被以60千伏特的初始电位导引至静电过滤器140的主腔室102中，且在静电过滤器140中被处理之后，被以60千伏特的最终电位导引至基板126。与图3A所示情形相似，离子束142被沿第一束轨迹及第二束轨迹导引穿过入口隧道52并进入主腔室102。在该两种模拟中，32毫安(mA)的电流经由静电过滤器140输送至基板126。
图4A及图4B示出模拟分别对应于图3A及图3B所示操作条件的静电位及高能中性粒子轨迹。在图4A中，腔室壁120及出口隧道124以及电极116被设定成地电位，而电极110、电极112及电极114被设定成负电位。在图4B中，腔室壁120及出口隧道124被设定成地电位，而电极110、电极112、电极114及电极116被设定成负电位。
中性粒子流(neutral flux)146及中性粒子流148代表能量分别与离子束142或离子束144的初始束能量相当的高能中性粒子进入主腔室102的路径。如所示，由于高能中性粒子不受由变化的静电位产生的电场所影响，因此高能中性粒子以直线轨迹行进，且被出口隧道124的上部部分以及电极的部分拦截。
现转至图5A及图5B，示出一对模拟分别在图3A及图3B所示条件下模拟自基板126喷射的溅镀材料130及溅镀材料132的二维空间分布。溅镀材料代表最初设置于基板126处的材料，其中用于将离子植入至基板126中的入射离子束可重新溅镀位于基板126表面上或附近的一定量的材料。具体转至图5A，入射离子束是能量为3千电子伏特(keV)的磷离子束，而在图5B中，入射离子束是能量为60千电子伏特的砷离子束。
图5A所示模拟示出重新溅镀材料可普遍存在于位于等离子体泛射式电子枪122与基板126之间的下游区域128中。另外，由等离子体泛射式电子枪122界定的出口隧道124充满重新溅镀粒子，此指示粒子自基板126朝静电过滤器140的主腔室102往回行进。
如图5A中进一步所示，模拟重新溅镀粒子会在主腔室102内形成与出口隧道124对齐的密集烟流，其中重新溅镀粒子中的大部分保留于主腔室102的位于出口隧道上方的顶部部分中。溅镀粒子的烟流可接着落于主腔室102的腔室壁120的不同位置处。在此种模拟中，重新溅镀粒子在任何情形中均不落于电极总成108的电极上。因此，图5A所示配置至少不太可能通过自基板126直接重新溅镀而在电极总成108的电极上积聚任何重新溅镀材料。
图5B所示模拟亦示出重新溅镀材料可普遍存在于位于等离子体泛射式电子枪122与基板126之间的下游区域128中。另外，由等离子体泛射式电子枪122界定的出口隧道124充满重新溅镀粒子，此指示粒子自基板126朝静电过滤器140的主腔室102往回行进。
如图5B中进一步所示，模拟重新溅镀粒子会在主腔室102内形成与出口隧道124对齐的密集烟流，其中重新溅镀粒子中的大部分保留于主腔室102的位于出口隧道上方的顶部部分中。溅镀粒子的烟流可接着落于主腔室102的腔室壁120的不同位置处。在此种模拟中，重新溅镀粒子在任何情形中均不落于电极总成108的电极上。因此，图5B所示配置至少不太可能通过自基板126直接重新溅镀而在电极总成108的电极上积聚任何重新溅镀材料。
现转至图6，其示出进一步模拟图3A所示静电过滤器40的变型。具体而言，图6示出自电极总成108的电极离开的带负电粒子的轨迹。依据施加至不同电极的各别电压，带负电粒子的轨迹倾向于自给定电极引走，从而形成复杂图案。值得注意，由于出口隧道124的几何形状相对于电极总成108的电极位置提供屏蔽，因此带负电粒子轨迹均不引出至基板126。
此外，当静电过滤器140以减速模式操作时，正离子束自初始能量减速至较低的最终能量，正粒子轨迹由电极总成108产生。
根据各种实施例，电极总成108的电极可沿所示笛卡尔坐标系的X轴伸长的棒或其他结构。因此，电极可有助于控制横截面亦沿X轴伸长的带状束，其中带状束沿X轴可为数十厘米宽，且可具有大约若干厘米的高度。所述实施例不受限于此上下文。
图2-图6所示其中在束路径的一侧上布置一个电极且在束路径的相对侧上布置三个电极的电极具体配置可特别适宜于低至中等最终离子束能量。举例而言，该些配置可适合于低于50千电子伏特的操作，其中电极上可存在相对较低的电压及静电应力，从而能够使较少的电极(例如仅三个电极)用于使离子束减速及对离子束进行导向。此种较小的电极数目使得能够达成更紧凑的主腔室设计，所述更紧凑的主腔室设计仍有效地相对于重新溅镀基板材料“隐藏”电极，且反之防止电极产生能够撞击基板的不需要的带负电粒子。
此外，尽管以上实施例示出在束路径的一侧上具有三个电极的配置，然而在其他配置中，在束路径的一侧上可布置四个电极、五个电极或更多电极。另外，尽管以上实施例在束路径的相对侧上示出仅一个电极，然而在其他实施例中，在束路径的相对侧上可布置多于一个电极。
另外，可存在电极被布置成界定更陡的束弯曲(例如60度、70度、80度或90度)或者更低的束弯曲(例如30度)的配置。在该些其他配置中，主腔室的形状、电极的位置及出口隧道的位置可被布置成使得防止或实质上减少来自基板的重新溅镀粒子撞击电极，且防止或减少带负电粒子离开电极并撞击基板。
图7示出示例性制程流程700。在方块702处，以第一能量将离子束引导至静电过滤器的主腔室中。可经由入口隧道来引导离子束。在方块704处，可在将离子束加速至第二能量的同时在第一方向上偏转离子束。在方块706处，可在将离子束减速至第三能量的同时沿与第一方向相反的第二方向偏转离子束。离子束的偏转可使用静电总成进行，所述静电总成具有电极，其中所述电极不布置于设置于静电过滤器下游的基板的视线内。
综上所述，通过本文所揭示的实施例，达成了至少以下优点。本发明实施例提供的第一个优点在于，通过消除由过滤电极产生的带负电粒子撞击基板的能力，静电过滤器对基板的直接污染减少。另外，本发明实施例提供的另一优点是消除由来自基板的重新溅镀材料积聚于静电过滤器的电极上而导致的间接基板污染，所述间接基板污染导致形成后续溅镀的附加污染源或者导致自电极出现剥落。又一优点是静电过滤器的低束弯曲结构，所述低束弯曲结构易于包含于为基板附近的低束弯曲架构而设计的离子植入机束线中。
本发明的范围不受限于本文所述具体实施例。实际上，除本文所述实施例及修改以外，通过阅读前述说明及附图，对此项技术中技术人员而言，本发明的其他各种实施例及对本发明的其他各种修改亦将显而易见。因此，此种其他实施例及修改旨在落于本发明的范围内。此外，本文已在用于特定目的特定环境下在特定实施方案的上下文中阐述了本发明，然而此项技术中技术人员仍将认识到有用性并非仅限于此，且本发明可有益地在用于任何数目的用途的任何数目的环境中实施。因此，下文所述申请权利要求要根据本文所述本发明的全部宽度及精神来解释。
Claims (15)
1.一种离子植入设备，包括：
主腔室；
入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线；
出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；以及
电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，
其中所述电极总成包括上部电极及多个下部电极，所述束路径位于所述上部电极与所述多个下部电极之间，所述多个下部电极包括至少三个电极，
其中所述出口隧道的下表面沿平行于所述束路径的第一平面延伸，所述电极总成完全设置在所述第一平面下方，且所述主腔室中没有电极设置在所述第一平面上方。
2.根据权利要求1所述的离子植入设备，其中所述电极总成包括仅一个上部电极。
3.根据权利要求1所述的离子植入设备，其中所述上部电极包括细长的横截面。
4.根据权利要求1所述的离子植入设备，其中所述电极总成仅设置于所述出口隧道的下侧上。
5.根据权利要求1所述的离子植入设备，其中所述上部电极设置于所述出口隧道的下方的第一距离处，且其中所述多个下部电极中的最末电极设置于所述出口隧道的下方的小于所述第一距离的第二距离处。
6.根据权利要求1所述的离子植入设备，其中所述入口隧道包括上部部分及下部部分，其中所述下部部分延伸至所述主腔室中的程度较所述上部部分延伸至所述主腔室中的程度深。
7.一种控制离子束的方法，包括：
提供离子植入设备，所述离子植入设备包括主腔室、入口隧道、出口隧道以及电极总成，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线，所述出口隧道连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲，所述电极总成设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，其中所述电极总成包括上部电极及多个下部电极，所述束路径位于所述上部电极与所述多个下部电极之间，所述多个下部电极包括至少三个电极，其中所述出口隧道的下表面沿平行于所述束路径的第一平面延伸，所述电极总成完全设置在所述第一平面下方，且所述主腔室中没有电极设置在所述第一平面上方；
沿第一束轨迹将离子束导引至所述主腔室中，所述离子束处于第一电位；
在第一方向上偏转所述离子束，同时将所述离子束加速至第二电位；以及
在与所述第一方向相反的第二方向上偏转所述离子束，同时将所述离子束减速至第三电位，其中所述离子束沿不同于所述第一束轨迹的第二束轨迹离开所述主腔室。
8.根据权利要求7所述的控制离子束的方法，其中所述第一束轨迹及所述第二束轨迹界定为25度或小于25度的束弯曲。
9.根据权利要求7所述的控制离子束的方法，其中所述第三电位小于所述第一电位。
10.根据权利要求7所述的控制离子束的方法，其中所述在所述第一方向上偏转所述离子束及所述在所述第二方向上偏转所述离子束包括使用电极总成偏转所述离子束，所述电极总成包括上部电极及多个下部电极。
11.根据权利要求10所述的控制离子束的方法，其中所述离子束包括带状离子束，其中所述电极总成包括沿电极轴线延伸的多个棒，所述电极轴线垂直于所述离子束的传播方向而定向。
12.根据权利要求10所述的控制离子束的方法，还包括导引所述离子束自所述主腔室沿出口隧道到达基板，其中所述电极总成设置于所述出口隧道的下方。
13.根据权利要求12所述的控制离子束的方法，还包括在所述主腔室内拦截来自所述基板的溅镀粒子，其中所述溅镀粒子不撞击所述电极总成。
14.一种离子植入机，包括
离子源，用于产生离子束；以及
静电过滤器，设置于所述离子源的下游以控制所述离子束，所述静电过滤器包括：
入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述静电过滤器的主腔室中的入口轴线；
出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；以及
电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，
其中所述出口隧道的下表面沿平行于所述束路径的第一平面延伸，所述电极总成完全设置在所述第一平面下方，且所述主腔室中没有电极设置在所述第一平面上方。
15.根据权利要求14所述的离子植入机，
其中所述电极总成包括上部电极及多个下部电极，所述束路径位于所述上部电极与所述多个下部电极之间。
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